JP6049674B2 - デュアルゲート型iii−v族複合トランジスタ - Google Patents
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 33
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 title description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 90
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 145
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 30
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 18
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 3
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IHGSAQHSAGRWNI-UHFFFAOYSA-N 1-(4-bromophenyl)-2,2,2-trifluoroethanone Chemical compound FC(F)(F)C(=O)C1=CC=C(Br)C=C1 IHGSAQHSAGRWNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000032750 Device leakage Diseases 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000756 V alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N aluminum indium Chemical compound [Al].[In] AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
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- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42356—Disposition, e.g. buried gate electrode
- H01L29/4236—Disposition, e.g. buried gate electrode within a trench, e.g. trench gate electrode, groove gate electrode
-
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- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7831—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with multiple gate structure
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- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
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Description
本発明において用いられる表現「III−V族半導体」とは、少なくとも1つのIII族元素と少なくとも1つのV族元素とを含む化合物半導体のことである。一例としてIII−V族半導体を、III族窒化物半導体として形成することができる。「III族窒化物」又は「III−N」とは、窒素と少なくとも1つのIII族元素例えばアルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)及びホウ素(B)などを含む化合物半導体のことであり、以下に挙げる合金のいずれかに限定されるものではないが、例えば、窒化アルミニウムガリウム(AlxGa(1-x)N)、窒化インジウムガリウム(InyGa(1-y)N)、窒化アルミニウムインジウムガリウム(AlxInyGa(1-x-y)N)、砒化燐化窒化ガリウム(GaAsaPbN(1-a-b))、砒化燐化窒化アルミニウムインジウムガリウム(AlxInyGa(1-x-y)AsaPbN(1-a-b))などである。さらにIII−Nとは一般に、以下に限定されるものではないが、Ga極性、N極性、半極性、又は無極性の結晶配向のいずれかを含む極性のことも指す。III−N材料には、ウルツ鉱、閃亜鉛鉱、又は混合されたポリタイプも含めることができるし、さらに単一結晶、単結晶、多結晶又は非晶質構造も含めることができる。また、本発明において用いられる窒化ガリウム又はGaNとは、III−N化合物半導体のことであり、この場合、1つ又は複数のIII族元素には、若干量又は相当量のガリウムが含まれるが、ガリウムに加え他のIII族元素も含めることができる。
・アメリカ合衆国特許第6,649,287号、発明の名称:" Gallium Nitride Materials and Method "(窒化ガリウム材料および方法)、出願日:2000年12月14日、発行日:2003年11月18日;
・アメリカ合衆国特許第6,617,060号、発明の名称:" Gallium Nitride Materials and Method "(窒化ガリウム材料および方法)、出願日:2002年7月2日、発行日:2003年9月9日;
・アメリカ合衆国特許第7,339,205号、発明の名称:" Gallium Nitride Materials and Methods Associated with the Same "(窒化ガリウム材料および該材料に関連する方法)、出願日:2004年6月28日、発行日:2008年3月4日;
・アメリカ合衆国特許第8,344,417号、発明の名称:" Gallium Nitride Semiconductor Structures with Compositionally-Graded Transition Layer "(組成的な勾配が付けられた転移層を含む窒化ガリウム半導体構造)、出願日:2012年1月27日、発行日:2013年1月1日;
・アメリカ合衆国特許第8,592,862号、発明の名称:" Gallium Nitride Semiconductor Structures with Compositionally-Graded Transition Layer "(組成的な勾配が付けられた転移層を含む窒化ガリウム半導体構造)、出願日:2012年12月27日、発行日:2013年11月26日;
・アメリカ合衆国特許出願第12/928,946号、発明の名称:" Stress Modulated Group III-V Semiconductor Device and Related Method "(応力変調III−V族半導体デバイスおよび関連方法)、出願日:2010年12月21日、アメリカ合衆国特許出願公開第2012/0153351号、公開日:2012年6月21日;
・アメリカ合衆国特許出願第11/531,508号、発明の名称:" Process for Manufacture of Super Lattice Using Alternating High and Low Temperature Layers to Block Parasitic Current Path "(寄生電流経路を閉塞するために交互の高温層および低温層を用いる超格子の製造方法)、出願日:2006年9月13日、アメリカ合衆国特許出願公開第2007/0056506号、公開日:2007年3月15日;
・アメリカ合衆国特許出願第13/405,180号、発明の名称:" III-Nitride Semiconductor Structures with Strain Absorbing Interlayer Transition Modules "(歪吸収中間層遷移モジュールを有するIII族窒化物半導体構造)、出願日:2012年2月24日、アメリカ合衆国特許出願公開第2012/0223365号、公開日:2012年9月6日。
Claims (20)
- III−V族複合カスコードトランジスタにおいて、
基板の上に配置され、二次元電子ガス(2DEG)を生成するように構成され、かつ、III−V族チャネル層の上に配置されたIII−V族バリア層を含む、III−V族ボディと、
ソース電極及びドレイン電極と、
実質的に前記III−V族バリア層中に延在する凹陥部内に配置され、前記III−V族チャネル層に物理的に接触しているゲート電極を含むイネーブルゲートと、
前記III−V族バリア層の上に配置され、前記イネーブルゲートとは物理的に接触していないオペレーショナルゲートと、
が設けられていることを特徴とする、
III−V族複合カスコードトランジスタ。 - 前記イネーブルゲートは、前記III−V族チャネル層内で終端している、
請求項1に記載のIII−V族複合カスコードトランジスタ。 - 前記イネーブルゲートは、ショットキーゲートから成る、
請求項1に記載のIII−V族複合カスコードトランジスタ。 - 前記オペレーショナルゲートは、前記III−V族バリア層とショットキーコンタクトを形成する、
請求項1に記載のIII−V族複合カスコードトランジスタ。 - 前記オペレーショナルゲートは、ゲート誘電体の上に配置されたゲート電極を含む絶縁ゲートから成る、
請求項1に記載のIII−V族複合カスコードトランジスタ。 - 前記III−V族複合カスコードトランジスタは、エンハンスメント型(ノーマリオフ)トランジスタである、
請求項1に記載のIII−V族複合カスコードトランジスタ。 - 前記III−V族複合カスコードトランジスタの複合ドレイン/ソース領域の長さは、前記オペレーショナルゲートのゲート長よりも短い、
請求項1に記載のIII−V族複合カスコードトランジスタ。 - 前記III−V族複合カスコードトランジスタの複合ドレイン/ソース領域の長さは、前記イネーブルゲートのゲート長以下である、
請求項1に記載のIII−V族複合カスコードトランジスタ。 - III−V族複合カスコードトランジスタにおいて、
基板の上に配置され、二次元電子ガス(2DEG)を生成するように構成され、かつ、III−V族チャネル層の上に配置されたIII−V族バリア層を含む、III−V族ボディと、
ソース電極及びドレイン電極と、
前記III−V族バリア層中に延在する凹陥部内に配置され、前記III−V族チャネル層に物理的に接触しているゲート電極を含むイネーブルゲートと、
前記III−V族バリア層の上に配置され、前記イネーブルゲートとは物理的に接触していないオペレーショナルゲートと、
が設けられており、
前記イネーブルゲートのゲート長は、前記オペレーショナルゲートのゲート長よりも短い、
III−V族複合カスコードトランジスタ。 - 前記オペレーショナルゲートは、前記III−V族バリア層とショットキーコンタクトを形成する、
請求項9に記載のIII−V族複合カスコードトランジスタ。 - 前記オペレーショナルゲートは、オペレーショナルゲート誘電体の上に配置されたオペレーショナルゲート電極を含む絶縁ゲートから成る、
請求項9に記載のIII−V族複合カスコードトランジスタ。 - 前記III−V族複合カスコードトランジスタは、エンハンスメント型(ノーマリオフ)トランジスタである、
請求項9に記載のIII−V族複合カスコードトランジスタ。 - 前記III−V族複合カスコードトランジスタの複合ドレイン/ソース領域の長さは、前記オペレーショナルゲートのゲート長よりも短い、
請求項9に記載のIII−V族複合カスコードトランジスタ。 - 前記III−V族複合カスコードトランジスタの複合ドレイン/ソース領域の長さは、前記イネーブルゲートの前記ゲート長以下である、
請求項9に記載のIII−V族複合カスコードトランジスタ。 - III−V族複合カスコードトランジスタにおいて、
基板の上に配置され、二次元電子ガス(2DEG)を生成するように構成され、かつ、III−V族チャネル層の上に配置されたIII−V族バリア層を含む、III−V族ボディと、
ソース電極及びドレイン電極と、
前記III−V族バリア層中に延在する凹陥部内に配置され、前記III−V族チャネル層と接触しているゲート電極を含むショットキーイネーブルゲートと、
前記III−V族バリア層の上に配置され、前記ショットキーイネーブルゲートとは物理的に接触していないオペレーショナルゲートと、
が設けられていることを特徴とする、
III−V族複合カスコードトランジスタ。 - 前記オペレーショナルゲートは、前記III−V族バリア層とショットキーコンタクトを形成する、
請求項15に記載のIII−V族複合カスコードトランジスタ。 - 前記オペレーショナルゲートは、オペレーショナルゲート誘電体の上に配置されたオペレーショナルゲート電極を含む絶縁ゲートから成る、
請求項15に記載のIII−V族複合カスコードトランジスタ。 - 前記III−V族複合カスコードトランジスタは、エンハンスメント型(ノーマリオフ)トランジスタである、
請求項15に記載のIII−V族複合カスコードトランジスタ。 - 前記III−V族複合カスコードトランジスタの複合ドレイン/ソース領域の長さは、前記オペレーショナルゲートのゲート長よりも短い、
請求項15に記載のIII−V族複合カスコードトランジスタ。 - 前記III−V族複合カスコードトランジスタの複合ドレイン/ソース領域の長さは、前記ショットキーイネーブルゲートのゲート長以下である、
請求項15に記載のIII−V族複合カスコードトランジスタ。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201361913156P | 2013-12-06 | 2013-12-06 | |
US61/913,156 | 2013-12-06 | ||
US14/539,885 | 2014-11-12 | ||
US14/539,885 US9343562B2 (en) | 2013-12-06 | 2014-11-12 | Dual-gated group III-V merged transistor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015115605A JP2015115605A (ja) | 2015-06-22 |
JP6049674B2 true JP6049674B2 (ja) | 2016-12-21 |
Family
ID=51900820
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014235392A Active JP6049674B2 (ja) | 2013-12-06 | 2014-11-20 | デュアルゲート型iii−v族複合トランジスタ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9343562B2 (ja) |
EP (1) | EP2881992A1 (ja) |
JP (1) | JP6049674B2 (ja) |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6054620B2 (ja) * | 2012-03-29 | 2016-12-27 | トランスフォーム・ジャパン株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
US9202888B2 (en) * | 2013-06-18 | 2015-12-01 | Stephen P. Barlow | Trench high electron mobility transistor device |
US10312360B2 (en) | 2013-06-18 | 2019-06-04 | Stephen P. Barlow | Method for producing trench high electron mobility devices |
US9960620B2 (en) | 2014-09-16 | 2018-05-01 | Navitas Semiconductor, Inc. | Bootstrap capacitor charging circuit for GaN devices |
US9571093B2 (en) | 2014-09-16 | 2017-02-14 | Navitas Semiconductor, Inc. | Half bridge driver circuits |
US9960154B2 (en) * | 2014-09-19 | 2018-05-01 | Navitas Semiconductor, Inc. | GaN structures |
US9991225B2 (en) * | 2015-06-23 | 2018-06-05 | Texas Instruments Incorporated | High voltage device with multi-electrode control |
CN106558606B (zh) * | 2015-09-25 | 2023-04-14 | 湖南三安半导体有限责任公司 | 一种具有多重栅极结构的晶体管及其制备方法 |
US9831867B1 (en) | 2016-02-22 | 2017-11-28 | Navitas Semiconductor, Inc. | Half bridge driver circuits |
CN107154397A (zh) * | 2016-03-04 | 2017-09-12 | 北京大学 | 双向开关晶体管制作方法和双向开关晶体管 |
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JP6685870B2 (ja) * | 2016-09-15 | 2020-04-22 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
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JP6769400B2 (ja) * | 2017-06-26 | 2020-10-14 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
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CN110391297B (zh) | 2018-04-23 | 2023-08-22 | 纳维达斯半导体有限公司 | 具有改进的终止结构的氮化镓晶体管 |
US10516043B1 (en) * | 2018-07-19 | 2019-12-24 | Cree, Inc. | Monolithic microwave integrated circuits having both enhancement-mode and depletion mode transistors |
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CN111952282A (zh) * | 2019-05-16 | 2020-11-17 | 珠海格力电器股份有限公司 | 一种晶体管及其制备方法 |
TWI769431B (zh) * | 2020-01-22 | 2022-07-01 | 大陸商聚力成半導體(重慶)有限公司 | 增強型氮化鎵電晶體之結構與使用該結構之封裝晶片 |
US11855198B2 (en) * | 2020-04-09 | 2023-12-26 | Qualcomm Incorporated | Multi-gate high electron mobility transistors (HEMTs) employing tuned recess depth gates for improved device linearity |
US20230178612A1 (en) * | 2020-05-25 | 2023-06-08 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Semiconductor unit, semiconductor module, and electronic apparatus |
JP2022037706A (ja) * | 2020-08-25 | 2022-03-09 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US11967619B2 (en) * | 2020-09-16 | 2024-04-23 | Teledyne Scientific & Imaging, Llc | Laterally-gated transistors and lateral Schottky diodes with integrated lateral field plate structures |
CN115172367A (zh) * | 2022-07-07 | 2022-10-11 | 广东中科半导体微纳制造技术研究院 | 具有多阈值电压的GaN基HEMT结构、其制备方法及应用 |
TWI820955B (zh) * | 2022-10-07 | 2023-11-01 | 創世電股份有限公司 | 基於氮化鎵的常閉型半導體裝置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6649287B2 (en) | 2000-12-14 | 2003-11-18 | Nitronex Corporation | Gallium nitride materials and methods |
US7339205B2 (en) | 2004-06-28 | 2008-03-04 | Nitronex Corporation | Gallium nitride materials and methods associated with the same |
US9157169B2 (en) | 2005-09-14 | 2015-10-13 | International Rectifier Corporation | Process for manufacture of super lattice using alternating high and low temperature layers to block parasitic current path |
JP2009530862A (ja) | 2006-03-20 | 2009-08-27 | インターナショナル レクティファイアー コーポレイション | 併合ゲートカスコードトランジスタ |
US7629627B2 (en) * | 2006-04-18 | 2009-12-08 | University Of Massachusetts | Field effect transistor with independently biased gates |
JP5672756B2 (ja) | 2010-04-16 | 2015-02-18 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
JP5548909B2 (ja) | 2010-04-23 | 2014-07-16 | 古河電気工業株式会社 | 窒化物系半導体装置 |
US20120153351A1 (en) | 2010-12-21 | 2012-06-21 | International Rectifier Corporation | Stress modulated group III-V semiconductor device and related method |
US8659030B2 (en) | 2011-02-28 | 2014-02-25 | International Rectifier Corporation | III-nitride heterojunction devices having a multilayer spacer |
US8957454B2 (en) | 2011-03-03 | 2015-02-17 | International Rectifier Corporation | III-Nitride semiconductor structures with strain absorbing interlayer transition modules |
JP5591776B2 (ja) * | 2011-09-21 | 2014-09-17 | 株式会社東芝 | 窒化物半導体装置およびそれを用いた回路 |
-
2014
- 2014-11-12 US US14/539,885 patent/US9343562B2/en active Active
- 2014-11-19 EP EP14193791.2A patent/EP2881992A1/en not_active Withdrawn
- 2014-11-20 JP JP2014235392A patent/JP6049674B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9343562B2 (en) | 2016-05-17 |
US20150162424A1 (en) | 2015-06-11 |
EP2881992A1 (en) | 2015-06-10 |
JP2015115605A (ja) | 2015-06-22 |
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Suh | Lateral GaN HEMT Structures |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161024 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161122 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6049674 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |