JP6041933B2 - 熱硬化性樹脂シート及び電子部品パッケージの製造方法 - Google Patents
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Description
無機充填剤を含み、平面視投影面積が31400mm2以上であるBステージ状態の熱硬化性樹脂シートである。
(熱硬化後)の高度な信頼性を確保することができる。
一又は複数の電子部品を覆うように当該熱硬化性樹脂シートを該電子部品上に積層する積層工程、及び
前記熱硬化性樹脂シートを熱硬化させて封止体を形成する封止体形成工程
を含み、
前記熱硬化性樹脂シートの平面視投影面積に占める前記電子部品の平面視投影面積の割合が50%以上である電子部品パッケージの製造方法も含まれる。
[熱硬化性樹脂シート]
本実施形態に係る熱硬化性樹脂シートについて図1を参照しつつ説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る熱硬化性樹脂シートを模式的に示す断面図である。Bステージ状態にある熱硬化性樹脂シート11は、代表的に、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム等の支持体11a上に積層された状態で提供される。なお、支持体11aには熱硬化性樹脂シート11の剥離を容易に行うために離型処理が施されていてもよい。
A成分:エポキシ樹脂
B成分:フェノール樹脂
C成分:エラストマー
D成分:無機充填剤
E成分:硬化促進剤
エポキシ樹脂(A成分)としては、特に限定されるものではない。例えば、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂等の各種のエポキシ樹脂を用いることができる。これらエポキシ樹脂は単独で用いてもよいし2種以上併用してもよい。
フェノール樹脂(B成分)は、エポキシ樹脂(A成分)との間で硬化反応を生起するものであれば特に限定されるものではない。例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、クレゾールノボラック樹脂、レゾール樹脂、等が用いられる。これらフェノール樹脂は単独で用いてもよいし、2種以上併用してもよい。
エポキシ樹脂(A成分)及びフェノール樹脂(B成分)とともに用いられるエラストマー(C成分)は、熱硬化性樹脂シートによる電子部品の封止に必要な可撓性をエポキシ樹脂組成物に付与するものであり、このような作用を奏するものであれば特にその構造を限定するものではない。例えば、ポリアクリル酸エステル等の各種アクリル系共重合体、スチレンアクリレート系共重合体、ブタジエンゴム、スチレン−ブタジエンゴム(SBR)、エチレン−酢酸ビニルコポリマー(EVA)、イソプレンゴム、アクリロニトリルゴム等のゴム質重合体を用いることができる。中でも、エポキシ樹脂(A成分)へ分散させやすく、またエポキシ樹脂(A成分)との反応性も高いために、得られる熱硬化性樹脂シートの耐熱性や強度を向上させることができるという観点から、アクリル系共重合体を用いることが好ましい。これらは単独で用いてもよいし、2種以上併せて用いてもよい。
無機質充填剤(D成分)は、特に限定されるものではなく、従来公知の各種充填剤を用いることができ、例えば、石英ガラス、タルク、シリカ(溶融シリカや結晶性シリカ等)、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素の粉末が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、2種以上併用してもよい。
硬化促進剤(E成分)は、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の硬化を進行させるものであれば特に限定されるものではないが、硬化性と保存性の観点から、トリフェニルホスフィンやテトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート等の有機リン系化合物や、イミダゾール系化合物が好適に用いられる。これら硬化促進剤は、単独で用いても良いし、他の硬化促進剤と併用しても構わない。
また、エポキシ樹脂組成物には、A成分からE成分に加えて、難燃剤成分を加えてもよい。難燃剤組成分としては、例えば水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化鉄、水酸化カルシウム、水酸化スズ、複合化金属水酸化物等の各種金属水酸化物を用いることができる。
(式(1)中、nは3〜25の整数であり、R1及びR2は同一又は異なって、アルコキシ基、フェノキシ基、アミノ基、水酸基及びアリル基からなる群より選択される官能基を有する1価の有機基である。)
(式(2)中、n及びmは、それぞれ独立して3〜25の整数である。R3及びR5は同一又は異なって、アルコキシ基、フェノキシ基、アミノ基、水酸基及びアリル基からなる群より選択される官能基を有する1価の有機基である。R4は、アルコキシ基、フェノキシ基、アミノ基、水酸基及びアリル基からなる群より選択される官能基を有する2価の有機基である。)
(式(3)中、nは3〜25の整数であり、R6及びR7は同一又は異なって、水素、水酸基、アルキル基、アルコキシ基又はグリシジル基である。)
熱硬化性樹脂シートの作製方法を以下に説明する。まず、上述の各成分を混合することによりエポキシ樹脂組成物を調製する。混合方法は、各成分が均一に分散混合される方法であれば特に限定するものではない。その後、例えば、各成分を有機溶剤等に溶解又は分散したワニスを塗工してシート状に形成する。あるいは、各配合成分を直接ニーダー等で混練することにより混練物を調製し、このようにして得られた混練物を押し出してシート状に形成してもよい。
次に、上記熱硬化性樹脂シートを用いる本実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法について図2A〜2Eを参照しつつ説明する。図2A〜2Eはそれぞれ、本発明の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。第1実施形態では、基板上に搭載された半導体チップを熱硬化性樹脂シートにより樹脂封止して電子部品パッケージを作製する。なお、本実施形態では、電子部品として半導体チップを用い、被着体としてプリント配線基板を用いているが、これら以外の要素を用いてもよい。例えば、電子部品としてコンデンサやセンサデバイス、発光素子、振動素子等、被着体としてリードフレーム、テープキャリア等を用いることができる。また、被着体を用いずに、仮固定材上に電子部品を仮固定しておき、これらを樹脂封止することもできる。いずれの要素を用いても、電子部品の樹脂封止による高度な保護を達成することができる。第1実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法は、フリップチップ型実装基板の製造に好適である。
半導体チップ搭載基板準備工程では、複数の半導体チップ13が搭載されたプリント配線基板12を準備する(図2A参照)。半導体チップ13は、所定の回路が形成された半導体ウェハを公知の方法でダイシングして個片化することにより形成することができる。半導体チップ13のプリント配線基板12への搭載には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。半導体チップ13とプリント配線基板12とはバンプ等の突起電極13aを介して電気的に接続されている。また、半導体チップ13とプリント配線基板12との間には両者の熱膨張率の差を緩和して特に接続部位におけるクラック等の発生を防止するためのアンダーフィル材14が充填されている。アンダーフィル材14としては公知のものを用いればよい。アンダーフィル材14の配置は、半導体チップ13のプリント配線基板12への搭載後、両者間に液状のアンダーフィル材14を注入させることにより行ってもよく、シート状のアンダーフィル材14付きの半導体チップ13又はプリント配線基板12を用意した上で、半導体チップ13とプリント配線基板12とを接続することにより行ってもよい。
封止工程では、半導体チップ13を覆うようにプリント配線基板12へ熱硬化性樹脂シート11を積層し、半導体チップ13を上記熱硬化性樹脂シートで樹脂封止する(図2B参照)。この熱硬化性樹脂シート11は、半導体チップ13及びそれに付随する要素を外部環境から保護するための封止樹脂として機能する。
封止体形成工程では、上記熱硬化性樹脂シートを熱硬化処理して封止体15を形成する
(図2B参照)。熱硬化性樹脂シートの熱硬化処理の条件は、加熱温度として好ましくは100℃から200℃、より好ましくは120℃から180℃、加熱時間として好ましくは10分から180分、より好ましくは30分から120分の間、必要に応じて加圧しても良い。加圧の際は、好ましくは0.1MPaから10MPa、より好ましくは0.5MPaから5MPaを採用することができる。
研削工程では、上記封止体15の表面を研削して研削体16を形成する(図2C参照)。研削の際、図2Cに示すように熱硬化性樹脂シート11とともに半導体チップ13も研削してもよく、熱硬化性樹脂シート11のみを研削してもよい。研削は公知の研削装置を用いて行えばよい。ダイアモンドバイト等の研削バイトを回転させながら、そこに封止体15を送りつつ封止体表面を研削し、所定の厚さを有する研削体16を形成する手順を好適に採用することができる。
次いで、プリント配線基板12の半導体チップ搭載面とは反対側の面にバンプ17を形成するバンピング加工を行ってもよい(図2D参照)。バンピング加工は、半田ボールや半田メッキなど公知の方法で行うことができる。バンプの材質は特に限定されず、例えば、錫−鉛系金属材、錫−銀系金属材、錫−銀−銅系金属材、錫−亜鉛系金属材、錫−亜鉛−ビスマス系金属材等の半田類(合金)や、金系金属材、銅系金属材などが挙げられる。
続いて、熱硬化性樹脂シート11、プリント配線基板12、及び半導体チップ13などの要素からなる研削体16のダイシングを行ってもよい(図2E参照)。これにより、半導体チップ13単位での電子モジュール18を得ることができる。ダイシングは、通常、従来公知のダイシングシートにより上記研削体16を固定した上で行う。切断箇所の位置合わせは直接照明又は間接照明を用いた画像認識により行ってもよい。
必要に応じて、上記で得られた電子モジュール18を別途の基板(図示せず)に実装する基板実装工程を行うことができる。電子モジュール18の基板への実装には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。
次に、本発明の一実施形態である第2実施形態について説明する。第1実施形態では、フリップチップ型実装基板の製造に好適な製造方法について説明したが、第2実施形態では、いわゆるFan−in(ファンイン)型ウェハレベルパッケージ(WLP)と呼称される電子部品パッケージの製造に好適な製造方法について説明する。図3A〜Eはそれぞれ、本発明の別の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。
半導体ウェハ29としては、片面に複数の突起電極23aが形成されていてもよく(図3A参照)、半導体ウェハ29の両面に突起電極が形成されていてもよい(図示せず)。バンプや導電材等の突起電極の材質としては、特に限定されず、例えば、錫−鉛系金属材、錫−銀系金属材、錫−銀−銅系金属材、錫−亜鉛系金属材、錫−亜鉛−ビスマス系金属材等の半田類(合金)や、金系金属材、銅系金属材などが挙げられる。突起電極の高さも用途に応じて定められ、一般的には20〜200μm程度である。
封止工程では、突起電極23aを覆うように熱硬化性樹脂シート21を半導体ウェハ29へ積層し、半導体ウェハ29の片面を上記熱硬化性樹脂シートで樹脂封止する(図3B参照)。この熱硬化性樹脂シート21は、半導体ウェハ29及びそれに付随する要素を外部環境から保護するための封止樹脂として機能する。熱硬化性樹脂シート21の半導体ウェハ29への積層方法は、第1実施形態と同様の条件を採用することができる。
封止体形成工程では、上記熱硬化性樹脂シート21に熱硬化処理を施して封止体25を形成する(図3B参照)。熱硬化性樹脂シート21の熱硬化処理の条件は、第1実施形態と同様の条件を採用することができる。
研削工程では、上記封止体25の表面を研削して研削体26を形成する(図3C参照)。研削の際、図3Cに示すように突起電極23aが露出するように研削する。研削は公知の研削装置を用いて行えばよい。
次いで、露出させた突起電極23a上にバンプ27を形成するバンピング加工を行う(図3D参照)。バンピング加工方法及びバンプの材質は、第1実施形態と同様のものを採用することができる。
続いて、熱硬化性樹脂シート21、半導体ウェハ29及びバンプ27などの要素からなる研削体26のダイシングを行ってもよい(図3E参照)。これにより、半導体チップ23単位での電子モジュール28を得ることができる。ダイシング方法は、第1実施形態と同様の方法を採用することができる。
必要に応じて、上記で得られた電子モジュール28を別途の基板(図示せず)に実装する基板実装工程を行うことができる。電子モジュール28の基板への実装には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。
以下、本発明の一実施形態である第3実施形態について説明する。図4A〜図4Gはそれぞれ、本発明のさらに別の一実施形態に係る電子部品パッケージの製造方法の一工程を模式的に示す断面図である。第1実施形態では、プリント配線基板に搭載された半導体チップを熱硬化性樹脂シートにて樹脂封止しているが、第3実施形態では、半導体チップを基板等の被着体ではなく仮固定材に仮固定した状態で樹脂封止を行う。この第3実施形態は、いわゆるFan−out(ファンアウト)型ウェハレベルパッケージ(WLP)と呼称される電子部品パッケージの製造に好適である。
仮固定材準備工程では、支持体3b上に熱膨張性粘着剤層3aが積層された仮固定材3を準備する(図4A参照)。なお、熱膨張性粘着剤層に代えて、放射線硬化型粘着剤層を用いることもできる。本実施形態では、熱膨張性粘着剤層を備える仮固定材3について説明する。
熱膨張性粘着剤層3aは、ポリマー成分と、発泡剤とを含む粘着剤組成物により形成することができる。ポリマー成分(特にベースポリマー)としては、アクリル系ポリマー(「アクリルポリマーA」と称する場合がある)を好適に用いることができる。アクリルポリマーAとしては、(メタ)アクリル酸エステルを主モノマー成分として用いたものが挙げられる。前記(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸アルキルエステル(例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、sec−ブチルエステル、t−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、2−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数1〜30、特に炭素数4〜18の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等)及び(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル(例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等)などが挙げられる。これらの(メタ)アクリル酸エステルは単独で又は2種以上を併用してもよい。
(好ましくは0.1重量部〜10重量部)である。
熱膨張性粘着剤層3aにおいて用いられている発泡剤としては、特に制限されず、公知の発泡剤から適宜選択することができる。発泡剤は単独で又は2種以上組み合わせて使用することができる。発泡剤としては、熱膨張性微小球を好適に用いることができる。
熱膨張性微小球としては、特に制限されず、公知の熱膨張性微小球(種々の無機系熱膨張性微小球や、有機系熱膨張性微小球など)から適宜選択することができる。熱膨張性微小球としては、混合操作が容易である観点などより、マイクロカプセル化されている発泡剤を好適に用いることができる。このような熱膨張性微小球としては、例えば、イソブタン、プロパン、ペンタンなどの加熱により容易にガス化して膨張する物質を、弾性を有する殻内に内包させた微小球などが挙げられる。前記殻は、熱溶融性物質や熱膨張により破壊する物質で形成される場合が多い。前記殻を形成する物質として、例えば、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスルホンなどが挙げられる。
本実施形態では、発泡剤としては、熱膨張性微小球以外の発泡剤も用いることもできる。このような発泡剤としては、種々の無機系発泡剤や有機系発泡剤などの各種発泡剤を適宜選択して使用することができる。無機系発泡剤の代表的な例としては、例えば、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、亜硝酸アンモニウム、水酸化ホウ素ナトリウム、各種アジド類などが挙げられる。
(未発泡状態)の接着性が低下する。また、加熱処理による熱膨張性粘着剤層の変形度が小さく、接着力が円滑に低下しにくくなる。一方、熱膨張性粘着剤層の厚さが厚すぎると、加熱処理による膨張乃至発泡後に、熱膨張性粘着剤層に凝集破壊が生じやすくなり、研削体36に糊残りが発生する場合がある。
支持体3bは、仮固定材3の強度母体となる薄板状部材である。支持体3bの材料としては取り扱い性や耐熱性等を考慮して適宜選択すればよく、例えばSUS等の金属材料、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルサルフォン等のプラスチック材料等を用いることができる。これらの中でも、耐熱性や強度、再利用可能性等の観点から、SUSプレートが好ましい。
仮固定材3は、支持体3b上に熱膨張性粘着剤層3aを形成することにより得られる。熱膨張性粘着剤層は、例えば、粘着剤(感圧接着剤)と、発泡剤(熱膨張性微小球など)と、必要に応じて溶媒やその他の添加剤などとを混合して、シート状の層に形成する慣用の方法を利用し形成することができる。具体的には、例えば、粘着剤、発泡剤(熱膨張性微小球など)、および必要に応じて溶媒やその他の添加剤を含む混合物を、支持体3b上に塗布する方法、適当なセパレータ(剥離紙など)上に前記混合物を塗布して熱膨張性粘着剤層を形成し、これを支持体3b上に転写(移着)する方法などにより、熱膨張性粘着剤層を形成することができる。
本実施形態では、熱膨張性粘着剤層は、加熱により熱膨張させることができる。加熱処理方法としては、例えば、ホットプレート、熱風乾燥機、近赤外線ランプ、エアードライヤーなどの適宜な加熱手段を利用して行うことができる。加熱処理時の加熱温度は、熱膨張性粘着剤層中の発泡剤(熱膨張性微小球など)の発泡開始温度(熱膨張開始温度)以上であればよいが、加熱処理の条件は、発泡剤(熱膨張性微小球など)の種類等による接着面積の減少性、支持体、半導体チップを含む研削体等の耐熱性、加熱方法(熱容量、加熱手段等)などにより適宜設定できる。一般的な加熱処理条件としては、温度100℃〜250℃で、1秒間〜90秒間(ホットプレートなど)または5分間〜15分間(熱風乾燥機など)である。なお、加熱処理は使用目的に応じて適宜な段階で行うことができる。また、加熱処理時の熱源としては、赤外線ランプや加熱水を用いることができる場合もある。
本実施形態では、熱膨張性粘着剤層3aと支持体3bとの間に、密着力の向上や加熱後の剥離性の向上等を目的とした中間層が設けられていても良い(図示せず)。中でも、中間層としてゴム状有機弾性中間層が設けられていることが好ましい。このように、ゴム状有機弾性中間層を設けることにより、半導体チップ33を仮固定材3に接着する際に(図4A参照)、熱膨張性粘着剤層3aの表面を半導体チップ33の表面形状に良好に追従させて、接着面積を大きくすることができるとともに、仮固定材3から研削加工後の研削体36を加熱剥離させる際に、熱膨張性粘着剤層3aの加熱膨張を高度に(精度よく)コントロールし、熱膨張性粘着剤層3aを厚さ方向へ優先的に且つ均一に膨張させることができる。
半導体チップ配置工程では、上記仮固定材3上に複数の半導体チップ33を配置する(図4A参照)。半導体チップ33の配置には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。
封止工程では、複数の半導体チップ33を覆うように熱硬化性樹脂シート31を仮固定材3上へ積層して樹脂封止する(図4B参照)。熱硬化性樹脂シート31の仮固定材3上への積層方法は、第1実施形態と同様の条件を採用することができる。
封止体形成工程では、上記熱硬化性樹脂シート31に熱硬化処理を施して封止体35を形成する(図4B参照)。熱硬化性樹脂シート31の熱硬化処理の条件は、第1実施形態と同様の条件を採用することができる。
研削工程では、上記封止体35の表面を研削して研削体36を形成する(図4C参照)。研削の際、図4Cに示すように半導体チップ33が露出するように研削する。研削は公知の研削装置を用いて行えばよい。
熱膨張性粘着剤層剥離工程では、仮固定材3を加熱して熱膨張性粘着剤層3aを熱膨張させることにより、熱膨張性粘着剤層3aと研削体36との間で剥離を行う(図4D参照)。熱膨張性粘着剤層3aを加熱して熱膨張させその粘着力を低下させることで、熱膨張性粘着剤層3aと研削体36との界面での剥離を容易に行うことができる。熱膨張の条件としては、上述の「熱膨張性粘着剤層の熱膨張方法」の欄の条件を好適に採用することができる。
本実施形態ではさらに再配線形成工程を含むことが好ましい。再配線形成工程では、上記熱膨張性粘着剤層3aの剥離後、上記露出した半導体チップ33と接続する再配線39を研削体36上に形成する(図4E参照)。
次いで、形成した再配線39上にバンプ37を形成するバンピング加工を行ってもよい
(図4F参照)。バンピング加工は、半田ボールや半田メッキなど公知の方法で行うことができる。バンプ37の材質は、第1実施形態と同様の材質を好適に用いることができる。
最後に、半導体チップ33、熱硬化性樹脂シート31及び再配線39などの要素からなる積層体のダイシングを行う(図4G参照)。これにより、チップ領域の外側に配線を引き出した電子部品モジュール38を得ることができる。ダイシング方法は、第1実施形態と同様の方法を採用することができる。
(熱硬化性樹脂シートの作製)
以下の成分をミキサーにてブレンドし、2軸混練機により120℃で2分間溶融混練し、続いてTダイから押出しすることにより、厚さ500μmの押出成形物を作製した。この押出成形物を平面視投影面積が17663mm2で、平面視形状が円状となるようにカットし、熱硬化性樹脂シートAを得た。
フェノール樹脂:ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂(明和化成社製、MEH−7851−SS(水酸基当量203g/eq.、軟化点67℃))
303部
硬化促進剤:硬化触媒としてのイミダゾール系触媒(四国化成工業(株)製、2PHZ−PW) 6部
無機充填剤:球状溶融シリカ粉末(電気化学工業社製、FB−9454、平均粒子径20μm) 3695部
シランカップリング剤:エポキシ基含有シランカップリング剤(信越化学工業(株)製、KBM−403) 5部
カーボンブラック(三菱化学(株)製、#20) 5部
(熱硬化性樹脂シートの作製)
以下の成分をミキサーにてブレンドし、2軸混練機により120℃で2分間溶融混練し、続いてTダイから押出しすることにより、厚さ500μmの押出成形物を作製した。この押出成形物を平面視投影面積が17663mm2で、平面視形状が円状となるようにカットし、熱硬化性樹脂シートBを得た。
フェノール樹脂:ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂(明和化成社製、MEH−7851−SS(水酸基当量203g/eq.、軟化点67℃))
179部
硬化促進剤:硬化触媒としてのイミダゾール系触媒(四国化成工業(株)製、2PHZ−PW) 6部
エラストマー:スチレン−イソブチレン−スチレントリブロック共重合体((株)カネカ製、SIBSTAR 072T) 152部
無機充填剤:球状溶融シリカ粉末(電気化学工業社製、FB−9454、平均粒子径20μm) 4400部
シランカップリング剤:エポキシ基含有シランカップリング剤(信越化学工業(株)製、KBM−403) 5部
カーボンブラック(三菱化学(株)製、#20) 5部
難燃剤:ホスファゼン化合物((株)伏見製薬所製、FP−100) 89部
作製した熱硬化前の熱硬化性樹脂シート(サンプル)について、TAインスツルメント社製の動的粘弾性測定装置「ARES」を用いて、サンプルを重ねて厚さ:約1.5mmで、φ8mmパラレルプレートの治具を用い、剪断モードにて、周波数:1Hz、昇温速度:10℃/分、歪み:5%(90℃〜130℃)にて測定し、90℃〜130℃の範囲で得られた剪断貯蔵弾性率G´の最小値及び最大値を求めた。結果を表1に示す。
以下の仕様の半導体チップを下記ボンディング条件にてBT基板に実装した半導体チップ実装基板を作製した。
半導体チップサイズ:7.3mm□(厚さ400μm)
バンプ材質:Cu 30μm、Sn−Ag 15μm厚み
バンプ数:544バンプ
バンプピッチ:50μm
チップ数:16個(4個×4個)
装置:パナソニック電工(株)製
ボンディング条件:150℃、49N、10sec
温度:90℃
加圧力:0.5MPa
真空度:2000Pa
プレス時間:3分
電子顕微鏡(KEYENCE社製、商品名「デジタルマイクロスコープ」、200倍)により、半導体パッケージの封止樹脂の断面における無機充填剤の偏在の有無を観察し、無機充填剤の偏在が認められなかった場合を「○」、認められた場合を「×」として評価した。
11a 支持体
13、33 半導体チップ
15、25、35 封止体
16、26、36 研削体
18、28、38 電子モジュール
29 半導体ウェハ
Claims (9)
- 無機充填剤、軟化点が50〜130℃であるエポキシ樹脂及びフェノール樹脂を含み、かつ液状のエポキシ樹脂を含まず、平面視投影面積が17663mm2以上であり、
熱硬化前の弾性率が90〜130℃の温度範囲において2.5×103Pa以上3×104Pa以下であるBステージ状態の熱硬化性樹脂シート。 - 前記無機充填剤の平均粒径が54μm以下である請求項1に記載の熱硬化性樹脂シート。
- 前記無機充填剤の含有量が70重量%以上95重量%以下である請求項1又は2に記載の熱硬化性樹脂シート。
- エラストマーを含む請求項1〜3のいずれか1項に記載の熱硬化性樹脂シート。
- 請求項1〜4に記載の熱硬化性樹脂シートの長尺体がロール状に巻き取られた熱硬化性樹脂シート巻回体。
- 電子部品パッケージの製造方法であって、
一又は複数の電子部品を覆うように請求項1〜4のいずれか1項に記載の熱硬化性樹脂シートを該電子部品上に積層する積層工程、及び
前記熱硬化性樹脂シートを熱硬化させて封止体を形成する封止体形成工程
を含み、
前記熱硬化性樹脂シートの平面視投影面積に占める前記電子部品の平面視投影面積の割合が50%以上である電子部品パッケージの製造方法。 - 前記積層工程を熱プレス加工により行う請求項6に記載の電子部品パッケージの製造方法。
- 前記封止体をダイシングして電子部品モジュールを形成するダイシング工程をさらに含む請求項6又は7に記載の電子部品パッケージの製造方法。
- 前記電子部品が、半導体チップ又は半導体ウェハである請求項6〜8のいずれか1項に記載の電子部品パッケージの製造方法。
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