JP6048218B2 - Esd保護デバイス - Google Patents
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Description
10−Si基板(半導体基板)
10A−ESD保護回路
11,12,13−素子形成領域
15−SiN保護膜
15A,15B−開口
20−再配線層
21,22−開口
23−Cu/Ti電極
24−Au/Ni電極
31,32−端子電極
41,42−樹脂層
41A,41B−開口
42A,42B−開口
D1−ダイオード(第1のダイオード)
D2−ダイオード(第2のダイオード)
D3−ダイオード(第3のダイオード)
D4−ダイオード(第4のダイオード)
Dz−ツェナーダイオード
P1−パッド(第1入出力端)
P2−パッド(第2入出力端)
Claims (3)
- 半導体基板に形成されたツェナーダイオードと、
前記半導体基板に形成され、順方向を揃えて直列接続され、かつ、前記ツェナーダイオードと順方向を揃えて並列接続された第1のダイオードおよび第2のダイオードと、
前記半導体基板に形成され、順方向を揃えて直列接続され、かつ、前記ツェナーダイオードと順方向を揃えて並列接続された第3のダイオードおよび第4のダイオードと、
前記第1のダイオードおよび前記第2のダイオードの接続点に接続された第1入出力端と、
前記第3のダイオードおよび前記第4のダイオードの接続点に接続された第2入出力端と、
を備えたESD保護デバイスにおいて、
前記第1のダイオード、前記第2のダイオード、前記第3のダイオードおよび前記第4のダイオードは、
前記第1のダイオードと前記第4のダイオードとの間、および、前記第2のダイオードと前記第3のダイオードとの間に、前記ツェナーダイオードが介在する位置関係となるように形成され、
前記第1入出力端は、
前記第1のダイオードおよび前記第2のダイオードより前記ツェナーダイオード寄りの位置に形成され、
前記第2入出力端は、
前記第3のダイオードおよび前記第4のダイオードより前記ツェナーダイオード寄りの位置に形成され、
前記半導体基板に再配線層が形成されていて、
前記再配線層には、
前記第1のダイオードおよび前記第2のダイオードの形成領域と、前記ツェナーダイオードの形成領域との間の一部と重合する第1電極と、
前記第3のダイオードおよび前記第4のダイオードの形成領域と、前記ツェナーダイオードの形成領域との間の一部と重合する第2電極と、
を含んでいる、ESD保護デバイス。 - 前記第1電極は前記第1入出力端に導通し、
前記第2電極は前記第2入出力端に導通している、
請求項1に記載のESD保護デバイス。 - 前記第1入出力端および前記第2入出力端は、前記ツェナーダイオードの形成位置を基準とする対称位置に形成されている、請求項1又は請求項2に記載のESD保護デバイス。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013039380A JP6048218B2 (ja) | 2013-02-28 | 2013-02-28 | Esd保護デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2014167870A JP2014167870A (ja) | 2014-09-11 |
JP6048218B2 true JP6048218B2 (ja) | 2016-12-21 |
Family
ID=51617469
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2013039380A Active JP6048218B2 (ja) | 2013-02-28 | 2013-02-28 | Esd保護デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP6048218B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
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JP6685962B2 (ja) * | 2017-03-23 | 2020-04-22 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US11784220B2 (en) | 2020-12-25 | 2023-10-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2683947B1 (fr) * | 1991-11-18 | 1994-02-18 | Sgs Thomson Microelectronics Sa | Diode de protection monolithique basse tension a faible capacite. |
JP5532137B2 (ja) * | 2010-08-18 | 2014-06-25 | 株式会社村田製作所 | Esd保護デバイス |
-
2013
- 2013-02-28 JP JP2013039380A patent/JP6048218B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014167870A (ja) | 2014-09-11 |
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