JP6039513B2 - 結晶成長装置および結晶成長方法 - Google Patents
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
2,12,32 るつぼ台
3,13,33 均熱管
4,14,34 ヒータ
5,15,35 電気炉
6,16 引き上げ軸
7,17,37 種子結晶
8,18,38 原料溶融体
9,19,39 成長結晶
10,20,40 炉体ふた
21,41 原料棒
22,42 原料棒搬送具
23,43 原料溶融体出入り穴
24,44 原料溶融体表面
45 液溜め部
Claims (5)
- 炉内に設置されたるつぼ内の原料溶融体に対して、鉛直方向に上低下高の温度分布を形成し、種子結晶を前記原料溶融体の表面に接触させ、前記原料溶融体を冷却することにより、前記種子結晶を核として結晶を成長させる結晶成長装置であって、成長結晶の組成と同一組成の原料棒を前記原料溶融体の表面に浸漬させ、前記原料棒と前記原料溶融体との熱接触状態を維持し、単位時間あたりの成長結晶の成長量に一致する単位時間あたりの供給量で、前記原料棒から補充原料を前記原料溶融体に供給する結晶成長装置において、
先端が封止された中空パイプであって、内部に前記原料棒が挿入され、前記中空パイプの前記原料溶融体に浸漬する領域に原料溶融体が出入りする穴を有する原料棒搬送具であって、前記領域の底面に設けられた原料溶融体が出入りする穴の下方に、さらに液溜め部を備え、前記液溜め部に原料溶融体が出入りする穴を有することと、
前記原料棒搬送具を前記るつぼに対して昇降させる手段と
を備えたことを特徴とする結晶成長装置。 - 炉内に設置されたるつぼ内の原料溶融体に対して、鉛直方向に上高下低の温度分布を形成し、前記るつぼの底部に配置された種子結晶から上方に向かって結晶を成長させる結晶成長装置であって、成長結晶の組成と同一組成の原料棒を前記原料溶融体の表面に浸漬させ、前記原料棒と前記原料溶融体との熱接触状態を維持し、単位時間あたりの成長結晶の成長量に一致する単位時間あたりの供給量で、前記原料棒から補充原料を前記原料溶融体に供給する結晶成長装置において、
先端が封止された中空パイプであって、内部に前記原料棒が挿入され、前記中空パイプの前記原料溶融体に浸漬する領域に原料溶融体が出入りする穴を有する原料棒搬送具であって、前記領域の底面に設けられた原料溶融体が出入りする穴の下方に、さらに液溜め部を備え、前記液溜め部に原料溶融体が出入りする穴を有することと、
前記原料棒搬送具を前記るつぼに対して昇降させる手段と
を備えたことを特徴とする結晶成長装置。 - 炉内に設置されたるつぼ内の原料溶融体に対して、鉛直方向に上低下高の温度分布を形成し、種子結晶を前記原料溶融体の表面に接触させ、前記原料溶融体を冷却することにより、前記種子結晶を核として結晶を成長させる結晶成長方法であって、成長結晶の組成と同一組成の原料棒を前記原料溶融体の表面に浸漬させ、前記原料棒と前記原料溶融体との熱接触状態を維持し、単位時間あたりの成長結晶の成長量に一致する単位時間あたりの供給量で、前記原料棒から補充原料を前記原料溶融体に供給する結晶成長方法において、
先端が封止された中空パイプであって、前記中空パイプの前記原料溶融体に浸漬する領域に原料溶融体が出入りする穴を有する原料棒搬送具の内部に、前記原料棒を挿入し、
前記原料棒搬送具は、前記領域の底面に設けられた原料溶融体が出入りする穴の下方に、さらに液溜め部を備え、前記液溜め部に前記補充原料を滞留させ、前記補充原料を溶融させてから前記原料溶融体に供給し、
前記原料棒搬送具を前記るつぼに対して昇降させる
ことを特徴とする結晶成長方法。 - 炉内に設置されたるつぼ内の原料溶融体に対して、鉛直方向に上高下低の温度分布を形成し、前記るつぼの底部に配置された種子結晶から上方に向かって結晶を成長させる結晶成長方法であって、成長結晶の組成と同一組成の原料棒を前記原料溶融体の表面に浸漬させ、前記原料棒と前記原料溶融体との熱接触状態を維持し、単位時間あたりの成長結晶の成長量に一致する単位時間あたりの供給量で、前記原料棒から補充原料を前記原料溶融体に供給する結晶成長方法において、
先端が封止された中空パイプであって、前記中空パイプの前記原料溶融体に浸漬する領域に原料溶融体が出入りする穴を有する原料棒搬送具の内部に、前記原料棒を挿入し、
前記原料棒搬送具は、前記領域の底面に設けられた原料溶融体が出入りする穴の下方に、さらに液溜め部を備え、前記液溜め部に前記補充原料を滞留させ、前記補充原料を溶融させてから前記原料溶融体に供給し、
前記原料棒搬送具を前記るつぼに対して昇降させる
ことを特徴とする結晶成長方法。 - 前記中空パイプの前記原料溶融体に対する浸漬量を調整することにより、前記原料棒から補充原料の供給量を調整することを特徴とする請求項3または4に記載の結晶成長方法。
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