JP6080101B2 - シリコン基板の再結合ライフタイム測定方法 - Google Patents
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Description
チョクラルスキー法により、導電型がp型で、抵抗率が約10Ω・cm、酸素濃度が約15ppma(JEITA)のシリコン単結晶インゴットを育成した。直径は200mm、結晶軸方位は<100>である。そして、そのシリコン単結晶インゴットから、標準的なウェーハ加工プロセスにより、鏡面研磨仕上げのシリコン基板を作製した。
実施例1と同じシリコン単結晶インゴットから作製されたシリコン基板を準備した。
実施例1と同じシリコン単結晶インゴットから作製されたシリコン基板を準備した。
実施例1と同じシリコン単結晶インゴットから作製されたシリコン基板を準備した。
実施例1と同じシリコン単結晶インゴットから作製されたシリコン基板を準備した。
チョクラルスキー法により、導電型がp型で、抵抗率が約60Ω・cm、酸素濃度が約10ppma(JEITA)のシリコン単結晶インゴットを育成した。直径は200mm、結晶軸方位は<100>である。そして、そのシリコン単結晶インゴットから、標準的なウェーハ加工プロセスにより、鏡面研磨仕上げのシリコン基板を作製した。
実施例4と同じシリコン単結晶インゴットから作製されたシリコン基板を準備した。
Claims (6)
- シリコン基板の表面に対してケミカルパシベーション処理を行った後に、再結合ライフタイムを測定する方法であって、
前記ケミカルパシベーション処理から前記再結合ライフタイムの測定が完了するまでの間、少なくとも前記シリコン基板を紫外線から防護する紫外線防護処理が行われることを特徴とするシリコン基板の再結合ライフタイム測定方法。 - 前記ケミカルパシベーション処理から前記再結合ライフタイムの測定を、遮光された環境下で行うことで、前記紫外線防護処理が行われることを特徴とする請求項1に記載のシリコン基板の再結合ライフタイム測定方法。
- 前記ケミカルパシベーション処理から前記再結合ライフタイムの測定を、紫外線がカットされた環境下で行うことで、前記紫外線防護処理が行われることを特徴とする請求項1に記載のシリコン基板の再結合ライフタイム測定方法。
- 前記ケミカルパシベーション処理は、前記シリコン基板を紫外線をカットする材質の合成樹脂製の袋あるいは容器に挿入してケミカルパシベーション用の溶液に浸漬させることにより行い、再結合ライフタイムを測定することを特徴とする請求項1に記載のシリコン基板の再結合ライフタイム測定方法。
- 前記ケミカルパシベーション処理を、ヨウ素アルコール溶液を用いて行うことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載のシリコン基板の再結合ライフタイム測定方法。
- 前記再結合ライフタイムの測定は、マイクロ波光導電減衰法により測定することを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載のシリコン基板の再結合ライフタイム測定方法。
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