JP6083648B2 - ゲート駆動回路 - Google Patents
ゲート駆動回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6083648B2 JP6083648B2 JP2013541608A JP2013541608A JP6083648B2 JP 6083648 B2 JP6083648 B2 JP 6083648B2 JP 2013541608 A JP2013541608 A JP 2013541608A JP 2013541608 A JP2013541608 A JP 2013541608A JP 6083648 B2 JP6083648 B2 JP 6083648B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- circuit
- terminal
- output
- oscillation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/689—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit
- H03K17/691—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit using transformer coupling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
- H03K17/041—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0412—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/04123—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in field-effect transistor switches
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
前記従来の課題を解決するために、本発明のゲート駆動回路は、入力された2値の制御信号に応じて、半導体スイッチング素子のゲート端子を駆動する信号を生成するゲート駆動回路であって、前記制御信号が入力される、入力信号端子と入力グラウンド端子との対からなる入力端子と、出力信号端子と、前記入力グラウンド端子とは電気的に絶縁された出力グラウンド端子との対からなる出力端子と、前記出力信号端子と前記出力グラウンド端子との間に接続されたコンデンサと、少なくとも一つの発振回路を有し、前記入力端子に入力された制御信号で前記発振回路から出力された発振信号を変調することで、前記制御信号における第一の論理値のタイミングを示す第一の変調信号と、前記制御信号における少なくとも第二の論理値のタイミングを示す第二の変調信号とを生成する変調部と、電磁界共振で結合された第一の送信側共鳴器および第一の受信側共鳴器で構成され、前記第一の変調信号が前記第一の送信側共鳴器に入力されるように前記変調部に接続された第一の電磁共鳴結合器と、電磁界共振で結合された第二の送信側共鳴器および第二の受信側共鳴器で構成され、前記第二の変調信号が前記第二の送信側共鳴器に入力されるように前記変調部に接続された第二の電磁共鳴結合器と、前記第一の受信側共鳴器に接続された少なくとも一つのダイオードを有し、前記第一の変調信号を復調することによって第一の復調信号を生成し、前記出力端子に出力する第一の整流回路と、前記第二の受信側共鳴器に接続された少なくとも一つのダイオードを有し、前記第二の変調信号を復調することによって第二の復調信号を生成し、前記出力端子に出力する第二の整流回路とを備える。
まず、本発明に係るゲート駆動回路の実施の形態1について説明する。
次に、本発明に係るゲート駆動回路の実施の形態2について説明する。
次に、本発明に係るゲート駆動回路の実施の形態3について説明する。
次に、本発明に関連するゲート駆動回路について、補足説明する。
102、302、402、502、702、902、1002、1102 第一の発振回路
103、503、1103 第二の発振回路
104、304、504、1004、1104 第一の混合回路
105、305 第二の混合回路
106、306 反転回路
107、307、407、507、707、907、1007、1107 第一の電磁共鳴結合器
107a、307a、407a、507a、707a、907a、1007a、1107a 第一の送信側共鳴器
107b、307b、407b、507b、707b、907b、1007b、1107b 第一の受信側共鳴器
108、308、408、508、708、908、1108 第二の電磁共鳴結合器
108a、308a、408a、508a、708a、908a、1108a 第二の送信側共鳴器
108b、308b、408b、508b、708b、908b、1108b 第二の受信側共鳴器
109 第一の受信側共鳴器のグラウンド
121、321、421、521、721、921、1021、1121 第一の正整流ダイオード
122、322、422、522、722、922、1022、1122 第一の負整流ダイオード
123、323、423、523、723、923、1123 第二の正整流ダイオード
124、324、424、524、724、924 第二の負整流ダイオード
125 第三の正整流ダイオード
126 第三の負整流ダイオード
131、331、431、531、731、931、1031、1131 第一のコンデンサ
132、332、432、532、732、932、1132 第二のコンデンサ
135、335、435、535、735、935、1035、1135 プルダウン抵抗
141、341、441、541、741、941、1041、1141 入力信号端子
142、342、442、542、742、942、1042、1142 入力グラウンド端子
151、351、451、551、751、951、1051、1151 出力信号端子
152、352、452、552、752、952、1052、1152 出力グラウンド端子
161、361、461、561、761、961、1061、1161 パワー半導体スイッチング素子
170、370、470、570、770、970、1070、1170 変調部
171、371、471、571、771、971、1071、1171 第一の整流回路
172、372、472、572、772、972、1172 第二の整流回路
180 第三のコンデンサ
181 第一のインダクタ
411 経路切り替え回路
704、904 第一のスイッチ回路
705、905、1105 第二のスイッチ回路
725、925 増幅回路
1124 第三のスイッチ回路
2041 送信回路チップ
2042 受信回路チップ
2043 送信チップ
2044 受信チップ
2045 送信スパイラルインダクタ
2046 受信スパイラルインダクタ
2047 ワイヤ
Claims (20)
- 入力された2値の制御信号に応じて、半導体スイッチング素子のゲート端子を駆動する信号を生成するゲート駆動回路であって、
前記制御信号が入力される、入力信号端子と入力グラウンド端子との対からなる入力端子と、
出力信号端子と、前記入力グラウンド端子とは電気的に絶縁された出力グラウンド端子との対からなる出力端子と、
前記出力信号端子と前記出力グラウンド端子との間に接続されたコンデンサと、
少なくとも一つの発振回路を有し、前記入力端子に入力された制御信号で前記発振回路から出力された発振信号を変調することで、前記制御信号における第一の論理値のタイミングを示す第一の変調信号と、前記制御信号における少なくとも第二の論理値のタイミングを示す第二の変調信号とを生成する変調部と、
電磁界共振で結合された第一の送信側共鳴器および第一の受信側共鳴器で構成され、前記第一の変調信号が前記第一の送信側共鳴器に入力されるように前記変調部に接続された第一の電磁共鳴結合器と、
電磁界共振で結合された第二の送信側共鳴器および第二の受信側共鳴器で構成され、前記第二の変調信号が前記第二の送信側共鳴器に入力されるように前記変調部に接続された第二の電磁共鳴結合器と、
前記第一の受信側共鳴器に接続された少なくとも一つのダイオードを有し、前記第一の変調信号を復調することによって第一の復調信号を生成し、前記出力端子に出力する第一の整流回路と、
前記第二の受信側共鳴器に接続された少なくとも一つのダイオードを有し、前記第二の変調信号を復調することによって第二の復調信号を生成し、前記出力端子に出力する第二の整流回路とを備え、
前記出力端子から前記半導体スイッチング素子をオンさせるオン信号が出力される直前に、前記出力信号端子と前記出力グラウンド端子との間の電圧がゼロとなる
ゲート駆動回路。 - 前記変調部は、さらに、前記入力信号端子に接続された第一の混合回路および第二の混合回路を有し、
前記第一の混合回路は、前記入力端子に入力された制御信号で前記発振回路から出力された発振信号を変調することで前記第一の変調信号を生成し、
前記第二の混合回路は、前記入力端子に入力された制御信号で前記発振回路から出力された発振信号を変調することで前記第二の変調信号を生成する
請求項1に記載のゲート駆動回路。 - 前記変調部は、さらに、前記入力信号端子と前記第二の混合回路との間に挿入されて接続された反転回路を有する
請求項2に記載のゲート駆動回路。 - 前記変調部は、前記少なくとも一つの発振回路として、第一の発振回路および第二の発振回路を有し、
前記第一の混合回路は、前記制御信号で前記第一の発振回路から出力された発振信号を変調し、
前記第二の混合回路は、前記制御信号で前記第二の発振回路から出力された発振信号を変調する
請求項2に記載のゲート駆動回路。 - 前記第一の発振回路から出力される発振信号の周波数は、前記第二の発振回路から出力される発振信号の周波数と異なる
請求項4に記載のゲート駆動回路。 - 前記第一の混合回路および前記第二の混合回路の少なくとも一方は、前記制御信号に従ってオンまたはオフするスイッチ回路である
請求項2から5のいずれか1項に記載のゲート駆動回路。 - 前記第一の混合回路を構成するスイッチ回路は、前記入力信号端子に接続されたゲート端子と、前記発振回路に接続されたドレイン端子と、前記入力グラウンド端子に接続されたソース端子とを有し、前記ドレイン端子における信号を前記第一の変調信号として出力する第一のトランジスタであり、
前記第二の混合回路を構成するスイッチ回路は、前記入力信号端子に接続されゲート端子と、前記発振回路に接続されたドレイン端子と、ソース端子とを有し、前記ソース端子における信号を前記第二の変調信号として出力する第二のトランジスタである
請求項6に記載のゲート駆動回路。 - 前記第一の混合回路を構成するスイッチ回路は、前記入力信号端子に接続されたゲート端子と、前記発振回路に接続されたドレイン端子と、ソース端子とを有し、前記ソース端子における信号を前記第一の変調信号として出力する第一のトランジスタであり、
前記第二の混合回路を構成するスイッチ回路は、前記入力信号端子に接続されたゲート端子と、前記発振回路に接続されたドレイン端子と、前記入力グラウンド端子に接続されたソース端子とを有し、前記ドレイン端子における信号を前記第二の変調信号として出力する第二のトランジスタである
請求項6に記載のゲート駆動回路。 - 前記変調部は、さらに、前記入力信号端子に入力された制御信号に基づいて、前記発振回路から出力された発振信号を2つの出力経路のいずれかに振り分ける経路切り替え回路を有し、
前記経路切り替え回路は、前記2つの出力経路の一方に振り分けられた前記発振信号を前記第一の変調信号として出力し、前記2つの出力経路の他方に振り分けられた前記発振信号を前記第二の変調信号として出力する
請求項1に記載のゲート駆動回路。 - 前記変調部は、さらに、前記入力信号端子に入力された制御信号で前記発振回路から出力された発振信号を変調する第一の混合回路を有し、前記第一の混合回路で得られた変調信号を前記第一の変調信号として出力し、前記発振回路から出力された発振信号を前記第二の変調信号として出力する
請求項1に記載のゲート駆動回路。 - さらに、前記出力信号端子と前記出力グラウンド端子との間に接続された抵抗を備える
請求項1から10のいずれか1項に記載のゲート駆動回路。 - 前記少なくとも一つの発振回路は、差動の第一の発振信号および第二の発振信号を出力する発振器であり、
前記変調部は、前記制御信号で前記第一の発振信号を変調することで前記第一の変調信号を生成し、前記制御信号で前記第二の発振信号を変調することで前記第二の変調信号を生成する
請求項1に記載のゲート駆動回路。 - さらに、前記第一の変調信号を増幅する増幅回路を備え、
前記第一の電磁共鳴結合器は、前記増幅回路で増幅された前記第一の変調信号が前記第一の送信側共鳴器に入力されるように前記増幅回路を介して前記変調部に接続されている
請求項1に記載のゲート駆動回路。 - 前記第一の整流回路は、前記少なくとも一つのダイオードとして、前記第一の受信側共鳴器に接続されたアノードと前記出力信号端子に接続されたカソードとからの構成される第一の正整流ダイオード、および、前記出力グラウンド端子に接続されたアノードと前記第一の受信側共鳴器に接続されたカソードとから構成される第一の負整流ダイオードの少なくとも一方を有し、
前記第二の整流回路は、前記少なくとも一つのダイオードとして、前記第二の受信側共鳴器に接続されたアノードと前記出力信号端子に接続されたカソードとから構成される第二の正整流ダイオード、および、前記出力グラウンド端子に接続されたアノードと前記第二の受信側共鳴器に接続されたカソードとから構成される第二の負整流ダイオードの少なくとも一方を有する
請求項1から13のいずれか1項に記載のゲート駆動回路。 - 前記第一の整流回路は、さらに、前記第一の受信側共鳴器のグラウンドに接続されたアノードと前記出力信号端子に接続されたカソードとから構成される第三の正整流ダイオード、前記出力グラウンド端子に接続されたアノードと前記第一の受信側共鳴器のグラウンドに接続されたカソードとから構成される第三の負整流ダイオード、および、前記第一の受信側共鳴器のグラウンドと前記出力信号端子または前記出力グラウンド端子とを接続する配線の少なくとも一つを有し、
前記第二の整流回路は、さらに、前記第二の受信側共鳴器のグラウンドに接続されたアノードと前記出力信号端子に接続されたカソードとから構成される第四の正整流ダイオード、前記出力グラウンド端子に接続されたアノードと前記第二の受信側共鳴器のグラウンドに接続されたカソードとから構成される第四の負整流ダイオード、および、前記第二の受信側共鳴器のグラウンドと前記出力信号端子または前記出力グラウンド端子とを接続する配線の少なくとも一つを有する
請求項14に記載のゲート駆動回路。 - 前記第二の整流回路は、前記少なくとも一つのダイオードとしての第二の正整流ダイオードと、第二のコンデンサと、第三のトランジスタとを有し、
前記第二の正整流ダイオードのアノードは前記第二の受信側共鳴器に接続され、前記第二の正整流ダイオードのカソードは前記第二のコンデンサの一端および前記第三のトランジスタのゲート端子に接続され、
前記第三のトランジスタは、前記出力信号端子と前記出力グラウンド端子との間に接続され、
前記第二のコンデンサの他端および前記第三のトランジスタのソース端子は、前記出力グラウンド端子に接続されている
請求項1から13のいずれか1項に記載のゲート駆動回路。 - 前記第一の電磁共鳴結合器および前記第二の電磁共鳴結合器は、オープンリング型電磁共鳴結合器である
請求項1から16のいずれか1項に記載のゲート駆動回路。 - 前記出力端子からは、前記制御信号の論理値に対応して、前記半導体スイッチング素子をオンさせるオン信号と、オフさせるオフ信号とが出力され、
前記オン信号は、前記出力信号端子の電位が前記出力グラウンド端子の電位より高く、
前記オフ信号は、前記出力信号端子の電位が前記出力グラウンド端子の電位より低い
請求項1から17のいずれか1項に記載のゲート駆動回路。 - ざらに、前記半導体スイッチング素子を備え、
前記出力信号端子は、前記半導体スイッチング素子のゲート端子に接続され、
前記出力グラウンド端子は、前記半導体スイッチング素子のソース端子に接続されている
請求項1から18のいずれか1項に記載のゲート駆動回路。 - 前記半導体スイッチング素子は、窒化物半導体である
請求項19に記載のゲート駆動回路。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011240666 | 2011-11-01 | ||
JP2011240666 | 2011-11-01 | ||
PCT/JP2012/006797 WO2013065254A1 (ja) | 2011-11-01 | 2012-10-24 | ゲート駆動回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2013065254A1 JPWO2013065254A1 (ja) | 2015-04-02 |
JP6083648B2 true JP6083648B2 (ja) | 2017-02-22 |
Family
ID=48191634
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013541608A Expired - Fee Related JP6083648B2 (ja) | 2011-11-01 | 2012-10-24 | ゲート駆動回路 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8866516B2 (ja) |
JP (1) | JP6083648B2 (ja) |
CN (1) | CN103339857B (ja) |
WO (1) | WO2013065254A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210085983A (ko) * | 2019-12-31 | 2021-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | Emi 저감 방법과 이를 이용한 표시장치 |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014176123A (ja) * | 2013-03-06 | 2014-09-22 | Denso Corp | スイッチング素子の駆動装置 |
JP5861054B2 (ja) | 2013-07-30 | 2016-02-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 高周波受信回路及び絶縁型信号伝送装置 |
JP5861055B2 (ja) | 2013-07-30 | 2016-02-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | ゲート駆動回路 |
CN104823378B (zh) | 2013-07-31 | 2018-12-04 | 松下知识产权经营株式会社 | 高频接收电路及绝缘型信号传送装置 |
WO2015025451A1 (ja) | 2013-08-23 | 2015-02-26 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | ゲート駆動回路 |
JP5866506B2 (ja) * | 2013-08-27 | 2016-02-17 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | ゲート駆動回路 |
JPWO2015059854A1 (ja) * | 2013-10-25 | 2017-03-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | ゲート駆動装置 |
US9479073B2 (en) * | 2013-11-12 | 2016-10-25 | Futurewei Technologies, Inc. | Gate drive apparatus for resonant converters |
US9479074B2 (en) | 2014-01-29 | 2016-10-25 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Resonance coupler, transmission apparatus, switching system, and directional coupler |
US9438130B2 (en) | 2014-01-29 | 2016-09-06 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Semiconductor device, switching system, and matrix converter |
US9654097B2 (en) * | 2014-01-29 | 2017-05-16 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Signal transmission circuit, switching system, and matrix converter |
US9467140B2 (en) * | 2014-07-22 | 2016-10-11 | Honeywell International Inc. | Field-effect transistor driver |
JP6681532B2 (ja) | 2014-10-15 | 2020-04-15 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 駆動装置 |
US10014856B2 (en) * | 2015-01-20 | 2018-07-03 | Mitsubishi Electric Corporation | Signal transmission device |
US9654112B2 (en) * | 2015-01-21 | 2017-05-16 | Panasonic Corporation | Signal inverting device, power transmission device, and negative-voltage generating circuit |
US9634655B2 (en) | 2015-02-24 | 2017-04-25 | Panasonic Corporation | Drive device having first and second switching devices with different gate widths |
WO2016159948A1 (en) | 2015-03-30 | 2016-10-06 | Halliburton Energy Services, Inc. | Simplified gate driver for power transistors |
US9685947B2 (en) | 2015-03-30 | 2017-06-20 | Halliburton Energy Services, Inc. | Simplified gate driver for power transistors |
CN106208628B (zh) * | 2015-05-25 | 2020-02-18 | 松下知识产权经营株式会社 | 信号生成电路 |
CN106230422A (zh) | 2015-06-02 | 2016-12-14 | 松下知识产权经营株式会社 | 信号生成电路 |
WO2017126110A1 (ja) * | 2016-01-22 | 2017-07-27 | 三菱電機エンジニアリング株式会社 | 電力伝送装置、高周波電源及び高周波整流回路 |
US11018528B2 (en) | 2016-04-06 | 2021-05-25 | Hitachi, Ltd. | Wireless power transmission/reception system, power conversion device including the same, and power conversion method |
US9966837B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-05-08 | Vpt, Inc. | Power converter with circuits for providing gate driving |
US10014781B2 (en) | 2016-08-02 | 2018-07-03 | Abb Schweiz Ag | Gate drive systems and methods using wide bandgap devices |
US10361698B2 (en) | 2017-01-23 | 2019-07-23 | Raytheon Company | Transformer based gate drive circuit |
JP7038511B2 (ja) * | 2017-09-25 | 2022-03-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体集積回路 |
US10097166B1 (en) * | 2017-10-13 | 2018-10-09 | Hamilton Sundstrand Corporation | Transformer coupled control isolation for direct current control signals |
JP2019176382A (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-10 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | ゲート駆動回路およびそれを用いたスイッチング装置 |
US10720913B1 (en) | 2019-05-28 | 2020-07-21 | Infineon Technologies Austria Ag | Integrated failsafe pulldown circuit for GaN switch |
JP7353809B2 (ja) * | 2019-06-14 | 2023-10-02 | キヤノン株式会社 | 電源装置及び画像形成装置 |
US10958268B1 (en) | 2019-09-04 | 2021-03-23 | Infineon Technologies Austria Ag | Transformer-based driver for power switches |
US10979032B1 (en) | 2020-01-08 | 2021-04-13 | Infineon Technologies Austria Ag | Time-programmable failsafe pulldown circuit for GaN switch |
CN111211764B (zh) * | 2020-02-18 | 2023-10-24 | 恩智浦有限公司 | 栅极电压控制 |
EP3896855B1 (en) * | 2020-04-15 | 2024-03-20 | Melexis Bulgaria Ltd. | Floating switch for signal commutation |
US11888658B2 (en) | 2020-10-08 | 2024-01-30 | Skyworks Solutions, Inc. | Transmitter for dual communication over an isolation channel |
US11539559B2 (en) | 2020-10-08 | 2022-12-27 | Skyworks Solutions, Inc. | Demodulator for an isolation communication channel for dual communication |
US11575305B2 (en) * | 2020-10-08 | 2023-02-07 | Skyworks Solutions, Inc. | Interface for passing control information over an isolation channel |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5686854A (en) * | 1996-03-14 | 1997-11-11 | Magl Power Inc. | Isolated driver circuit for high frequency solid-state switches |
JP3855116B2 (ja) | 2000-03-22 | 2006-12-06 | 日本光電工業株式会社 | 半導体スイッチ駆動回路 |
US7075329B2 (en) | 2003-04-30 | 2006-07-11 | Analog Devices, Inc. | Signal isolators using micro-transformers |
KR100777394B1 (ko) | 2006-05-17 | 2007-11-19 | 삼성전자주식회사 | 진폭 불균형을 개선하기 위한 온칩 트랜스포머 밸룬 |
JP4835334B2 (ja) | 2006-09-06 | 2011-12-14 | 国立大学法人徳島大学 | 高周波信号伝送装置 |
JP2009077104A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Nikon Corp | コイル駆動回路 |
US8847663B2 (en) * | 2012-01-30 | 2014-09-30 | Panasonic Corporation | Gate drive circuit |
-
2012
- 2012-10-24 WO PCT/JP2012/006797 patent/WO2013065254A1/ja active Application Filing
- 2012-10-24 CN CN201280006602.7A patent/CN103339857B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-10-24 JP JP2013541608A patent/JP6083648B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-10-25 US US14/062,950 patent/US8866516B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210085983A (ko) * | 2019-12-31 | 2021-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | Emi 저감 방법과 이를 이용한 표시장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103339857A (zh) | 2013-10-02 |
JPWO2013065254A1 (ja) | 2015-04-02 |
WO2013065254A1 (ja) | 2013-05-10 |
CN103339857B (zh) | 2017-02-15 |
US8866516B2 (en) | 2014-10-21 |
US20140049297A1 (en) | 2014-02-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6083648B2 (ja) | ゲート駆動回路 | |
JP5866506B2 (ja) | ゲート駆動回路 | |
US9438230B2 (en) | Gate drive circuit | |
JP5367922B1 (ja) | ゲート駆動回路 | |
Chen et al. | A 25.6 W 13.56 MHz wireless power transfer system with a 94% efficiency GaN class-E power amplifier | |
US7068104B2 (en) | Power amplifier utilizing high breakdown voltage circuit topology | |
Nagai et al. | A DC-isolated gate drive IC with drive-by-microwave technology for power switching devices | |
JP6544580B2 (ja) | 高周波受信回路及び絶縁型信号伝送装置 | |
JP5861054B2 (ja) | 高周波受信回路及び絶縁型信号伝送装置 | |
US9438231B2 (en) | Gate drive circuit | |
US20130187713A1 (en) | Power amplifier circuit and control method | |
TW201431279A (zh) | 高電壓電壓切換s類放大器 | |
de Rooij et al. | A 10 W multi-mode capable wireless power amplifier for mobile devices | |
US8305139B1 (en) | Methods and apparatuses for high power and/or high frequency devices | |
US7956314B1 (en) | Microwave switching element | |
Nagai et al. | A one-chip isolated gate driver with Drive-by-Microwave technologies | |
Nagai et al. | An Ultra Compact GaN 3x3 Matrix Converter |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150827 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161018 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161130 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170110 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170113 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6083648 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |