JP6030118B2 - 発光デバイスの製造方法および発光デバイス - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 66
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 6
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 2
- 101100127891 Caenorhabditis elegans let-4 gene Proteins 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 252
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
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- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0025—Processes relating to coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Description
本発明は、発光デバイスの製造方法および発光デバイスに関する。
従来、マスクを用いて基板上の各ピクセルに対応する各領域に発光層を蒸着する方法が知られている（例えば、特許文献１および特許文献２）。
特許文献１ 特開２０１１−１６５５８１号公報
特許文献２ 特開２０１０−４０５２９号公報
特許文献１ 特開２０１１−１６５５８１号公報
特許文献２ 特開２０１０−４０５２９号公報
マスクを用いて基板上の各ピクセルに対応する各領域に発光層を形成する発光デバイスの製造方法において、製造工程のさらなる効率化が要求されている。
本発明の一態様に係る発光デバイスの製造方法は、第１開口と、第１開口の長手方向に沿って配置されている少なくとも１つの第２開口とを有するマスクを、基板上に配置するマスク配置工程と、マスク配置工程の後に、マスクの第１開口および少なくとも１つの第２開口を介して、第１スペクトルの光を発光する第１発光材料で基板上にパターン形成する第１パターン形成工程と、第１パターン形成工程の後に、第１開口の長手方向における第１開口の幅より短く第１開口の長手方向における少なくとも１つの第２開口の幅以上の距離だけ、第１開口の長手方向にマスクを移動させる第１マスク移動工程と、第１マスク移動工程の後に、マスクの第１開口および少なくとも１つの第２開口を介して、第１スペクトルとは異なる第２スペクトルの光を発光する第２発光材料で基板上にパターン形成する第２パターン形成工程とを含む。
上記発光デバイスの製造方法において、第１マスク移動工程において、等間隔で配置された少なくとも１つの第２開口のうちの隣接する２つの第２開口の中心間距離の略１／２の距離だけ、第１開口の長手方向にマスクを移動させてもよい。
上記発光デバイスの製造方法は、第２パターン形成工程の後に、第１開口の長手方向における第１開口の幅より短く第１開口の長手方向における少なくとも１つの第２開口の幅以上の距離だけ、第１開口の長手方向にマスクを移動させる第２マスク移動工程と、第２マスク移動工程の後に、マスクの第１開口および少なくとも１つの第２開口を介して、第１スペクトルおよび第２スペクトルとは異なる第３スペクトルの光を発光する第３発光材料でパターン形成する第３パターン形成工程とをさらに含んでもよい。
上記発光デバイスの製造方法において、第１マスク移動工程において、少なくとも１つの第２開口のうちの隣接する２つの第２開口の中心間距離の略１／３の距離だけ、第１開口の長手方向にマスクを移動させ、第２マスク移動工程において、中心間距離の略１／３の距離だけ、第１開口の長手方向にマスクを移動させてもよい。
上記発光デバイスの製造方法は、第１開口の短手方向における第１開口の幅と少なくとも１つの第２開口の幅との和より長い距離だけ、第１開口の短手方向にマスクを移動させる第４マスク移動工程と、第４マスク移動工程の後に、マスクの第１開口および少なくとも１つの第２開口を介して、第１発光材料で基板上にパターン形成する第４パターン形成工程とをさらに含んでもよい。
上記発光デバイスの製造方法は、第４パターン形成工程の後に、第１開口の長手方向における第１開口の幅より短く第１開口の長手方向における少なくとも１つの第２開口の幅以上の距離だけ、第１開口の長手方向にマスクを移動させる第５マスク移動工程と、第５マスク移動工程の後に、マスクの第１開口および少なくとも１つの第２開口を介して、第２発光材料で基板上にパターン形成する第５パターン形成工程とをさらに含んでもよい。
本発明の一態様に係る発光デバイスは、第１電極層および第２電極層と、第１電極層と第２電極層との間に配置されている発光材料層とを備え、発光材料層は、第１スペクトルの光を発光する第１発光材料で形成されている第１発光層と、第１発光層と略同一の形状であり、第１発光層に対して面方向に予め定められた距離ずれて第１発光層上から第１発光層と同一面内までの範囲に積層されており、第１スペクトルとは異なる第２スペクトルの光を発光する第２発光材料で形成されている第２発光層とを有する。
上記発光デバイスにおいて、発光材料層は、第１発光層と同一面内の第１領域に、第１発光材料で形成されている第３発光層と、第１発光層と同一面内の第２領域に、第２発光材料で形成されている第４発光層とをさらに有し、第３発光層と第４発光層との中心間距離は、予め定められた距離でもよい。
上記発光デバイスにおいて、第３発光層および第４発光層は、第１発光層および第２発光層の長手方向に沿って配置されていてもよい。
上記発光デバイスにおいて、第３発光層および第４発光層は、第１発光層と第２発光層とが重なっている領域に隣接して配置されていてもよい。
上記発光デバイスにおいて、発光材料層は、第１発光層および第２発光層と略同一の形状であり、第２発光層に対して面方向に予め定められた距離ずれて第２発光層上から第１発光層と同一面内までの範囲に積層されており、第１スペクトルおよび第２スペクトルとは異なる第３スペクトルの光を発光する第３発光材料で形成されている第５発光層をさらに有してもよい。
上記発光デバイスにおいて、発光材料層は、第１発光層と同一面内の第３領域に、第３発光材料で形成されている第６発光層をさらに有してもよい。
上記発光デバイスにおいて、第６発光層は、第１発光層、第２発光層、および第５発光層の長手方向に沿って、第３発光層および第４発光層と並んで配置されていてもよい。
上記発光デバイスにおいて、第６発光層は、第１発光層と第２発光層と第５発光層とが重なっている領域に隣接して配置されていてもよい。
なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
図１は、本実施形態に係る発光デバイスの平面図を示す。発光デバイスは、基板１０を備える。基板１０は、互いに離間して配置された第１発光層領域１０１、第２発光層領域１０２、第３発光層領域１０３、および第４発光層領域１０４を有する。第１発光層領域１０１には、第１スペクトルの光の一例である赤色Ｒの光を放射する赤色発光層が形成されている。第２発光層領域１０２には、第１スペクトルとは異なる第２スペクトルの光の一例である緑色Ｇの光を放射する緑色発光層が形成されている。第３発光層領域１０３には、第１スペクトルおよび第２スペクトルとは異なる第３スペクトルの光の一例である青色Ｂの光を放射する青色発光層が形成されている。第４発光層領域１０４には、第１スペクトル、第２スペクトル、および第３スペクトルの光が混合された光の一例である白色Ｗの光を放射する白色発光層が形成されている。第１発光層領域１０１、第２発光層領域１０２、第３発光層領域１０３、および第４発光層領域１０４は、それぞれ一サブ画素を構成し、第１発光層領域１０１、第２発光層領域１０２、第３発光層領域１０３、および第４発光層領域１０４により一画素を構成する。
発光デバイスは、例えば、第１発光層領域１０１、第２発光層領域１０２、第３発光層領域１０３、および第４発光層領域１０４のそれぞれの発光層を同時に発光させる。これにより、発光デバイスは、それぞれの発光層から照射された光を受けた人に、予め定められた色温度を有する白色光を照射されているように認識させる。
図２Ａは、本実施形態に係る発光デバイスの基板１０の上方の第１発光層領域１０１、第２発光層領域１０２、第３発光層領域１０３、および第４発光層領域１０４のそれぞれに発光材料を堆積させる場合に用いられるマスク２００の平面図を示す。
マスク２００は、第１開口２０１と、第１開口２０１の長手方向Ｘに沿って形成されている複数の第２開口とを有する。複数の第２開口２０２のそれぞれの中心間距離は、複数の第１発光層領域１０１、複数の第２発光層領域１０２、または複数の第３発光層領域１０３同士の中心間距離と同一である。言い換えれば、複数の第２開口２０２のそれぞれの中心間距離は、一の第１発光層領域１０１と、一の第１発光層領域１０１に隣接する一の第２発光層領域１０２との中心間距離の３倍である。
マスク２００を用いた発光材料の堆積および長手方向Ｘまたは短手方向Ｙへのマスク２００の移動を繰り返すことで、基板１０の上方のそれぞれの発光層領域に赤色発光層、緑色発光層、青色発光層、および白色発光層を形成する。なお、マスク２００が有する第１開口２０１および複数の第２開口２０２は、図２Ｂに示すように、１つの開口を形成してもよい。また、マスク２００は、少なくとも１つの第２開口２０２を有していればよい。
図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、図３Ｄ、図３Ｅ、図３Ｆ、図３Ｇ、および図３Ｈは、本実施形態に係る発光デバイスの製造方法の各工程の説明図を示す。
マスク２００を、基板１０上の予め定められた位置、例えば、図３Ａにおいて、最も左側の第２開口２０２が、基板１０が有する複数の第１発光層領域１０１のうち最左上の第１発光層領域１０２に対応する位置に配置する（図３Ａ）。マスク配置工程の後に、マスク２００の第１開口２０１および複数の第２開口２０２を介して、赤色Ｒに対応する第１スペクトルの光を発光する第１発光材料を例えばマスク蒸着することで、第１発光材料で基板１０上にパターン形成する。これにより、基板１０上に複数の赤色発光層３２ａ、および赤色発光層３２ｂを形成する。なお、赤色発光層３２ａは、「第３発光層」の一例である。赤色発光層３２ｂは、「第１発光層」の一例である。
続いて、第１開口２０１の短手方向３００における第１開口の幅ｗ２と複数の第２開口２０２の幅ｗ１との和より長い距離ｗ３だけ、第１開口の短手方向３００にマスク２００を移動させる。マスク２００を短手方向３００に移動させた後に、マスク２００の第１開口２０１および複数の第２開口２０２を介して、再び第１発光材料で基板１０上にパターン形成する（図３Ｃ）。マスク２００の短手方向３００の移動および第１発光材料のマスク蒸着を繰り返すことで、基板１０上に複数の赤色発光層３２ａ、および複数の赤色発光層３２ｂを形成する（図３Ｄ）。
次に、第１開口２０１の長手方向３０２における第１開口２０１の幅Ｄより短く第１開口２０１の長手方向３０２における複数の第２開口２０２の幅以上の距離だけ、第１開口２０１の長手方向３０２にマスク２００を移動させる（図３Ｅ）。より具体的には、複数の第２開口２０２のうちの隣接する２つの第２開口の中心間距離ｄの略１／３の距離ｄ／３だけ、第１開口２０１の長手方向３０２にマスク２００を移動させる。マスク２００を長手方向３０２に移動させた後、マスク２００の第１開口２０１および複数の第２開口２０２を介して、緑色に対応する第１スペクトルとは異なる第２スペクトルの光を発光する第２発光材料をマスク蒸着することで、第２発光材料で基板１０上にパターン形成する（図３Ｆ）。これにより、基板１０上に複数の緑色発光層３３ａ、および緑色発光層３３ｂを形成する。なお、緑色発光層３３ａは、「第４発光層」の一例である。緑色発光層３３ｂは、「第２発光層」の一例である。
第１開口２０１の短手方向３００における第１開口の幅ｗ２と複数の第２開口２０２の幅ｗ１との和より長い距離ｗ３だけ、第１開口の短手方向３００にマスク２００を移動させ、マスク２００の第１開口２０１および複数の第２開口２０２を介して第２発光材料で基板１０上にパターン形成する工程を繰り返し、基板１０上に、複数の緑色発光層３３ａおよび複数の緑色発光層３３ｂを形成する（図３Ｇ）。
続いて、複数の緑色発光層３３ａおよび複数の緑色発光層３３ｂの形成が終了した後、第１開口２０１の長手方向における第１開口２０１の幅より短く第１開口２０１の長手方向における複数の第２開口２０２の幅以上の距離ｄ／３だけ、第１開口２０１の長手方向にマスク２００を移動させる。さらに、マスク２００の第１開口２０１および複数の第２開口２０２を介して、青色に対応する第１スペクトルおよび第２スペクトルとは異なる第３スペクトルの光を発光する第３発光材料をマスク蒸着することで、第３発光材料でパターン形成する。次いで、第１開口２０１の短手方向３００における第１開口の幅ｗ２と複数の第２開口２０２の幅ｗ１との和より長い距離ｗ３だけ、第１開口の短手方向３００にマスク２００を移動させ、マスク２００の第１開口２０１および複数の第２開口２０２を介して、第３発光材料でパターン形成する。マスク２００の短手方向の移動およびマスク２００を用いた第３発光材料のパターン形成を繰り返し、基板上に、複数の青色発光層３４ａおよび複数の青色発光層３４ｂを形成する（図３Ｈ）。なお、青色発光層３４ａは、「第６発光層」の一例である。青色発光層３４ｂは、「第５発光層」の一例である。
以上の各工程により、基板１０の上方に発光層を形成できる。本実施形態に係る発光デバイスの製造方法によれば、同一のマスクを用いて、基板１０の上方のそれぞれ異なる領域に単色の光を放射する単層発光層および複数色の光を放射する多層発光層を同時に形成できる。よって、発光デバイスの製造工程を効率化でき、発光デバイスの製造コストを抑制できる。
図４Ａは、本実施形態に係る発光デバイスの図３Ｈに示すＡ−Ａ断面図を示す。図４Ｂは、本実施形態に係る発光デバイスの図３Ｈに示すＢ−Ｂ断面図を示す。
本実施形態に係る発光デバイスは、基板１０、第１電極層２０、発光材料層３０、および第２電極層４０を備える。発光材料層３０は、第１電極層２０と第２電極層４０との間に配置されている。発光デバイスは、いわゆるボトムエミッション型の有機ＥＬ発光デバイスである。なお、発光デバイスは、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ発光デバイス、または両面光取出し型の有機ＥＬ発光デバイスでもよい。
基板１０は、ガラスまたは高分子フィルムなどの光透過性を有する板材を用いることができる。第１電極層２０は、陽極であり、透明導電膜でもよい。第１電極層２０は、光透過性導電性材料により構成されてもよい。ここで、「光透過性」とは、光を透過する性質を有することを意味する。光透過性導電性材料は、可視光域（３５０ｎｍ〜７８０ｎｍ）における光の透過率が概ね５０％を超える性質を有し、かつ表面抵抗値が１０７Ω以下の材料のことをいう。具体的には、光透過性導電性材料として、インジウムドープの酸化錫（ＩＴＯ）、インジウムドープの酸化亜鉛（ＩＺＯ）、酸化錫、酸化亜鉛などを用いることができる。表面抵抗の低さの観点からは、インジウムドープの酸化錫を用いて第１電極層２０を構成することが好ましい。第１電極層２０は、例えば、スパッタ法、蒸着法、パルスレーザー堆積法などにより基板１０上にＩＴＯ薄膜を形成することにより形成される。第１電極層２０は、第１方向（マスク２００の長手方向）に沿って帯状に配置されている複数の第１電極２２を有する。なお、第１電極層２０は、共通電極である一の第１電極２２を有してもよい。
第２電極層４０は、陰極であり、発光材料層３０の上方に配置されている。第２電極層４０は、例えば、ＡｌまたはＡｇなどの導電性材料を用いて、蒸着法、スパッタ法などの方法により発光材料層３０上に形成される。基板１０側から光を取り出すボトムエミッション型の有機ＥＬ発光デバイスの場合、第２電極層４０は光透過性である必要はない。一方、トップエミッション型または両面取出し型の有機ＥＬ発行デバイスの場合、第２電極層４０は、光透過性導電材料により構成される。この場合、第２電極層４０は、第１電極層２０で用いられる材料と同一の材料により構成されてもよい。なお、本実施形態においては、第２電極層４０は、発光材料層３０上に配置されている。しかし、発光デバイスの製造工程において、吸湿によって発光材料層３０を構成する各層が劣化するのを抑制する観点から、発光材料層３０の最表面（第２電極層４０との界面）に第２電極層４０とは別に、バッファ層として導電性の他の層を形成してもよい。第２電極層４０は、第１方向に垂直な第２方向（マスク２００の短手方向）に沿って帯状に配置されている複数の第２電極４２を有する。
複数の第１電極２２および複数の第２電極４２のそれぞれに個別または同時に駆動電圧を印加することで、複数の第１電極２２および複数の第２電極４２のうち駆動電圧が印加されたそれぞれの第１電極および第２電極が交差するそれぞれの領域における発光材料層３０が発光する。
発光材料層３０は、一般の有機ＥＬ素子において陽極と陰極とに狭持された部分を示し、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔注入層、および正孔輸送層などを有する。発光材料層３０は、有機化合物のほかに、薄膜のアルカリ金属または無機材料を用いて構成されてもよい。
発光材料層３０は、正孔注入層および正孔輸送層３１、および電子注入層および電子輸送層３５を含む。発光材料層３０は、正孔注入層および正孔輸送層３１と電子注入層および電子輸送層３５との間に、赤色発光層３２ａ、緑色発光層３３ａ、青色発光層３４ａ、または白色発光層３６を有する。白色発光層３６は、赤色発光層３２ｂ、緑色発光層３３ｂ、および青色発光層３４ｂを含む。
赤色発光層３２ｂは、赤色に対応する第１スペクトルの光を発光する第１発光材料で形成されている。緑色発光層３３ｂは、赤色発光層３２ｂと陰極側から見て略同一の形状であり、赤色発光層３２ｂに対して面方向に予め定められた距離ｄ／３ずれて赤色発光層３２ｂ上から赤色発光層３２ｂと同一面内までの範囲に積層されており、第２スペクトルの光を発光する第２発光材料で形成されている。
青色発光層３４ｂは、赤色発光層３２ｂおよび緑色発光層３３ｂと陰極側から見て略同一の形状であり、緑色発光層３３ｂに対して面方向に予め定められた距離ｄ／３ずれて緑色発光層３３ｂ上から赤色発光層３２ｂと同一面内までの範囲に積層されており、第３スペクトルの光を発光する第３発光材料で形成されている。
赤色発光層３２ａは、赤色発光層３２ｂと同一面内の第１発光層領域１０１に、第１発光材料で形成されている。緑色発光層３３ａは、赤色発光層３２ａと同一面内の第２発光層領域１０２に、第２発光材料で形成されている。青色発光層３４ａは、赤色発光層３２ｂと同一面内の第３発光層領域１０３に、第３発光材料で形成されている。赤色発光層３２ａと緑色発光層３３ａとの中心間距離および緑色発光層３３ａおよび青色発光層３４ａとの中間間距離は、予め定められた距離ｄ／３である。また、赤色発光層３２ａおよび緑色発光層３３ａは、赤色発光層３２ｂおよび緑色発光層３３ｂの長手方向に沿って配置されている。赤色発光層３２ａおよび緑色発光層３３ａは、赤色発光層３２ｂと緑色発光層３３ｂとが重なっている領域に隣接して配置されている。青色発光層３４ａは、赤色発光層３２ｂ、緑色発光層３３ｂ、および青色発光層３４ｂの長手方向に沿って、赤色発光層３２ａおよび緑色発光層３３ａと並んで配置されている。赤色発光層３２ａ、緑色発光層３３ａおよび青色発光層３４ａは、赤色発光層３２ｂ、緑色発光層３３ｂ、および青色発光層３４ｂが重なっている領域に隣接して配置されている。
以上のように構成された発光デバイスによれば、例えば、赤色発光層３２ａおよび３２ｂ、緑色発光層３３ａおよび３３ｂ、並びに青色発光層３４ａおよび３４ｂを同時に発光させることで、それぞれの発光層から照射された光を受けた人に、予め定められた色温度を有する白色光を照射されているように認識させることができる。
なお、発光デバイスは、図５に示すように、第１発光層領域１０１、第３発光層領域１０３、および第４発光層領域１０４から構成される複数の画素を有してもよい。この場合、マスク２００が有する複数の第２開口２０２の中心間距離は、図６に示すように、複数の第１発光層領域１０１、または複数の第３発光層領域１０３同士の中心間距離と同一である。言い換えれば、複数の第２開口２０２のそれぞれの中心間距離は、一の第１発光層領域１０１と、一の第１発光層領域１０１に隣接する一の第３発光層領域１０３との中心間距離ｄ／２の２倍の距離ｄである。図６に示すマスク２００を用いて発光デバイスを製造する場合において、マスク２００を第１開口２０１の長手方向に移動する場合には、等間隔で配置された複数の第２開口２０２のうちの隣接する２つの第２開口の中心間距離の略１／２の距離ｄ／２だけ、第１開口２０１の長手方向にマスク２００を移動させればよい。これにより、単相発光層および多層発光層を同一マスクを用いて同時に形成できる。
また、上記の実施形態に係るマスクは、基板１０上に配置される一列分の画素群に対応する１つの第１開口２０１と複数の第２開口２０２のみを有する例について説明した。しかし、図７に示すように、マスク２００は、基板１０上に配置される複数列分の画素群に対応する複数の第１開口２０１と、複数の第１開口２０１のそれぞれに対応する複数の第２開口２０２とを有してもよい。このようなマスク２００によれば、第１開口２０１の短手方向への移動を減らすことができる。よって、さらに製造工程の効率化を図ることができる。
また、白色Ｗの光を放射する大面積の第４発光層領域１０４以外の赤色Ｒまたは緑色Ｇ青色Ｂ等の光を放射する第１発光層領域１０１、第２発光層領域１０２、および第３発光層領域１０１等の面積は視感効率または発光効率の関係から必ずしも同じ面積である必要はなく、また、同じ面積で各々の発光層を形成した場合であっても、各々の発光領域に対応する陽極または陰極、即ち、第１電極層２０または第２電極層４０の面積を調整することで発光層領域としての面積は調整することができる。
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、請求の範囲の記載から明らかである。
請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。
１０ 基板
２０ 第１電極層
３０ 発光材料層
３２ａ，３２ｂ 赤色発光層
３３ａ，３３ｂ 緑色発光層
３４ａ，３４ｂ 青色発光層
３６ 白色発光層
４０ 第２電極層
１０１ 発光層領域
１０２ 発光層領域
１０３ 発光層領域
１０４ 発光層領域
２００ マスク
２０１ 第１開口
２０２ 第２開口
２０ 第１電極層
３０ 発光材料層
３２ａ，３２ｂ 赤色発光層
３３ａ，３３ｂ 緑色発光層
３４ａ，３４ｂ 青色発光層
３６ 白色発光層
４０ 第２電極層
１０１ 発光層領域
１０２ 発光層領域
１０３ 発光層領域
１０４ 発光層領域
２００ マスク
２０１ 第１開口
２０２ 第２開口
Claims (13)
- 第１開口と、前記第１開口の長手方向に沿って配置されている少なくとも１つの第２開口とを有するマスクを、基板上に配置するマスク配置工程と、
前記マスク配置工程の後に、前記マスクの前記第１開口および前記少なくとも１つの第２開口を介して、第１スペクトルの光を発光する第１発光材料で前記基板上にパターン形成する第１パターン形成工程と、
前記第１パターン形成工程の後に、前記第１開口の長手方向における前記第１開口の幅より短く前記第１開口の長手方向における前記少なくとも１つの第２開口の幅以上の距離だけ、前記第１開口の長手方向に前記マスクを移動させる第１マスク移動工程と、
前記第１マスク移動工程の後に、前記マスクの前記第１開口および前記少なくとも１つの第２開口を介して、前記第１スペクトルとは異なる第２スペクトルの光を発光する第２発光材料で前記基板上にパターン形成する第２パターン形成工程と
を含む発光デバイスの製造方法。 - 前記第１マスク移動工程において、等間隔で配置された前記少なくとも１つの第２開口のうちの隣接する２つの第２開口の中心間距離の略１／２の距離だけ、前記第１開口の長手方向に前記マスクを移動させる請求項１に記載の発光デバイスの製造方法。
- 前記第２パターン形成工程の後に、前記第１開口の長手方向における前記第１開口の幅より短く前記第１開口の長手方向における前記少なくとも１つの第２開口の幅以上の距離だけ、前記第１開口の長手方向に前記マスクを移動させる第２マスク移動工程と、
前記第２マスク移動工程の後に、前記マスクの前記第１開口および前記少なくとも１つの第２開口を介して、前記第１スペクトルおよび前記第２スペクトルとは異なる第３スペクトルの光を発光する第３発光材料でパターン形成する第３パターン形成工程と
をさらに含む請求項１に記載の発光デバイスの製造方法。 - 前記第１マスク移動工程において、前記少なくとも１つの第２開口のうちの隣接する２つの第２開口の中心間距離の略１／３の距離だけ、前記第１開口の長手方向に前記マスクを移動させ、
前記第２マスク移動工程において、前記中心間距離の略１／３の距離だけ、前記第１開口の長手方向に前記マスクを移動させる請求項３に記載の発光デバイスの製造方法。 - 前記第１開口の短手方向における前記第１開口の幅と前記少なくとも１つの第２開口の幅との和より長い距離だけ、前記第１開口の短手方向に前記マスクを移動させる第４マスク移動工程と、
前記第４マスク移動工程の後に、前記マスクの前記第１開口および前記少なくとも１つの第２開口を介して、前記第１発光材料で前記基板上にパターン形成する第４パターン形成工程と
をさらに含む請求項１から４のいずれか一項に記載の発光デバイスの製造方法。 - 前記第４パターン形成工程の後に、前記第１開口の長手方向における前記第１開口の幅より短く前記第１開口の長手方向における前記少なくとも１つの第２開口の幅以上の距離だけ、前記第１開口の長手方向に前記マスクを移動させる第５マスク移動工程と、
前記第５マスク移動工程の後に、前記マスクの前記第１開口および前記少なくとも１つの第２開口を介して、前記第２発光材料で前記基板上にパターン形成する第５パターン形成工程と
をさらに含む請求項５に記載の発光デバイスの製造方法。 - 第１電極層および第２電極層と、
前記第１電極層と前記第２電極層との間に配置されている発光材料層と
を備え、
前記発光材料層は、
第１スペクトルの光を発光する第１発光材料で形成されている第１発光層と、
前記第１発光層と略同一の形状であり、前記第１発光層に対して面方向に予め定められた距離ずれて前記第１発光層上から前記第１発光層と同一面内までの範囲に積層されており、前記第１スペクトルとは異なる第２スペクトルの光を発光する第２発光材料で形成されている第２発光層と、
前記第１発光層と同一面内の第１領域に、前記第１発光材料で形成されている第３発光層と、
前記第１発光層と同一面内の第２領域に、前記第２発光材料で形成されている第４発光層と
を有し、
前記第３発光層と前記第４発光層との中心間距離は、前記予め定められた距離である発光デバイス。 - 前記第３発光層および前記第４発光層は、前記第１発光層および前記第２発光層の長手方向に沿って配置されている請求項７に記載の発光デバイス。
- 前記第３発光層および前記第４発光層は、前記第１発光層と前記第２発光層とが重なっている領域に隣接して配置されている請求項８に記載の発光デバイス。
- 前記発光材料層は、前記第１発光層および前記第２発光層と略同一の形状であり、前記第２発光層に対して前記面方向に前記予め定められた距離ずれて前記第２発光層上から前記第１発光層と同一面内までの範囲に積層されており、前記第１スペクトルおよび前記第２スペクトルとは異なる第３スペクトルの光を発光する第３発光材料で形成されている第５発光層をさらに有する請求項７から９のいずれか一項に記載の発光デバイス。
- 前記発光材料層は、前記第１発光層と同一面内の第３領域に、前記第３発光材料で形成されている第６発光層をさらに有する請求項１０に記載の発光デバイス。
- 前記第６発光層は、前記第１発光層、前記第２発光層、および前記第５発光層の長手方向に沿って、前記第３発光層および前記第４発光層と並んで配置されている請求項１１に記載の発光デバイス。
- 前記第６発光層は、前記第１発光層と前記第２発光層と前記第５発光層とが重なっている領域に隣接して配置されている請求項１２に記載の発光デバイス。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012050571 | 2012-03-07 | ||
| JP2012050571 | 2012-03-07 | ||
| PCT/JP2013/000469 WO2013132739A1 (ja) | 2012-03-07 | 2013-01-29 | 発光デバイスの製造方法および発光デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2013132739A1 JPWO2013132739A1 (ja) | 2015-07-30 |
| JP6030118B2 true JP6030118B2 (ja) | 2016-11-24 |
Family
ID=49116235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014503435A Expired - Fee Related JP6030118B2 (ja) | 2012-03-07 | 2013-01-29 | 発光デバイスの製造方法および発光デバイス |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9406841B2 (ja) |
| EP (1) | EP2824995A4 (ja) |
| JP (1) | JP6030118B2 (ja) |
| KR (1) | KR20140141571A (ja) |
| CN (1) | CN104160783B (ja) |
| WO (1) | WO2013132739A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9252375B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-02-02 | LuxVue Technology Corporation | Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test |
| CN103545344B (zh) * | 2013-11-07 | 2015-09-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素结构及其制造方法、发光器件、阵列基板和显示装置 |
| CN115428146A (zh) * | 2020-04-21 | 2022-12-02 | 赫二虚拟现实控股公司 | 包含多个像素和子像素的表面安装器件 |
| KR20220078007A (ko) * | 2020-12-02 | 2022-06-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970007173B1 (ko) * | 1994-07-14 | 1997-05-03 | 현대전자산업 주식회사 | 미세패턴 형성방법 |
| JP2001296819A (ja) * | 2000-04-17 | 2001-10-26 | Nec Corp | 有機薄膜ｅｌデバイス及びその製造方法 |
| US6815723B2 (en) * | 2001-12-28 | 2004-11-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor |
| US6919681B2 (en) * | 2003-04-30 | 2005-07-19 | Eastman Kodak Company | Color OLED display with improved power efficiency |
| JP3794407B2 (ja) * | 2003-11-17 | 2006-07-05 | セイコーエプソン株式会社 | マスク及びマスクの製造方法、表示装置の製造方法、有機ｅｌ表示装置の製造方法、有機ｅｌ装置、及び電子機器 |
| JP4608874B2 (ja) * | 2003-12-02 | 2011-01-12 | ソニー株式会社 | 蒸着マスクおよびその製造方法 |
| JP4441282B2 (ja) * | 2004-02-02 | 2010-03-31 | 富士フイルム株式会社 | 蒸着マスク及び有機ｅｌ表示デバイスの製造方法 |
| JP2006233286A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Seiko Epson Corp | マスク、マスクの製造方法、パターン形成装置、パターン形成方法 |
| TWI281360B (en) * | 2005-08-31 | 2007-05-11 | Univision Technology Inc | Full color organic electroluminescent display device and method for fabricating the same |
| KR100708714B1 (ko) * | 2005-09-30 | 2007-04-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| JP2007234268A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Hitachi Displays Ltd | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2007335186A (ja) * | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Rohm Co Ltd | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
| JP4721460B2 (ja) * | 2007-02-02 | 2011-07-13 | キヤノン株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
| KR100922763B1 (ko) * | 2008-03-13 | 2009-10-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101453877B1 (ko) | 2008-08-04 | 2014-10-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 ｅｌ 소자의 발광층을 증착하는 방법, 상기 증착방법을 포함하는 유기 ｅｌ 소자의 제조 방법, 및 상기제조 방법에 의해 제조된 유기 ｅｌ 소자 |
| JP2010080423A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-04-08 | Fujifilm Corp | カラー表示装置及びその製造方法 |
| US8569744B2 (en) * | 2009-03-30 | 2013-10-29 | Universal Display Corporation | OLED display architecture |
| KR101182442B1 (ko) * | 2010-01-27 | 2012-09-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법 |
| JP5486951B2 (ja) | 2010-02-12 | 2014-05-07 | 株式会社アルバック | 蒸着マスク、蒸着装置、薄膜形成方法 |
| CN101831607A (zh) * | 2010-04-26 | 2010-09-15 | 彩虹显示器件股份有限公司 | 一种oled掩膜板及其应用方法 |
-
2013
- 2013-01-29 JP JP2014503435A patent/JP6030118B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-01-29 KR KR1020147018065A patent/KR20140141571A/ko not_active Application Discontinuation
- 2013-01-29 WO PCT/JP2013/000469 patent/WO2013132739A1/ja active Application Filing
- 2013-01-29 CN CN201380012598.XA patent/CN104160783B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2013-01-29 EP EP13757930.6A patent/EP2824995A4/en not_active Withdrawn
-
2014
- 2014-09-05 US US14/478,874 patent/US9406841B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2013132739A1 (ja) | 2015-07-30 |
| EP2824995A1 (en) | 2015-01-14 |
| KR20140141571A (ko) | 2014-12-10 |
| CN104160783B (zh) | 2016-06-08 |
| WO2013132739A1 (ja) | 2013-09-12 |
| US9406841B2 (en) | 2016-08-02 |
| EP2824995A4 (en) | 2015-10-28 |
| CN104160783A (zh) | 2014-11-19 |
| US20140374781A1 (en) | 2014-12-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
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|
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |