JP6099056B2 - ガスセンサ及びガスセンサアレイ - Google Patents
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Description
[1] 対向電極の間に半導体ナノワイヤーが配置され、
該半導体ナノワイヤーは光が照射され得る状態にあり、
該対向電極に電圧が印加された状態で該半導体ナノワイヤーに光が照射されて発生する光電流の、該半導体ナノワイヤーへのガスの吸着に伴う電流変化を計測する、ガスセンサ、
[2] 半導体ナノワイヤーにおける個々のワイヤー間が透明絶縁性樹脂バインダーにて結着されている、上記[1]に記載のガスセンサ、
[3] 対向電極の少なくとも一方の電極が透明電極である、上記[1]または[2]に記載のガスセンサ、
[4] 透明電極の内面に透明絶縁層が設けられている、上記[3]に記載のガスセンサ、
[5] 対向電極の一方の電極が透明電極であり、他方の電極の内面に導電層が設けられている、上記[3]または[4]に記載のガスセンサ、
[6] 半導体ナノワイヤーのバンドギャップ近傍以上のエネルギーの光を発する光源を有し、該光源が透明電極の外側に配設されている、上記[3]〜[5]のいずれか1つに記載のガスセンサ、
[7] 対向電極の一方の電極の内面に絶縁層が設けられ、他方の電極の内面に導電層が設けられている、上記[1]または[2]に記載のガスセンサ、
[8] 2本の導体線の先端が対向し、該2本の導体線の先端が対向電極を成し、該2本の導体線の先端の間に半導体ナノワイヤーが配置されている、上記[1]または[2]に記載のガスセンサ、
[9] 半導体ナノワイヤーのバンドギャップ近傍以上のエネルギーの光を発する光源を内包する透明絶縁部材の所定部位に、2本の導体線の先端が対向するように導かれてなる、上記[8]に記載のガスセンサ、
[10] 半導体ナノワイヤーがセレンナノワイヤーである、上記[1]〜[9]のいずれか1つに記載のガスセンサ、
[11] 光電流変化が電流強度の変化である、上記[1]〜[10]のいずれか1つに記載のガスセンサ、
[12] 電圧が印加された対向電極間の電界強度(絶対値)が3〜34V/mmである、上記[1]〜[11]のいずれかに記載のガスセンサ、
[13] 上記[1]〜[12]のいずれか1つに記載のガスセンサが、被検ガスが流れるガス流路のガス流れ方向に沿って複数配列されてなる、ガスセンサアレイ、
[14] 被検ガスが流れるガス流路のガス流れ方向に対してその軸線が平行となるように配置された単一の電極を有し、該単一の電極が、複数のガスセンサの個々のガスセンサの対向する2つの電極の一方の電極として利用される共通電極である、上記[13]に記載のガスセンサアレイ、
[15] 単一の電極が透明電極である、上記[14]に記載のガスセンサアレイ、
[16] ガス流路を流れる被検ガスが一定電圧の下に複数のガスセンサの半導体ナノワイヤーに接触してそれぞれのガスセンサに生じる光電流強度の時間変化スペクトルの異なるセンサ間での遅延時間を検出する、上記[13]〜[15]のいずれか1つに記載のガスセンサアレイ、および
[17] 上記[13]〜[15]のいずれか1つに記載のガスセンサアレイと、
該ガスセンサアレイの複数のガスセンサに一定電圧を印加した状態でガス流路に被検ガスを流したときの、それぞれのガスセンサに生じる光電流変化に基づく電気的出力値と、データベースに保存されている数値との対比結果に基づいて、ガス種の特定、混合ガスの成分比率の特定または混合ガスのガス成分の特定を行う計算部とを備えた、ガス分析システム、
に関する。
また、本発明によれば、室温で動作し、低消費電力のもとに、繰り返し使用が可能であり、極めて感度が高く、かつ、ガス種の分析機能を有する、アレイ型ガスセンサを提供できる。
本発明のガスセンサにおける、半導体ナノワイヤーは、P型半導体のナノワイヤーであっても、N型半導体のナノワイヤーであってもよい。具体的には、セレン、テルル、ZnO、ZnInO、In2O3、SiO2、Ga2O3、Ge、Si等のナノワイヤーが挙げられる。これらの中でも、特に加温することなく、室温にて、無機ガスだけでなく有機ガスが吸着することで、ガス分子からの電子(正孔)の注入が生じるセレンナノワイヤー(以下、「SeNW」とも略称する)が好ましい。また、半導体ナノワイヤーの形態は特に限定されない。一般に、「ナノワイヤー」は短繊維を指すが、本発明でいう「ナノワイヤー」は、短繊維、長繊維(ナノファイバー)、中空糸状(ナノチューブ)、短柱状繊維(ナノロッド)、平板状繊維(ナノベルト)或いは、これらのうちの2種以上が混在したものも含む概念である。
対向電極を構成する個々の電極には、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、ITO(酸化インジウムスズ)、スズ、クロム等が使用される。電極材料の仕事関数に比べて半導体ナノワイヤーの仕事関数が大きいが、仕事関数が半導体ナノワイヤーの仕事関数に近い電極材料を使用する程、光電流値とベース電流値の比Iph/Ibが大きくなる傾向を示す。半導体ナノワイヤーが例えばSeNWの場合、対向電極の少なくとも一方の電極の内面を金で構成することは好ましい態様の一つである。
半導体ナノワイヤーには光電流を発生させるために、半導体ナノワイヤーに半導体ナノワイヤーのバンドギャップ近傍かそれより大きいエネルギーを有する光(すなわち、半導体ナノワイヤーのバンドギャップ近傍以上のエネルギーを有する光)を照射する。そのような光を発する発光手段としては、例えば、ハロゲンランプ、レーザーダイオード(LD)、発光ダイオード(LED)、電界発光素子(EL)等が挙げられる。なお、ガスセンサはこのような発光手段が必ずしもセンサ部(対向電極とその間に配置された半導体ナノワイヤー)と一体化されていなくてもよく、このような発光手段が発光する光が対向電極間の半導体ナノワイヤーへ到達し得る構成であればよい。また、このような発光手段が発光する光を利用しなくても、自然光が対向電極間の半導体ナノワイヤーへ到達し得る構成であってもよい。
本発明のガスセンサでは、半導体ナノワイヤーに吸着して、自体がもっている電子(正孔)を半導体ナノワイヤーへ注入するガスであれば、測定対象となる。例えば、有機ガスであれば、メタン、エタン、n−ブタン、イソブタン、2,2−ジメチルブタン、2,3−ジメチルブタン、n−ペンタン、2−メチルペンタン、2,4−ジメチルペンタン、n−ヘキサン、3−メチルヘキサン、n−ヘプタン、3−メチルヘプタン、ノナン、デカン、ウンデカン、メチルシクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ビシクロヘキシル、プロピレン、cis−2−ブテン、trans−2−ブテン、2−メチル−2−ブテン、2−メチル−1−ブテン、1,3−ブタジエン、イソプレン、cis−2−ペンテン、trans−2−ペンテン、1−ヘプテン、ジペンテン、ベンゼン、トルエン、キシレン、1,3,5−トリメチルベンゼン、エチルベンゼン、クメン、スチレン、ナフタレン、テトラリン、クロロメタン、ジクロロメタン、クロロホルム、臭化メチル、クロロエタン、1,2−ジクロロエタン、トリクロロエタン、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン、テトラフルオロエチレン、塩化ビニル、1,1−ジクロロエチレン、n−プロピルブロマイド、1,2−ジクロロプロパン、塩化アリル、クロロベンゼン、o−ジクロロベンゼン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、n−ブタノール、イソブタノール、エチレングリコール、ベンジルアルコール、フェノール、メチルメルカプタン、エチルメルカプタン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチルセロソルブ、イソプロピルセロソルブ、ブチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエーテル、酸化プロピレン、エチレンオキシド、エピクロロヒドリン、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、ギ酸メチル、酢酸エチル、トリフロロ酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸ビニル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピオン酸、アクリル酸、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルn−ブチルケトン、メチルアミルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、イソホロン、ジメチルスルホキシド、トリメチルアミン、トリエチルアミン、シクロヘキシルアミン、ピリジン、ピペリジン、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、アセトニトリル、アクリロニトリル、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチル−2−ピロリドン、トリフルオロメチルプロピルケトン等が挙げられる。また、無機ガスであれば、二酸化炭素、一酸化炭素、一酸化窒素、二酸化窒素、二硫化炭素、アンモニアなどが挙げられる。
1.光透過電極型ガスセンサ
図1は光透過電極型ガスセンサの第1例の模式側面図を示す。図において、1は基盤(不透明)、2、3は対向電極、4は半導体ナノワイヤー、5は電源、6は電流計、7はショート時の回路保護のための保護用抵抗、8は透明絶縁基板を示す。
(1)対向電極のオーバーラップ面積(対向面が実際に重なり合う領域):0.1〜0.8mm2(好ましくは0.1〜0.5mm2)
(2)対向電極の電極間距離:0.01〜0.30mm(好ましくは0.02〜0.07mm)
(3)対向電極への印加電圧:−100〜+100V程度(好ましくは−8〜−0.5V、+0.5〜+10V程度)
図において、図1と同一符号は同一または相当する部分を示し、12は透明絶縁層、11は導電層を示す。
(1)対向電極のオーバーラップ面積(対向面が実際に重なり合う領域):0.1〜0.8mm2(好ましくは0.1〜0.5mm2)
(2)対向電極の電極間距離:0.01〜0.5mm(好ましくは0.08〜0.3mm)
(3)対向電極への印加電圧:−10〜+10V程度(好ましくは8〜−0.5V,+0.5〜+10V程度)
(1)対向電極のオーバーラップ面積(対向面が実際に重なり合う領域):0.1〜0.8mm2(好ましくは0.1〜0.5mm2)
(2)対向電極の電極間距離:0.01〜0.5mm(好ましくは0.08〜0.3mm)
(3)対向電極への印加電圧:−10〜+10V程度(好ましくは8〜−0.5V,+0.5〜+10V程度)
対向電極のオーバーラップ面積:0.5×0.5mm2、透明絶縁層の厚み:1.66μm、半導体ナノワイヤー:SeNW(2mg/mm3)、対向電極の電極間距離:0.146mm、印加電圧:2.5V、LED(Avago HLMP-C115, 637nm)による光励起強度:3.1mWに設定して、SeNWを光励起させて光電流を発生させ、エタノールガスをSeNWに接触させた。エタノールガスの供給はガスセンサから1mm離れた位置に、エタノールを含浸させた綿棒の先端をセットすることで行った。図10はこのときの光電流値IPとガス接触前の光電流値IP0との電流強度比(IP/IP0)[IP=Iph+Ib]の変化を示す。
(1)対向電極のオーバーラップ面積(対向面が実際に重なり合う領域):0.1〜0.8mm2(好ましくは0.1〜0.5mm2)
(2)対向電極の電極間距離:0.01〜0.5mm(好ましくは0.08〜0.3mm)
(3)対向電極への印加電圧:−10〜+10V程度(好ましくは8〜−0.5V,+0.5〜+10V程度)
対向電極のオーバーラップ面積:0.5×0.5mm2、透明絶縁層の厚み:0.30μm、半導体ナノワイヤー:SeNW(2mg/mm3)、対向電極の電極間距離:0.091mm、印加電圧:1.0V、光源:レーザーポインター(サクラクレパス製、RX−4、1mWタイプ、波長:649nm、光子エネルギー(Eph):1.91eV)に設定し、SeNWに照射強度が0.75mWにて照射してSeNWを光励起させて光電流を発生させ、エタノールガスをSeNWに接触させた。エタノールガスの供給はガスセンサから1mm離れた位置に、エタノールを含浸させた綿棒の先端をセットすることで行った。図12はこのときの光電流値IPとガス接触前の光電流値IP0との電流強度比(IP/IP0)[IP=Iph+Ib]の変化を示す。
光不透過電極型ガスセンサでは、対向電極の側部の隙間から半導体ナノワイヤーへ光照射される。
(1)対向電極のオーバーラップ面積(対向面が実際に重なり合う領域):0.1〜0.8mm2(好ましくは0.1〜0.5mm2)
(2)対向電極の電極間距離:0.01〜0.50mm(好ましくは0.02〜0.07mm)
(3)対向電極への印加電圧:−100〜+100V程度(好ましくは−8〜0.5V、+0.5〜+10V程度)
(1)対向電極のオーバーラップ面積(対向面が実際に重なり合う領域):0.1〜0.8mm2(好ましくは0.15〜0.35mm2)
(2)対向電極の電極間距離:0.05〜0.30mm(好ましくは0.12〜0.26mm)
(3)対向電極への印加電圧:−100〜+100V程度(好ましくは−10〜+10V程度)
図15はワイヤー電極型ガスセンサの模式側面図(図15(a)と模式平面図(図15(b))を示す。図において、図1と同一符号は同一または相当する部分を示す。基盤1上に、2本の導体線(例えば、銅線、金線、錫メッキ銅線、銅線等)15、16がその先端が対向するように導かれ、2本の導体線15、16の先端が対向電極を成し、該2本の導体線15、16の先端の間に半導体ナノワイヤー4が配置されている。
(1)2本の導体線の対向する先端の離間距離:0.1〜0.5mm程度(好ましくは0.2〜0.4mm程度)
(2)2本の導体線への印加電圧:−10〜+10V程度(好ましくは−2〜−5V、+2〜5V程度)
2本の導体線15、16として、エブレン株式会社製、ワイヤーラッピング用ロールワイヤー(コード外形0.9mm、コード銅線径(直径)0.6mm)を使用し、2本の導体線15、16の対向する先端の離間距離を0.35mmとし、対向する先端の間にSeNW20μgを配置し、2本の導体線15、16に4.0Vの印加電圧を与える一方、LED(Avago HLMP-C115, 637nm)チップを乾電池にて電圧(VLED)1.9Vで動作させ、LEDチップからの光をSeNWに照射強度が3.1mWとなるように照射してSeNWを光励起させて光電流を発生させ、エタノールガス(エタノール濃度が9058ppmのエタノールと空気の混合ガス、流速0.2L/min)をSeNWに接触させた。図16は、この時の光電流の電流強度(IP/IP0)の変化を示す。濃度の濃いガスにもかかわらず応答速度が速いことがわかる。また、図17は、同様にして、エタノールガス(エタノール濃度が453ppmのエタノールと空気の混合ガス、流速0.2L/min)をSeNWに接触させたときの、光電流値IPとガス接触前の光電流値IP0との電流強度比(IP/IP0) [IP=Iph+Ib]の変化を示す。
アレイ型ガスセンサは、上述の本発明のガスセンサをガス流路のガス流れ方向に沿って複数配列したガスセンサアレイである。
矩形基盤1の第1幅方向の略中央に第2幅方向に伸びる帯状のガラス板が組み込まれ、該ガラス板17の表面に帯状の透明電極(例えば、ITO電極)からなる第1電極18が形成され、その上に半導体ナノワイヤー4が配置されている。なお、半導体ナノワイヤー4はワイヤーの飛散防止とワイヤーの集合状態の維持のために、個々のワイヤー間がPMMA(ポリメタクリル酸メチル)等の透明樹脂バインダーにて結着されている。第1電極18/半導体ナノワイヤー4の積層構造部の両サイドには絶縁性壁部19A、19Bが配設され、第1電極18/半導体ナノワイヤー4の積層構造部と、絶縁性壁部19A、19Bとの間にガス流路30が形成され、絶縁性壁部19A、19B上から第1電極18上の半導体ナノワイヤー4に渡るように細幅の第2電極20(例えば、半導体ナノワイヤー側の表面に金めっきを施した銅電極)が複数配置されている。ガラス板17および第1電極18を通して例えばLED等の光源(図示せず)からの光が半導体ナノワイヤー4に照射される。なお、図中の符号31は複数の第2電極20の電極間を絶縁し、かつ、ガス流路30の上方を塞ぐためのカバーであり、符号30Aはガス導入口である。
幅1.0mm×長さが12.0mmのITO電極を積層した帯状ガラス板上に35μg/mm2のSeNWをPMMAにて結着したSeNW層を形成し、SeNW層側の表面に金めっきを施した銅電極(幅:0.2mm、長さ:7mm)16本を0.2mmの間隔で配置した、図19に示す構成のガスセンサアレイを作製した。2枚の銅張積層板を加工して、それらを対向配置することで、基盤1、絶縁性壁部19A、19B、第2電極20およびカバー31に充当させた。2つのガス流路30の断面(軸線と直交する断面)は、それぞれ、第1幅0.95mm×第2幅0.12mm(断面積0.11mm2)の矩形と、第1幅1.0mm×第2幅0.12mm(断面積0.12mm2)の矩形に設定した。
図20は第1電極18と第2電極20間に30Vの直流電圧を印加し、メタノールガスを流したときのガス導入口側から数えた第1番目のガスセンサ(det 1)と第9番目のガスセンサ(det 9)の光電流の時間変化スペクトルを示し、図21はこのときの、第1番目のガスセンサ(det 1)と第9番目のガスセンサ(det 9)における光電流値IPとガス接触前の光電流値IP0との電流強度比(IP/IP0)[IP=Iph+Ib]の変化を示す。
1.ガス接触前の初期光電流値I0の決定:
ガス接触前のk番目のセンサdet kに流れる光電流のノイズによる時間変動を軽減するため、そのセンサに流れる光電流値の時間平均値 <Ik,0 > を求める。
k番目のセンサdet kがガス接触により反応し、このセンサに流れる光電流値Ikは、<Ik,0 >から減少しはじめる。このとき、測定時刻tk,jにおける光電流値Ik,j(tk,j)を計測し、 [ Ik,j(tk,j) − <Ik,0> ] を計算し、正負を判定し、負となる回数nkを求める。この値があらかじめ設定されたk番目のセンサdet kに対して負となる回数の上限値Nkと比較し、Nkに達するか否かを判定する。
k番目のセンサdet k において、2.でNkに達したと判定した場合、Nkに達した時刻tk,j,Nから遡った時刻(tk,j,N − Nk・Δt)[Δtは、データ取得時間間隔(装置の測定分解能)]をtk,onとする。
3.で求めた各センサdet kの反応開始時刻tk,onの値を用いて、1番目のセンサdet 1のt1,on値との反応開始の時間差 Δt1,k= tk,on − t1,onを算出する。
Δt1,kの値を、あらかじめ得られているデータと比較することにより、ガス種、混合ガス成分比等を決定することが可能となる。
図23にフローチャート示す。
ガス種の判定は、例えば、本願の発明者等による特許第5120904号に記載の単体型センサによるセンサ感度Sを自動計測により判定するプログラムを組み合わせることにより、より精度が増す。以下にそのプログラムを示す。なお、測定は、ガスセンサアレイの1番目のガスセンサ(det 1)を用いるが、以下のプログラムでは、ガスセンサアレイの各センサにおけるものとした。
ガス接触前のk番目のセンサdet kに流れる光電流のノイズによる時間変動を軽減するため、そのセンサに流れる光電流値の時間平均値 <Ik,0 > を求める。
k番目のセンサdet kがガス接触により反応し、このセンサに流れる光電流値Ikが<Ik,0 >から減少しはじめる。このとき、測定時刻tk,jにおける光電流値Ik,j(tk,j)をあらかじめ指定された時間間隔で平均処理を行いながらデータ取得する。測定時刻tk,jとtk,j+1との光電流値の差ΔIk,j,J+1 = <Ik,J+1 (tk,j+1)> − <Ik,j (tk,j)>を計算し正負を判定する。
k番目のセンサdet kの光電流値が、2.の判定により負から正へ変わった時刻tk,mにおける光電流値<Ik,m (tk,m)>が求める最小値となる。
k番目のセンサdet kのセンサ感度Sは、[<Ik,0 > − <Ik,m (tk,m)>] / <Ik,0 >として求まる。
S値を、あらかじめ得られているデータと比較することにより、ガス種を決定することが可能となる。
光透過電極型ガスセンサの第2例のガスセンサ(図7)と第4例のガスセンサ(図9)において、対向電極間の電界強度Eを種々変更した時のガスセンサの感度Sを測定した。図25はその結果である。なお、第2例のガスセンサは、対向電極間に絶縁層や導電層は挿入せず、半導体ナノワイヤー(層)のみを挟み込んでおり、第4例のガスセンサは、対向電極間に透明絶縁層と導電層を挿入している。よって、図中の「単挟み込み」は第2例のガスセンサを指し、「透明絶縁層と導電層」は第4例のガスセンサを指す。
対向電極のオーバーラップ面積:0.5×0.5mm2
半導体ナノワイヤー:SeNW(1.56mg/mm3)
対向電極の電極間距離:0.05〜0.30mm
光源:LED(Avago HLMP-C115, 637nm)3.1mW
被検ガス:エタノールガス(ガス発生は、ガスセンサから1mm離れた位置に、エタノールを含浸させた綿棒の先端をセットすることで行った。)
註)以上のセンサ構成は第2例のガスセンサと第4例のガスセンサの共通項目
導電層:カーボンテープ(厚み:0.16mm)
光透過電極型ガスセンサの第2例のガスセンサ(図7)と第4例のガスセンサ(図9)において、LED(Avago HLMP-C115, 637nm)の光強度および印加電圧Vを変化させて、光電流の測定電流値Iph+Ibとベース電流Ibとの比(Iph+Ib)/Ibの値を調整し、エタノールガスのS値を測定した。図26はその結果である。
実験に供したセンサの構成は以下の通り。
対向電極のオーバーラップ面積:0.5×0.5mm2
半導体ナノワイヤー:SeNW(1.56mg/mm3)
対向電極の電極間距離:0.05〜0.30mm
光源:LED(Avago HLMP-C115, 637nm)0〜3.2mW
印加電圧:0.5〜1.0V
被検ガス:エタノールガス(ガス発生は、ガスセンサから1mm離れた位置に、エタノールを含浸させた綿棒の先端をセットすることで行った。)
光透過電極型ガスセンサの第2例のガスセンサ(図7)において、LED(Avago HLMP-C115, 637nm)の光強度を種々変更してエタノールガスのS値を測定した。図27はその結果である。
実験条件は以下の通りである。
対向電極のオーバーラップ面積:0.5×0.5mm2
半導体ナノワイヤー:SeNW(1.56mg/mm3)
対向電極の電極間距離:0.021mm
光源:LED(Avago HLMP-C115, 637nm)0〜3.2mW
印加電圧:0.3V
被検ガス:エタノールガス(ガス発生は、ガスセンサから1mm離れた位置に、エタノールを含浸させた綿棒の先端をセットすることで行った。)
図26から、光電流Iphが流れた状態での測定では、少量の光電流Iph(すなわち、低電圧印加=低電界強度)により、光電流Iph=0(ベース電流Ibのみの従来のセンサ)に比べてS値の増大(すなわち、センサ感度の向上)が生じていることが分かる。
なお、図26では、(Iph+Ib)/Ib=3より、Iph=2・Ib程度がSの最適条件と考えられる。また、(Iph+Ib)/Ibが10 3 付近では、(Iph+Ib)/Ibが1に比べてSの値が小さくなっているが、これは、高印加電圧で得られる大きな光電流では、発生した光キャリアを捕獲できないことによるものである。
したがって、この結果から、半導体ナノワイヤーへの光の照射強度については、幅広い範囲の設定が可能であり、このため、対向電極間の電界強度を最適化することが重要であることが分かった。
また、対向電極の隙間(センサギャップ)に絶縁体(透明絶縁層)を挿入することで、対向電極間の電界強度が下がり、ベース電流Ibを小さくできるので、半導体ナノワイヤーへの照射光の電力を下げることが可能であることが分かった。
実験条件は以下の通りである。
対向電極のオーバーラップ面積:0.5×0.5mm2
半導体ナノワイヤー:SeNW(1.56mg/mm3)
対向電極の電極間距離:0.021mm
光源:LED(Avago HLMP-C115, 637nm)0〜3.2mW
印加電圧:0.3V
Claims (16)
- 対向電極の間にセレンナノワイヤーが配置され、
該セレンナノワイヤーは光が照射され得る状態にあり、
該対向電極に電圧が印加された状態で該セレンナノワイヤーに光が照射されて発生する光電流の、該セレンナノワイヤーへのガスの吸着に伴う電流変化を計測する、ガスセンサ。 - セレンナノワイヤーにおける個々のワイヤー間が透明絶縁性樹脂バインダーにて結着されている、請求項1に記載のガスセンサ。
- 対向電極の少なくとも一方の電極が透明電極である、請求項1または2に記載のガスセンサ。
- 透明電極の内面に透明絶縁層が設けられている、請求項3に記載のガスセンサ。
- 対向電極の一方の電極が透明電極であり、他方の電極の内面に導電層が設けられている、請求項3または4に記載のガスセンサ。
- セレンナノワイヤーのバンドギャップ近傍以上のエネルギーの光を発する光源を有し、該光源が透明電極の外側に配設されている、請求項3〜5のいずれか1項に記載のガスセンサ。
- 対向電極の一方の電極の内面に絶縁層が設けられ、他方の電極の内面に導電層が設けられている、請求項1または2に記載のガスセンサ。
- 2本の導体線の先端が対向し、該2本の導体線の先端が対向電極を成し、該2本の導体線の先端の間にセレンナノワイヤーが配置されている、請求項1または2に記載のガスセンサ。
- セレンナノワイヤーのバンドギャップ近傍以上のエネルギーの光を発する光源を内包する透明絶縁部材の所定部位に、2本の導体線の先端が対向するように導かれてなる、請求項8に記載のガスセンサ。
- 光電流変化が電流強度の変化である、請求項1〜9のいずれか1項に記載のガスセンサ。
- 電圧が印加された対向電極間の電界強度(絶対値)が3〜34V/mmである、請求項1〜10のいずれか1項に記載のガスセンサ。
- 請求項1〜11のいずれか1項に記載のガスセンサが、被検ガスが流れるガス流路のガス流れ方向に沿って複数配列されてなる、ガスセンサアレイ。
- 被検ガスが流れるガス流路のガス流れ方向に対してその軸線が平行となるように配置された単一の電極を有し、該単一の電極が、複数のガスセンサの個々のガスセンサの対向する2つの電極の一方の電極として利用される共通電極である、請求項12に記載のガスセンサアレイ。
- 単一の電極が透明電極である、請求項13に記載のガスセンサアレイ。
- ガス流路を流れる被検ガスが一定電圧の下に複数のガスセンサのセレンナノワイヤーに接触してそれぞれのガスセンサに生じる光電流強度の時間変化スペクトルの異なるセンサ間での遅延時間を検出する、請求項12〜14のいずれか1項に記載のガスセンサアレイ。
- 請求項12〜14のいずれか1項に記載のガスセンサアレイと、
該ガスセンサアレイの複数のガスセンサに一定電圧を印加した状態でガス流路に被検ガスを流したときの、それぞれのガスセンサに生じる光電流変化に基づく電気的出力値と、データベースに保存されている数値との対比結果に基づいて、ガス種の特定、混合ガスの成分比率の特定または混合ガスのガス成分の特定を行う計算部とを備えた、ガス分析システム。
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