JP6074317B2 - 半導体発光装置および光源ユニット - Google Patents
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Description
図1は、第1実施形態の半導体発光装置1の模式断面図である。半導体発光装置1は、発光層13を有する半導体層15を備える。半導体層15は、第1の面15aと、その反対側の第2の面15b(図2(a)参照)を有し、第2の面側に電極および配線部が設けられる。そして、半導体層15は、発光層13から放射される光を第1の面15aから外部に出射する。
図14は、第3実施形態の半導体発光装置2の模式断面図である。半導体発光装置2は、半導体層15を備え、半導体層15は、第1の面15aと、その反対側の第2の面15b(図15参照)を有する。第1の面15aの上には、散乱材32を含む透明樹脂層30が設けられる。さらに、本実施形態では、第1の面15aと、透明樹脂層30と、の間に無機膜40が設けられる。一方、第2の面側には、電極および配線部が設けられる。半導体層15は、発光層13を含み、その放射光を、無機膜40および透明樹脂層30を介して第1の面15aから外部へ放出する。
図20(a)は、第3実施形態に係る半導体発光装置3の模式斜視図である。図20(b)は、図20(a)におけるA−A断面図である。図20(c)は、図20(a)におけるB−B断面図である。また、図21は、半導体発光装置3を実装基板200上に実装した構成を有する発光モジュールの模式断面図である。
図22は、第4実施形態に係る光源ユニット100を表す模式図である。図22(a)は、基板150の上に実装された半導体発光装置の配置を表す平面図である。図22(b)は、図22(b)に示すC−C線に沿った断面図である。
よりも大きくすることが好ましい。すなわち、絶縁膜18と樹脂層160の界面における全反射を抑制し、半導体発光装置5の側面から放射される光を均一にすることができる。
Claims (13)
- 第1の面と、その反対側の第2の面と、側面と、を有し、発光部および非発光部を含む半導体層と、
前記発光部の前記第2の面に設けられた第1電極と、
前記非発光部の前記第2の面に設けられた第2電極と、
前記第1の面上に設けられ前記発光部の放射光を透過する樹脂層であって、前記第1の面に対向する上面と、前記第1の面の外縁に沿って設けられ前記上面につながる4つの側面と、を有し、前記発光部の放射する光を散乱する散乱材を含む樹脂層と、
前記半導体層の前記第2の面側および前記側面を覆う絶縁層と、
前記第1の面と、前記樹脂層と、の間に設けられた第1無機膜と、
前記絶縁層と前記半導体層との間に設けられた第2無機膜と、
を備え、
前記樹脂層は、前記絶縁層上に延在し、
前記第1無機膜および前記第2無機膜は、前記樹脂層と前記絶縁層との間に延在し、相互に接する部分を有する半導体発光装置。 - 前記散乱材は、前記樹脂層に分散された微粒子であり、その粒径は、前記発光部の放射光の波長よりも小さい請求項1記載の半導体発光装置。
- 前記散乱材は、シリカもしくは酸化チタンである請求項2記載の半導体発光装置。
- 前記第1無機膜は、シリコン窒化膜である請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記絶縁層は、前記発光部の放射光に対して遮光性を有する請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 第1の面と、その反対側の第2の面を持ち、発光層を有する半導体層と、
前記第1の面上に設けられた第1無機膜と、
前記第2の面側において、前記半導体層に設けられたp側電極と、
前記第2の面側において、前記半導体層に設けられたn側電極と、
前記半導体層および前記p側電極、前記n側電極を覆う第2無機膜と、
前記p側電極と電気的に接続されたp側配線部と、
前記n側電極と電気的に接続されたn側配線部と、
前記p側配線部と前記n側配線部との間において、前記第2無機膜の上に設けられた絶縁膜と、
を有する複数の半導体発光装置と、
前記複数の半導体発光装置が実装された実装基板であって、前記前記p側配線部および前記n側配線部のそれぞれに接続された複数の配線を有する実装基板と、
前記実装基板の上に実装された前記複数の半導体発光装置を覆い、前記発光層から放射される光を透過する第1の樹脂層であって、前記複数の半導体発光装置上および前記複数の半導体発光装置の間に設けられた第1の樹脂層と、
前記第1の樹脂層の上に設けられた第2の樹脂層であって、前記発光層から放射される光により励起され、前記励起光とは波長の異なる光を放出する蛍光体を含む第2の樹脂層と、
を備えた光源ユニット。 - 前記第1の樹脂層の屈折率は、前記第2無機膜の屈折率よりも大きい請求項6記載の光源ユニット。
- 前記第1の樹脂層は、前記発光層から放射される光を散乱する散乱材を含む請求項6または7に記載の光源ユニット。
- 任意の方向において隣り合う前記半導体発光装置の間隔は、同方向の前記半導体発光装置のサイズよりも広い請求項8記載の光源ユニット。
- 前記半導体発光装置は、前記基板上においてマトリックス状もしくは千鳥状に配置される請求項6〜9のいずれか1つに記載の光源ユニット。
- 第1の面と、その反対側の第2の面を持ち、発光層を有する半導体層と、
前記第2の面側において、前記半導体層に設けられたp側電極と、
前記第2の面側において、前記半導体層に設けられたn側電極と、
前記半導体層および前記p側電極、前記n側電極を覆う第1の絶縁膜と、
前記p側電極と電気的に接続されたp側配線部と、
前記n側電極と電気的に接続されたn側配線部と、
前記p側配線部と前記n側配線部との間において、前記第1の絶縁膜の上に設けられた第2の絶縁膜と、
を有する複数の半導体発光装置と、
複数の半導体装置が実装された実装基板であって、前記前記p側配線部および前記n側配線部のそれぞれに接続された複数の配線を有する実装基板と、
前記実装基板の上に実装された複数の前記半導体装置を覆い、前記発光層から放射される光を透過する第1の樹脂層と、
前記第1の樹脂層の上に設けられた第2の樹脂層であって、前記発光層から放射される光により励起され、前記励起光とは波長の異なる光を放出する蛍光体を含む第2の樹脂層と、
隣り合う前記半導体発光装置の間の前記基板上に設けられた第3の樹脂層と、
を備え、
前記第3の樹脂層は、前記半導体発光装置を島状に覆う前記第1の樹脂層の間に設けられ、前記蛍光体よりも発光時間が長いリン光材を含む光源ユニット。 - 前記半導体発光装置は、前記基板上においてマトリックス状に配置される請求項11記載の光源ユニット。
- 前記半導体発光装置は、前記基板上において千鳥状に配置される請求項11記載の光源ユニット。
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