JP6063275B2

JP6063275B2 - 液晶表示素子

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Publication number: JP6063275B2
Application number: JP2013014813A
Authority: JP
Inventors: 豊中川; 早田　祐二; 祐二早田
Original assignee: Kyocera Display Corp
Current assignee: Kyocera Display Corp
Priority date: 2013-01-29
Filing date: 2013-01-29
Publication date: 2017-01-18
Anticipated expiration: 2033-01-29
Also published as: JP2014145940A

Description

本発明は、液晶表示素子に関する。

液晶表示素子は、透過型および反射型等があるが、例えば、透過型の場合、観察者の側（視認側とも言う）に配置される透明な第１の基板と、この第１の基板に対向して観察者とは反対側（反視認側とも言う）に配置される透明な第２の基板とを有し、これら第１の基板と第２の基板との間に、液晶層を挟持して構成される。

液晶層は、例えば、ネマチック相の液晶（以下、ネマチック液晶とも言う）等を用いて形成することができる。そして、第１の基板および／または第２の基板の液晶層側となる内面には、必要なパターニングがなされた、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ：酸化インジウム錫）等の透明導電材料からなる電極を設けることができる。各基板上の電極上の液晶層と接する面には、液晶層において液晶の均一な初期配向を実現する液晶配向膜を設けることができる。液晶層を挟持する第１の基板と第２の基板の両方を挟んで、観察者の側とその反対側に一対の偏光板を配置することができる。このような構成を備えた液晶表示素子は、電極を用いて液晶層に印加される電界に応じて、液晶層の液晶が初期の配向状態から配向変化し、液晶層を透過する光の制御がなされる。

液晶表示素子は、液晶層の液晶の初期の配向状態並びに電界を印加した時の動作等から、いくつかのモード(型）に分類される。例えば、電界の印加されない初期配向時の液晶層の液晶が、基板面に対して垂直または略垂直な、垂直配向をする液晶表示素子がある。このような液晶表示素子は、ＶＡ（ＶｅｒｔｉｃａｌＡｌｉｇｎｍｅｎｔ）型の液晶表示素子と称されている。

ＶＡ型の液晶表示素子では、誘電異方性が負である液晶が液晶層の形成に用いられる。第１および第２の２枚の基板上には、その第１および第２の基板を挟むように、視認側と反視認側にそれぞれ偏光板が配置される。すなわち、第１および第２の基板に挟持された液晶層を挟んで、通常はクロスニコルを構成するように一対の偏光板が配置される。

第１および第２の基板の液晶層側となる内面にはそれぞれ電極が設けられる。第１および第２の基板の電極は液晶層を挟持して各画素を構成する。そして、その電極を用いて画素の液晶層に電圧を印加すると、液晶層の液晶が傾き動作をして配向が変化し、形成される電界に対して垂直、すなわち、基板と平行になろうとする（例えば、特許文献１参照）。これにより、電界を印加された画素では、初期の液晶の配向状態に比べ、液晶の屈折率異方性（Δｎ）と液晶層の厚み（ｄ）との積（Δｎ・ｄ）によって定まる光の透過特性が変化する。ＶＡ型の液晶表示素子では、電界の印加された画素において光の透過特性が変化する性質を利用して、所望とする表示が行われる。

ＶＡ型の液晶表示素子は、ＴＮ（ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ）型の液晶表示素子やＳＴＮ（ＳｕｐｅｒＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ）型の液晶表示素子と比較すると、応答特性に優れ、広視野角特性を有し、また、高コントラストの表示を実現することができる（例えば、特許文献２参照）。ＶＡ型の液晶表示素子は、例えば、液晶テレビや携帯用情報機器の表示装置、さらには、自動車等車両のインストルメントパネル等のいわゆる車載用にも盛んに用いられている。

このようなＶＡ型の液晶表示素子では、電極間に印加される電界によって生じる液晶配向の変化を光の透過特性の変化として検知するために、一対の偏光板の直交する偏光軸に対してほぼ４５度の角度に液晶を傾き動作させ、配向を変化させる方式が使われる。その場合、電界印加により液晶配向が傾く方向に対して１８０度回転した逆側からの光学変化が最も大きく、主視角方向となる。また、主視角方向に対して左右にほぼ対称な光学特性となり、主視角方向と１８０度回転した逆方向はコントラストの低い方向、すなわち反視角の方向となる。

ＶＡ型の液晶表示素子は、ＴＮ型やＳＴＮ型等比べて、広い視野角特性を有する液晶表示素子であるが、さらなる広視角化の実現や、所望とする視野角特性を実現するにあたり、このような視野角依存性の改善または制御が求められている。

ＶＡ型の液晶表示素子の視野角依存性を改善または制御する方法としては、画素を、電界印加時のティルト方向が異なる複数の領域（ドメイン）に分割し、視野角依存性を改善または制御する方法が多用されている。

これはマルチドメインと総称される方法であり、ドメイン分割のされないモノドメインに対し、１８０度傾き方向の異なる２種のドメイン（２−ドメイン）に分割する方法と、９０度ずつ変化した４領域（４−ドメイン）に分割する方法等が知られている（例えば、特許文献３〜９を参照）。いずれもＶＡ型の液晶表示素子において、視野角依存性の改善が可能であり、例えば、１８０度対称の２−ドメイン型は、液晶表示素子の左右または上下方向のコントラスト比の視野角依存性が改善される。また、４−ドメイン型では、９０度回転したサブドメインが４種類存在するために、上下方向と左右方向のいずれにおいても同様のコントラスト特性が得られ、最も視野角依存性に優れている。

マルチドメインを実現する方法としては、画素の電極面に尾根状の突起を設ける方法が知られている。直線状の尾根を形成すると、尾根の両側に液晶の傾き方向が１８０度異なる２つの領域が形成される。このような画素の尾根を１方向の直線状に設けた場合、１８０度対称の２−ドメインが形成される。また、９０度方向を変えて直交する２方向に伸びるように、このような画素の尾根を設けた場合、４−ドメイン化が可能になる。また、マルチドメイン化の方法としては、尾根状の突起を設ける以外にも、電極にスリットを設ける方法や、液晶のティルト方向をＵＶ照射によって定める方法等も可能である。

特開２００３−２０７７８２号公報特開２００６−１１３６２号公報特許第２５６５６３９号明細書特許第２９２１８１３号明細書特許第２９４７３５０号明細書特許第４３３４４１２号明細書特公平７−８６６２２号公報特許第２５０７１２２号明細書特許第４８４７１３４号明細書

以上のＶＡ型の液晶表示素子における従来のマルチドメインは、通常、全方位を想定した広い視野角特性を実現して、視野角依存性の低減を図ることを目的とする。そのため、ある一つの視角方向を規定した場合、従来のマルチドメインは、結果として、好ましい視野角特性を備えたドメインと好ましくない視野角特性のドメインとを共存させることになる。すなわち、ある１方向から観察した場合、好ましくない視野角特性の領域が５０％存在することが避けられない。

その結果、従来方法によりマルチドメイン化された液晶表示素子と、最も単純なモノドメインの液晶表示素子とを比較した場合に、表示性能が低下することは不可避であった。具体的な特性については、従来のマルチドメイン化により視野角依存性は少なくなるものの、明るさが低下するという欠点を併せ持っていた。加えて、その影響はマルチプレックス駆動の液晶表示素子の場合に特に顕著に現れる。そのため、広視野角特性とマルチプレックス駆動特性とを両立できる液晶表示素子が求められている。

さらに、マルチプレックス駆動のＶＡ型の液晶表示素子においては、走査線（走査電極）数が増加すると、隣接する走査電極の間の電極エッジでクロストーク現象が生じることがわかっている。また、走査線のみならず信号線の電極（信号電極）のエッジでも、隣接する信号電極との印加電圧差によるエッジクロストーク現象が生じることがわかっている。この画素の電極エッジクロストーク現象は、特に、走査線数の増大に伴って顕著になる。したがって、上述したマルチプレックス駆動特性の向上には、このような電極エッジクロストークの改善の観点も含まれていることが望ましい。すなわち、電極エッジクロストークの観点からも、マルチプレックス駆動特性が良好で、視野角特性と両立できる液晶表示素子が求められている。

本発明は、以上の点に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、ＶＡ型の液晶表示素子において、広視野角特性を向上することである。加えて、本発明の目的は、ＶＡ型の液晶表示素子において、マルチプレックス駆動特性を向上することである。そして、本発明の目的は、広視野角特性とマルチプレックス駆動特性とを両立する液晶表示素子を提供することである。

本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。

本発明の第１の態様は、視認側に配置される第１の偏光板と、その第１の偏光板の偏光軸と直交する偏光軸を有して反視認側に配置される第２の偏光板との間に、
第１の方向に伸びる短冊状の複数の第１の電極と、その第１の電極と直交する第２の方向に伸びる短冊状の複数の第２の電極と、第１の電極と第２の電極とに挟持されて液晶が垂直配向する液晶層とを有し、
平面視で、第１の電極と第２の電極との重なり部分が、第１の電極の縁部および第２の電極の縁部をエッジとする画素をなし、第１の電極と第２の電極との間の電圧印加により液晶が傾き動作をする液晶表示素子であって、
画素の第１の電極および第２の電極にはそれぞれ、画素のエッジと平行または垂直となる方向に伸びる部分を備えたスリットが設けられ、
そのスリットによって画素が、液晶の傾き方向が互いに８５度〜９５度異なる２種類のサブ画素に分割されるとともに、その２種類のサブ画素はそれぞれ、液晶の傾き方向が画素のエッジに対して４０度〜５０度の角度をなすよう構成されることを特徴とする液晶表示素子に関する。

本発明において、第１の偏光板の偏光軸は、画素のエッジと平行または垂直であることが好ましい。

本発明において、スリットは、画素の第１の電極によるエッジと平行な方向に伸びる部分とそのエッジと垂直な方向に伸びる部分とを備えた形状を有することが好ましい。

本発明において、画素の第１の電極のスリットは、複数が規則的な配置で設けられるとともに、第１の電極による画素のエッジと平行な方向に伸びる長方形状の第１の部分とその第１の部分の１つの長辺の中央部からその長辺と垂直な方向に伸びる長方形状の第２の部分とからなる、平面視でＴ字状のＴ字形状を有し、
画素の第２の電極のスリットは、複数が規則的な配置で設けられるとともに、第１の電極による画素のエッジと平行な方向に伸びる長方形状の第１の部分とその第１の部分の１つの長辺の中央部からその長辺と垂直な方向に伸びる長方形状の第２の部分とからなる、平面視で逆Ｔ字状の逆Ｔ字形状を有し、
サブ画素は、平面視で、Ｔ字形状のスリットの第１の部分と第２の部分により１つの角およびその角から伸びる２辺が規定され、逆Ｔ字形状のスリットにより、その１つの角と対角位置にある角およびその角から伸びる２辺が規定された略矩形状を有することが好ましい。

本発明において、第１の電極のＴ字形状のスリットと第２の電極の逆Ｔ字形状のスリットとは、平面視で、互いの第１の部分の第２の部分が設けられない側の長辺同士を接触させるか、または、互いのその長辺側の一部を重畳させて、略十字状の形状をなすことが好ましい。

本発明において、サブ画素は、平面視で、Ｔ字形状のスリットにより規定される角の頂点および逆Ｔ字形状のスリットにより規定される角の頂点を結んだ軸に対して対称となる形状を有することが好ましい。

本発明において、サブ画素の第１の電極には、Ｔ字形状のスリットにより規定される１つの角から伸びる２辺に沿って点状のスリットが設けられ、第２の電極には、逆Ｔ字形状のスリットにより規定される１つの角から伸びる２辺に沿って点状のスリットが設けられることが好ましい。

本発明によれば、広視野角特性とマルチプレックス駆動特性とを両立する液晶表示素子が提供される。

ＶＡ型の液晶表示素子の電極構造の一部を模式的に示す平面図である。４−ドメイン化された画素を模式的に示す図である。本発明の２−ドメイン化された画素を模式的に示す図である。液晶表示素子の画素のサブ画素における透過率の角度依存性を示すグラフである。２−ドメインの他の例を模式的に示す図である。液晶表示素子の１つのサブ画素の主視角方向を示す模式図である。図６のサブ画素における透過率の角度依存性を示すグラフである。液晶表示素子の画素の視角方向の定義を説明する図である。本発明の第１実施形態の液晶表示素子の構造を示す模式的な断面図である。本発明の第１実施形態の液晶表示素子の電極のスリットの構造を示す図であり、（ａ）は第１の基板上の走査電極のスリットの構造を示す図であり、（ｂ）は第２の基板上の信号電極のスリットの構造を示す図である。本発明の第１実施形態の液晶表示素子の電極の構造を説明する図である。本発明の第１実施形態の液晶表示素子の画素のスリットを拡大して示す図である。本発明の第１実施形態のシミュレーションによる液晶表示素子の評価結果を示す図である。本発明の第２実施形態の液晶表示素子の電極のスリットの構造を示す図であり、（ａ）は第１の基板上の走査電極の第１のスリットの構造を示す図であり、（ｂ）は第２の基板上の信号電極の第２のスリットの構造を示す図である。本発明の第２実施形態の液晶表示素子の電極の構造を説明する図である。本発明の第２実施形態のシミュレーションによる液晶表示素子の評価結果を示す図である。

上述したように、ＶＡ型の液晶表示素子においては、視野角特性の向上が求められている。併せて、マルチプレックス駆動特性の向上が求められており、それらを両立する技術が求められている。
本発明者は、こうした要求に応えるべく、鋭意検討を行った。

図１は、ＶＡ型の液晶表示素子の電極構造の一部を模式的に示す平面図である。

ＶＡ型の液晶表示素子１は、フルドット表示を可能とするように構成されている。

すなわち、液晶表示素子１は、視認側となる前面側に配置され、横方向（水平方向）に伸びる短冊状に形成された複数の第１の電極である走査電極２を有する第１の基板（図示されない）を有する。また、第１の基板の背面側に配置され、走査電極２と直交する上下方向に伸びる短冊状に形成された複数の第２の電極である信号電極３を有する第２の基板（図示されない）を有する。

そして、液晶表示素子１は、第１の基板の走査電極２の形成面と第２の基板の信号電極３の形成面とにより挟持され、それら電極間で液晶（図示されない）が垂直配向する液晶層（図示されない）を有して構成される。液晶層の液晶は、負の誘電異方性（Δε）を有する液晶である。また、液晶表示素子１は、第１の基板上の走査電極２と液晶層との間、および、第２の基板上の信号電極３と液晶層との間に、垂直配向性の液晶配向膜（図示されない）を配置することが可能である。

さらに、液晶表示素子１は、第１の基板の走査電極２側と反対の側となる前面側に、第１の偏光板であるＦ偏光板（図示されない）が配置され、第２の基板の信号電極３側の反対側となる背面側には、第２の偏光板であるＲ偏光板（図示されない）が配置される。これら一対の偏光板は、上述の液晶層を挟持して、それぞれの吸収軸が互いに直交するように配置される。

すなわち、液晶表示素子１では、視認側に配置されるＦ偏光板と、そのＦ偏光板の偏光軸と直交する偏光軸を有して反視認側に配置されるＲ偏光板との間に、第１の電極である走査電極２と第２の電極である信号電極３と、走査電極２と信号電極３とに挟持されて液晶が垂直配向する液晶層とを有して構成される。また、液晶表示素子１において、Ｒ偏光板のさらに背面側には、バックライト（図示されない）を設けることが好ましい。

以上の構成を有する液晶表示素子１は、図１のように平面視した状態で、走査電極２と信号電極３の各重なり部分がそれぞれ１つの画素４を構成する。そして、液晶表示素子１は、上下左右のマトリクス状に配置された画素４を用いて、フルドット表示を可能とし、所望とする高精細な画像表示を可能とする。

こうした構造のＶＡ型の液晶表示素子１では、上述したように、さらなる視野角依存性の改善が求められている。そのため、各画素４を、電界印加時の液晶の傾き方向が異なる複数の領域（ドメイン）に分割し、視野角依存性を改善または制御するマルチドメイン化が検討されている。

図２は、４−ドメイン化された画素を模式的に示す図である。

図２では、４−ドメイン化によって、４種類のサブ画素１１、１２、１３、１４に分割され、便宜的に４分割された画素４ａを示す。そして、図２では、走査電極（図示されない）と信号電極（図示されない）とを用いて画素４ａにＯＮ電圧が印加された場合（以下、ＯＮ時と言う）に、各サブ画素１１〜１４の液晶が傾き動作することで形成される主視角の方向を、各サブ画素１１〜１４内の矢印によって示している。

図２に示すように、ＶＡ型の液晶表示素子１では、視野角依存性を改善するために、画素４ａを４−ドメイン化する方法が知られている。４−ドメインでは、９０度ずつ液晶の傾き動作方向が変化し、それによって９０度ずつ主視角の方向が変化した４種のサブ画素１１〜１４に画素４ａを分割する。

このとき、Ｆ偏光板（図示されない）の偏光軸１５は、例えば、横方向（水平方向）に配置され、各サブ画素１１〜１４の液晶の主視角方向と４５度の角度をなすようにされている。このような４−ドメインは、主視角方向が９０度ずつ回転したサブ画素１１、１２、１３、１４が４種類存在するため、上下方向と左右方向のいずれにおいても同様のコントラスト特性が得られ、最も視野角依存性に優れるとされている。

しかしながら、実際に、表示素子を使用する場合、視認者が、上下方向と左右方向のいずれからも画像を観察する使用状況は稀である。例えば、上方向と左右方向等、ある一つの方向が中心として規定され、その一つの方向に加え、その左右方向または上下方向にずれた方向から表示画像を観察する方法が多いと解される。そのため、そのような使用方法に対応して、より表示性能の向上された視野角特性が求められることが多い。

そして、ある一つの視角方向を規定した使用方法の場合、４−ドメインは、結果として、好ましい視野角特性を備えたドメイン（サブ画素）と好ましくない視野角特性のドメイン（サブ画素）とを共存させることになる。すなわち、ある１方向から観察した場合、好ましくない視野角特性の領域が５０％存在することが避けられない。

その結果、４−ドメイン化された液晶表示素子と最も単純なモノドメインの液晶表示素子とを比較した場合に、表示性能が低下することは不可避であった。具体的な特性については、従来のマルチドメイン化により視野角依存性は少なくなるものの、表示の明るさが低下するという欠点を併せ持っていた。

そこで、本発明者は、２−ドメインの技術を好適に適用し、上述した４−ドメインの欠点の改善を実現する。

図３は、本発明の２−ドメイン化された画素を模式的に示す図である。

本発明の２−ドメインにおいては、画素４ｂが、ＯＮ時の液晶の傾き動作の方向が互いに、好ましくは８５度〜９５度、より好ましくは９０度だけ異なる２種類のサブ画素２１、２２に分割される。尚、図３では、便宜的に、１つの画素４ｂが２つのサブ画素２１、２２に分割されるように記載されているが、実際には、２種類のサブ画素２１、２２が画素４ｂ内に２個以上の多数含まれることになる。

このとき、Ｆ偏光板（図示されない）の偏光軸２５は、例えば、横方向（水平方向）に配置され、各サブ画素２１、２２の液晶の傾き動作の方向と、好ましくは４０度〜５０度、より好ましくは４５度の角度をなすようにされている。したがって、Ｆ偏光板の偏光軸は、各サブ画素２１、２２の主視角方向と、好ましくは４０度〜５０度、より好ましくは４５度の角度をなすように配置されることになる。

図４は、液晶表示素子の画素のサブ画素における透過率の角度依存性を示すグラフである。

図４では、図２の画素４ａのサブ画素１３、１４、および、図３の画素４ｂのサブ画素２１、２２における、垂直方向（紙面と垂直な方向）から、上下方向（サブ画素１３、１４、２１、２２の主視角方向と４５度程度の角度をなす方向）に角度θだけ傾けた場合のＯＮ時の相対透過率を示している。図４では、ｘ軸に角度θをとり、ｙ軸に相対透過率を取って、角度θに依存して、サブ画素１３、１４、２１、２２の透過率が変化する状況を模式的に示す。

尚、液晶表示素子１において、図２の画素４ａのサブ画素１３、１４と、図３の画素４ｂのサブ画素２１、２２とは、それぞれ同様の透過率の角度θ依存性を示す。一方、画素４ａのサブ画素１１、１２では、それらに対し、垂直方向の０度を境にして対称となる透過率の角度θ依存性を示す。

図４に示すように、垂直方向から下方向に向かう間に位置する一つの方向であるθ_０度の方向の透過率（相対値）は、画素４ａのサブ画素１３、１４と画素４ｂのサブ画素２１、２２では１となる。そして、逆方向の−θ_０度の方向の透過率は、画素４ａのサブ画素１３、１４と画素４ｂのサブ画素２１、２２において、１より小さな値のａとなる。尚、それらサブ画素１３、１４、２１、２２と対称な角度θ依存性を示す画素４ａのサブ画素１１、１２においては、θ_０度の方向の透過率がａとなり、−θ_０度の方向の透過率が１となる。

その結果、図２に示した４−ドメインの画素４ａでは、θ_０度の方向の透過率が、サブ画素１３、１４およびサブ画素１１、１２を考慮したものとなり、｛（１＋ａ）／２｝となる。また、−θ_０度の方向の透過率もサブ画素１３、１４およびサブ画素１１、１２を考慮したものとなり、同様の｛（１＋ａ）／２｝となり、それらは同じ透過率となる。

一方、図３に示した本発明の２−ドメインの画素４ｂでは、θ_０度の方向の透過率がサブ画素２１、２２を考慮したものとなり、１となる。また、−θ_０度の方向の透過率は、ａとなって、それらは異なる値となる。このとき、本発明の２−ドメインの画素４ｂでは、θ_０度の方向の透過率が、４−ドメインの画素４ａのθ_０度の方向の透過率より大きくなる。

したがって、図２の４−ドメインの場合、図３の本発明の２−ドメインより視野角は広いものの、得られる透過率の最大値は低い。一方、図３の本発明の２−ドメインでは、例えば、好ましい方向がθ_０度方向である場合、その方向の透過率は４−ドメインより高く、その反対側の−θ_０度方向では、透過率は低くなる。その結果、視認者による観察される方向が決められている場合に本発明の２−ドメインは、その観察方向に、サブ画素２１、２２の主視角方向の平均方向、すなわち、上述のθ_０の方向を合わせることで、４−ドメインに比べて明るい表示を、広い視野角で得ることができる。

また、本発明の２−ドメインは、２−ドメインの他の例と比較しても、好ましい視野角特性を有する。

図５は、２−ドメインの他の例を模式的に示す図である。

図５に示す２−ドメイン化された画素４ｃでは、矢印により示される主視角方向が１８０度異なる２種類のサブ画素３１、３２に分割されている。このとき、Ｆ偏光板（図示されない）の偏光軸３５は、例えば、横方向（水平方向）に配置され、各サブ画素３１、３２の主視角方向と、直交するように配置される。

ＶＡ型の液晶表示素子の２−ドメインは、上述した図３の本発明の２−ドメインの他に、図５に示すような２−ドメインも可能である。これらの効果の違いについて、以下で説明する。

図６は、液晶表示素子の１つのサブ画素の主視角方向を示す模式図である。

図７は、図６のサブ画素における透過率の角度依存性を示すグラフである。

図７では、ｘ軸に角度θをとり、ｙ軸に透過率を取って、角度θに依存して、図６のサブ画素４１の透過率が変化する状況を模式的に示す。

図６および図７は、液晶表示素子１の画素４のある１つのサブ画素４１における透過率の角度依存性を示す図となる。

図６に示すように、液晶表示素子１の画素４（図しされない）のサブ画素４１は、矢印により示されるように、例えば、下方側に向かう方向に主視角を有する。

そのような図６のサブ画素４１に対し、図７のグラフＡでは、図６の一点鎖線Ａで示されるように、垂直方向（紙面と垂直な方向）から上下方向に角度θだけ傾けた場合のＯＮ時の透過率を示している。このとき、θ_０度方向では透過率はａ１となり、−θ_０度方向では、透過率はａ１’となる。

また、図７のグラフＢでは、図６の一点鎖線Ｂで示されるように、垂直方向（紙面と垂直な方向）から上下方向と４５度の角度をなす斜め方向に角度θだけ傾けた場合のＯＮ時の透過率を示している。このとき、θ_０度方向では透過率はｂ１となり、−θ_０度方向では、透過率はｂ１’となる。

また、図７のグラフＣでは、図６の一点鎖線Ｃで示されるように、垂直方向（紙面と垂直な方向）から上下方向と直交する水平方向（横方向）に角度θだけ傾けた場合のＯＮ時の透過率を示している。このとき、θ_０度方向では透過率はｃ１となり、−θ_０度方向では、同じ透過率はｃ１となる。

図８は、液晶表示素子の画素の視角方向の定義を説明する図である。

図８に示すように、例えば、液晶表示素子１の画素４に対し、図の下方側の視角が６時視角となる。また、図の上下方向と４５度の角度をなす右斜め方向の視角が、４時３０分視角となる。

したがって、図５に示す配置の２−ドメインにおいては、図８に示す図の下方側である６時の方向の画素４ｃの透過率を、図７のグラフＡから見積もることができ、その値は（ａ１＋ａ１’）／２となる。そして、上下方向と４５度の角度をなす斜め方向となる４時３０分の方向の画素４ｃの透過率は、図７のグラフＢから見積もることができて、その値は（ｂ１＋ｂ１’）／２となる。

一方、図３に示す本発明の２−ドメインにおいては、図８に示す図の下方側である６時の方向の画素４ｂの透過率を、図７のグラフＢから見積もることができて、その値は（ｂ１＋ｂ１）／２＝ｂ１となる。そして、上下方向と４５度の角度をなす斜め方向となる４時３０分の方向の画素４ｂの透過率は、図７のグラフＡとグラフＣから見積もることができて、（ａ１＋ｃ１）／２となる。

ここで、各画素４ｂ、４ｃのそれぞれにおいて、便宜的に６時の方向と４時３０分の方向の透過率を加算し、得られた値を画素４ｃと画素４ｂとの間で比較すると、その差（「４ｂ」−「４ｃ」）は、｛（ｂ１＋ｃ１）−（ａ１’＋ｂ１’）｝となる。そして、特に、４時３０分の方向の透過率を比較すると、その差は、｛（ａ１＋ｃ１）−（ｂ１＋ｂ１’）｝／２となる。このとき、ａ１＞ｂ１およびｃ１＞ｂ１’であることから、その差は、明らかに０より大きな値となる。したがって、本発明の２−ドメインの方が、図５の２−ドメインに比べて、広い視角範囲で明るい表示を提供できることがわかる。

その結果、視認者による観察される方向が決められている場合に、本発明の２−ドメイン化された液晶表示素子１は、明るい表示を得ることができる。すなわち、視認者による観察方向に、サブ画素２１、２２の主視角方向の平均方向、すなわち、上述のθ_０の方向を合わせることで、液晶表示素子１は、主視角方向が１８０度異なる２つのサブ画素からなる２−ドメインに比べて広い視角で、明るい表示を得ることができる。

以上の本発明の２−ドメインは、図１の液晶表示素子１の画素４の走査電極２や信号電極３にスリットを設ける方法によって実現することができる。

以下では、本発明の２−ドメインを実現する本発明の実施形態の液晶表示素子について説明する。特に、上述した本発明の２−ドメインの実現に有効なスリットを備えた、本実施形態の液晶表示素子の画素構造について、図面を用いて説明する。

実施の形態１．
図９は、本発明の第１実施形態の液晶表示素子の構造を示す模式的な断面図である。

図９に示す本発明の第１実施形態の液晶表示素子１０１は、視認側に配置される第１の偏光板であるＦ偏光板１０８と、Ｆ偏光板１０８の偏光軸と直交する偏光軸を有して反視認側に配置される第２の偏光板であるＲ偏光板１０９との間に、第１の電極である走査電極１０６を有する第１の基板１０２と、第１の基板１０２の背面側に配置されて、第２の電極である信号電極１０７を有する第２の基板１０３とを有する。

そして、液晶表示素子１０１は、第１の基板１０２の走査電極１０６の形成面と第２の基板１０３の信号電極１０７の形成面とにより挟持され、それら電極間で液晶（図示されない）が垂直配向する液晶層１０４を有して構成される。

また、液晶表示素子１０１において、Ｒ偏光板１０９のさらに背面側には、バックライト１１０を設けることができる。

液晶表示素子１０１において、液晶層１０４の液晶は、負の誘電異方性（Δε）を有する液晶である。そして、第１の基板１０２上の走査電極の１０６と液晶層１０４との間、および、第２の基板１０３上の信号電極１０７と液晶層１０４との間には、垂直配向性の液晶配向膜（図示されない）を配置することが可能である。

液晶表示素子１０１の第１の基板１０２上の走査電極１０６の構造と配置、および、第２の基板１０３上の信号電極１０７の構造と配置は、図１に示したＶＡ型の液晶表示素子１と同様である。

すなわち、Ｆ偏光板１０８とＲ偏光板１０９との間に、視認側となる前面側に配置され、横方向（第１の方向）に伸びる短冊状に形成された複数の第１の電極である走査電極１０６を有する第１の基板１０２が配置される。そして、第１の基板１０２の背面側に、走査電極１０６と直交する上下方向（第２の方向）に伸びる短冊状に形成された複数の第２の電極である信号電極１０７を有する第２の基板１０３が配置される。

そして、液晶表示素子１０１では、平面視で、走査電極１０６と信号電極１０７との重なり部分が、走査電極１０６の縁部および信号電極１０７の縁部をエッジとする画素１０５（図９中では図示されない）を構成する。すなわち、液晶表示素子１０１の画素１０５は、図１の液晶表示素子１の画素４と同様に構成される。

本発明の第１実施形態の液晶表示素子１０１は、液晶層１０４を挟持する第１の基板１０２上の走査電極１０６と、第２の基板１０３上の信号電極１０７とのそれぞれに、電極の開口部となるスリット（図９中では図示されない）を設ける。そして、走査電極１０６および信号電極１０７のそれぞれに、互いに離間する複数のスリットを規則的に配置して、画素１０５において、液晶層１０４に電圧を印加するときに、電極間に所望とする方向の斜め電界を形成させる。

その結果、本実施形態の液晶表示素子１０１は、第１の基板１０２と第２の基板１０３との間で垂直配向する液晶層１０４に対し、走査電極１０６と信号電極１０７との間の電圧印加によって傾く方向を規定することができる。そして、液晶表示素子１０１は、走査電極１０６および信号電極１０７におけるスリットの構造と配置により２−ドメインを実現する。すなわち、液晶表示素子１０１は、画素１０５をスリットによって、上述の図３に示したものと同様の、２−ドメインを実現する。より具体的には、液晶表示素子１０１は、画素１０５のスリットにより、視角方向が、好ましくは８５度〜９５度、より好ましくは９０度異なる、２種類のサブ画素（図９中では図示されない）に分割し、２−ドメイン化を実現する。

そしてさらに、液晶表示素子１０１は、スリットの構造と配置によって、画素１０５のエッジに対する、各サブ画素の液晶層１０４の液晶の傾き動作の方向を規定する。すなわち、各サブ画素の液晶が、走査電極１０６と信号電極１０７との間の電圧印加によって、走査電極１０６の縁部による画素１０５のエッジと４０度〜５０度の角度をなす方向に、好ましくは４５度の角度をなす方向に、傾き動作をするように構成する。

このとき、Ｆ偏光板１０８の偏光軸は、走査電極１０６が伸びる横方向（第１の方向）に設定されることが好ましい。そして、Ｒ偏光板１０９の偏光軸は、上下方向（第２の方向）に設定されることになる。その場合、Ｆ偏光板１０８の偏光軸は、走査電極１０６の縁部による画素１０５のエッジと平行となり、Ｒ偏光板１０９の偏光軸は、そのエッジと垂直となる。

その結果、液晶表示素子１０１は、図１の液晶表示素子１と同様、上下左右のマトリクス状に配置された画素１０５を用いて、フルドット表示を可能とし、所望とする広視角で高精細な画像表示を可能とする。

次に、本発明の第１実施形態の液晶表示素子１０１において、上述した画素１０５の２−ドメイン化を実現する電極構造について説明する。

図１０は、本発明の第１実施形態の液晶表示素子の電極のスリットの構造を模式的に示す図であり、図１０（ａ）は第１の基板上の走査電極のスリットの構造を示す模式的に図であり、図１０（ｂ）は第２の基板上の信号電極のスリットの構造を模式的に示す図である。

図１１は、本発明の第１実施形態の液晶表示素子の電極の構造を模式的に説明する図である。

図１０（ａ）に示すように、液晶表示素子１０１（図１０（ａ）に図示されない）の第１の基板１０２上には、上述したように、走査電極１０６が配置され、走査電極１０６には複数のスリット１１５が規則的な配置で設けられている。
図１０（ａ）では、走査電極１０６上、便宜的に、上下方向および左右方向の繰り返し単位となる４つのスリット１１５のみが示されている。この４つのスリット１１５は、走査電極１０６に設けられるスリット１１５の一部を示しており、後述する信号電極１０７のスリット１１６とともに４つのサブ画素を構成することができる。尚、本実施形態において、画素１０５に設けられるサブ画素の数は、４個に限られず、２個以上の複数が可能である。したがって、スリット１１５の数も図に示した４個には限られず、１つの画素１０５中に設けられる図１１のサブ画素１２１〜１２４のサイズと数によって、図１０（ａ）の配置パターンを維持しながら適宜増減される。

液晶表示素子１０１の画素１０５の走査電極１０６のスリット１１５は、走査電極１０６の縁部によって構成される画素１０５のエッジと平行な方向に伸びる部分と、そのエッジと垂直な方向に伸びる部分とを備えた形状を有することが好ましい。具体的には、図１０（ａ）に示すように、そのエッジと平行な方向に伸びる長方形状の第１の部分１１５ａと第１の部分１１５ａの１つの長辺の中央部からその長辺と垂直な方向に伸びる長方形状の第２の部分１１５ｂとからなる、平面視でＴ字状のＴ字形状を有することができる。

また、図１０（ｂ）に示すように、液晶表示素子１０１（図１０（ｂ）に図示されない）の第２の基板１０３上には、上述したように、信号電極１０７が配置され、信号電極１０７には複数のスリット１１６が規則的な配置で設けられている。
図１０（ｂ）では、信号電極１０７上、便宜的に、上下方向および左右方向の繰り返し単位となる４つのスリット１１６のみが示されている。この４つのスリット１１６は、信号電極１０７に設けられるスリット１１６の一部を示しており、上述の走査電極１０６のスリット１１５とともに４つのサブ画素を構成することができる。尚、上述したように、本実施形態において、画素１０５に設けられるサブ画素の数は、４個に限られず、２個以上の複数が可能である。したがって、スリット１１６の数も図に示した４個には限られず、１つの画素１０５中に設けられるサブ画素のサイズと数によって、走査電極１０６のスリット１１５の配置に対応し、図１０（ｂ）の配置パターンを維持しながら適宜増減される。

液晶表示素子１０１の画素１０５の信号電極１０７のスリット１１６は、走査電極１０６の縁部によって構成される画素１０５のエッジと平行な方向に伸びる部分と、そのエッジと垂直な方向に伸びる部分とを備えた形状を有することが好ましい。具体的には、図１０（ｂ）に示すように、そのエッジと平行な方向に伸びる長方形状の第１の部分１１６ａと第１の部分１１６ａの１つの長辺の中央部からその長辺と垂直な方向に伸びる長方形状の第２の部分１１６ｂとからなる、平面視で逆Ｔ字状の逆Ｔ字形状を有することができる。

このとき、走査電極１０６のスリット１１５と、信号電極１０７のスリット１１６とは、平面視での配置の向きが異なるのみで、同一の形状を有し、それぞれ同様のＴ字形状を有している。すなわち、第２の部分１１５ｂが図の上方に伸びるスリット１１５に対し、スリット１１６では、第２の部分１１６ｂが図の下方に伸びるように配置され、互いの形状は同じである。

そして、図１１に示すように、第１の基板１０２と第２の基板１０３とは、液晶層(図１１中に図示されない）を挟んで、走査電極１０６と信号電極１０７とが対向するように配置され、その重なり部分が画素１０５を構成する。

その結果、図１１に示すように、走査電極１０６および信号電極１０７の重なりによる画素１０５を平面視した場合、１つの画素１０５が複数のサブ画素１２１、１２２、１２３、１２４に分割される。
尚、図１１では、上述した図１０に対応して、画素１０５内に含まれる多数のサブ画素の内、４つのサブ画素１２１〜１２４のみが便宜的に示されている。しかし、上述したように、本実施形態において、サブ画素の数は４つに限られるわけではない。１つの画素１０５内には、同様の複数のサブ画素が余すことなく設けられ、例えば、画素１０５の上下方向に６個で左右方向に６個の合計３６個等とすることができる。すなわち、所望とするサブ画素のサイズに対応し、走査電極１０６のスリット１１５および信号電極１０７のスリット１１６それぞれの数と配置によって適宜増減される。その場合、各サブ画素１２１〜１２４は、以下の構造を有する。

この複数のサブ画素１２１〜１２４はそれぞれ、平面視で、走査電極１０６のＴ字形状のスリット１１５の第１の部分１１５ａと第２の部分１１５ｂにより１つの角およびその角から伸びる２辺が規定され、信号電極１０７の逆Ｔ字形状のスリット１１６により、そのスリット１１５による１つの角と対角位置にある角およびその角から伸びる２辺が規定されて、略矩形状を有する。

そして、図１１に示すように、走査電極１０６のＴ字形状のスリット１１５と信号電極１０７の逆Ｔ字形状のスリット１１６とは、平面視で、互いの第１の部分１１５ａ、１１６ａの第２の部分１１５ｂ、１１６ｂが設けられない側の長辺同士を接触させるか、または、互いのその長辺側の一部を重畳させて、略十字状の形状をなしている。

以上の電極構造により、液晶表示素子１０１の画素１０５においては、走査電極１０６のスリット１１５および信号電極１０７のスリット１１６の形成による斜め電界の影響を受けて、上下左右に隣接するサブ画素１２１〜１２４のＯＮ時の液晶の傾き方向が、好ましくは８５度〜９５度、より好ましくは９０度異なるようになる。そして、サブ画素１２１とサブ画素１２３とは、同じ液晶の傾き方向を有し、サブ画素１２２とサブ画素１２４とは、同じ液晶の傾き方向を有する。したがって、液晶表示素子１０１では、走査電極１０６および信号電極１０７のスリット１１５、１１６によって画素１０５が、液晶の傾き方向が互いに好ましくは８５度〜９５度、より好ましくは９０度異なる２種類のサブ画素に分割されることになる。

その結果、液晶表示素子１０１の画素１０５のサブ画素１２１〜１２４のそれぞれの主視角方向は、図１１で矢印（図中、主視角方向と表示）を用いて示される方向となる。そして、サブ画素１２１とサブ画素１２３とは、同じ主視角方向を有し、サブ画素１２２とサブ画素１２４とは、同じ主視角方向を有する。すなわち、液晶表示素子１０１では、図１１に示すように、走査電極１０６および信号電極１０７のスリット１１５、１１６によって画素１０５が、主視角方向が互いに好ましくは８５度〜９５度、より好ましくは９０度異なる２種類のサブ画素に分割されることになる。

このとき、本実施形態の液晶表示素子１０１では、上述したように、Ｆ偏光板１０８（図示されない）の偏光軸１３５は、走査電極１０６の縁部による画素１０５のエッジと平行となり、Ｒ偏光板１０９（図示されない）の偏光軸１３６は、そのエッジと垂直となる。尚、図１１においては、Ｆ偏光板１０８の偏光軸１３５およびＲ偏光板１０９の偏光軸１３６を、矢印を用いて模式的に示している。

その結果、画素１０５のサブ画素１２１〜１２４では、電極エッジにおいてエッジクロストーク現象が発生しても、それが見え難くなるように構成されている。すなわち、電極エッジでのクロストーク現象は、電極エッジと垂直な方向に発生する電界に液晶が反応して傾き動作し、それが感知されて発生する。しかし、第１の偏光板１０８の偏光軸１３５を、電極エッジと平行（または、垂直）に設定することで、液晶表示素子１０１は、そのような液晶の傾き動作を感知され難くすることができる。

また、従来のＶＡ型の液晶表示素子の場合、走査線（走査電極）数が増加に伴って、エッジクロストーク現象が顕著になることがわかっている。具体的には走査電極数が１６程度より、エッジクロストーク現象が問題になり、３２以上では著しく表示品質を損なうことになる。それに対し、本実施形態の液晶表示素子１０１では、エッジクロストーク現象に対する耐性が強化されている。したがって、走査電極数が１６以上であっても、特に、３２以上であっても、エッジクロストーク現象を許容できるレベルに抑制することができる。すなわち、本実施形態の液晶表示素子１０１は、エッジクロストーク現象の観点から、走査電極数３２以上の場合に、特に優れた表示の液晶表示素子となる。

次に、本実施形態の液晶表示素子１０１においては、以下で説明するような画素１０５の構造が求められる。こうすることで、液晶表示素子１０１は、走査電極１０６のスリット１１５および信号電極１０７のスリット１１６の形成による斜め電界の形成を高精度に制御し、上述のような画素１０５の２種類のサブ画素への分割を高精度に実現することができる。

先ず、液晶表示素子１０１の画素１０５において、平面視で、スリット１１５の第１の部分１１５ａと、スリット１１６の第１の部分１１６ａとは、第２の部分１１５ｂ、１１６ｂが設けられない側の長辺同士を接触させるか、または、互いのその長辺側の一部を重畳させるように設けられる。第１の部分１１５ａ、１１６ａ同士が、平面視で、完全に重なる状態は好ましくない。

図１２は、本発明の第１実施形態の液晶表示素子の画素のスリットを拡大して示す図である。

図１２に示すように、スリット１１５の第１の部分１１５ａと、スリット１１６の第１の部分１１６ａとは、上下方向に互いにずれて設けられる必要がある。このような配置をしない場合、スリット１１５の第１の部分１１５ａと、スリット１１６の第１の部分１１６ａとの互いの効果が相殺され、スリット１１５、１１６の第１の部分１１５ａ、１１６ａの形成効果が失われるためである。その結果、上述した高精度の２−ドメイン化が実現できなくなる。

このとき、図１２にΔで示される、第１の部分１１５ａ、１１６ａの重ならない部分の上下方向の幅は５μｍ以上であることが好ましい。Δが５μｍより小さい場合、スリット１１５の第１の部分１１５ａによる斜め電界の形成がスリット１１６の第１の部分１１６ａの影響を受け、不安定化する恐れがある。

次に、図１２にＬで示される、スリット１１５、１１６の第１の部分１１５ａ、１１６ａの１つのサブ画素の形成に用いられる部分の長さと、図１２にＴで示されるスリット１１５、１１６の第２の部分１１５ｂ、１１６ｂの長さとは、等しいことが好ましい。

尚、後述するように、図１２にＴで示されるスリット１１５、１１６の第２の部分１１５ｂ、１１６ｂの長さを、スリット長さと定義する。上述のように、ＴとＬは実質的に等しく、スリット長さとしてＴを規定することで、Ｌも同時に規定することができる。

スリット１１５、１１６の構造をこのようにすることで、走査電極１０６のスリット１１５および信号電極１０７のスリット１１６の形成による斜め電界の形成を高精度に制御し、上述のような画素１０５の２種類のサブ画素への分割を高精度に実現することができる。

次に、図１１に示すように、液晶表示素子１０１のサブ画素１２１〜１２４はそれぞれ、平面視で、Ｔ字形状のスリット１１５により規定される角の頂点および逆Ｔ字形状のスリット１１６により規定される角の頂点を結んだ軸Ａに対して対称となる形状を有することが好ましい。

また、液晶表示素子１０１のサブ画素１２１〜１２４はそれぞれ、平面視で、Ｔ字形状のスリット１１５のサブ画素１２１〜１２４の角を規定する部分と、逆Ｔ字形状のスリット１１６の対応するサブ画素１２１〜１２４の角を規定する部分とが、残りの角の頂点を結んだ軸Ｂに対して、対称に配置される構造となることが好ましい。

そのため、サブ画素１２１〜１２４はそれぞれ、対向する２つの角およびそれらから伸びる２つの辺が、スリット１１５とスリット１１６とにより規定されて、実質的に正方形状を有することが好ましい。

画素１０５のサブ画素１２１〜１２４の構造をこのようにすることで、走査電極１０６のスリット１１５および信号電極１０７のスリット１１６の形成による斜め電界の形成を高精度に制御し、上述のような画素１０５の２種類のサブ画素への分割を高精度に実現することができる。

次に、画素１０５をサブ画素１２１〜１２４に分割するために好適なスリット１１５、１１６のサイズについて説明する。

スリット１１５、１１６の好適なサイズの検討には、光学計算ソフト（Ｓｈｉｎｔｅｃｈ社製、名称：ＬＣＤＭａｓｔｅｒ）を用いた計算手法を使用した。

計算の対象となる液晶表示素子の構造は、図９に示した液晶表示素子１０１の構造に基づく。すなわち、液晶表示素子は、視認側に配置される第１の偏光板であるＦ偏光板と、そのＦ偏光板の偏光軸と直交する偏光軸を有して反視認側に配置される第２の偏光板であるＲ偏光板との間に、水平方向に伸びる短冊状の複数の第１の電極と、その第１の電極と直交する上下方向に伸びる短冊状の複数の第２の電極と、第１の電極と第２の電極とに挟持されて液晶が９０度の垂直配向をする液晶層とを有する構成とした。

また、液晶には、負の誘電異方性を有する通常のＶＡ用液晶を使用し、液晶層の厚みは６．０μｍとし、液晶表示素子のΔｎｄは５３８ｎｍとした。

また、第１の電極のスリットと第２の電極のスリットの構造は等しいものとし、図１２に示されるスリット１１５、１１６の第２の部分１１５ｂ、１１６ｂの長さＴを、上述したように、スリット長さとして定義した。尚、スリットの各部の幅、すなわち、第１の部分１１５ａ、１１６ａや、第２の部分１１６ａ、１１６ｂの長手方向と直交する短手方向の幅は、１０μｍとした。

そして、波長５５０ｎｍの光が液晶表示素子に垂直に入射するようにして、スリット長さを様々変えて、各場合のＯＮ時の液晶の配向状態をシミュレートするとともに、各場合のＯＮ時の相対的な明るさ（サブ画素面積に対するＯＮ部分の割合）を評価した。

尚、計算手法を用いたＯＮ時の液晶の配向状態を評価することで、上述した電極エッジでのエッジクロストーク現象の影響の軽重も同時に評価することができる。したがって、スリット長さを様々変えることによる、ＯＮ時の液晶の配向状態の評価では、エッジクロストーク現象の影響も併せて評価した。

その結果、画素内で分割される正方形状のサブ画素の一辺の長さを４０μｍとした場合、スリット長さが１０μｍでは、明るさは７０であった。スリット長さが２０μｍでは、明るさは９０であった。スリット長さが２５μｍでは、明るさは９５であった。スリット長さが３０μｍでは、明るさは１００であった。スリット長さが３５μｍでは、明るさは９０であった。スリット長さが４０μｍでは、明るさは８０であった。

そして、上述のいずれの例においても、エッジクロストーク現象が抑制されている状況が確認された。

以上の評価結果から、画素のスリットの構造は、サブ画素の一辺の長さに対し、２５％〜９０％の長さとなるスリット長さを備えた構造が好ましく、５０％〜８８％の長さとなるスリット長さを備えた構造がより好ましいことがわかった。

図１３は、本発明の第１実施形態のシミュレーションによる液晶表示素子の評価結果を示す図である。

図１３では、分割された複数のサブ画素それぞれの一辺の長さが４０μｍで、スリット長さが３０μｍである例の液晶表示素子におけるＯＮ時の状態を示している。

図１３に示すように、スリット長さが３０μｍである例の液晶表示素子では、画素が、液晶の傾き方向が互いに９０度異なる２種類のサブ画素に分割されて２−ドメイン化が実現され、また、エッジクロストーク現象が抑制されて、画素の各サブ画素内でほぼ均一なＯＮ状態が形成されていることがわかった。

以上より、本発明の第１実施形態の液晶表示素子１０１は、好ましい視野角特性を備える２−ドメイン化を実現するとともに、優れたマルチプレックス駆動特性を有することがわかった。

実施の形態２．
本発明の第２実施形態の液晶表示素子は、図１１等に示した第１実施形態の液晶表示素子１０１と比較して、画素に設けられたスリットの構造が異なる以外、同様の構造を有し、また、同様の２−ドメイン化を実現する。すなわち、電極に設けられたスリットによって、画素を、液晶の傾き方向が、好ましくは８５度〜９５度、より好ましくは９０度異なる、２種類のサブ画素に分割し、２−ドメイン化を実現する。さらに、液晶表示素子２０１では、液晶の傾き方向が画素のエッジに対して４０度〜５０度の角度をなすよう構成される。

したがって、以下の第２実施形態の液晶表示素子２０１の説明では、その画素の２−ドメイン化を実現するための電極構造について主に説明し、第１実施形態の液晶表示素子１０１と共通する構成要素については同一の符号を付して重複する説明は省略する。

図１４は、本発明の第２実施形態の液晶表示素子の電極のスリットの構造を模式的に示す図であり、図１４（ａ）は第１の基板上の走査電極のスリットおよび点状スリットの構造を模式的に示す図であり、図１４（ｂ）は第２の基板上の信号電極のスリットおよび点状スリットの構造を模式的に示す図である。

図１５は、本発明の第２実施形態の液晶表示素子の電極の構造を模式的に説明する図である。

図１４（ａ）に示すように、液晶表示素子２０１（図１４（ａ）に図示されない）の第１の基板２０２上には、走査電極２０６が配置され、走査電極２０６には複数のスリット２１５と点状スリット２１７、２１８が規則的な配置で設けられている。
図１４（ａ）では、上述した図１０（ａ）と同様に、走査電極２０６上、便宜的に、上下方向および左右方向の繰り返し単位となる５つのスリット２１５と８個の点状スリット２１７と３個の点状スリット２１８のみが示されている。これらのスリット２１５と点状スリット２１７、２１８は、走査電極２０６に設けられるスリット２１５等の一部を示しており、後述する信号電極２０７のスリット２１６および点状スリット２１９、２２０とともに４つのサブ画素を構成することができる。尚、本実施形態において、画素２０５に設けられるサブ画素の数は、４個に限られず、２個以上の複数が可能である。したがって、スリット２１５等の数も図に示した個数には限られず、１つの画素２０５中に設けられるサブ画素のサイズと数によって、図１４（ａ）の配置パターンを維持しながら適宜増減される。

液晶表示素子２０１の画素２０５の走査電極２０６のスリット２１５は、走査電極２０６の縁部によって構成される画素２０５のエッジと平行な方向に伸びる部分と、そのエッジと垂直な方向に伸びる部分とを備えた形状を有することが好ましい。具体的には、図１４（ａ）に示すように、そのエッジと平行な方向に伸びる長方形状の第１の部分２１５ａと第１の部分２１５ａの１つの長辺の中央部からその長辺と垂直な方向に伸びる長方形状の第２の部分２１５ｂとからなる、平面視でＴ字状のＴ字形状を有することができる。

そして、図の水平方向に隣接する２つのスリット２１５の間には、離間する２つの点状の点状スリット２１７が設けられている。また、各スリット２１５の第２の部分２１５ｂが伸びる方向には、その第２の部分２１５ｂの先端と離間するように、１つの点状の点状スリット２１８が設けられている。

点状スリット２１７、２１８の形状としては、正方形状の他、長方形状とすることができる。

また、図１４（ｂ）に示すように、液晶表示素子２０１（図１４（ｂ）に図示されない）の第２の基板２０３上には、信号電極２０７が配置され、信号電極２０７には複数のスリット２１６と点状スリット２１９、２２０が設けられている。
図１４（ｂ）では、上述した図１０（ｂ）と同様に、信号電極２０７上、便宜的に、上下方向および左右方向の繰り返し単位となる５つのスリット２１６と８個の点状スリット２１９と３個の点状スリット２２０のみが示されている。これらのスリット２１６と点状スリット２１９、２２０は、信号電極２０７に設けられるスリット２１６等の一部を示しており、上述した走査電極２０６のスリット２１５および点状スリット２１７、２１８とともに４つのサブ画素を構成することができる。尚、本実施形態において、画素２０５に設けられるサブ画素の数は、４個に限られず、２個以上の複数が可能である。したがって、スリット２１６等の数も図に示した個数には限られず、１つの画素２０５中に設けられるサブ画素のサイズと数によって、図１４（ｂ）の配置パターンを維持しながら適宜増減される。

液晶表示素子２０１の画素２０５の信号電極２０７のスリット２１６は、走査電極２０６の縁部によって構成される画素２０５のエッジと平行な方向に伸びる部分と、そのエッジと垂直な方向に伸びる部分とを備えた形状を有することが好ましい。具体的には、図１４（ｂ）に示すように、そのエッジと平行な方向に伸びる長方形状の第１の部分２１６ａと第１の部分２１６ａの１つの長辺の中央部からその長辺と垂直な方向に伸びる長方形状の第２の部分２１６ｂとからなる、平面視で逆Ｔ字状の逆Ｔ字形状を有することができる。

尚、液晶表示素子２０１の画素２０５の走査電極２０６のスリット２１５は、上述した第１実施形態の液晶表示素子１０１の画素１０５の走査電極１０６のスリット１１５と同様の構造となる。また、液晶表示素子２０１の画素２０５の信号電極２０７のスリット２１６は、上述した第１実施形態の液晶表示素子１０１の画素１０５の信号電極１０７のスリット１１６と同様の構造となる。

そして、図の水平方向に隣接する２つのスリット２１６の間には、離間する２つの点状の点状スリット２１９が設けられている。また、各スリット２１６の第２の部分２１６ｂが伸びる方向には、その第２の部分２１６ｂの先端と離間するように、１つの点状の点状スリット２２０が設けられている。

点状スリット２１９、２２０の形状としては、正方形状の他、長方形状とすることができる。

このとき、走査電極２０６のスリット２１５と、信号電極２０７のスリット２１６とは、平面視での配置の向きが異なるのみで、同一の形状を有し、それぞれ同様のＴ字形状を有している。すなわち、第２の部分２１５ｂが図の上方に伸びるスリット２１５に対し、スリット２１６では、第２の部分２１６ｂが図の下方に伸びるように配置され、互いの形状は同じである。

そして、図１５に示すように、第１の基板２０２と第２の基板２０３とは、液晶層(図１５中に図示されない）を挟んで、走査電極２０６と信号電極２０７とが対向するように配置され、その重なり部分が画素２０５を構成する。

その結果、図１５に示すように、走査電極２０６および信号電極２０７の重なりによる画素２０５を平面視した場合、１つの画素２０５が複数のサブ画素２２１、２２２、２２３、２２４に分割される。
尚、図１５では、上述した図１４に対応して、画素２０５内に含まれる多数のサブ画素の内、４つのサブ画素２２１〜２２４のみが便宜的に示されている。このことは、上述した図１１の場合と同様である。しかし、上述したように、本実施形態において、サブ画素の数は４つに限られるわけではない。１つの画素２０５内には、同様の複数のサブ画素が余すことなく設けられ、例えば、画素２０５の上下方向に６個で左右方向に６個の合計３６個等とすることができる。すなわち、所望とするサブ画素のサイズに対応し、走査電極２０６のスリット２１５と点状スリット２１７、２１８、および、信号電極１０７のスリット２１６と点状スリット２１９、２２０のそれぞれの数と配置によって適宜増減される。その場合、各サブ画素２２１〜２２４は、以下の構造を有する。

この複数のサブ画素２２１〜２２４はそれぞれ、平面視で、走査電極２０６のＴ字形状のスリット２１５の第１の部分２１５ａと第２の部分２１５ｂにより１つの角およびその角から伸びる２辺が規定され、信号電極２０７の逆Ｔ字形状のスリット２１６により、そのスリット２１５による１つの角と対角位置にある角およびその角から伸びる２辺が規定されて、略矩形状を有する。

そして、図１５に示すように、走査電極２０６のＴ字形状のスリット２１５と信号電極２０７の逆Ｔ字形状のスリット２１６とは、平面視で、互いの第１の部分２１５ａ、２１６ａの第２の部分２１５ｂ、２１６ｂが設けられない側の長辺同士を接触させるか、または、互いのその長辺側の一部を重畳させて、略十字状の形状をなしている。

また、サブ画素２２１〜２２４においては、Ｔ字形状のスリット２１５により規定される１つの角から伸びる２辺に沿って、それぞれ走査電極２０６に設けられた点状のスリット２１７、２１８が配置される。点状のスリット２１７、２１８は、上述したように、正方形状または、設けられる辺の方向が長手方向となる長方形状を有する。

そして、スリット２１５により規定される上述の１つの角と対向する角であって、逆Ｔ字形状のスリット２１６により規定される角から伸びる２辺に沿って、それぞれ信号電極２０７に設けられた点状のスリット２１９、２２０が配置される。点状のスリット２１９、２２０は、上述したように、正方形状または、設けられる辺の方向が長手方向となる長方形状を有する。

このとき、図１５示すように、水平方向に隣接する２つのスリット２１５の間に設けられた２つの点状スリット２１７と、水平方向に隣接する２つのスリット２１６の間に設けられた２つの点状スリット２１９とは、Ｔ字形状のスリット２１５および逆Ｔ字形状のスリット２１６と同様に、それぞれ互いの一部が重畳する。

以上の電極構造により、液晶表示素子２０１の画素２０５においては、走査電極２０６のスリット２１５および点状スリット２１７、２１８並びに信号電極２０７のスリット２１６および点状スリット２１９、２２０の形成による斜め電界の影響を受ける。そして、上下左右に隣接するサブ画素２２１〜２２４のＯＮ時の液晶の傾き方向が、好ましくは８５度〜９５度、より好ましくは９０度異なるようになる。このとき、サブ画素２２１とサブ画素２２３とは、同じ液晶の傾き方向を有し、サブ画素２２２とサブ画素２２４とは、同じ液晶の傾き方向を有する。したがって、液晶表示素子２０１では、走査電極２０６および信号電極２０７のスリット２１５、２１６および点状スリット２１７〜２２０により、画素２０５が、液晶の傾き方向が互いに好ましくは８５度〜９５度、より好ましくは９０度異なる２種類のサブ画素に分割されることになる。

その結果、液晶表示素子２０１の画素２０５のサブ画素２２１〜２２４のそれぞれの主視角方向は、図１５で矢印（図中、主視角方向と表示）を用いて示される方向となる。そして、サブ画素２２１とサブ画素２２３とは、同じ主視角方向を有し、サブ画素２２２とサブ画素２２４とは、同じ主視角方向を有する。すなわち、液晶表示素子２０１では、図１５に示すように、走査電極２０６および信号電極２０７のスリット２１５、２１６および点状スリット２１７〜２２０によって画素２０５が、主視角方向が互いに好ましくは８５度〜９５度、より好ましくは９０度異なる２種類のサブ画素に分割されることになる。

また、本実施形態の液晶表示素子２０１は、画素２０５の走査電極２０６にＴ字形状のスリット２１５とともに点状のスリット２１７、２１８を設けることにより、スリット２１５の大きさ、具体的には上述したスリット長さを小さくすることができる。同様に、本実施形態の液晶表示素子２０１は、画素２０５の信号電極２０７に逆Ｔ字形状のスリット２１６とともに点状のスリット２１９、２２０を設けることにより、スリット２１６の大きさ、具体的にはスリット長さを小さくすることができる。

画素の２０１のＴ字形状のスリット２１５と逆Ｔ字形状のスリット２１６は、電極の開口部であり、その部分は表示に利用できない。そのため、スリット２１５、２１６の大きさが大きくなると、画素２０５の有効表示領域が少なくなり、表示の明るさが低下する。これに対し、点状のスリット２１７〜２２０を設けることで、Ｔ字形状のスリット２１５および逆Ｔ字形状のスリット２１６を小さくすることができれば、画素２０５の有効表示領域を大きくすることができ、表示の明るさを向上させることができる。

また、本実施形態の液晶表示素子２０１では、第１実施形態の液晶表示素子１０１と同様に、Ｆ偏光板１０８（図示されない）の偏光軸２３５は、走査電極２０６の縁部による画素２０５のエッジと平行となり、Ｒ偏光板１０９（図示されない）の偏光軸２３６は、そのエッジと垂直となる。尚、図１５においては、Ｆ偏光板１０８の偏光軸２３５およびＲ偏光板１０９の偏光軸２３６を、矢印を用いて模式的に示している。

その結果、画素２０５のサブ画素２２１〜２２４では、電極エッジにおいてエッジクロストーク現象が発生しても、それが見え難くなるように構成されている。すなわち、電極エッジでのクロストーク現象は、電極エッジと垂直な方向に発生する電界に液晶が反応して傾き動作し、それが感知されて発生する。しかし、Ｆ偏光板１０８の偏光軸２３５を、電極エッジと平行（または、垂直）に設定することで、液晶表示素子２０１は、そうした液晶の傾き動作を感知され難くすることができる。

すなわち、本実施形態の液晶表示素子２０１では、エッジクロストーク現象に対する耐性が強化されている。したがって、走査電極数が１６以上であっても、特に、３２以上であっても、エッジクロストーク現象を許容できる範囲に抑制することができる。したがって、本実施形態の液晶表示素子２０１は、エッジクロストーク現象の観点から、走査電極数３２以上の場合に、特に優れた表示の液晶表示素子となる。

また、本実施形態の液晶表示素子２０１においては、走査電極２０６のスリット２１５および点状スリット２１７、２１８並びに信号電極２０７のスリット２１６および点状スリット２１９、２２０の形成による斜め電界の形成を高精度に制御し、上述のような画素２０５の２種類のサブ画素への分割を高精度に実現する。そのために、液晶表示素子２０１では、第１実施形態の液晶表示素子１０１の画素１０５の構造と同様の画素２０５の構造が求められる。

特に、図１２で第１実施形態の液晶表示素子１０１について示されたΔについては、それ対応する、第１の部分２１５ａ、２１６ａの重ならない部分の上下方向の幅が、５μｍ以上となることが好ましい。そのΔに対応する幅が５μｍより小さい場合、スリット２１５の第１の部分２１５ａによる斜め電界の形成がスリット２１６の第１の部分２１６ａの影響を受け、不安定化する恐れがある。

また、液晶表示素子２０１のサブ画素２２１〜２２４はそれぞれ、平面視で、Ｔ字形状のスリット２１５により規定される角の頂点および逆Ｔ字形状のスリット２１６により規定される角の頂点を結んだ軸Ａに対して対称となる形状を有することが好ましい。

そして、液晶表示素子２０１のサブ画素２２１〜２２４はそれぞれ、平面視で、Ｔ字形状のスリット２１５のサブ画素２２１〜２２４の角を規定する部分と、逆Ｔ字形状のスリット２１６の対応するサブ画素２２１〜２２４の角を規定する部分とが、残りの角の頂点を結んだ軸Ｂに対して、対称に配置される構造となることが好ましい。同様に、サブ画素２２１〜２２４のそれぞれにおいて、その軸Ｂに対して、点状スリット２１７と点状スリット２２０とが対称に配置され、点状スリット２１８と点状スリット２１９とが対称に配置される。

そのため、サブ画素２２１〜２２４はそれぞれ、対向する２つの角およびそれら伸びる２つの辺が、スリット２１５、２１６および点状スリット２１７〜２２０により規定されて、実質的に正方形状を有することが好ましい。

画素２０５のサブ画素２２１〜２２４の構造をこのようにすることで、走査電極２０６のスリット２１５と点状スリット２１７、２１８、および、信号電極２０７のスリット１１６と点状スリット２１９、２２０による斜め電界の形成を高精度に制御し、上述のような画素２０５の２種類のサブ画素への分割を高精度に実現することができる。

次に、画素２０５をサブ画素２２１〜２２４に分割するために好適なスリット２１５、２１６および点状スリット２１７〜２２０のサイズについて説明する。

Ｔ字形状のスリット２１５、逆Ｔ字形状の２１６および点状スリット２１７〜２２０の好適なサイズの検討には、上述の第１実施形態の液晶表示素子１０１の場合と同様に、光学計算ソフト（Ｓｈｉｎｔｅｃｈ社製、名称：ＬＣＤＭａｓｔｅｒ）を用いた計算手法を用いた。計算の対象となる液晶表示素子の構造も点状スリットを設けた以外の構造は、上述のものと同様とした。

尚、点状スリット２１７〜２２０に対応する各点状スリットの形状については、いずれも互いに同じ形状とした。そして、サブ画素２２１〜２２４に対応する正方形状のサブ画素の一辺の長さを４０μｍとした場合について評価を行った。

計算手法を用いた評価の結果、スリットのスリット長さが２０μｍで、点状スリットが一辺の長さが１０μｍの正方形状とした場合は、明るさは１００であった。スリットのスリット長さが１０μｍで、点状スリットが一辺の長さが２０μｍで幅が１０μｍの長方形状とした場合は、明るさは７０であった。スリットのスリット長さが１５μｍで、点状スリットが一辺の長さが１５μｍで幅が１０μｍの長方形状とした場合は、明るさは７５であった。

以上の評価結果から、点状のスリットを設けることで、スリットのスリット長さを短くすることができ、スリットを小さくすることができる。具体的には、上述した評価結果より、スリット長さが３０μｍでは、明るさは１００であった。それに対し、本実施形態での評価結果では、スリットのスリット長さが２０μｍで、点状スリットが一辺の長さが１０μｍ正方形状とした場合は、明るさは１００となる。したがって、点状のスリットを設けることで、スリットのスリット長さを短くすることができ、スリットを小さくすることができることがわかる。

そして、上述のいずれの例においても、エッジクロストーク現象の抑制が確認された。

次に、上述のΔに対応する、スリットの重ならない部分の上下方向の幅の影響を評価した。評価は、画素における、スリットのスリット長さを２０μｍとし、点状スリットは一辺の長さが１０μｍの正方形状とした。

計算手法を用いた評価の結果、上述のΔに対応する幅が５μｍである場合、明るさは１００であった。上述のΔに対応する幅が４μｍである場合、明るさは９０であった。上述のΔに対応する幅が３μｍである場合、明るさは８０であった。上述のΔに対応する幅が２μｍである場合、明るさは６０であった。

以上の評価結果から、図１２のΔに対応する、スリットの重ならない部分の上下方向の幅は５μｍ以上であることが好ましいことがわかった。

図１６は、本発明の第２実施形態のシミュレーションによる液晶表示素子の評価結果を示す図である。

図１６では、サブ画素の一辺の長さが４０μｍで、スリット長さが２０μｍで、点状スリットが一辺の長さが１０μｍ正方形状である例の液晶表示素子におけるＯＮ時の状態を示している。

図１６に示すように、上述の例の液晶表示素子では、画素が、液晶の傾き方向が互いに９０度異なる２種類のサブ画素に分割されて２−ドメイン化が実現され、また、エッジクロストーク現象が抑制されて、画素の各サブ画素内で均一なＯＮ状態が形成されていることがわかった。

以上より、本発明の第２実施形態の液晶表示素子２０１は、好ましい視野角特性を備える２−ドメイン化を実現するとともに、優れたマルチプレックス駆動特性を有することがわかった。

尚、本発明の第２実施形態の液晶表示素子２０１においては、平面視で、サブ画素２２１〜２２４の各辺に、１つの点状スリットまたは、２つの点状スリットが重なり合った１組の点状スリットが配置されているが、各辺に配置する点状スリットの数は上述のものに限られない。本発明において、点状スリットは、各辺同様に、複数または２つの点状スリットが重畳する複数組を設けることも可能である。

以下、実施例に基づいて本発明の実施形態をより具体的に説明する。しかし、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。

実施例１．
本発明の第１実施例の液晶表示素子を製造するため、ＩＴＯ膜付きの一対のガラス基板を準備した。そして、そのガラス基板の一方を用い、公知の方法でＩＴＯをパターニングして、図１０（ａ）に示したのと同様の構造のＴ字形状のスリットを複数、規則的に配置して有する走査電極を備えた第１の基板を製造した。スリットのサイズについては、上述したスリット長さを３０μｍとし、形成されるサブ画素の一辺の長さが４０μｍとなるようにそれらを配置した。尚、後に形成される画素において、サブ画素は上下方向に６個、左右方向に６個の合計３６個が設けられる。

次いで、ガラス基板のもう一方を用い、公知の方法でＩＴＯをパターニングして、図１０（ｂ）に示したのと同様の構造の逆Ｔ字形状のスリットを複数、規則的に配置して有する信号電極を備えた第２の基板を製造した。スリットのサイズについては、上述したスリット長さを３０μｍとし、形成されるサブ画素の一辺の長さが４０μｍとなるようにそれらを配置した。

こうして得られた第１の基板と第２の基板は、電極形成面を対向させて重ね合わせることにより、上述した図１１に示したものと同様の電極の構造が実現される。

次いで、垂直性の配向膜を第１の基板と第２の基板の両方の電極形成面に成膜し、液晶を挟持してＶＡ型の液晶パネルを製造した。液晶としては、誘電異方性（Δε）が−５．６のものを用いた。液晶パネルのリタデーション（Δｎ・ｄ）は５３８ｎｍに設定した。

製造された液晶パネルは、上述した図１の液晶表示素子の電極構造と同様の電極構造を有する。したがって、液晶パネルは、図１のように平面視した状態で、走査電極と信号電極の各重なり部分が、走査電極の縁部および信号電極の縁部をエッジとする、それぞれ１つの画素を構成する。そして、製造された液晶パネルを用いる液晶表示素子は、上下左右のマトリクス状に配置された画素を用いて、フルドット表示を可能とする。

また、液晶パネルでは、上述した図１１に示す電極の構造が実現され、画素が、上述したように３６個のサブ画素を含んで構成される。そして、画素は、主視角方向が互いに９０度異なる２種類のサブ画素に分割されるとともに、その２種類のサブ画素はそれぞれ、液晶の傾き方向が走査電極の縁部によるエッジに対して４５度の角度をなすよう構成される。

次に、液晶パネルを前面側のＦ偏光板と背面側のＲ偏光板の一対の偏光板で挟持してＶＡ型の液晶表示素子を製造した。Ｆ偏光板としては、株式会社ポラテクノ製のＶＨＣ−１２８ＵＬ２ＳＺ−Ｋ１を用い、Ｒ偏光板としては、株式会社ポラテクノ製の０００Ｒ２２０Ｎ−ＶＨ３９Ｌ２Ｓ（Ｒｅ≦７ｎｍ，Ｒｔｈ＝２２０ｎｍの光学補償フィルム付偏光板）を用いた。

このとき、液晶パネルの各走査電極の伸びる方向、すなわち、（水平方向）を基準軸として、視認側となる前面側から見たときの基準軸からＦ偏光板の偏光軸までの反時計回りの角度をθ１とした場合、θ１＝０度になるようにし、Ｒ偏光板の偏光軸までの反時計回りの角度をθ２とした場合、θ２＝９０度になるようにした。尚、Ｆ偏光板とＲ偏光板の各偏光軸が互いに直交するようにしたが、吸収軸が直交するようにしてもよい。

以上のようにして製造した液晶表示素子を用い、デューティ比１／３２で駆動させたところ、エッジクロストーク現象抑制されるとともに、２−ドメイン化の効果によって、主視角方向で明るく、広い視野角特性の画像表示が確認された。

実施例２．
本発明の第２実施例の液晶表示素子を製造するため、ＩＴＯ膜付きの一対のガラス基板を準備した。そして、そのガラス基板の一方を用いて、公知の方法でＩＴＯをパターニングして、図１４（ａ）に示したのと同様の構造のＴ字形状のスリットと点状スリットを複数、規則的に配置して有する走査電極を備えた第１の基板を製造した。スリットのサイズについては、上述したスリット長さを２０μｍとし、点状スリットを一辺が１０μｍの正方形状とし、形成されるサブ画素の一辺の長さが４０μｍとなるようにそれらを配置した。尚、後に形成される画素において、サブ画素は上下方向に６個、左右方向に６個の合計３６個が設けられる。

次いで、ガラス基板のもう一方を用い、公知の方法でＩＴＯをパターニングして、図１４（ｂ）に示したのと同様の構造の逆Ｔ字形状のスリットと点状スリットを複数、規則的に配置して有する信号電極を備えた第２の基板を製造した。スリットのサイズについては、上述したスリット長さを２０μｍとし、点状スリットを一辺が１０μｍの正方形状とし、形成されるサブ画素の一辺の長さが４０μｍとなるようにそれらを配置した。

こうして得られた第１の基板と第２の基板は、電極形成面を対向させて重ね合わせることにより、上述した図１５に示したのと同様の電極の構造が実現される。

また、液晶パネルでは、上述した図１５に示す電極の構造が実現され、画素が、上述したように３６個のサブ画素を含んで構成される。そして、画素は、主視角方向が互いに９０度異なる２種類のサブ画素に分割されるとともに、その２種類のサブ画素はそれぞれ、液晶の傾き方向が走査電極の縁部によるエッジに対して４５度の角度をなすよう構成される。

尚、本発明は上記各実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、種々変形して実施することができる。

１、１０１、２０１液晶表示素子
２、１０６、２０６走査電極
３、１０７、２０７信号電極
４、４ａ、４ｂ、４ｃ、１０５、２０５画素
１１、１２、１３、１４、２１、２２、３１、３２、４１、１２１、１２２、１２３、１２４、２２１、２２２、２２３、２２４サブ画素
１５、２５、３５、１３５、１３６、２３５、２３６偏光軸
１０２、２０２第１の基板
１０３、２０３第２の基板
１０４液晶層
１０８Ｆ偏光板
１０９Ｒ偏光板
１１０バックライト
１１５、１１６、２１５、２１６スリット
１１５ａ、１１６ａ、２１５ａ、２１６ａ第１の部分
１１５ｂ、１１６ｂ、２１５ｂ、２１６ｂ第２の部分
２１７、２１８、２１９、２２０点状スリット

Claims

視認側に配置される第１の偏光板と、該第１の偏光板の偏光軸と直交する偏光軸を有して反視認側に配置される第２の偏光板との間に、
第１の方向に伸びる短冊状の複数の第１の電極と、該第１の電極と直交する第２の方向に伸びる短冊状の複数の第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極とに挟持されて液晶が垂直配向する液晶層とを有し、
平面視で、前記第１の電極と前記第２の電極との重なり部分が、前記第１の電極の縁部および前記第２の電極の縁部をエッジとする画素をなし、前記第１の電極と前記第２の電極との間の電圧印加により前記液晶が傾き動作をする液晶表示素子であって、
前記画素の前記第１の電極および前記第２の電極にはそれぞれ、前記エッジと平行または垂直となる方向に伸びる部分を備えたスリットが設けられ、
前記スリットによって前記画素が、前記液晶の傾き方向が互いに８５度〜９５度異なる２種類のサブ画素に分割されるとともに、該２種類のサブ画素はそれぞれ、前記液晶の傾き方向が前記エッジに対して４０度〜５０度の角度をなすよう構成されることを特徴とする液晶表示素子。
前記第１の偏光板の偏光軸は、前記画素の前記エッジと平行または垂直であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
前記スリットは、前記画素の前記第１の電極によるエッジと平行な方向に伸びる部分と該エッジと垂直な方向に伸びる部分とを備えた形状を有することを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示素子。
前記画素の前記第１の電極の前記スリットは、複数が規則的な配置で設けられるとともに、前記第１の電極による前記エッジと平行な方向に伸びる長方形状の第１の部分と該第１の部分の１つの長辺の中央部から該長辺と垂直な方向に伸びる長方形状の第２の部分とからなる、平面視でＴ字状のＴ字形状を有し、
前記画素の前記第２の電極の前記スリットは、複数が規則的な配置で設けられるとともに、前記第１の電極による前記エッジと平行な方向に伸びる長方形状の第１の部分と該第１の部分の１つの長辺の中央部から該長辺と垂直な方向に伸びる長方形状の第２の部分とからなる、平面視で逆Ｔ字状の逆Ｔ字形状を有し、
前記サブ画素は、平面視で、前記Ｔ字形状のスリットの前記第１の部分と前記第２の部分により１つの角および該角から伸びる２辺が規定され、前記逆Ｔ字形状のスリットにより、該１つの角と対角位置にある角および該角から伸びる２辺が規定された略矩形状を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
前記第１の電極の前記Ｔ字形状のスリットと前記第２の電極の前記逆Ｔ字形状のスリットとは、平面視で、互いの前記第１の部分の前記第２の部分が設けられない側の長辺同士を接触させるか、または、互いの該長辺側の一部を重畳させて、略十字状の形状をなすことを特徴とする請求項４に記載の液晶表示素子。
前記サブ画素は、平面視で、前記Ｔ字形状のスリットにより規定される前記角の頂点および前記逆Ｔ字形状のスリットにより規定される前記角の頂点を結んだ軸に対して対称となる形状を有することを特徴とする請求項４または５に記載の液晶表示素子。
前記サブ画素の前記第１の電極には、前記Ｔ字形状のスリットにより規定される前記１つの角から伸びる２辺に沿って点状のスリットが設けられ、前記第２の電極には、前記逆Ｔ字形状のスリットにより規定される前記１つの角から伸びる２辺に沿って点状のスリットが設けられることを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の液晶表示素子。