JP6023611B2 - 半導体多層膜反射鏡構造 - Google Patents
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Description
102、202 InzGa1−zAsバッファ層
103、203 InyGa1−yAs擬似基板層
104 AlAs/InxGa1−xAs半導体多層膜反射鏡
204 InAlAs/InGaAs半導体多層膜反射鏡
Claims (2)
- GaAs基板と、
前記GaAs基板上に積層されたIn組成が5から15%の範囲であるInGaAsバッファ層と、
前記InGaAsバッファ層上に積層された、前記InGaAsバッファ層よりIn組成が1から5%低いInGaAs擬似基板層と、
前記InGaAs擬似基板層上に積層され、前記InGaAs擬似基板層と接する層がAlAs層であるAlAs/InGaAs半導体多層膜反射鏡と
を備えたことを特徴とする半導体多層膜反射鏡構造。 - 前記InGaAs擬似基板層は、前記InGaAsバッファ層と格子整合することを特徴とする請求項1に記載の半導体多層膜反射鏡構造。
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