JP6011559B2 - 金属皮膜の成膜方法 - Google Patents
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Description
〔第1実施形態〕
図1は、本発明の第1実施形態に係る金属皮膜の成膜方法を好適に行うための成膜装置を示した模式的概念図である。図2は、図1に示す成膜装置の模式的断面図である。
まず、基台21に基材Bを配置し、陽極11に対して基材Bのアライメントを調整し基材Bの温度調整を行う。次に、多孔質体からなる陽極11の表面に固体電解質膜13を配置し、固体電解質膜13を基材Bに接触させる。
第2実施形態が第1実施形態と相違する点は、電源部が通電する電流の波形のみである。したがって、第2実施形態では、第1実施形態と異なる部分のみを説明し、共通する部分の説明は省略する。図7は、第2実施形態に係る成膜方法において、陽極と陰極との間を通電する電流の波形を示した図である。なお、図7に示す電流(電流密度)の正の値は陽極から陰極(基材)に流れた時の値であり、負の値は陰極(基材)から陽極に流れた時の値である。
[実施例1]
<ニッケル溶液の作製>
1.71mol/Lの硫酸ニッケルイオン水溶液58.4mLに2.0mol/Lの酢酸−酢酸ナトリウム緩衝液24.9mlを入れて攪拌した。次に、この液に水を15.3mL加えて攪拌した。さらに、10mol/Lの水酸化ナトリウム水溶液を適量滴下して、ニッケル溶液のpHを5.6に調整した。さらに、pHを調整したニッケル溶液に、水を加えて全量を100mLとした。
上述した図8(a),(b)に示す成膜装置を用いてニッケル皮膜を成膜した。なお、図8(a),(b)に示す成膜装置に部材と、図1および図2において既に説明した成膜装置の部材とのうち、同じ符号は、同じ機能を有するものである。
実施例1と同じように、ニッケル皮膜の成膜を行った。実施例1と相違する点は、電源部14により、陽極11から陰極となる基材Bの間に図9(b)に示すように、第2実施形態に想到するパルス電流を流した点である。具体的には、50mA/cm2で1秒間の通電期間、−50mA/cm2で0.1秒間、7.9秒間の非通電期間を1回(サイクル)として、67回これを繰り返した。実施例2では、平均電流密度5mA/cm2、積算電流量3A・秒となる。
実施例1と同じように、ニッケル皮膜の成膜を行った。実施例1と相違する点は、電源部14により、陽極11から陰極となる基材Bの間に図9(c)に示すように、5mA/cm2で600秒間連続して通電した点である。比較例1では、平均電流密度5mA/cm2、積算電流量3A・秒となる。
実施例1と同じように、ニッケル皮膜の成膜を行った。実施例1と相違する点は、電源部14により、陽極11から陰極となる基材Bの間に、図9(d)に示すように、50mA/cm2で60秒間連続して通電した点である。比較例2では、平均電流密度50mA/cm2、積算電流量3A・秒となる。
実施例1、2および比較例1、2に係るニッケル皮膜をマイクロスコープで観察し、成膜領域からのはみ出し量(長さ)を測定した。この結果を表1に示す。
実施例1、2および比較例1、2に係るニッケル皮膜の膜厚を測定し、膜厚から成膜速度を算出した。(1−算出した成膜速度/理論上の成膜速度×100)を成膜速度の速度低下率として算出した。この結果を表1に示す。
表1からも明らかなように、実施例1および2の如く、パルス電流を用いて成膜した場合、比較例1、2の低電流を用いた場合に比べて、はみ出し量が減少したといえ、パターン性が向上したといえる。このようにはみ出し量が減少したことにより、実施例1および2の成膜速度低下率は、比較例1、2に比べて小さくなった、すなわち、成膜速度が上昇するといえる。
Claims (1)
- 陽極と陰極となる基材との間に固体電解質膜を配置し、該固体電解質膜の前記陽極側に金属イオンを含む溶液を接触させ、前記固体電解質膜を前記基材に接触させた状態で、前記陽極から前記陰極に電流を流して前記固体電解質膜の内部に含有された金属イオンから金属を前記基材の表面に析出することにより、前記金属からなる金属皮膜を前記基材の表面に成膜する金属皮膜の成膜方法であって、
前記陽極から前記陰極に電流を流す通電期間と、前記陽極と前記陰極との間に電流を通電しない非通電期間とを繰り返すことにより、前記金属皮膜の成膜を行い、
前記通電期間と前記非通電期間とからなる電流波形を、矩形状の電流波形により形成し、
前記通電期間から前記非通電期間に移行する際に、前記陰極から前記陽極に前記通電期間よりも短い通電期間となる電流を通電した後、前記非通電期間に移行することを特徴とする金属皮膜の成膜方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014026635A JP6011559B2 (ja) | 2014-02-14 | 2014-02-14 | 金属皮膜の成膜方法 |
CN201580008394.8A CN105992839B (zh) | 2014-02-14 | 2015-02-09 | 形成金属涂层的方法 |
EP15708571.3A EP3105369B1 (en) | 2014-02-14 | 2015-02-09 | Method of forming metal coating |
PCT/IB2015/000119 WO2015121727A1 (en) | 2014-02-14 | 2015-02-09 | Method of forming metal coating |
US15/118,327 US10301735B2 (en) | 2014-02-14 | 2015-02-09 | Method of forming metal coating |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014026635A JP6011559B2 (ja) | 2014-02-14 | 2014-02-14 | 金属皮膜の成膜方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015151578A JP2015151578A (ja) | 2015-08-24 |
JP6011559B2 true JP6011559B2 (ja) | 2016-10-19 |
Family
ID=52630411
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014026635A Active JP6011559B2 (ja) | 2014-02-14 | 2014-02-14 | 金属皮膜の成膜方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10301735B2 (ja) |
EP (1) | EP3105369B1 (ja) |
JP (1) | JP6011559B2 (ja) |
CN (1) | CN105992839B (ja) |
WO (1) | WO2015121727A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6550585B2 (ja) * | 2016-01-29 | 2019-07-31 | トヨタ自動車株式会社 | 銅皮膜の成膜方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH634881A5 (de) * | 1978-04-14 | 1983-02-28 | Bbc Brown Boveri & Cie | Verfahren zum elektrolytischen abscheiden von metallen. |
JPH01165786A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-06-29 | Hitachi Cable Ltd | 固相めっき方法 |
US6368965B1 (en) * | 1999-03-26 | 2002-04-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for low stress plating of semiconductor vias and channels |
JP3939124B2 (ja) * | 2001-10-15 | 2007-07-04 | 株式会社荏原製作所 | 配線形成方法 |
CN101065520A (zh) * | 2004-11-30 | 2007-10-31 | 纳幕尔杜邦公司 | 导电表面的膜限制性选择电镀 |
US7998323B1 (en) * | 2006-06-07 | 2011-08-16 | Actus Potentia, Inc. | Apparatus for focused electric-field imprinting for micron and sub-micron patterns on wavy or planar surfaces |
US20080217182A1 (en) * | 2007-03-08 | 2008-09-11 | E. I. Dupont De Nemours And Company | Electroplating process |
JP2010037622A (ja) | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Nippon Mining & Metals Co Ltd | 無電解置換めっきにより銅薄膜を形成しためっき物 |
JP5708182B2 (ja) | 2011-04-13 | 2015-04-30 | トヨタ自動車株式会社 | 固体電解質膜を用いた金属膜形成方法 |
KR101623677B1 (ko) * | 2012-02-23 | 2016-05-23 | 도요타 지도샤(주) | 금속 피막의 성막 장치 및 성막 방법 |
-
2014
- 2014-02-14 JP JP2014026635A patent/JP6011559B2/ja active Active
-
2015
- 2015-02-09 US US15/118,327 patent/US10301735B2/en active Active
- 2015-02-09 EP EP15708571.3A patent/EP3105369B1/en active Active
- 2015-02-09 WO PCT/IB2015/000119 patent/WO2015121727A1/en active Application Filing
- 2015-02-09 CN CN201580008394.8A patent/CN105992839B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3105369A1 (en) | 2016-12-21 |
WO2015121727A1 (en) | 2015-08-20 |
EP3105369B1 (en) | 2019-03-27 |
US20170175281A1 (en) | 2017-06-22 |
JP2015151578A (ja) | 2015-08-24 |
CN105992839B (zh) | 2017-12-22 |
US10301735B2 (en) | 2019-05-28 |
CN105992839A (zh) | 2016-10-05 |
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