JP6019792B2 - 熱処理装置 - Google Patents
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Description
処理容器内へ導入される不活性ガスを予め加熱するようにしたので、処理容器の下部に粉体や液状の堆積物が付着することを抑制することができる。
また、熱処理の途中でプロセス温度の設定値が変化した場合には、設定値の変化に追従させて制御対象の温度を変化させるように制御するようにしているので、処理容器内の下部に位置されている被処理体が過度に低い温度で、或いは過度に高い温度で熱処理されることがなくなり、処理容器内の全て被処理体の熱履歴を均一化することができる。
4 処理容器
12 排気系
22 ウエハボート(保持手段)
30 保温手段
34 蓋部
42 蓋部ヒータ部
43 第4の温度測定手段
56 加熱手段
56A〜56E 加熱ゾーン
58A〜58E 容器用温度測定手段
59 温度制御部
60 ガス供給系
62 不活性ガス流路
68 不活性ガス加熱部
70 加熱ヒータ
72 第1の温度測定手段
74 温度制御部
76 ガスノズル
80 保温ヒータ部
82 第2の温度測定手段
84 容器下部加熱手段
86 第3の温度測定手段
W 半導体ウエハ(被処理体)
Claims (3)
- 周囲に加熱手段が設けられると共に下端に形成された開口部が開閉可能になされた蓋部により閉じられた縦型の処理容器内にその下方から上方に向けて不活性ガスを流しつつ保持手段に保持された複数枚の被処理体に対して熱処理を施すようにした熱処理装置において、
前記処理容器内へ導入された前記不活性ガスを加熱するために前記処理容器の下端部にはその周方向に沿って容器下部加熱手段が設けられると共に前記容器下部加熱手段には第3の温度測定手段が設けられており、
前記蓋部には蓋部ヒータ部が設けられると共に前記蓋部ヒータ部には第4の温度測定手段が設けられており、
前記不活性ガスを供給するガス供給系は、
前記不活性ガスを流す不活性ガス流路と、
前記不活性ガス流路に設けられて前記不活性ガスを加熱する不活性ガス加熱部と、
前記不活性ガス加熱部に設けられた第1の温度測定手段と、
前記不活性ガス加熱部と前記処理容器との間に位置する前記不活性ガス流路に沿って設けられた保温ヒータ部と、
前記保温ヒータ部に設けられた第2の温度測定手段と、
温度制御部とを有し、
前記温度制御部は、
前記第1の温度測定手段の測定値に基づいて制御対象である前記不活性ガス加熱部を制御し、
前記第2の温度測定手段の測定値に基づいて制御対象である前記保温ヒータ部を制御し、
前記第3の温度測定手段の測定値に基づいて制御対象である前記容器下部加熱手段を制御し、
前記第4の温度測定手段の測定値に基づいて制御対象である前記蓋部ヒータ部を制御し、
前記熱処理の途中でプロセス温度の設定値が変化した場合には、前記設定値の変化に追従させて前記各制御対象の温度をそれぞれ変化させるように制御することを特徴とする熱処理装置。 - 前記温度制御部は、前記加熱手段の温度を制御する主温度制御部と兼用されていることを特徴とする請求項1記載の熱処理装置。
- 前記熱処理は、前記被処理体の表面に形成されているフォトレジストを焼き締める焼き締め処理であることを特徴とする請求項1又は2記載の熱処理装置。
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