JP6106743B2 - パターン測定装置、及び半導体計測システム - Google Patents
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Description
まず、回路パターンの撮影画像とその回路パターンの製造に用いた設計パターンのパターンマッチングを行い、設計パターンと画像の対応関係を求める(ステップ701)。なお、画像撮影の際に設計パターンをテンプレートとしてパターンマッチングを行っている場合は、そこで求めた設計パターンの画像の対応関係を利用する。次に形状スコアの算出に利用した計測値を求めた基準パターンの部位を特定する(ステップ702)。基準パターンの部位の座標を中心とし、HSLのパターンサイズと同サイズの設計レイアウトをパターンマッチングによって求めた画像と設計パターンの対応関係に基づき特定し、切り出し、HSLのデータベースと比較する(ステップ703)。
Claims (5)
- 電子デバイスの回路パターンと基準パターンの比較を行う演算装置を備えたパターン測定装置において、
当該演算装置は、前記回路パターンと基準パターンとの間の計測結果と、少なくとも2つの閾値との比較に基づいて、当該回路パターンを、当該回路パターンのレイアウトデータ、或いはマスクを修正する対象とするか、測定装置によるモニタの対象とするかの分類を行うことを特徴とするパターン測定装置。 - 請求項1において、
前記演算装置は、測定対象となるレイヤの測定対象パターンについて、当該測定対象パターンに接続される他のレイヤが存在するか否かの判定に応じて、前記分類を実行することを特徴とするパターン測定装置。 - 請求項1において、
前記演算装置は、前記回路パターンと基準パターンとの間の計測結果と、前記回路パターンの計測部分の他の層との関係情報に基づいて、前記計測部位を分類することを特徴とするパターン測定装置。 - コンピューターに、電子デバイスの回路パターンと基準パターンの比較を行わせることによって前記回路パターンの測定を行わせるコンピュータープログラムにおいて、
当該プログラムは、前記コンピューターに、前記回路パターンと基準パターンとの間の計測結果と、少なくとも2つの閾値との比較を行わせ、当該比較に基づいて、当該回路パターンを、当該回路パターンのレイアウトデータ、或いはマスクを修正する対象とするか、測定装置によるモニタの対象とするかの分類を行わせることを特徴とするコンピュータープログラム。 - 電子デバイスの回路パターンと基準パターンの比較を行うことによって前記パターンを測定するパターン測定方法において、
前記回路パターンと基準パターンとの間の計測結果と、少なくとも2つの閾値との比較に基づいて、当該回路パターンを、当該回路パターンのレイアウトデータ、或いはマスクを修正する対象とするか、測定装置によるモニタの対象とするかの分類を行うことを特徴とするパターン測定方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013030547 | 2013-02-20 | ||
JP2013030547 | 2013-02-20 | ||
PCT/JP2014/052611 WO2014129307A1 (ja) | 2013-02-20 | 2014-02-05 | パターン測定装置、及び半導体計測システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2014129307A1 JPWO2014129307A1 (ja) | 2017-02-02 |
JP6106743B2 true JP6106743B2 (ja) | 2017-04-05 |
Family
ID=51391104
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015501388A Active JP6106743B2 (ja) | 2013-02-20 | 2014-02-05 | パターン測定装置、及び半導体計測システム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9990708B2 (ja) |
JP (1) | JP6106743B2 (ja) |
KR (1) | KR101749440B1 (ja) |
CN (1) | CN105074896B (ja) |
TW (3) | TWI654438B (ja) |
WO (1) | WO2014129307A1 (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8984450B2 (en) * | 2013-03-14 | 2015-03-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus for extracting systematic defects |
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JP6581835B2 (ja) * | 2015-07-31 | 2019-09-25 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体デバイスの評価条件設定方法、及び評価条件設定装置 |
JP6750937B2 (ja) * | 2015-11-02 | 2020-09-02 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | パターン検査装置 |
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JP2018151202A (ja) * | 2017-03-10 | 2018-09-27 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 電子ビーム検査装置および電子ビーム検査方法 |
EP3454128B1 (en) * | 2017-09-12 | 2020-01-29 | IMEC vzw | A method and system for detecting defects of a lithographic pattern |
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JP7072844B2 (ja) * | 2018-03-30 | 2022-05-23 | 東レエンジニアリング先端半導体Miテクノロジー株式会社 | ウェハパターンのエッジと基準パターンのエッジとの乖離量と基準パターンのスペース幅との関係を示す補正線を生成する方法および装置、並びにコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
US10733723B2 (en) | 2018-05-22 | 2020-08-04 | Midea Group Co., Ltd. | Methods and system for improved quality inspection |
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DE102019214444A1 (de) * | 2019-09-23 | 2021-03-25 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Beurteilung der Kontaktierfähigkeit einer mit einer Metallisierung versehenen Oberfläche |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPH10247245A (ja) | 1997-03-05 | 1998-09-14 | Toshiba Corp | パターン欠陥検査装置 |
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JP4472305B2 (ja) | 2002-10-22 | 2010-06-02 | 株式会社ナノジオメトリ研究所 | パターン検査装置および方法 |
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JP2006318978A (ja) * | 2005-05-10 | 2006-11-24 | Toshiba Corp | パターン設計方法 |
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JP4887062B2 (ja) | 2006-03-14 | 2012-02-29 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料寸法測定方法、及び試料寸法測定装置 |
US7673278B2 (en) * | 2007-11-29 | 2010-03-02 | Tokyo Electron Limited | Enhanced process yield using a hot-spot library |
JP5075646B2 (ja) * | 2008-01-09 | 2012-11-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体欠陥検査装置ならびにその方法 |
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JP5103219B2 (ja) * | 2008-02-22 | 2012-12-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン寸法計測方法 |
JP5065943B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2012-11-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 製造プロセスモニタリングシステム |
JP4672073B2 (ja) * | 2008-08-22 | 2011-04-20 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理装置の運用方法 |
JP5388703B2 (ja) | 2009-06-03 | 2014-01-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 表面観察装置および表面観察方法 |
-
2014
- 2014-02-05 WO PCT/JP2014/052611 patent/WO2014129307A1/ja active Application Filing
- 2014-02-05 US US14/768,600 patent/US9990708B2/en active Active
- 2014-02-05 JP JP2015501388A patent/JP6106743B2/ja active Active
- 2014-02-05 CN CN201480009471.7A patent/CN105074896B/zh active Active
- 2014-02-05 KR KR1020157022391A patent/KR101749440B1/ko active IP Right Grant
- 2014-02-11 TW TW107127662A patent/TWI654438B/zh active
- 2014-02-11 TW TW107127665A patent/TWI713874B/zh active
- 2014-02-11 TW TW103104399A patent/TWI644099B/zh active
-
2018
- 2018-04-27 US US15/964,559 patent/US10445875B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI654438B (zh) | 2019-03-21 |
WO2014129307A1 (ja) | 2014-08-28 |
TW201842347A (zh) | 2018-12-01 |
US20160005157A1 (en) | 2016-01-07 |
US10445875B2 (en) | 2019-10-15 |
KR101749440B1 (ko) | 2017-06-20 |
US9990708B2 (en) | 2018-06-05 |
CN105074896B (zh) | 2018-04-27 |
TW201504622A (zh) | 2015-02-01 |
CN105074896A (zh) | 2015-11-18 |
TWI713874B (zh) | 2020-12-21 |
TWI644099B (zh) | 2018-12-11 |
JPWO2014129307A1 (ja) | 2017-02-02 |
TW201842329A (zh) | 2018-12-01 |
KR20150109426A (ko) | 2015-10-01 |
US20180247400A1 (en) | 2018-08-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161025 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161226 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20170119 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20170125 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170207 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170306 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |