JP6053117B2 - 真空処理装置 - Google Patents
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Description
到達圧力を5.8×10−4Pa、スパッタリングターゲット23と基板Sとの距離TSを70mm、パワー密度を4.2W/cm2、Ar流量を100sccm、成膜圧力を0.97Paとし、スパッタリング法により膜厚1000nmを目標としてアルミニウムの薄膜を成膜した。このとき、温度制御部材21にはヘリウムを冷媒として供給し、その温度を112Kとした。また基板トレイ50としては厚さ5mmのものを使用し、市販のヒートラベルによって基板Sの温度測定を行った。
到達圧力を3.8×10−4Pa、スパッタリングターゲット23と基板Sとの距離TSを70mm、パワー密度を4.2W/cm2、Ar流量を100sccm、成膜圧力を0.97Paとし、スパッタリング法により膜厚1000nmを目標としてアルミニウムの薄膜を成膜した。このとき、温度制御部材21にはヘリウムを冷媒として供給し、その温度を111Kとした。また基板トレイ50としては厚さ5mmのものを使用し、市販のヒートラベルによって基板Sの温度測定を行った。
12 ロードロック室
13 加熱室
14 成膜室
15 搬送室
16 アンロード室
17 ゲートバルブ
18 真空ポンプ
19 シャフト
20 回転部材
20A ローラー
20B カム状部材
21 温度制御部材
23 スパッタリングターゲット
24 ガイドローラー
50 基板トレイ
51 凹部
S 基板
Claims (4)
- 基材に対して真空状態で所定の処理を行う真空処理室と、
所定間隔で配された複数の回転部材を有し該回転部材を回転させることで前記回転部材上に載置された前記基材を少なくとも含む被処理部材を前記真空処理室内に搬送する搬送手段と、
を備える真空処理装置において、
前記真空処理室に設けられる温度制御部材を有し、該温度制御部材に前記被処理部材を接触させることで前記基材を加熱又は冷却する温度制御手段を備え、
前記搬送手段が、回転中心から端面までの距離が変化する外形を有するカム状部材を前記回転部材として備え、当該カム状部材の回転に伴って前記被処理部材が前記温度制御部材に対して接離するように構成され、且つ前記回転部材に対向して設けられ、前記カム状部材の回転に伴って前記被処理部材が前記温度制御部材から離間した状態で当接するガイド部材を備える
ことを特徴とする真空処理装置。 - 前記温度制御部材が、前記被処理部材の下面に当接するように前記真空処理室内に設けられている
ことを特徴とする請求項1に記載の真空処理装置。 - 前記温度制御部材が前記カム状部材間に設けられ、前記温度制御部材の前記カム状部材の回転中心に対する下面の高さが、前記カム状部材の回転中心から端面までの最短距離以上最長距離以下である
ことを特徴とする請求項2に記載の真空処理装置。 - 前記温度制御部材は、その内部に温調媒体が供給される供給路を備えていることを特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載の真空処理装置。
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