JP6100269B2 - バルクアモルファス合金ヒートシンク - Google Patents

Description

本発明は、バルク凝固アモルファス金属合金ヒートシンクに関する。

ヒートシンクとは、固体材料内に生じた熱を空気又は液体などの流体媒体に伝達する、コンポーネント又はアセンブリを指す用語である。ヒートシンクの例としては、冷蔵及び空調システムに使用される熱交換器、並びに車のラジエータ（これも熱交換器）がある。ヒートシンクはまた、例えば高出力レーザ及び発光ダイオード（ＬＥＤ）などの電子デバイス及び光エレクトロニクスデバイスを冷却するのにも役立つ。

ヒートシンクは、周囲の冷却流体（例えば空気）に接触する表面積を増大させるよう物理的に設計されている。空気速度アプローチ（Approach air velocity）、材料の選択、フィン（又はその他の突出部）の設計、及び表面処理は、ヒートシンクの熱抵抗（すなわち熱的性能）に影響する設計要素の一部である。ヒートシンクの工学的応用の１つが、電子機器（しばしばコンピュータの中央演算処理装置（ＣＰＵ）又はグラフィクスプロセッサ）の熱管理におけるものである。これらに関して、ヒートシンクの取り付け方法及び熱伝導材料は、プロセッサの接合部又はダイの最終的温度Ｔにも影響を与える。

熱がヒートシンクから伝達される速度ｑは、熱伝達率（ｈ）、熱が伝達される表面である熱伝達表面積（Ａ）、及び温度勾配（ΔＴ）の積である。
ｑ＝ｈ・Ａ・ΔＴ
式中、
ｑ＝入力の熱流又は失われた熱流（Ｊ／ｓ＝Ｗ）
ｈ＝熱伝達率（Ｗ／（ｍ²Ｋ））
Ａ＝熱伝達表面積（ｍ²）
ΔＴ＝固体表面と周囲の流体領域との温度差（Ｋ）
熱伝達率は、ワット／（メートルの２乗×ケルビン温度）（Ｗ／（ｍ²Ｋ）のＳＩ単位を有する。

ヒートシンクから伝達された熱は、熱伝達表面積に比例し、ヒートシンクの熱伝達表面積が大きくなるほど、そのヒートシンクから伝達される熱が大きくなる。

最も一般的なヒートシンク材料はアルミニウムである。化学的に純粋なアルミニウムはヒートシンク製造には使用されておらず、むしろアルミニウム合金が使用されている。アルミニウム合金１０５０Ａは、２２９Ｗ／ｍ・Ｋの比較的高い熱伝導率を有するものの１つである。ただし、比較的柔らかい材料であるため、機械加工には推奨されない。アルミニウム合金６０６１及び６０６３は、より一般的に使用されるアルミニウム合金であり、熱伝導率はそれぞれ１６６Ｗ／ｍ・Ｋ及び２０１Ｗ／ｍ・Ｋである。

銅も、アルミニウムの約２倍の熱伝導率を有するため使用されるが、アルミニウムの３倍の重さを有する。銅は、アルミニウムに比べ約４〜６倍高価であることがある。アルミニウムは押し出し成形が可能であるという付加的利点があるが、銅は押し出し成形ができない。銅のヒートシンクは機械加工及びスカイビング加工される。別の製造方法には、ヒートシンクの基部にフィンをハンダ付けすることが挙げられる。

しかしながら、従来のヒートシンク材料のいずれも、マイクロ及びナノレベルで非常に大きな熱伝達表面積を形成するためのスタンピングなどの加工による熱成形を可能にするような、超塑性成形特性を有してはいない。

本明細書の実施形態は、金属合金を含むバルク凝固アモルファス合金に直接エンボス加工されたナノ及び／又はマイクロ複製を有するヒートシンクに関し、このヒートシンクは、空気の自然対流又は空気の強制対流によって、あるいは流体の流体相変化及び／又は流体による液冷によって、ヒートシンクからの熱を伝達するよう構成されている。他の実施形態は、ヒートシンクを有する装置に関する。更に他の実施形態は、ヒートシンク、及びヒートシンクを有する装置の製造方法に関する。

例示的なバルク凝固アモルファス合金の温度−粘度図である。

例示的なバルク凝固アモルファス合金に関する、時間−温度−変態（ＴＴＴ）図の概略図である。

ヒートシンクが高伝導率の材料のコーティングを有する一実施形態のヒートシンクの概略図である。

ヒートシンクを形成するためのバルク凝固アモルファス合金の超塑性成形の概略図である。

さまざまなタイプのヒートシンクについて、用途における電力消散と熱効率との関係を示す概略図である。

ピン型、ストレート型、及びフレア型フィンのヒートシンクのタイプである。

熱を生じるデバイスに実質的に接触している冷却チャンネルを有するヒートシンク上に取り付けられた、熱を生じるデバイスの概略図である。

バルク凝固アモルファス合金ヒートシンク（３）の一方の側に取り付けられた放熱フィンセット（４）及び冷却ファン若しくは熱電冷却デバイス（５）と、ヒートシンクと電子デバイスとの間にカバー層（３）あり又はなしで、ヒートシンク（２）の他方の側に取り付けられた電子デバイス（１）とを有する、装置の概略図である。

本明細書に引用される全ての刊行物、特許、及び特許出願は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。

冠詞「ａ」及び「ａｎ」は、本明細書では、１つ又は２つ以上（すなわち、少なくとも１つ）の、その冠詞の文法的対象語を指すために使用される。例として、「ポリマー樹脂（a polymer resin）」は、１つのポリマー樹脂又は２つ以上のポリマー樹脂を意味する。本明細書に記載されるいずれの範囲も、包括的である。本明細書の全体を通して使用される用語「実質的に」及び「約」は、小規模な変動を記述及び説明するために使用される。例えば、それらの用語は、±２％以下など、±１％以下など、±０．５％以下など、±０．２％以下など、±０．１％以下など、±０．０５％以下などの、±５％以下を指すことができる。

バルク凝固アモルファス合金、すなわちバルク金属ガラス（「ＢＭＧ」）は、最近開発された部類の金属材料である。これらの合金は、比較的穏やかな速度で、凝固及び冷却させることができ、それらはアモルファスの、非晶質（すなわち、ガラス質）状態を室温で保持する。アモルファス合金は、それらの結晶性の対応物よりも、多くの優れた特性を有する。しかしながら、冷却速度が十分に高速ではない場合には、冷却の間にその合金の内部で結晶が形成される恐れがあり、そのため、アモルファス状態の利益が失われる恐れがある。例えば、バルクアモルファス合金部品の製造に伴う１つの重要な課題は、徐冷又は合金原料中の不純物のいずれかによる、それらの部品の部分的な結晶化である。ＢＭＧ部品内では、高い程度のアモルファス化度（また反対に、低い程度の結晶化度）が望ましいため、制御された量のアモルファス化度を有するＢＭＧ部品を鋳造するための方法を開発する必要性がある。

図１（米国特許第７，５７５，０４０号より入手）は、Ｌｉｑｕｉｄｍｅｔａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙによって製造されたＺｒ−−Ｔｉ−−Ｎｉ−−Ｃｕ−−ＢｅファミリーのＶＩＴ−００１シリーズからの、例示的なバルク凝固アモルファス合金の粘度−温度グラフを示す。アモルファス固体の形成の間、バルク凝固アモルファス金属に関しては、明確な液体／固体変態が存在しないことに留意するべきである。この溶融合金は、ガラス転移温度近傍で固体形態に近づくまで、過冷却の増大と共に、ますます粘稠になる。したがって、バルク凝固アモルファス合金に関する凝固前面の温度は、ガラス転移温度近傍であり得、その温度近傍で、この合金は、急冷アモルファスシート製品を取り出すために、実際に固体として作用する。

図２（米国特許第７，５７５，０４０号より入手）は、例示的なバルク凝固アモルファス合金の時間−温度−変態（ＴＴＴ）冷却曲線、すなわちＴＴＴ図を示す。バルク凝固アモルファス金属は、従来の金属と同様に、冷却の際の液体／固体の結晶化変態を起こさない。その代わりに、高温で（「融解温度」Ｔｍ近傍で）観察される、流動性の高い、非晶質形態の金属は、温度が低減されるにつれて（ガラス転移温度Ｔｇ近傍まで）、より粘稠になり、最終的に、従来型の固体の外面的な物理的特性を呈する。

バルク凝固アモルファス金属に関しては、液体／結晶化変態は存在しないにも関わらず、対応する結晶相の熱力学的液相温度として、「融解温度」Ｔｍを定義することができる。この体系の下では、バルク凝固アモルファス合金の融解温度での粘度は、約０．１ポアズ〜約１０，０００ポアズの範囲に、更に場合によっては、０．０１ポアズ未満にあることが可能である。この「融解温度」でのより低い粘度は、ＢＭＧ部品を成形するためのバルク凝固アモルファス金属による、シェル／金型の複雑な部分のより速く完全な充填をもたらすことができる。更には、ＢＭＧ部品を成形するための溶融金属の冷却速度は、冷却の間の時間−温度プロファイルが、図２のＴＴＴ図内の結晶化領域を境界付けるノーズ形状領域を横断しないようなものでなければならない。図２では、Ｔノーズは、結晶化が最も急速であり、かつ最短の時間スケールで生じる、臨界結晶化温度Ｔｘである。

過冷却液体領域、すなわちＴｇ〜Ｔｘの温度領域は、バルク凝固合金の結晶化に対する極度の安定性を明示するものである。この温度領域内では、バルク凝固合金は、高粘度の液体として存在し得る。この過冷却液体領域内でのバルク凝固合金の粘度は、ガラス転移温度での１０¹²Ｐａ・ｓから、結晶化温度である過冷却液体領域の高温限界での１０⁵Ｐａ・ｓに至るまでの間で変化し得る。そのような粘度を有する液体は、加圧力の下で、実質的な塑性歪みを経験し得る。本明細書の実施形態は、成形及び分離方法として、この過冷却液体領域内での大きい塑性成形性を利用する。

Ｔｘについて明確にする必要がある。技術的には、ＴＴＴ図に示されるノーズ形状の曲線は、Ｔｘを温度及び時間の関数として説明する。それゆえ、金属合金を加熱又は冷却する間に辿る軌跡とは関係なく、このＴＴＴ曲線に当る場合に、Ｔｘに到達している。図２では、Ｔｘは破線として示されるが、これは、Ｔｍの近位からＴｇの近位まで、Ｔｘが変化し得るためである。

図２の概略的なＴＴＴ図は、時間−温度の軌跡（例示的軌跡として、（１）として示す）がＴＴＴ曲線に当ることがない、Ｔｍ以上〜Ｔｇ未満のダイキャストの加工処理方法を示す。ダイキャストの間、この成形は、軌跡がＴＴＴ曲線に当ることを回避するために、実質的に急速冷却と同時に行われる。時間−温度の軌跡（例示的軌跡として、（２）、（３）及び（４）として示す）がＴＴＴ曲線に当ることがない、Ｔｇ以下からＴｍ未満までの超塑性成形（ＳＰＦ）に関する加工処理方法。ＳＰＦでは、アモルファスＢＭＧは、過冷却液体領域内へと再加熱され、利用可能な加工処理ウインドウは、ダイキャストよりも遙かに大きく、より良好なプロセスの可制御性をもたらすことが可能である。ＳＰＦプロセスは、冷却の間の結晶化を回避するための急速冷却を必要としない。また、例示的軌跡（２）、（３）、及び（４）によって示されるように、ＳＰＦの間の最高温度が、Ｔノーズ超又はＴノーズ未満、最大約Ｔｍとなる状態で、ＳＰＦを実施することができる。アモルファス合金の断片を昇温させつつ、ＴＴＴ曲線に当ることを回避させた場合には、「Ｔｇ〜Ｔｍ」に加熱しても、Ｔｘには到達していない。

２０℃／分の加熱速度で得られる、バルク凝固アモルファス合金の典型的な示差走査熱量計（ＤＳＣ）加熱曲線は、大部分は、ＴＴＴデータを横切る具体的な軌跡を説明するものであり、特定温度でのＴｇと、ＤＳＣ加熱傾斜がＴＴＴ結晶化開始と交差する場合のＴｘと、最終的に、同じ軌跡が融解に関する温度範囲と交差する場合の融解ピークとが認められるであろう。図２の軌跡（２）、（３）、及び（４）の上り傾斜部分によって示されるような急速な加熱速度で、バルク凝固アモルファス合金を加熱する場合には、ＴＴＴ曲線を完全に回避することが可能であり、ＤＳＣデータは、加熱の際、ガラス転移を示すが、Ｔｘは示さない。このことについての別の考察方法は、軌跡（２）、（３）、及び（４）は、結晶化曲線に当らない限り、ＴＴＴ曲線のノーズ（及び更にその上方）〜Ｔｇ線の温度内の、いずれの場所にも収まることができる点である。そのことは、加工処理温度が上昇するにつれて、軌跡内の水平な平坦部が遙かに短くなり得ることを単に意味する。

相
本明細書での用語「相」は、熱力学状態図内で見出すことができるものを指すことができる。相は、その全体にわたって、材料の全ての物理的特性が本質的に均一である、空間の領域（例えば、熱力学系）である。物理的特性の例としては、密度、屈折率、化学組成、及び格子周期性が挙げられる。相の単純な説明は、化学的に均一で、物理的に異なっており、及び／又は機械的に分離可能な材料の領域である。例えば、ガラスジャー内の、氷及び水からなる系では、その角氷が１つの相であり、水が第２の相であり、その水の上の湿り空気が第３の相である。ジャーのガラスは、別の分離相である。相は、２成分、３成分、４成分以上の溶体であり得る固溶体、又は金属間化合物などの化合物を指すこともある。別の例としては、アモルファス相は、結晶相とは異なる。

金属、遷移金属、及び非金属
用語「金属」は、電気陽性の化学元素を指す。本明細書での用語「元素」は、全般的には、周期表に見出すことができる元素を指す。物理的には、基底状態の金属原子は、占有状態に近い、空状態を有する部分的充満帯を含む。用語「遷移金属」とは、不完全な内部電子殻を有し、一連の元素内の、最も電気陽性のものと最も電気陽性ではないものとの間の遷移リンクとして役立つ、周期表の第３族〜第１２族の範囲内の金属元素のうちのいずれかである。遷移金属は、複数の原子価、着色化合物、及び安定な錯イオンを形成する能力によって特徴付けられる。用語「非金属」は、電子を失って陽イオンを形成する能力を有さない化学元素を指す。

用途に応じて、任意の好適な非金属元素、又はそれらの組み合わせを使用することができる。合金（又は「合金組成物」）は、少なくとも２つ、少なくとも３つ、少なくとも４つ以上の非金属元素などの複数の非金属元素を含み得る。非金属元素は、周期表内の第１３族〜第１７族内に見出される、いずれかの元素とすることができる。例えば、非金属元素は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ａｔ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｏ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、及びＢのうちの、いずれか１つとすることができる。場合により、非金属元素はまた、第１３族〜第１７族内の特定の半金属（例えば、Ｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｔｅ、及びＰｏ）を指すこともある。一実施形態では、非金属元素としては、Ｂ、Ｓｉ、Ｃ、Ｐ、又はこれらの組み合わせを挙げることができる。したがって、例えば、その合金は、ホウ化物若しくは炭化物、又は双方を含み得る。

遷移金属元素は、スカンジウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、イットリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、テクネチウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、カドミウム、ハフニウム、タンタル、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金、水銀、ラザホージウム、ドブニウム、シーボーギウム、ボーリウム、ハッシウム、マイトネリウム、ウンウンニリウム、ウンウンウニウム、及びウンウンビウムのうちのいずれかとすることができる。一実施形態では、遷移金属元素含有ＢＭＧは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ａｃ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、及びＨｇのうちの少なくとも１つを有し得る。用途に応じて、任意の好適な遷移金属元素、又はそれらの組み合わせを使用することができる。合金組成物は、少なくとも２つ、少なくとも３つ、少なくとも４つ以上の遷移金属元素などの、複数の遷移金属元素を含み得る。

本明細書で説明される、合金又は合金「サンプル」又は「試料」合金は、任意の形状又はサイズを有し得る。例えば、合金は、球形、楕円、ワイヤ状、ロッド状、シート状、フレーク状、又は不規則形状などの形状を有し得る、微粒子の形状を有し得る。この微粒子は、任意のサイズを有し得る。例えば、その微粒子は、約５マイクロメートル〜約８０マイクロメートルなど、約１０マイクロメートル〜約６０マイクロメートルなど、約１５マイクロメートル〜約５０マイクロメートルなど、約１５マイクロメートル〜約４５マイクロメートルなど、約２０マイクロメートル〜約４０マイクロメートルなど、約２５マイクロメートル〜約３５マイクロメートルなどの、約１マイクロメートル〜約１００マイクロメートルの平均直径を有し得る。例えば、一実施形態では、微粒子の平均直径は、約２５マイクロメートル〜約４４マイクロメートルである。一部の実施形態では、ナノメートルの範囲のものなどの、より小さい微粒子、又は１００マイクロメートルよりも大きいものなどの、より大型の微粒子を使用することができる。

合金のサンプル又は試料はまた、遙かに大きい寸法のものにすることもできる。例えば、インゴットなどのバルク構造構成要素、電子デバイスの筺体／ケーシング、又は更にミリメートル、センチメートル、又はメートルの範囲の寸法を有する構造的構成要素の一部分とすることができる。

固溶体
用語「固溶体」は、溶体の固体形態を指す。用語「溶体」は、固体、液体、気体、又はこれらの組み合わせとすることができる、２種以上の物質の混合物を指す。この混合物は、均質又は不均質とすることができる。用語「混合物」とは、互いに組み合わされ、一般的には分離することが可能である、２種以上の物質の組成物である。一般的には、それらの２種以上の物質は、互いに化合されない。

合金
一部の実施形態では、本明細書で説明される合金組成物は、完全に合金化することができる。一実施形態では、「合金」とは、一方の原子が他方の原子に置き換わるか、又は原子間の格子間位置を占有する、２種以上の金属の均質な混合物又は固溶体を指すものであり、例えば、黄銅は、亜鉛及び銅の合金である合金とは、複合材料とは対照的に、金属マトリックス中の１種以上の化合物などの、金属マトリックス中の１種以上の元素の部分的又は完全な固溶体を指すことができる。本明細書での合金という用語は、単一の固相の微細構造を呈し得る全率固溶合金、及び２つ以上の相を呈し得る部分的溶体の双方を指すことができる。本明細書で説明される合金組成物は、合金を含むもの、又は合金含有複合材料を含むものを指すことができる。

それゆえ、完全に合金化した合金は、固溶体相であれ、化合物相であれ、又は双方であれ、その構成成分の均質な分布を有し得る。本明細書で使用される用語「完全に合金化された」は、許容誤差範囲内の僅かな変異を説明することができる。例えば、その用語は、少なくとも９５％の合金化など、少なくとも９９％の合金化など、少なくとも９９．５％の合金化など、少なくとも９９．９％の合金化などの、少なくとも９０％の合金化を指すことができる。本明細書での百分率は、文脈に応じて、体積百分率又は重量百分率のいずれかを指すことができる。これらの百分率は、合金の部分ではない組成又は相の観点によるものとすることができる不純物によって均衡させることができる。

アモルファス又は非晶質固体
「アモルファス」又は「非晶質固体」は、結晶に特徴的な格子周期性を欠く固体である。本明細書で使用するとき、「アモルファス固体」は、ガラス転移を通じて、加熱されると液体状の状態へと軟化及び変態するアモルファス固体である、「ガラス」を含む。一般的には、アモルファス材料は、結晶に特徴的な長距離秩序を欠くが、それらのアモルファス材料は、化学結合の性質による、原子の長さスケールでの何らかの短距離秩序を保有し得る。アモルファス固体と結晶性固体との区別は、Ｘ線回折及び透過型電子顕微鏡検査などの構造特性評価技術によって判定される、格子周期性に基づいて行なうことができる。

用語「秩序」及び「無秩序」とは、多粒子系内での何らかの対称性又は相関性の有無を指示する。用語「長距離秩序」及び「短距離秩序」は、長さスケールに基づいて、材料内の秩序を区別する。

固体における秩序の最も厳密な形態は格子周期性であり、特定のパターン（単位セル内の原子配列）が何度も繰り返され、空間の並進的な一様の空間充填を形成する。この格子周期性は、結晶の定義特性である。可能な対称性は、１４種のブラベー格子及び２３０種の空間群に分類されている。

格子周期性は、長距離秩序を示唆するものである。１つの単位格子のみが知られる場合には、その並進対称性によって、任意の距離での、全ての原子配置を正確に予測することが可能である。一般に逆も真であるが、ただし、例えば、完全に確定的な充填を有するが、格子周期性を保有しない、準結晶の場合は例外である。

長距離秩序は、同じサンプルの遠隔の部分が、相関する挙動を呈する、物理系を特徴付ける。この長距離秩序は、相関関数、すなわち次のスピン−スピン相関関数として表現することができる。

上記の関数では、ｓはスピン量子数であり、ｘは特定の系内の距離関数である。この関数は、ｘ＝ｘ’である場合、単位元に等しく、距離｜ｘ−ｘ’｜が増大するにつれて減少する。典型的には、この関数は、長距離で、指数関数的にゼロまで減衰し、その系は無秩序であると見なされる。しかしながら、この相関関数が大きい｜ｘ−ｘ’｜で一定値へと減衰する場合には、その系は長距離秩序を保有すると述べることができる。この関数が、距離の累乗でゼロまで減衰する場合には、準長距離秩序と呼ぶことができる。大きい値の｜ｘ−ｘ’｜を構成するものは、相対的であることに留意されたい。

系は、その挙動を定義する一部のパラメータが、経時的に進展しないランダム変数である（すなわち、それらが急冷又は凍結される）場合、急冷無秩序、例えば、スピングラスを呈すると延べることができる。この急冷無秩序は、ランダム変数自体が進展することが可能な、焼鈍無秩序とは反対である。本明細書の実施形態は、急冷無秩序を含む系を包含する。

本明細書で説明される合金は、結晶性、部分結晶性、アモルファス、又は実質的アモルファスとすることができる。例えば、合金サンプル／試料は、少なくともある程度の結晶化度を含み得るものであり、結晶粒／結晶は、ナノメートル及び／又はマイクロメートルの範囲のサイズを有する。あるいは、合金は、完全にアモルファスであるなど、実質的アモルファスとすることができる。一実施形態では、合金組成物は、実質的に結晶性であるなど、完全に結晶性であるなどの、少なくとも実質的にアモルファスではない。

一実施形態では、他のアモルファス合金中の１種の結晶又は複数種の結晶の存在は、その合金中の「結晶相」として解釈することができる。合金の結晶化度の程度（又は一部の実施形態では、略して「結晶化度」）とは、その合金中に存在する結晶相の量を指すことができる。その程度とは、例えば、合金中に存在する結晶の分率を指すことができる。この分率は、文脈に応じて、体積分率又は重量分率を指すことができる。アモルファス合金がどの程度「アモルファス」であるかの尺度を、アモルファス化度とすることができる。アモルファス化度は、結晶化度の程度の観点により測定することができる。例えば、一実施形態では、低い程度の結晶化度を有する合金は、高い程度のアモルファス化度を有すると述べることができる。一実施形態では、例えば、６０体積％の結晶相を有する合金は、４０体積％のアモルファス相を有し得る。

アモルファス合金又はアモルファス金属
「アモルファス合金」とは、５０体積％超のアモルファス含有量、好ましくは９０体積％超のアモルファス含有量、より好ましくは９５体積％超のアモルファス含有量、最も好ましくは９９体積％超〜ほぼ１００体積％のアモルファス含有量を有する合金である。上述のように、アモルファス化度が高い合金は、結晶化度の程度が同等に低いことに留意されたい。「アモルファス金属」とは、無秩序な原子スケール構造を有するアモルファス金属材料である。結晶性であり、したがって高度に秩序化した原子配置を有する殆どの金属とは対照的に、アモルファス合金は非晶質である。そのような無秩序構造が、冷却の間に液体状態から直接作り出される材料は、「ガラス」と称される場合がある。したがって、アモルファス金属は、一般に「金属ガラス」又は「ガラス金属」と称される。一実施形態では、バルク金属ガラス（「ＢＭＧ」）とは、その微細構造が少なくとも部分的にアモルファスである合金を指すことができる。しかしながら、アモルファス金属を作り出すためには、極度な急速冷却の他にも、物理蒸着、固相反応、イオン照射、メルトスピニング、及び機械的合金化を含めた、幾つかの方法が存在する。アモルファス合金は、それらが調製される方法とは関係なく、単一の部類の材料とすることができる。

アモルファス金属は、様々な急冷法を通じて作り出すことができる。例えば、アモルファス金属は、回転する金属ディスク上に溶融金属をスパッタリングすることによって、作り出すことができる。１秒当り約数百万度の急冷は、結晶が形成するには過度に高速である得るため、その金属は、ガラス状態で「固定」される。また、アモルファス金属／合金は、厚い層のアモルファス構造、例えば、バルク金属ガラスの形成を可能にするための、十分に低速な臨界冷却速度で作り出すこともできる。

用語「バルク金属ガラス」（「ＢＭＧ」）、バルクアモルファス合金（「ＢＡＡ」）、及びバルク凝固アモルファス合金は、本明細書で互換的に使用される。それらの用語は、少なくともミリメートルの範囲の最小寸法を有する、アモルファス合金を指す。例えば、その寸法は、少なくとも約１ｍｍなど、少なくとも約２ｍｍなど、少なくとも約４ｍｍなど、少なくとも約５ｍｍなど、少なくとも約６ｍｍなど、少なくとも約８ｍｍなど、少なくとも約１０ｍｍなど、少なくとも約１２ｍｍなどの、少なくとも約０．５ｍｍとすることができる。幾何学形状に応じて、その寸法は、直径、半径、厚さ、幅、長さなどを指すことができる。ＢＭＧはまた、少なくとも約１．０ｃｍなど、少なくとも約２．０ｃｍなど、少なくとも約５．０ｃｍなど、少なくとも約１０．０ｃｍなどの、センチメートルの範囲の少なくとも１つの寸法を有する、金属ガラスとすることもできる。一部の実施形態では、ＢＭＧは、少なくともメートルの範囲の、少なくとも１つの寸法を有し得る。ＢＭＧは、金属ガラスに関連する、上述の形状又は形態のうちの、いずれかを呈することができる。したがって、本明細書で説明されるＢＭＧは、一部の実施形態では、重要な一態様での従来の堆積技術によって作製される薄膜とは異なるものとすることができ、前者のＢＭＧは、後者の薄膜よりも遙かに大きい寸法のものとすることができる。

アモルファス金属は、純金属ではなく、合金とすることができる。この合金は、著しく異なるサイズの原子を含有し得ることにより、溶融状態で、低い自由体積がもたらされる（またそれゆえ、他の金属及び合金よりも、桁違いとなるまでの高い粘度を有する）。この粘度は、原子が、規則格子を形成するために十分に移動することを防ぐ。この材料構造は、冷却の間の低収縮性、及び塑性変形に対する抵抗性をもたらし得る。一部の場合には結晶性材料の弱点である、この結晶粒界の不在は、例えば、磨耗及び腐食に対する、より良好な抵抗性をもたらし得る。一実施形態では、技術的にはガラスであるが、アモルファス金属はまた、酸化物ガラス及びセラミックよりも遙かに強靭であり、脆性ではないものにすることもできる。

アモルファス材料の熱伝導率は、それらの結晶性対応物の熱伝導率よりも低いものにすることができる。より緩徐な冷却の間でも、アモルファス構造の形成を達成するために、３種以上の構成成分で合金を作製して、より高いポテンシャルエネルギー、及びより低い形成の確率を有する、複合結晶単位をもたらすことができる。アモルファス合金の形成は、以下の幾つかの因子：合金の構成成分の組成、構成成分の原子半径（好ましくは、高い充填密度及び低い自由体積を達成するために、１２％超の有意差を有する）、並びに結晶核生成を阻止し、溶融金属が過冷却状態に留まる時間を延長する、構成成分の組み合わせの負の混合熱によって決まり得る。しかしながら、アモルファス合金の形成は、多種多様な変数に基づくものであるため、合金組成物がアモルファス合金を形成し得るか否かを事前に判定することは、困難な場合がある。

例えば、ホウ素、ケイ素、リン、及び他のガラス形成剤と、磁性金属（鉄、コバルト、ニッケル）とのアモルファス合金は、低い保磁力及び高い電気抵抗を有する、磁性のものとすることができる。この高い抵抗は、例えば、トランス用磁心として有用な特性である、交番磁界に晒された場合の渦電流による低損失をもたらす。

アモルファス合金は、潜在的に有用な様々な特性を有し得る。具体的には、アモルファス合金は、同様の化学組成の結晶性合金よりも強固である傾向にあり、それらは結晶性合金よりも大きい可逆性（「弾性」）変形に耐え得る。アモルファス金属は、それらの強度を、それらの非晶質構造から直接導き出すものであり、この非晶質構造は、結晶性合金の強度を制限する欠陥（転位などの）を全く有し得ない。例えば、Ｖｉｔｒｅｌｏｙ（商標）として知られる、１つの最新のアモルファス金属は、高級チタンのほぼ２倍の引張り強さを有する。一部の実施形態では、室温での金属ガラスは延性ではなく、張力が負荷されると突然破損するが、このことは、差し迫った破壊が明白ではないため、信頼性が重要な用途での、その材料の適用性を制限する。それゆえ、この課題を克服するために、延性の結晶性金属の樹枝状の粒子又は繊維を含有する金属ガラスマトリックスを有する、金属マトリックス複合材料を使用することができる。あるいは、障害を生じる傾向がある元素（例えば、Ｎｉ）が少ないＢＭＧを使用することができる。例えば、Ｎｉを含まないＢＭＧを使用することにより、そのＢＭＧの延性を改善することができる。

バルクアモルファス合金の別の有用な特性は、これらが真のガラスであり、換言すれば、加熱により軟化かつ流動し得ることである。これは、ポリマーと同様に射出成形などの容易な加工処理を可能にする。結果として、アモルファス合金は、スポーツ用品、医療用デバイス、電子部品及び電子装備、並びに薄膜を作製するために使用することができる。アモルファス金属の薄膜は、高速酸素燃料技術を介して、保護コーティングとして堆積させることができる。

材料は、アモルファス相、結晶相、又は双方を有し得る。これらのアモルファス相及び結晶相は、同じ化学組成を有し、微細構造のみが異なる（すなわち、一方はアモルファスであり、他方は結晶質である）ものとすることができる。一実施形態での微細構造は、２５Ｘ以上の倍率の顕微鏡によって明らかとなるような材料の構造を指す。あるいは、これらの２つの相は、異なる化学組成及び微細構造を有し得る。例えば、組成物は、部分的アモルファス、実質的アモルファス、又は完全アモルファスとすることができる。

上述のように、アモルファス化度の程度（また反対に結晶化度の程度）は、合金中に存在する結晶の分率によって測定することができる。その程度とは、合金中に存在する結晶相の体積分率又は重量分率を指すことができる。部分的アモルファス組成物とは、少なくとも約１０体積％など、少なくとも約２０体積％など、少なくとも約４０体積％など、少なくとも約６０体積％など、少なくとも約８０体積％など、少なくとも約９０体積％などの、少なくともその約５体積％がアモルファス相である組成物を指すことができる。用語「実質的に」及び「約」は、本明細書中の他の場所で定義されている。したがって、少なくとも実質的にアモルファスである組成物とは、少なくとも約９５体積％など、少なくとも約９８体積％など、少なくとも約９９体積％など、少なくとも約９９．５体積％など、少なくとも約９９．８体積％など、少なくとも約９９．９体積％などの、少なくともその約９０体積％がアモルファスであるものを指すことができる。一実施形態では、実質的アモルファス組成物は、その中に存在する、何らかの付随的な少量の結晶相を有し得る。

一実施形態では、アモルファス合金組成物は、アモルファス相に関して均質とすることができる。組成が均一である物質は、均質である。このことは、不均質である物質とは対照的である。用語「組成」とは、物質中の化学組成及び／又は微細構造を指す。物質は、その物質の体積を半分に分割して、両半分が実質的に同じ組成を有する場合に均質である。例えば、微粒子懸濁液は、その微粒子懸濁液の体積を半分に分割して、両半分が実質的に同じ体積の粒子を有する場合に均質である。しかしながら、顕微鏡下で個々の粒子を視認することが可能な場合もある。均質な物質の別の例は、空気であり、その空気中の種々の成分は等しく浮遊するが、空気中の粒子、気体、及び液体は、個別に分析することができ、又は空気から分離することもできる。

アモルファス合金に関して均質である組成とは、その微細構造の全体にわたって実質的に均一に分布するアモルファス相を有するものを指すことができる。換言すれば、その組成物は、組成物の全体にわたって実質的に均一に分布するアモルファス合金を巨視的に含む。代替の実施形態では、この組成は、非アモルファス相をその中に有する、アモルファス相を有する複合材料のものとすることができる。この非アモルファス相は、１つの結晶又は複数の結晶とすることができる。それらの結晶は、球形、楕円、ワイヤ状、ロッド状、シート状、フレーク状、又は不規則形状などの、任意の形状の微粒子の形態とすることができる。一実施形態では、結晶は、樹枝状形態を有し得る。例えば、少なくとも部分的にアモルファスの複合組成物は、アモルファス相マトリックス中に分散する樹枝状結晶の形状の結晶相を有し得るものであり、この分散は、均一又は不均一なものとすることができ、アモルファス相と結晶相とは、同じ化学組成又は異なる化学組成を有し得る一実施形態では、それらの相は実質的に同じ化学組成を有し得る。別の実施形態では、結晶相は、ＢＭＧ相よりも延性とすることができる。

本明細書で説明される方法は、任意のタイプのアモルファス合金に適用可能とすることができる。同様に、組成物又は物品の成分として、本明細書で説明されるアモルファス合金は、任意のタイプのものとすることができる。このアモルファス合金は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ａｕ、Ｌａ、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｂｅの元素、又はこれらの組み合わせを含み得る。すなわち、この合金は、その化学式又は化学組成中に、これらの元素のいずれかの組み合わせを含み得る。それらの元素は、種々の重量百分率又は体積百分率で存在し得る。例えば、鉄「ベース」合金とは、その中に存在する無視することができない重量百分率の鉄を有する、合金を指すことができ、その重量百分率は、例えば、少なくとも約４０重量％など、少なくとも約５０重量％など、少なくとも約６０重量％など、少なくとも約８０重量％などの、少なくとも約２０重量％などとすることができる。あるいは、一実施形態では、上述の百分率は、重量百分率の代わりに、体積百分率とすることができる。したがって、アモルファス合金は、ジルコニウムベース、チタンベース、白金ベース、パラジウムベース、金ベース、銀ベース、銅ベース、鉄ベース、ニッケルベース、アルミニウムベース、モリブデンベースなどとすることができる。この合金はまた、特定の目的に適合するように、上述の元素のうちのいずれかを含まない場合もある。例えば、一部の実施形態では、この合金、又はこの合金を含む組成物は、ニッケル、アルミニウム、チタン、ベリリウム、又はこれらの組み合わせを実質的に含まないものであり得る。一実施形態では、この合金又は複合材料は、ニッケル、アルミニウム、チタン、ベリリウム、又はこれらの組み合わせを全く含まない。

例えば、このアモルファス合金は、式（Ｚｒ，Ｔｉ）_a（Ｎｉ，Ｃｕ，Ｆｅ）_b（Ｂｅ，Ａ１，Ｓｉ，Ｂ）_cを有し得るものであり、式中、ａ、ｂ、及びｃはそれぞれ、重量百分率又は原子百分率を表す。一実施形態では、原子百分率で、ａは３０〜７５の範囲であり、ｂは５〜６０の範囲であり、ｃは０〜５０の範囲である。あるいは、このアモルファス合金は、式（Ｚｒ，Ｔｉ）_a（Ｎｉ，Ｃｕ）_b（Ｂｅ）_cを有し得るものであり、式中、ａ、ｂ、及びｃはそれぞれ、重量百分率又は原子百分率を表す。一実施形態では、原子百分率で、ａは４０〜７５の範囲であり、ｂは５〜５０の範囲であり、ｃは５〜５０の範囲である。この合金はまた、式（Ｚｒ，Ｔｉ）_a（Ｎｉ，Ｃｕ）_b（Ｂｅ）_cを有し得るものでもあり、式中、ａ、ｂ、及びｃはそれぞれ、重量百分率又は原子百分率を表す。一実施形態では、原子百分率で、ａは４５〜６５の範囲であり、ｂは７．５〜３５の範囲であり、ｃは１０〜３７．５の範囲である。あるいは、この合金は、式（Ｚｒ）_a（Ｎｂ，Ｔｉ）_b（Ｎｉ，Ｃｕ）_c（Ａ１）_dを有し得るものでもあり、式中、ａ、ｂ、ｃ、及びｄはそれぞれ、重量百分率又は原子百分率を表す。一実施形態では、原子百分率で、ａは４５〜６５の範囲であり、ｂは０〜１０の範囲であり、ｃは２０〜４０の範囲であり、ｄは７．５〜１５の範囲である。上述の合金系の例示的一実施形態は、Ｌｉｑｕｉｄｍｅｔａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ（ＣＡ，ＵＳＡ）によって製作されるような、Ｖｉｔｒｅｌｏｙ−１及びＶｉｔｒｅｌｏｙ−１０１などの、商品名Ｖｉｔｒｅｌｏｙ（商標）の、Ｚｒ−Ｔｉ−Ｎｉ−Ｃｕ−Ｂｅベースのアモルファス合金である。種々の系のアモルファス合金の一部の実施例が、表１に記載される。

これらのアモルファス合金はまた、（Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏ）ベース合金などの、鉄合金とすることもできる。そのような組成物の例は、米国特許第６，３２５，８６８号、同第５，２８８，３４４号、同第５，３６８，６５９号、同第５，６１８，３５９号及び同第５，７３５，９７５号、ＩｎｏｕｅらのＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，Ｖｏｌｕｍｅ ７１，ｐ ４６４（１９９７）、ＳｈｅｎらのＭａｔｅｒ．Ｔｒａｎｓ．，ＪＩＭ，Ｖｏｌｕｍｅ ４２，ｐ ２１３６（２００１）、並びに日本特許出願第２００１２６２７７号（公開番号第２００１３０３２１８ Ａ号）に開示されている。１つの例示的な組成物は、Ｆｅ₇₂Ａｌ₅Ｇａ₂Ｐ₁₁Ｃ₆Ｂ₄である。別の実施例は、Ｆｅ₇₂Ａｌ₇Ｚｒ₁₀Ｍｏ₅Ｗ₂Ｂ₁₅である。本明細書でのコーティングに使用することができる、別の鉄ベース合金系が、米国特許出願公開第２０１０／００８４０５２号で開示されており、そのアモルファス金属は、例えば、括弧内に記される組成の範囲で、マンガン（１〜３原子％）、イットリウム（０．１〜１０原子％）、及びケイ素（０．３〜３．１原子％）を含有し、また括弧内に記される組成の指定範囲で以下の元素：クロム（１５〜２０原子％）、モリブデン（２〜１５原子％）タングステン（１〜３原子％）、ホウ素（５〜１６原子％）、炭素（３〜１６原子％）、及び残部の鉄を含有する。

上述のアモルファス合金系は、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｖ、及びＣｏを含めた添加遷移金属元素などの、添加元素を更に含み得る。これらの添加元素は、約２０重量％以下など、約１０重量％以下など、約５重量％など、約３０重量％以下で存在し得る。一実施形態では、この任意選択の添加元素は、コバルト、マンガン、ジルコニウム、タンタル、ニオブ、タングステン、イットリウム、チタン、バナジウム、及びハフニウムのうちの少なくとも１つであり、炭化物を形成して、耐摩耗性及び耐食性を更に改善する。更なる任意選択の元素としては、融点を低下させるための、合計で最大約２％の、好ましくは１％未満の、リン、ゲルマニウム、及びヒ素を挙げることができる。他の少量の不純物は、約２％未満、好ましくは０．５％未満とするべきである。

一部の実施形態では、アモルファス合金を有する組成物は少量の不純物を含み得る。不純物元素を意図的に添加することにより、機械的特性（例えば、硬度、強度、破壊機構など）の改善、及び／又は耐食性の改善などの、その組成物の特性を修正することができる。あるいは、それらの不純物は、加工処理及び製造の副生成物として得られるもののような、不可避の付随的な不純物として存在し得る。これらの不純物は、約５重量％など、約２重量％など、約１重量％など、約０．５重量％など、約０．１重量％などの、約１０重量％以下とすることができる。一部の実施形態では、これらの百分率は、重量百分率の代わりに、体積百分率とすることができる。一実施形態では、この合金サンプル／組成物は、アモルファス合金から本質的になる（少量の付随的な不純物のみを有する）。別の実施形態では、この組成物はアモルファス合金を含む（観察可能な微量の不純物を全く有さない）。

一実施形態では、最終部品は、バルク凝固アモルファス合金の臨界鋳造厚さを超過するものであった。

本明細書の実施形態では、バルク凝固アモルファス合金が高粘度の液体として存在することができる、過冷却液体領域の存在により、超塑性成形が可能となる。大きい塑性変形を得ることができる。過冷却液体領域内で大きく塑性変形する能力は、成形プロセス及び／又は切断プロセスに使用される。固体とは対照的に、この液体のバルク凝固合金は、局所的に変形し、このことが、切断及び成形のために必要とされるエネルギーを大幅に低下させる。切断及び成形の容易性は、合金、金型、及び切断工具の温度に応じて変化する。温度が高くなるにつれて、粘度が低下し、その結果として、切断及び成形が容易になる。

本明細書の実施形態は、例えば、Ｔｇ〜Ｔｘで実施される、アモルファス合金を使用する熱可塑性成形プロセスを利用することができる。本明細書では、Ｔｘ及びＴｇは、結晶化の開始の温度、及びガラス転移の開始の温度として、典型的な加熱速度（例えば、２０℃／分）での標準的なＤＳＣ測定から決定される。

アモルファス合金構成要素は、臨界鋳造厚さを有し得るものであり、最終部品は、その臨界鋳造厚さよりも厚い厚さを有し得る。更には、加熱及び整形操作の時間並びに温度は、アモルファス合金の弾性歪み限界が、１．０％以上、好ましくは１．５％以上であることを実質的に維持し得るように選択される。本明細書の実施形態との関連では、ガラス転移近傍の温度とは、成形温度がガラス転移温度未満、ガラス転移温度若しくはガラス転位温度近傍、及びガラス転移温度超とすることができることを意味するが、結晶化温度Ｔｘより低い温度であることが好ましい。冷却工程は、加熱工程での加熱速度と同様の速度で、好ましくは、加熱工程での加熱速度を超える速度で実施される。冷却工程はまた、好ましくは、形成荷重及び成形荷重が依然として維持されている間にも達成される。

電子デバイス
本明細書の実施形態は、ＢＭＧを使用する電子デバイスの製作で有用であり得る。本明細書での電子デバイスとは、当該技術分野において既知の任意の電子デバイスを指すことができる。例えば、この電子デバイスは、携帯電話及び固定電話などの電話、あるいは、例えばｉＰｈｏｎｅ（商標）を含めたスマートフォン、及び電子ｅメール送信／受信デバイスなどの、いずれかの通信デバイスとすることができる。この電子デバイスは、デジタルディスプレイ、ＴＶモニタ、電子ブックリーダ、携帯ウェブブラウザ（例えば、ｉＰａｄ（商標））、及びコンピュータモニタなどの、ディスプレイの一部とすることができる。この電子デバイスはまた、携帯ＤＶＤプレーヤ、従来型ＤＶＤプレーヤ、ブルーレイディスクプレーヤ、ビデオゲームコンソール、携帯音楽プレーヤ（例えば、ｉＰｏｄ（商標））などの音楽プレーヤなどを含めた、娯楽デバイスとすることもできる。この電子デバイスはまた、画像、ビデオ、音声のストリーミングを制御することなどの、制御を提供するデバイス（例えば、Ａｐｐｌｅ ＴＶ（商標））の一部とすることもでき、又は電子デバイス用の遠隔制御装置とすることができる。この電子デバイスは、コンピュータ、あるいはハードドライブタワーの筺体若しくはケーシング、ラップトップ筺体、ラップトップキーボード、ラップトップトラックパッド、デスクトップキーボード、マウス、及びスピーカーなどの、コンピュータ付属品の一部とすることができる。この物品はまた、腕時計又は時計などのデバイスにも適用することができる。

バルクアモルファス合金ヒートシンク
本明細書の実施形態において、「ヒートシンク」とは、高温から低温の流体媒体へ熱エネルギーを伝達する物体である。この流体媒体はしばしば空気であるが、水であってもよく、又は熱交換器の場合には冷媒及びオイルであり得る。流体媒体が水の場合、このヒートシンクはコールドプレートと呼ばれる。

本明細書の実施形態は、アモルファス合金ヒートシンクに関する。しかしながら、バルクアモルファス合金の多くは、あまり高い熱伝導率を有しておらず、特にジルコニウム系アモルファス合金はあまり高い熱伝導率を有していない。チタン及びジルコニウムは熱伝導率が高くないことが知られており、通常、この材料をヒートシンクに用いようとは思わない。しかしながら、バルクアモルファス合金は非常に微細な寸法でパターニングを行う非常に独特な手段を提供するため、鋳造成形又は熱成形される形状は、エッチングなしで数十ナノメートルの大きさにすることができる。よって、非常な高表面積を備えた微細形状を形成して膨大な表面積を形成することにより、放熱性能を実質的に改善することができる。高表面積のアモルファス合金ヒートシンク基板を形成した後、そのパターン付き表面を利用して、例えばプラズマ蒸着又は化学蒸着（ＰＶＤ又はＣＶＤ）など、潜在的に他のプロセスを用いて、その表面上に熱伝導率の高い材料を堆積させ得る（例えば図３を参照）。有力な候補となり得る材料には、銅、ダイヤモンド及び熱分解グラファイト、熱分解亜硝酸ホウ素、銀、金などが特に挙げられる。

使用可能な他のヒートシンク材料は、ダイヤモンド又はダイヤモンド様コーティング（ダイヤモンド様炭素（ＤＬＣ）とも呼ばれる）である。ダイヤモンドの熱伝導率は２０００Ｗ／ｍＫであり、銅の熱伝導率の５倍を超える。熱が非局在化電子により伝わる金属とは異なり、ダイヤモンドの高い熱伝導率は、格子振動によるものである。最近では、高出力集積回路及びレーザダイオードに合成ダイヤモンドが使用されている。

ＤＬＣは、ダイヤモンドの典型的な特性のいくつかを呈するさまざまな形態のアモルファス炭素材料として存在する。これらは通常、これらの特性のいくつかから利益が得られるような、バルク凝固アモルファス合金などの他の材料のコーティングとして、適用することができる。すべての形態が、有意な量のｓｐ３混成の炭素原子を含む。さまざまなタイプのＤＬＣが存在する理由は、ダイヤモンドであっても、２つの結晶質ポリタイプがあり得ることである。通常のタイプは炭素原子が立方体格子配置になっているが、まれに（ロンズデーライト）六角形格子を有する。これらのポリタイプをさまざまな方法でナノスケールレベル構造で混合することにより、ＤＬＣコーティングは、アモルファスで、柔軟性でありながら、しかも同時に純粋にｓｐ３結合した「ダイヤモンド」であるように製造することができる。最も硬く、強く、かつ滑らかなのは、テトラヘドラルアモルファスカーボン（又はｔａ−Ｃ）として知られる混合物である。例えば、厚さわずか２μｍのｔａ−Ｃのコーティングにより、一般的なステンレススチール（例えばタイプ３０４）の耐摩耗性は改善され、その使用寿命は１週間だったものが８５年に変わる。そのようなｔａ−Ｃは、ｓｐ３結合した炭素原子のみから成っているため、ＤＬＣの「純粋な」形態であると見なすことができる。他のＤＬＣの形態において、水素、グラファイト状ｓｐ２炭素、及び金属などの充填剤を使用して、製造費用を低減し、又は他の望ましい特性を付与することができる。ＤＬＣの様々な形態は、減圧環境で利用可能なほぼあらゆる材料に適用することができる。

複合材料をヒートシンクに使用することができる。例としては、銅タングステン擬合金、ＡｌＳｉＣ（アルミニウムマトリックス中に炭化ケイ素）、Ｄｙｍａｌｌｏｙ（銅−銀合金マトリックス中にダイヤモンド）、及びＥ−Ｍａｔｅｒｉａｌ（ベリリウムマトリックス中に酸化ベリリウム）がある。そのような材料は、熱膨張係数がセラミックス及び半導体に一致し得るため、しばしばチップの基板として使用される。

冷却流体は、空気、水、又はその他の任意の流体冷却剤であり得る。また、熱アモルファス合金ヒートシンクを水などの液体と共に使用して、ヒートシンクの内部に水チャンネルのパターンを形成し、ヒートシンク内の熱を除去することができる。例えば、ヒートシンクの内側及び／又は外側に、水ジャケット及び／又は熱交換器を設計することができる。

アモルファス合金ヒートシンクの表面は、いくつかの異なる方法でパターン形成することができる。現在、大型のヒートシンクは機械加工によりパターン形成され、一方、小型のヒートシンクはエッチング又はマイクロ放電加工（ＥＤＭ）によりパターン形成されている。これらはすべてかなり高価なプロセスであり、大がかりなセットアップを必要とする。しかしながら、本明細書の実施形態により、機械加工、エッチング、又はＥＤＭを必要とせず、アモルファスバルク金属ガラスを熱可塑形成することにより、アモルファス合金ヒートシンクのパターン形成を行うことができ、比較的短く安価な一連工程で、非常に微細な形状を形成することができる。金型を加熱し、アモルファス合金をその加熱した金型に適用するか、あるいは、アモルファス合金を、図２のＴｇとＴｍとの間の過冷却液体範囲内に加熱してから、金型に入れてプレスすることによって、図４に示すように、材料を変形させ、非常に微細な形状を非常に迅速に形成することができる。

別の実施形態において、バルク凝固アモルファス合金ヒートシンクにおけるパターン形成は、図２の時間−温度プロファイル（１）のような、ヒートシンク内の時間−温度プロファイルを維持しながら、金型内で鋳造することにより形成することができ、これによって、時間−温度プロファイルは金属合金の結晶質領域を横切らずに、バルク凝固アモルファス合金ヒートシンクを形成する。別の実施形態において、金型及び／又はメッシュを使い捨てであってもよい。これは、パターン形成されたバルク凝固アモルファス合金ヒートシンクを金型上に形成した後、例えば炭素金型の場合には、エッチング又は焼却のいずれかにより、その金型材料を除去することを意味する。別の実施形態において、金型は熱又は化学薬品で除去され、あるいは、金型の少なくとも一部分は除去されずにヒートシンクの一体化された部分として残り、これによって、テクスチャに使用された金型の一部を残したまま、バルク凝固アモルファス合金ヒートシンク上にテクスチャ付き表面を形成することができる。バルク凝固アモルファス合金の表面形状は、図３に示すように、熱伝導性材料でコーティングすることができる。

一変形例において、アモルファス合金ヒートシンク上に高表面積のマイクロ形状を形成し、次に、選択された位置又は全体のいずれかで加熱と緩やかな冷却を行って、図２の時間−温度プロファイルが結晶質領域を通って横切ることにより、アモルファス合金ヒートシンクを結晶化させる。材料の結晶質形態は通常、アモルファス形態よりも高い熱伝導率を有することから、例えば、ヒートシンクの熱伝導率を改善するために、ヒートシンク又はその一部を結晶質にすることが望ましい場合がある。また、コーティングプロセス中に、特定の条件下で、それ自体が３００〜４００℃に達し、あるいは少なくともコーティングされる表面がそのような高温になることがある。そのような場合、ヒートシンクのアモルファス合金は自動的に結晶質になる。しかしながら、本明細書の実施形態によるヒートシンクは、パターン形成が完了した後はアモルファスである必要はないため、ヒートシンクを結晶質にさせてもよく、コーティングプロセスのプロセス条件を緩和することができる。

図５（ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ａａｖｉｄｔｈｅｒｍａｌｌｏｙ．ｃｏｍ／ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ／ｏｖｅｒｖｉｅｗから入手）は、さまざまなタイプのヒートシンクについて、用途における電力消散と熱効率との関係を示す概略図である。Ｘ軸は、失われる電力の合計量を表わし、Ｙ軸は、合計電力、単位体積、及び熱流密度に対する熱抵抗の関係として定義することができる。このツールは、利用できる解決策の分野を絞り込むことにより、熱の問題を解決するための出発点として利用される。ある用途に好適な技術は、Ｘ軸上の予測される電力消散をプロットし、Ｙ軸に沿って交差する解決策のすべての範囲を検討することにより、特定することができる。使用される電力及びシステム構成のダイナミクスによっては、個々の熱問題を解決するのに適切な冷却メカニズムは複数存在する場合がある。

本明細書の実施形態のヒートシンクは、主要な冷却メカニズム、すなわち自然対流、強制対流、流体相変化及び液冷に、分類することができる。

自然対流ヒートシンクは、放熱に際し、特定の局所的空気速度に依存しない。自然対流ヒートシンクは、本質的に受動的である。自然対流ヒートシンクは、型打ちヒートシンク又は押し出し成形ヒートシンクであってよく、これは、自然対流環境において低電力密度の熱問題に対する経済的な解決策を提供する。アモルファス合金をスタンパーで型打ちするか、又は、押し出しダイにアモルファス合金を押し込むことによって、複雑な放熱構造を形成することができる。図６は、ピン型、ストレート型、及びフレア形フィンのヒートシンクタイプを示す。これらの複雑な形状では、増加した表面積を介して、より大きな放熱が可能となる。ピン型フィンのヒートシンクは、基部から延出するピンを有するヒートシンクである。このピンは円筒型であってよく、楕円形、又は正方形であってもよい。第２のタイプのヒートシンクのフィン配置は、ストレート型フィンである。これは、ヒートシンクの長さ全体にわたる。ストレート型フィンのヒートシンクの変形形態は、碁盤目ヒートシンクである。ストレート型フィンのヒートシンクは、一定の間隔で切断される。一般に、ヒートシンクの表面積が大きいほど、より良く機能する。ピン型フィンのヒートシンクのコンセプトは、表面積をできる限り大きくして所与の体積内に収容しようとするものである。取り付け機構とインタフェース材料は、製造プロセス中に容易に追加することができる。

強制対流ヒートシンク（例えば高密度フィンのヒートシンク及びファンヒートシンク）では、熱効率を高めるため、専用ファン又はシステムレベルのファンのいずれかを組み込むことにより生成される強制空気速度を必要とする。ファンヒートシンク、高密度フィンアセンブリ、並びに基板面の冷却器は、衝突又流は直交流環境のいずれかに対応し、アモルファス合金で構成することができる。高密度フィンヒートシンクは、より大きな容積測定の表面積を形成することにより、強制対流下で高出力用途の効率を改善するもので、高アスペクト比の突出部と、組立てフィンアセンブリとの２つのタイプに分類することができる。組立てフィンアセンブリは、基部から構成され、独立したフィンを有しており、これにより、押し出し成形フィンよりも大きなアスペクト比が可能になる。アモルファス合金ヒートシンクは、型打ち、折り曲げ、ジッパー形などのさまざまなタイプのアモルファス合金フィンを使用して組立てることができ、これらはアモルファス合金基部に熱接着により取り付けられる。アモルファス合金フィンをアモルファス合金基部に取り付ける熱接着は、そのアモルファス合金フィン及びアモルファス合金基部を形成しているアモルファス合金のＴｇよりも高い温度で行われる。あるいは、エポキシ接着、スエージング、鑞付け、又はハンダ付けにより、アモルファス合金基部以外であり得る基部に、アモルファス合金を接着することもできる。

流体相変化ヒートシンク及び液冷ヒートシンクは、閉ループのヒートパイプを含む。流体相変化ヒートシンクにより、蒸発と凝縮を介する熱の迅速な交換移動が可能になる。液冷ヒートシンクは、熱源を通って流体を循環させるため、熱交換器及びポンプシステムと共に、チャンネルが通ったコールドプレートを含む。一般に、液冷技術は、強制対流又は液層変化システムでは電力需要を消散させることができないような、高い熱流密度を包含する用途のために用いられる。液冷ヒートシンクには、液体コールドプレート、並びに拡大面コールドプレート及びマイクロチャンネルのコールドプレートが挙げられる。より大きな密度が必要な場合、又は物理的な寸法制限が存在する場合には、熱効率を更に高めるために、他のヒートシンク技術にヒートパイプを組み込むことができる。ヒートパイプは、熱発生器から離れた地点へ、熱を移送又は拡散する。ヒートパイプは、小径又は大径のヒートパイプであり得る。ヒートパイプは、水平方向又は垂直方向に広がるよう配置できる。ヒートパイプは、基部又はフィンに埋め込むことができるが、基部に埋め込むことが好ましい。ヒートパイプ用に内部に組み込まれたチャンネルを有するアモルファス合金基板を使用することにより、ヒートパイプは基板に組み込むことができる。内部にチャンネルを備えたアモルファス合金基板は、必要に応じて高熱伝導率材料でコーティングし、熱を生じる装置又はアモルファス合金シートに直接接着（例えば、アモルファス合金を加熱することにより熱的に接着、又は、高熱伝導率エポキシなどの高熱伝導率接着材料を用いて接着）して、アモルファス合金シートによりチャンネルが閉じ込められるようにすることができる。このシステムにより、チャンネル（埋め込まれたヒートパイプ）を備えた基板の構築が可能になる。平らなシートを熱源に直接接触させることにより、図７の上図に示すように、熱源と埋め込まれたヒートパイプとの間のハンダ接合を排除することができる。図７の上図の実施形態のような液体コールドプレートは、冷媒管を装置基板に直接接触させて配置することにより、装置とコールドプレートとの間の熱抵抗を最小限に抑え得る。直接接触により、装置と流体との間の熱界面の数を低減し、これにより、一般に基板と管との間に小さな空気の隙間を残す「ドライ接合部」（図７の下図を参照）を利用する場合とは異なり、性能を改善することができる。

アモルファス合金液体コールドプレートは、アモルファス合金基板内にチャンネルを作ってから平らなカバープレートで覆う方法ではなく、アモルファス合金カバープレートにチャンネルを型打ちすることによって、作製することができる。アモルファス合金カバープレートと、アモルファス合金基板とを熱接着することにより、基板とカバープレートとの間に漏れのない接合が形成され得る。研削加工されたコールドプレートとは異なり、型打ちされたチャンネルでは、液体チャンネルの場所に関係なく、ヒートシンクの下側に取り付け穴をドリルで開けるための可撓性がより大きくなる。チャンネルの内側は、熱伝達性能を改善するため、ずれた位置のフィン構造を使用することができる。

マイクロチャンネルヒートシンク及びナノチャンネルヒートシンク
本明細書の実施形態による別のタイプのアモルファス合金ヒートシンクは、拡大面のヒートシンク、並びにマイクロ及び／又はナノチャンネルヒートシンクであり、これらは、熱源に直接取り付けられたアモルファス合金ヒートシンクコールドプレート内に、ミニチュアの経路（マイクロ毛細管）ネットワークを介して流体を通すことにより、はるかに小さい占有面積で、優れた液冷性能を提供することができる。このコンパクトで能動的な解決策は、高性能マイクロプロセッサ、及びその他の、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）モジュールを含む高熱流密度用途に好適であり得る。マイクロチャンネルヒートシンクの主な利点は、熱伝達率が高く、従来の熱交換器より６０倍も高くなり得ることである。

バルクアモルファス合金は、一次相転移を欠いているため、融解温度より上の温度からガラス転移温度に至るまでその流動性を維持する。これは、従来の金属及び合金とは対照的である。バルクアモルファス合金はその流動性を維持するため、鋳造温度からガラス転移温度より下の温度まで冷却されたときに顕著な応力を蓄積することがなく、このため、熱応力勾配による寸法歪みを最小限に抑えることができる。したがって、大きな表面積及び小さな厚さを備える入り組んだ構造を、コスト効率良く製造することができる。

成形プロセスを用いて、構造内にナノ及びマイクロ複製を製造するための１つの代表的な方法は、次の工程を含む：
１）実質的にアモルファスであり、かつ、弾性歪み限界が約１．５％以上、ΔＴが３０℃以上である、アモルファス合金のシート供給材料を提供する工程と、
２）この供給材料をガラス転移温度近くまで加熱する工程と、
３）加熱された供給材料に、ナノ及び／又はマイクロ複製を成形する工程と、
４）形成された構成部品を、ガラス転移温度よりはるかに低い温度まで冷却する工程と、
５）最終仕上げを行う工程。

好ましくは、提供されるアモルファス合金のΔＴは６０℃超であり、より好ましくは９０℃超である。更には、加熱及び成形操作の時間並びに温度は、アモルファス合金の弾性歪み限界が、１．０％以上、好ましくは１．５％以上であることを実質的に維持されるように選択される。本明細書の実施形態との関連では、ガラス転移近傍の温度とは、成形温度がガラス転移未満、ガラス転移温度若しくはガラス転位温度近傍、及びガラス転移温度超、並びに融解温度Ｔｍ未満とすることができることを意味するが、結晶化温度Ｔ_x未満の温度であることが好ましい。冷却工程は、加熱工程での加熱速度と同様の速度で、好ましくは、加熱工程での加熱速度を超える速度で実施される。冷却工程はまた、好ましくは、形成荷重及び成形荷重が依然として維持されている間にも達成される。

一実施形態において、ナノ及び／又はマイクロ複製は、ニッケル合金から製造される金型内で実施された。ホログラム寸法を有するマイクロ複製は、この金型で製造され、ＬｉｑｕｉｄＭｅｔａｌ １Ｂと呼ばれるバルク凝固アモルファス合金の過冷却液体領域内である約４４５℃までこれを加熱した。ホログラムは基本的に、表面上の一連の平行なチャンネルであり、光がここに入り込み、反射して戻る。

一般的な目的のためには、アモルファス合金のＴｇとＴｍの間、又はＴｇとＴｘの間の過冷却液体範囲内に、金型を加熱することができる。この金型を使って、バルク凝固アモルファス合金に圧力を加えることによりバルク凝固アモルファス合金部品上に複製を形成することができ、この圧力は、数ポンドから数百ポンド、数千ポンドに至る範囲であり得る。これには、結晶性材料から製造されるシェル金属の型打ちに用いられるのと同様、多大な力を加える必要がある。この力は、マイクロ複製の表面積に比例し得る。小さなマイクロ複製を作成する場合は、大きなマイクロ複製の場合よりも小さな力で済む。一実施形態においては、バルク凝固アモルファス合金を加熱する必要すらない。その代わりに、金型を加熱するだけで、この金型が、バルク凝固アモルファス合金の局所的表面を加熱するのに十分な熱エネルギーを保持することができ、これによりバルク凝固アモルファス合金内にマイクロ複製又はその他の形状を備えた、金型のナノ及び／又はマイクロ複製を形成することができる。

本明細書の実施形態は更に、ダイ鋳造金型のようなものではなく、むしろ通常のゴム印に近い、型打ち装置のような金型を用いた、バルク凝固アモルファス合金のナノ複製に関する。よって基本的に、打ち型上にマイクロ形状を備えた打ち型を使って、打ち型を加熱し、この打ち型をバルク凝固アモルファス合金に押し付け、直接エンボス加工することによって、マイクロ形状をバルク凝固アモルファス合金の表面上に複製することができる。

本実施形態の新しい特長の１つは、金属表面にマイクロ複製を成形するのに従来必要とされるような、ウェットプロセス又はレーザプロセスを排除できるという点である。現在、金属表面にマイクロ複製を形成するためには、製造業者は、レーザを用いて行うか、あるいは、ウェットプロセスであるフォトリソグラフィプロセスを用いて表面のエッチングを行う必要がある。金属表面は光を反射するよう滑らかでなければならないため、金属表面にマイクロ複製をレーザ加工するのは非常に難しい。また、マイクロ複製の形状には深さがあり、レーザがこの深さまでエッチングして、マイクロ複製を形成しなければならない。しかしながら、流体チャンネルを内部に有するヒートシンクに必要なマイクロ複製の深さまでレーザでエッチングするのは非常に難しい。

本実施形態によれば、いったん金型を形成すると、この金型を、ゴム印と同じように、繰り返し使用することができる。マイクロ複製を内部に形成したいと思う部品のバルク凝固アモルファス合金部分の表面にマイクロ複製を文字通り型打ちするだけで、それを得ることができる。

バルク凝固アモルファス合金上のマイクロ複製は、金型上にあるものと同じであり得る。型打ちマイクロ複製では、ヒートシンクの金属表面の上にマイクロ複製を型打ちするだけである。

このバルク凝固が、形成温度で酸素又は窒素と反応する材料（例えばジルコニウム合金、又はチタン、ジルコニウムベース合金）である場合、このプロセスは不活性雰囲気下で実施しなければならない可能性がある。しかし、バルク凝固アモルファス合金が白金系、金系、又は貴金属系を有する合金を含む場合、ナノ又はマイクロ複製を不活性雰囲気下で実施する必要はなくなる。実験の１つにおいて、マイクロ複製は空気中でジルコニウムベースバルク凝固アモルファス合金上に形成され、このジルコニウムベースバルク凝固アモルファス合金の表面上に酸化物形成がない限り、減圧下やそのような雰囲気下でプロセスを実施する必要はない。なぜなら、プロセスは非常に迅速であり、ジルコニウムベースバルク凝固合金に何らかの劣化を起こすほどその温度は高くないからである。同様に、チタンベースバルク凝固アモルファス合金もおそらく、減圧下又は不活性環境下でプロセスを行う必要はない。

これらの形状がエンボス加工されるヒートシンク基板は、望ましい形を備えたバルク凝固アモルファス合金で製造することができる。この形状は、熱可塑性成形を利用することによりあらかじめ（鋳造又はその他の手段により）形成された、バルク凝固アモルファス合金の表面上に、押印又はエンボス加工することができる。熱可塑性成形に必要な装置は、負荷を加える圧盤の変位と圧力の制御と、その部品を保持するための適切な付属品とを備えた、水圧プレスであり得る。

図５に示すように、ヒートシンクの１つのタイプは、流体相変化タイプである。マイクロチャンネル内での２相の流れと沸騰熱伝達により、高効率の放熱が得られる。特に、マイクロチャンネルは、型打ちプロセスにより直接、アモルファス合金基板に形成することができる。よって、マイクロチャンネル内の高い熱伝達冷却流体と、マイクロチャンネルの大きな熱伝達面積とを利用することにより、大量の熱を容易に除去することができ、これにより電気コンポーネントの性能を向上させることができる。電気コンポーネントとマイクロチャンネルヒートシンクは、熱伝導性接着剤で互いに接続することができ、その電気コンポーネントから生じた熱は、熱伝導性接着剤を介してすみやかにマイクロチャンネルヒートシンクへと伝達される。マイクロチャンネルヒートシンクは、上側カバー層及び冷却基板層を含んでもよく、冷却基板層は複数の平行なマイクロチャンネルを含み得る。上側カバー層と冷却基板層の両方とも、アモルファス合金で製造することができ、図２に示すＴｇとＴｍとの間の超塑性温度にそれらを加熱することによって熱接着することができる。使用流体がマイクロチャンネルを満たし、流入管から流出管へと流れる。この間に、電気コンポーネントにより生じた熱が、冷却基板層によって奪い去られる。

一実施形態において、複数のマイクロチャンネルを平行に配置することができ、マイクロチャンネルの断面積は、長手方向に沿って実質的に同じであり得る。ただし、２相流ではマイクロチャンネル内での沸騰が起こる可能性があり、不安定状態を引き起こすことがある。そのような不安定性の問題は特に、高い熱伝達率と低い流量の条件下で起こり得る。熱流の不安定性により、熱伝達率の危険値に早期に達する可能性があり、これによって、チャンネル内の流体がなくなり、その内壁表面が高温になることがある。熱流の不安定性の問題が起こる可能性を最小限に抑えるため、一実施形態において、米国特許出願第２００８／０３０８２５８（Ａ１）号に記載されているように、各マイクロチャンネルの断面積を、流入流体タンクから流出流体タンクに向かう方向で増大させることができる。

別の実施形態は、例えば、集積回路（ＩＣ）などの電子デバイスと、内部にマイクロ冷却チャネルを有するアモルファス合金ヒートシンクとを統合することに関する。本実施形態において、ＩＣチップなどの電子デバイスのシリコンウェハ基板又はその他の基板について、ヒートシンクに接触し得る表面を、アモルファス合金のコーティング又はアモルファス合金の層でコーティングすることができる。次に、アモルファス合金でコーティングされた電子デバイスの表面とアモルファス合金ヒートシンクとの間にアモルファス合金カバーシートを挟んで、又は挟まずに、そのアモルファス合金のＴｇとＴｍとの間の温度で超塑性成形させることにより、その電子デバイス（ＩＣチップなど）を、内部にマイクロチャンネルを備えたアモルファス合金ヒートシンクに熱接着することができる。このアプローチにより、電子デバイスとヒートシンクを接着するのに従来のように熱伝導性接着剤を使用することなく、ヒートシンクに統合された電子デバイスを形成することができる。

更に別の実施形態において、ヒートシンクと共に、放熱フィンのセット及び冷却ファン又は熱電冷却デバイスを含めることができる。熱電冷却デバイスは、２つの別種の材料の接合部間に熱流を生じるペルチェ効果を利用して熱電冷却をもたらす任意のデバイスであり得る。

ペルチェ冷却器はソリッドステートの能動的ヒートポンプであり、電気エネルギーを消費して、デバイスの一方の側から他方の側へと温度勾配に対抗して（低温から高温へ）熱を移動させる。ペルチェ冷却器では、デバイスの両側間の温度差を生成するのに電力が使用される。そのような機器はペルチェデバイス、ペルチェヒートポンプ、ソリッドステート冷却装置、又は熱電冷却器（ＴＥＣ）とも呼ばれる。ペルチェデバイスはヒートポンプであり、直流電流がここを通ると、熱が一方の側から他方へと移動する。よって、これは加熱又は冷却（冷蔵）のいずれにも使用することができるが、本明細書の実施形態では、主な用途は冷却である。

放熱フィンセットは、ヒートシンクの上側に配置することができる。放熱フィンセットは、上述のように、超塑性成形によって、アモルファス合金ヒートシンクの表面に型打ちすることができる。冷却ファン又は熱電冷却デバイスは、放熱フィンセットの上部に取り付けることができる。冷却ファン又は熱電冷却デバイスは、冷却ファン又は熱電冷却デバイスの表面にアモルファス合金のコーティング又はアモルファス合金の層を有し得、これが、放熱フィンセットに接触して、超塑性成形によって、冷却ファン又は熱電冷却デバイスをフィンセットに熱接着することができる。冷却ファン又は熱電冷却デバイスは、強制対流効果を生じるため、冷却ファン又は熱電冷却デバイスを備えたヒートシンクは、比較的優れた放熱効果を生じ得る。

更に別の実施形態において、図８に示すように、放熱フィンセット（４）及び冷却ファン又は熱電冷却デバイス（５）は、バルク凝固アモルファス合金ヒートシンク（３）の一方の側に取り付けることができ、電子デバイス（１）は、ヒートシンクと電子デバイスとの間にカバー層（３）あり又はなしで、ヒートシンク（２）の他方の側に取り付けることができる。ヒートシンクは、水などの流体が中を流れるマイクロチャンネルを有し得、アモルファスコーティング又は層を備えた冷却ファン又は熱電冷却デバイスと、アモルファス合金放熱フィンセットと、アモルファス合金ヒートシンクと、アモルファス合金カバー層（使用されている場合）と、アモルファスコーティング又は層を有する電子デバイスとの組み合わせが、すべて超塑性成形によって互いに熱接着され、電子デバイスとヒートシンクの両方を有する図８に示すような一体型デバイスを形成することができる。そのようなヒートシンクは、マイクロチャンネルを通って流れる流体の熱伝導と、フィンセットに取り付けられた冷却ファン又は熱電冷却デバイスによる対流の両方によって、冷却され得る。

Claims (19)

1. バルク凝固アモルファス合金のガラス転移温度（Ｔｇ）よりも高い温度におけるバルク凝固アモルファス合金の超塑性成形によって、バルク凝固アモルファス合金コンポーネントに少なくともナノ又はマイクロスケール形状をエンボス加工する工程と、
   少なくともナノ又はマイクロスケール形状をエンボス加工後、少なくともバルク凝固アモルファス合金コンポーネントの一部をアモルファス相から結晶質相へと変質させる工程と、を含むヒートシンクを形成する方法であって、
   前記バルク凝固アモルファス合金が、いかなる永久変形又は破損もなしに、最高１．５％又はそれ以上の歪みを維持できる、ヒートシンクを形成する方法。
2. 前記少なくともナノ又はマイクロスケール形状をエンボス加工する工程が、前記バルク凝固アモルファス合金の一部を金型で型打ちする工程を含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記少なくともナノ又はマイクロスケール形状をエンボス加工する工程中に、前記バルク凝固アモルファス合金の温度がＴｇ未満下又はＴｇ超であり、ただし、型打ち領域の局所的温度はＴｇ超である、請求項１に記載の方法。
4. 前記バルク凝固アモルファス合金を、Ｔｇ未満から、Ｔｇと前記バルク凝固アモルファス合金の融解温度（Ｔｍ）との間の温度まで加熱する工程と、
   前記バルク凝固アモルファス合金を金型に挿入する工程と、
   をさらに含み、
   前記少なくともナノ又はマイクロスケール形状をエンボス加工する工程は、前記金型を介して前記バルク凝固アモルファス合金に対して力を加えることを含む、請求項２に記載の方法。
5. 前記少なくともナノ又はマイクロスケール形状が、中に流体を移送するためのチャンネルを含む、請求項１に記載の方法。
6. 前記方法が、ウェットプロセス又はエッチングなしで実行される、請求項１に記載の方法。
7. 前記バルク凝固アモルファス合金を形成するために金属合金を処理する工程を更に含み、前記処理する工程が、前記金属合金の時間−温度−変態（ＴＴＴ）図において、前記処理する工程中の時間−温度プロファイルが結晶質領域を境界付ける領域を横断しない様式で実施される、請求項１に記載の方法。
8. 前記ヒートシンクの超塑性成形によって、前記ヒートシンクを物品に熱接着する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
9. 前記物品が、少なくとも電子デバイス、冷却ファン、又は熱電冷却デバイスである、請求項８に記載の方法。
10. 前記ヒートシンクと前記物品との間に、バルク凝固アモルファス合金カバー層を熱接着する工程を更に含む、請求項９に記載の方法。
11. 少なくともバルク凝固アモルファス合金コンポーネントの一部をアモルファス相から結晶質相へと変質させる工程は、前記バルク凝固アモルファス合金コンポーネントの全部を結晶化させることを更に含む、請求項１に記載の方法。
12. 実質的にアモルファス相を有する選択された第１部分と、
    実質的に結晶質相を有する選択された第２部分と、
    ヒートシンクにエンボス加工された少なくともナノ又はマイクロスケール形状とを有するヒートシンクであって、
    前記ヒートシンクが、少なくとも空気の自然対流、空気の強制対流、流体の流体相変化、又は流体による液冷によって、熱を伝導するよう構成されている、ヒートシンクを備える、装置。
13. 前記ヒートシンクと熱的に連結された少なくとも電子デバイス又はＩＣチップを更に備える、請求項１２に記載の装置。
14. バルク凝固アモルファス合金とそれにエンボス加工された少なくともナノ又はマイクロスケール形状で結晶化された表面とを有する基板と、
    少なくともナノ又はマイクロスケール形状の少なくとも一部を覆う材料の層とを備えるヒートシンクを備え、
    前記材料は前記バルク凝固アモルファス合金よりも高い熱伝導率を有する装置。
15. 前記ヒートシンクと熱的に連結された少なくとも電子デバイス又はＩＣチップを更に備える、請求項１４に記載の装置。
16. 前記材料は、銅、ダイヤモンド、熱分解黒鉛、銀及び金からなるグループから選択される、請求項１４に記載の装置。
17. 少なくともバルク凝固アモルファス合金の一部をアモルファス相から結晶質相へと変質させる工程は、
    前記バルク凝固アモルファス合金を加熱する工程と、
    前記バルク凝固アモルファス合金の一部を結晶化するように選択された速度で、前記バルク凝固アモルファス合金を冷却する工程と、
    を備える、請求項１に記載の方法。
18. 前記第２部分は、前記第１部分より高い熱伝導率を有する、請求項１２に記載の装置。
19. 前記第１部分と前記第２部分とは同じ化学成分を備える、請求項１８に記載の装置。

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