JP6048541B2 - パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びパワーモジュール用基板の製造方法、並びに、銅部材接合用ペースト - Google Patents
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Description
このようなパワーモジュール基板では、回路層の上に、はんだ材を介してパワー素子等の半導体素子が搭載される。
また、特許文献2、3には、第一の金属板(回路層)及び第二の金属板(金属層)を銅板とし、この銅板を、Ag−Cu−Ti系のろう材を用いた活性金属法によってセラミックス基板に接合してなるパワーモジュール用基板が提案されている。
ところで、特許文献2,3に記載されたように、銅板とセラミックス基板とを活性金属法によって接合した場合には、銅板とセラミックス基板との接合部に、Ag−Cu−Ti系のろう材が溶融して凝固することによってAg−Cu共晶組織層が形成されることになる。
また、前記セラミックス基板の表面に窒化物層が形成されているので、セラミックス基板と銅板とを確実に接合することができる。
この構成のヒートシンク付パワーモジュール用基板によれば、パワーモジュール用基板で発生した熱をヒートシンクによって放散することができる。また、銅板とセラミックス基板とが確実に接合されているので、パワーモジュール用基板の熱をヒートシンク側へと確実に伝達することが可能となる。
この構成のパワーモジュールによれば、回路層上に搭載された電子部品からの熱を効率的に放散することができ、電子部品のパワー密度(発熱量)が向上した場合であっても、十分に対応することができる。
この場合、前記加熱工程において、前記溶融金属領域をさらに低い温度で形成することができ、Ag−Cu共晶組織層の厚さをさらに薄くすることができる。
この場合、銅部材接合用ペーストを塗布することで、前記セラミックス基板の接合面及び前記銅板の接合面のうち少なくとも一方に、確実にAg及び窒化物形成元素層を形成することが可能となる。
この場合、窒化物形成元素の水素化物の水素が還元剤として作用するので、銅板の表面に形成された酸化膜等を除去でき、Agの拡散及び窒化物層の形成を確実に行うことができる。
本発明の銅部材接合用ペーストは、前述のパワーモジュール用基板の製造方法で使用されるAg及び窒化物形成元素層含有ペーストであって、Ag及び窒化物形成元素を含む粉末成分と、樹脂と、溶剤と、を含むことを特徴とする。
まず、参考実施形態について説明する。図1に、本実施形態であるパワーモジュール用基板10を用いたヒートシンク付パワーモジュール用基板50及びパワーモジュール1を示す。
このパワーモジュール1は、回路層12が配設されたパワーモジュール用基板10と、回路層12の表面にはんだ層2を介して接合された半導体素子3(電子部品)と、緩衝板41と、ヒートシンク51とを備えている。ここで、はんだ層2は、例えばSn−Ag系、Sn−In系、若しくはSn−Ag−Cu系のはんだ材とされている。なお、本実施形態では、回路層12とはんだ層2との間にNiめっき層(図示なし)が設けられている。
セラミックス基板11は、回路層12と金属層13との間の電気的接続を防止するものであって、絶縁性の高いAlN(窒化アルミ)で構成されている。また、セラミックス基板11の厚さは、0.2〜1.5mmの範囲内に設定されており、本実施形態では、0.635mmに設定されている。
本実施形態においては、銅板22(回路層12)は、純度99.99質量%以上の無酸素銅(OFC)の圧延板とされている。
ここで、セラミックス基板11と回路層12との接合には、後述するAg及び窒化物形成元素を含有する銅部材接合用ペーストが使用されている。
本実施形態においては、アルミニウム板23(金属層13)は、純度が99.99質量%以上のアルミニウム(いわゆる4Nアルミニウム)の圧延板とされている。
本実施形態においては、緩衝板41は、純度が99.99質量%以上のアルミニウム(いわゆる4Nアルミニウム)の圧延板とされている。
本実施形態においては、ヒートシンク51は、アルミニウム及びアルミニウム合金で構成されており、具体的にはA6063合金の圧延板とされている。また、ヒートシンク51の厚さは1mm以上10mm以下の範囲内に設定されており、本実施形態では、5mmに設定されている。
そして、この窒化物層31に積層するようにAg−Cu共晶組織層32が形成されている。ここで、Ag−Cu共晶組織層32の厚さは14μm以下とされている。
上述のように、セラミックス基板11と回路層12となる銅板22の接合には、Ag及び窒化物形成元素を含有する銅部材接合用ペーストが使用されている。そこで、まず、銅部材接合用ペーストについて説明する。
ここで、粉末成分の含有量が、銅部材接合用ペースト全体の40質量%以上90質量%以下とされている。
また、本実施形態では、銅部材接合用ペーストの粘度が10Pa・s以上500Pa・s以下、より好ましくは50Pa・s以上300Pa・s以下に調整されている。
ここで、粉末成分の組成は、窒化物形成元素(本実施形態ではTi)の含有量が0.4質量%以上75質量%以下とされ、残部がAg及び不可避不純物とされている。本実施形態では、Tiを10質量%含んでおり、残部がAg及び不可避不純物とされている。
なお、この合金粉末の粒径は、例えば、マイクロトラック法を用いることで測定することができる。
溶剤は、前述の粉末成分の溶媒となるものであり、例えば、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、テルピネオール、トルエン、テキサノ−ル、トリエチルシトレート等を適用できる。
可塑剤は、銅部材接合用ペーストの成形性を向上させるものであり、例えば、フタル酸ジブチル、アジピン酸ジブチル等を適用することができる。
還元剤は、粉末成分の表面に形成された酸化皮膜等を除去するものであり、例えば、ロジン、アビエチン酸等を適用することができる。なお、本実施形態では、アビエチン酸を用いている。
なお、分散剤、可塑剤、還元剤は、必要に応じて添加すればよく、分散剤、可塑剤、還元剤を添加することなく銅部材接合用ペーストを構成してもよい。
まず、前述のように、Agと窒化物形成元素(Ti)とを含有する合金粉末をアトマイズ法によって作製し、これを篩い分けすることによって粒径40μm以下の合金粉末を得る(合金粉末作製工程S01)。
また、溶剤と樹脂とを混合して有機混合物を生成する(有機物混合工程S02)。
そして、合金粉末作製工程S01で得られた合金粉末と、有機物混合工程S02で得られた有機混合物と、分散剤、可塑剤、還元剤等の副添加剤と、をミキサーによって予備混合する(予備混合工程S03)。
次いで、予備混合物を、複数のロールを有するロールミル機を用いて練り込みながら混合する(混練工程S04)。
混練工程S04によって得られた混練物を、ペーストろ過機によってろ過する(ろ過工程S05)。
まず、図5に示すように、セラミックス基板11の一方の面に、スクリーン印刷によって、前述の銅部材接合用ペーストを塗布して乾燥させることにより、Ag及び窒化物形成元素層24を形成する。なお、Ag及び窒化物形成元素層24の厚さは、乾燥後で20μm以上300μm以下とされている。
次に、銅板22をセラミックス基板11の一方の面側に積層する。すなわち、セラミックス基板11と銅板22との間に、Ag及び窒化物形成元素層24を介在させているのである。
次いで、銅板22、セラミックス基板11を積層方向に加圧(圧力1〜35kgf/cm2)した状態で真空加熱炉内に装入して加熱する。すると、図6に示すように、Ag及び窒化物形成元素層24のAgが銅板22に向けて拡散する。このとき、銅板22の一部がCuとAgとの反応によって溶融し、銅板22とセラミックス基板11との界面に、溶融金属領域27が形成されることになる。
ここで、本実施形態では、真空加熱炉内の圧力は10−6Pa以上10−3Pa以下の範囲内に、加熱温度は790℃以上850℃以下の範囲内に設定している。
次に、溶融金属領域27を凝固させることにより、セラミックス基板11と銅板22とを接合する。なお、凝固工程S14が終了した後では、Ag及び窒化物形成元素層24のAgが十分に拡散されており、セラミックス基板11と銅板22との接合界面にAg及び窒化物形成元素層24が残存することはない。
次に、セラミックス基板11の他方の面側に金属層13となるアルミニウム板23を接合する。本実施形態では、図5に示すように、セラミックス基板11の他方の面側に、金属層13となるアルミニウム板23が厚さ5〜50μm(本実施形態では14μm)のろう材箔25を介して積層される。なお、本実施形態においては、ろう材箔25は、融点降下元素であるSiを含有したAl−Si系のろう材とされている。
次に、セラミックス基板11、アルミニウム板23を積層方向に加圧(圧力1〜35kgf/cm2)した状態で加熱炉内に装入して加熱する。すると、ろう材箔25とアルミニウム板23の一部とが溶融し、アルミニウム板23とセラミックス基板11との界面に溶融金属領域が形成される。ここで、加熱温度は550℃以上650℃以下、加熱時間は30分以上180分以下とされている。
次に、アルミニウム板23とセラミックス基板11との界面に形成された溶融金属領域を凝固させることにより、セラミックス基板11とアルミニウム板23とを接合する。
このようにして、本実施形態であるパワーモジュール用基板10が製出される。
次に、図5に示すように、パワーモジュール用基板10の金属層13の他方の面側(図5において下側)に、緩衝板41と、ヒートシンク51と、を、それぞれろう材箔42,52を介して積層する。
本実施形態では、ろう材箔42,52は、厚さ5〜50μm(本実施形態では14μm)とされ、融点降下元素であるSiを含有したAl−Si系のろう材とされている。
次に、パワーモジュール用基板10、緩衝板41、ヒートシンク51を積層方向に加圧(圧力1〜35kgf/cm2)した状態で加熱炉内に装入して加熱する。すると、金属層13と緩衝板41との界面及び緩衝板41とヒートシンク51との界面に、それぞれ溶融金属領域が形成される。ここで、加熱温度は550℃以上650℃以下、加熱時間は30分以上180分以下とされている。
これにより、本実施形態であるヒートシンク付パワーモジュール用基板50が製出されることになる。
これにより、はんだ層2を介して半導体素子3が回路層12上に接合されたパワーモジュール1が製出されることになる。
また、セラミックス基板11の表面に窒化物層31が形成されているので、セラミックス基板11と回路層12とを確実に接合することができる。
さらに、窒化物層31が、Ti、Hf、Zr、Nbから選択される1種又は2種以上の元素の窒化物を含有しており、本実施形態では、具体的に窒化物層31がTiNを含有しているので、セラミックス基板11と窒化物層31とが強固に結合することになり、セラミックス基板11と回路層12とを強固に接合することができる。
さらに、本実施形態では、必要に応じて可塑剤を含有しているので、銅部材接合用ペーストの形状を比較的自由に成形することができ、セラミックス基板11の接合面に確実に塗布することができる。
また、本実施形態では、必要に応じて還元剤を含有しているので、還元剤の作用により、粉末成分の表面に形成された酸化皮膜等を除去でき、Agの拡散及び窒化物層31の形成を確実に行うことができる。
次に、本発明の実施形態について説明する。図7に、本実施形態であるパワーモジュール用基板110を示す。
このパワーモジュール用基板110は、セラミックス基板111と、このセラミックス基板111の一方の面(図7において上面)に配設された回路層112と、セラミックス基板111の他方の面(図7において下面)に配設された金属層113と、を備えている。
セラミックス基板111は、回路層112と金属層113との間の電気的接続を防止するものであって、絶縁性の高いSi3N4(窒化珪素)で構成されている。また、セラミックス基板111の厚さは、0.2〜1.5mmの範囲内に設定されており、本実施形態では、0.32mmに設定されている。
本実施形態においては、銅板122(回路層112)は、純度99.99質量%以上の無酸素銅(OFC)の圧延板とされている。
本実施形態においては、銅板123(金属層113)は、純度99.99質量%以上の無酸素銅(OFC)の圧延板とされている。
また、本実施形態では、参考実施形態で観察されたAg−Cu共晶組織層が明確に観察されない構成とされている。
上述のように、セラミックス基板111と回路層112となる銅板122は、Ag及び窒化物形成元素を含有する銅部材接合用ペーストが使用されている。そこで、まず、銅部材接合用ペーストについて説明する。
そして、粉末成分は、Ag及び窒化物形成元素以外に、In、Sn、Al、Mn及びZnから選択される1種又は2種以上の添加元素を含有するものとされており、本実施形態では、Snを含有している。
また、本実施形態では、銅部材接合用ペーストの粘度が10Pa・s以上500Pa・s以下、より好ましくは50Pa・s以上300Pa・s以下に調整されている。
ここで、粉末成分の組成は、窒化物形成元素(本実施形態ではZr)の含有量が0.4質量%以上75質量%以下とされ、In、Sn、Al、Mn及びZnから選択される1種又は2種以上の添加元素(本実施形態ではSn)の含有量が0質量%以上50質量%以下とされ、残部がAg及び不可避不純物とされている。ただし、Agの含有量は25質量%以上である。本実施形態では、Zr;40質量%、Sn;20質量%を含んでおり、残部がAg及び不可避不純物とされている。
これらのAg粉末、Zr粉末、Sn粉末は、それぞれ粒径を40μm以下、好ましくは20μm以下、さらに好ましくは10μm以下に設定している。
なお、これらのAg粉末、Zr粉末、Sn粉末の粒径は、例えば、マイクロトラック法を用いることで測定することができる。
また、本実施形態で用いられる銅部材接合用ペーストは、参考実施形態態で示した製造方法に準じて製造されている。すなわち、合金粉末の代わりに、Ag粉末、Zr粉末、Sn粉末を用いた以外は、参考実施形態と同様の手順で製造されているのである。
まず、図10に示すように、セラミックス基板111の一方の面及び他方の面に、スクリーン印刷によって、前述の本実施形態である銅部材接合用ペーストを塗布し、Ag及び窒化物形成元素層124,125を形成する。なお、Ag及び窒化物形成元素層124,125の厚さは、乾燥後で20μm以上300μm以下とされている。
次に、銅板122をセラミックス基板111の一方の面側に積層する。また、銅板123をセラミックス基板111の他方の面側に積層する。すなわち、セラミックス基板111と銅板122、セラミックス基板111と銅板123との間に、Ag及び窒化物形成元素層124,125を介在させているのである。
次いで、銅板122、セラミックス基板111、銅板123を積層方向に加圧(圧力1〜35kgf/cm2)した状態で真空加熱炉内に装入して加熱する。すると、Ag及び窒化物形成元素層124のAgが銅板122に向けて拡散するとともに、Ag及び窒化物形成元素層125のAgが銅板123に向けて拡散する。
ここで、本実施形態では、真空加熱炉内の圧力は10−6Pa以上10−3Pa以下の範囲内に、加熱温度は790℃以上850℃以下の範囲内に設定している。
次に、溶融金属領域を凝固させることにより、セラミックス基板111と銅板122、123とを接合する。なお、凝固工程S114が終了した後では、Ag及び窒化物形成元素層124,125のAgが十分に拡散されており、セラミックス基板111と銅板122、123との接合界面にAg及び窒化物形成元素層124、125が残存することはない。
このパワーモジュール用基板110には、回路層112の上に半導体素子が搭載されるとともに、金属層113の他方側にヒートシンクが配設されることになる。
また、セラミックス基板111の表面に窒化物層131が形成されているので、セラミックス基板111と回路層112とを確実に接合することができる。
そして、本実施形態では、粉末成分として、Ag及び窒化物形成元素(本実施形態ではZr)以外に、In、Sn、Al、Mn及びZnから選択される1種又は2種以上の添加元素(本実施形態ではSn)を含有しているので、溶融金属領域をさらに低い温度で形成することができ、形成されるAg−Cu共晶組織層の厚さをさらに薄くすることが可能となる。
例えば、窒化物形成元素としてTi、Zrを用いたものとして説明したが、これに限定されることはなく、Hf,Nb等の他の窒化物形成元素であってもよい。
また、Ag及び窒化物形成元素層含有ペースト(銅部材接合用ペースト)に含まれる粉末成分が、TiH2、ZrH2等の窒化物形成元素の水素化物を含んでいてもよい。この場合、窒化物形成元素の水素化物の水素が還元剤として作用するので、銅板の表面に形成された酸化膜等を除去でき、Agの拡散及び窒化物層の形成を確実に行うことができる。
また、本発明の実施形態において、添加元素としてSnを添加したものとして説明したが、これに限定されることはなく、In、Sn、Al、Mn及びZnから選択される1種又は2種以上の添加元素を用いてもよい。
また、分散剤、可塑剤、還元剤を含むものとして説明したが、これに限定されることはなく、これらを含んでいなくてもよい。これら分散剤、可塑剤、還元剤は、必要に応じて添加すればよい。
また、分散剤としてアニオン性界面活性剤を、可塑剤としてアジピン酸ジブチルを、還元剤としてアビエチン酸を用いた。
粉末成分以外の樹脂、溶剤、分散剤、可塑剤、還元剤の混合比率は、質量比で、樹脂:溶剤:分散剤:可塑剤:還元剤=7:70:3:5:15とした。
また、セラミックス基板の他方の面に、アルミニウム板をろう材を介して接合して金属層を形成した。なお、アルミニウム板として純度99.99質量%以上の4Nアルミを使用し、ろう材としてAl−7.5質量%Si、厚さ20μmのろう材箔を用いた。
さらに、金属層の他方の面側に、ヒートシンクとしてA6063からなるアルミニウム板を、ろう材を介してパワーモジュール用基板の金属層側に接合した。なお、ろう材としてAl−7.5質量%Si、厚さ70μmのろう材箔を用いた。
また、セラミックス基板の他方の面に、アルミニウム板をろう材を介して接合して金属層を形成した。なお、アルミニウム板として純度99.99質量%以上の4Nアルミニウムを使用し、ろう材としてAl−7.5質量%Si、厚さ14μmのろう材箔を用いた。
さらに、金属層の他方の面に、緩衝板として4Nアルミニウムからなるアルミニウム板をろう材を介して接合した。なお、ろう材としてAl−7.5質量%Si、厚さ100μmのろう材箔を用いた。
また、緩衝板の他方の面側に、ヒートシンクとしてA6063からなるアルミニウム板を、ろう材を介してパワーモジュール用基板の金属層側に接合した。なお、ろう材としてAl−7.5質量%Si、厚さ100μmのろう材箔を用いた。
また、セラミックス基板とアルミニウム板をろう付けする際の接合条件は、真空雰囲気、加圧圧力12kgf/cm2、加熱温度650℃、加熱時間30分とした。さらに、アルミニウム板同士をろう付けする際の接合条件は、真空雰囲気、加圧圧力6kgf/cm2、加熱温度610℃、加熱時間30分とした。
銅板のサイズは、37mm×37mm×0.3mmとした。
金属層となるアルミニウム板のサイズは、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の場合は37mm×37mm×2.1mmとし、ヒートシンク及び緩衝板付パワーモジュール用基板の場合は37mm×37mm×0.6mmとした。
ヒートシンクとなるアルミニウム板のサイズは、50mm×60mm×5mmとした。
緩衝板となるアルミニウム板のサイズは、40mm×40mm×0.9mmとした。
構造「DBC」が図10に示すパワーモジュール用基板、
構造「H−1」が図11に示すヒートシンク付パワーモジュール用基板、
構造「H−2」が図12に示すヒートシンク付パワーモジュール用基板、
構造「B−1」が図13に示すヒートシンク付パワーモジュール用基板、
構造「B−2」が図5に示すヒートシンク付パワーモジュール用基板、である。
まず、セラミックス基板と銅板との表面に、表1、表2、表3に示す各種ペーストを塗布して乾燥した。乾燥された各種ペーストにおける各元素の膜厚換算量(換算平均膜厚)を測定した。
膜厚は、蛍光X線膜厚計(エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製STF9400)を用いて、塗布した各種ペーストに対し、図14に示す箇所(9点)を各3回測定した平均値とした。なお、予め膜厚が既知のサンプルを測定して蛍光X線強度と濃度の関係を求めておき、その結果を基準として、各試料において測定された蛍光X線強度から各元素の膜厚換算量を決定した。
冷熱サイクル負荷後の接合率は、冷熱サイクル(−45℃←→125℃)を4000回繰り返した後のパワーモジュール用基板を用いて、以下の式で算出した。なお、3500回を満たさないうちにクラックが発生した場合には、4000回繰り返した後の接合率については評価しなかった。
接合率 = (初期接合面積−剥離面積)/初期接合面積
Ag−Cu共晶組織層の厚さは、銅板/セラミックス基板界面のEPMA(電子線マイクロアナライザー)による反射電子像から、倍率2000倍の視野(縦45μm;横60μm)において接合界面に連続的に形成されたAg−Cu共晶組織層の面積を測定し、測定視野の幅の寸法で除して求め、5視野の平均をAg−Cu共晶組織層の厚さとした。なお、銅板とセラミックス基板との接合部に形成されたAg−Cu共晶組織層のうち、接合界面から厚さ方向に連続的に形成されていない領域を含めずに、Ag−Cu共晶組織層の面積を測定した。
また、従来例1及び従来例51では、共晶組織厚さが15μmを超えており、比較例と同様に少ないサイクル数でセラミックス基板にクラックが発生した。
一方、共晶組織厚さが15μm以下とされた本発明例1−23、51−73、81−90においては、セラミックス基板におけるクラックの発生が抑制されていることが確認される。また、4000サイクル後の接合率も91%以上と高かった。
以上の結果から、本発明例によれば、冷熱サイクル負荷時におけるセラミックス基板の割れの発生を抑制できるパワーモジュール用基板を提供できることが確認された。
3 半導体素子(電子部品)
10、110、210、310、410 パワーモジュール用基板
11、111、211、311、411 セラミックス基板
12、112、212、312、412 回路層
13、113、213、313、413 金属層
22、122、123、222、322、422 銅板
23、223、323、423 アルミニウム板
31、131 窒化物層
32 Ag−Cu共晶組織層
41、441 緩衝板
50、250、350、450 ヒートシンク付パワーモジュール用基板
51、251、351、451 ヒートシンク
Claims (8)
- セラミックス基板の表面に銅または銅合金からなる銅板が積層されて接合されたパワーモジュール用基板であって、
前記セラミックス基板は、Si3N4で構成されており、
前記銅板と前記セラミックス基板との間において、前記セラミックス基板の表面に窒化物層が形成されているとともに、前記窒化物層に積層するようにAg−Cu共晶組織層が形成され、
前記銅板と前記セラミックス基板の界面のEPMAによる反射電子像から、倍率2000倍の視野において接合界面に連続的に形成された前記Ag−Cu共晶組織層の面積を測定して測定視野の幅の寸法で除し、得られた値の5つの視野の平均値から求められた前記Ag−Cu共晶組織層の厚さが1μm未満とされており、
前記窒化物層は、Ti、Hf、Zr、Nbから選択される1種又は2種以上の元素の窒化物を含有していることを特徴とするパワーモジュール用基板。 - 請求項1に記載のパワーモジュール用基板と、このパワーモジュール用基板を冷却するヒートシンクと、を備えていることを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板。
- 請求項1に記載のパワーモジュール用基板と、該パワーモジュール用基板上に搭載される電子部品と、を備えたことを特徴とするパワーモジュール。
- 請求項1に記載のパワーモジュール用基板の製造方法であって、
前記セラミックス基板の接合面及び前記銅板の接合面のうち少なくとも一方に、Agと窒化物形成元素とを含有するAg及び窒化物形成元素層を形成するAg及び窒化物形成元素層形成工程と、
このAg及び窒化物形成元素層を介して前記セラミックス基板と前記銅板と積層する積層工程と、
積層された前記セラミックス基板と前記銅板を積層方向に加圧するとともに加熱し、前記セラミックス基板と前記銅板との界面に溶融金属領域を形成する加熱工程と、
この溶融金属領域を凝固させることによって、前記セラミックス基板と前記銅板とを接合する凝固工程と、を有し、
前記窒化物形成元素は、Ti、Hf、Zr、Nbから選択される1種又は2種以上の元素であり、
前記加熱工程において、加熱温度を790℃以上850℃以下の範囲内とし、前記セラミックス基板と前記銅板を積層方向に1〜35kgf/cm2で加圧し、Agを前記銅板側に拡散させることにより前記セラミックス基板と前記銅板との界面に前記溶融金属領域を形成するとともに、前記窒化物層に積層するようにAg−Cu共晶組織層を形成し、
前記銅板と前記セラミックス基板の界面のEPMAによる反射電子像から、倍率2000倍の視野において接合界面に連続的に形成された前記Ag−Cu共晶組織層の面積を測定して測定視野の幅の寸法で除し、得られた値の5つの視野の平均値から求められる前記Ag−Cu共晶組織層の厚さを1μm未満とすることを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。 - 前記Ag及び窒化物形成元素層形成工程では、Ag及び窒化物形成元素以外に、In、Sn、Al、Mn及びZnから選択される1種又は2種以上の添加元素を配設させることを特徴とする請求項4に記載のパワーモジュール用基板の製造方法。
- 前記Ag及び窒化物形成元素層形成工程では、Ag及び窒化物形成元素を含有する銅部材接合用ペーストを塗布することを特徴とする請求項4又は請求項5に記載のパワーモジュール用基板の製造方法。
- 前記銅部材接合用ペーストは、前記窒化物形成元素の水素化物を含有していることを特徴とする請求項6に記載のパワーモジュール用基板の製造方法。
- 請求項6または請求項7に記載のパワーモジュール用基板の製造方法で使用される銅部材接合用ペーストであって、
Ag及び窒化物形成元素を含む粉末成分と、樹脂と、溶剤と、を含むことを特徴とする銅部材接合用ペースト。
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