JP6010305B2 - 誘導結合プラズマ用アンテナユニット、誘導結合プラズマ処理装置および誘導結合プラズマ処理方法 - Google Patents
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Description
<第1の実施形態>
図1は本発明の第1の実施形態に係る誘導結合プラズマ処理装置を示す断面図、図2はこの誘導結合プラズマ処理装置に用いられるアンテナユニットを示す平面図である。この装置は、例えばFPD用ガラス基板上に薄膜トランジスターを形成する際のメタル膜、ITO膜、酸化膜等のエッチングや、レジスト膜のアッシング処理に用いられる。FPDとしては、液晶ディスプレイ(LCD)、エレクトロルミネセンス(Electro Luminescence;EL)ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル(PDP)等が例示される。
アンテナユニット50は、上述したように高周波アンテナ13を有しており、さらに、整合器14を経た高周波電力を高周波アンテナ13に給電する給電部51を有する。
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。
図12は本発明の第2の実施形態のアンテナユニットに用いる高周波アンテナを構成するアンテナを示す平面図である。
上記第1の実施形態では、外側アンテナ131として、複数の縦巻螺旋状のアンテナセグメントを、その下面の平面部がプラズマ生成に寄与する誘導電界を生成する額縁状領域141を形成するように環状に配置した、多分割渦巻き状の環状アンテナとし、さらに環状アンテナである中間アンテナ132および内側アンテナ133を同心状に配置した高周波アンテナ13を有するアンテナユニット50を用いた例を示したが、本実施形態では、図12に示すように、平行アンテナ181のみで高周波アンテナを構成している。すなわち、平行アンテナ181は、プラズマ生成に寄与する誘導電界を生成し、かつ誘電体壁2に面して基板Gに対向するように形成された矩形状平面領域182を有し、これら矩形状領域182を格子状のプラズマ制御領域に分け、これら領域のそれぞれに矩形状領域182の一部を構成するアンテナセグメント183を配置し、矩形状領域182においてアンテナ線が全て平行になるように、多分割平行アンテナとして構成されている。
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。
図14は本発明の第3の実施形態に係る誘導結合プラズマ処理装置を示す断面図である。
本実施形態では、第1の実施形態に係る誘導結合プラズマ処理装置の誘電体壁(誘電体窓)2の代わりに、非磁性の金属、例えばアルミニウムまたはアルミニウム合金で構成された金属壁(金属窓)202が設けられている。他の構成は、基本的に第1の実施形態と同様に構成されている。そのため、図14では図1と同じものには同じ符号を付して説明を省略する。
2;誘電体壁(誘電体部材)
3;アンテナ室
4;処理室
13;高周波アンテナ
14;整合器
15;高周波電源
19;給電線
20;処理ガス供給系
23;載置台
30;排気装置
50;アンテナユニット
51;給電部
52;分岐ライン
53;可変コンデンサ
61;第1のアンテナセグメント
62,72,81,82,83,84,91,92,93,94,151,184;アンテナ線
63,73,185;平面部
71;第2のアンテナセグメント
100;制御部
101;ユーザーインターフェース
102;記憶部
131;外側アンテナ
132;中間アンテナ
133;内側アンテナ
181;直線状アンテナ
182;矩形状領域
183;アンテナセグメント
202;金属壁
202a〜202d;分割壁
203;絶縁部材
G;基板
Claims (10)
- プラズマ処理装置の処理室内において基板をプラズマ処理する誘導結合プラズマを生成するためのアンテナを有する誘導結合プラズマ用アンテナユニットであって、
前記アンテナは、前記基板に対向して形成された、前記誘導結合プラズマの生成に寄与する誘導電界を生成する平面領域を有し、かつ、前記平面領域の一部を形成する平面部を有する複数のアンテナセグメントを、前記平面領域が全体として環状アンテナとして構成されるように配置してなり、前記アンテナセグメントは、アンテナ線を前記基板の表面に直交する方向である縦方向が巻回方向となる縦巻きで、かつ巻回軸が前記基板の表面と平行になるような螺旋状に巻回して構成され、
前記複数のアンテナセグメントは、前記平面領域が全体として環状アンテナとして構成されるように配置されることにより、多分割環状アンテナを構成し、
前記基板は矩形状をなし、前記多分割環状アンテナは、前記矩形状の基板に対応した額縁状をなし、前記複数のアンテナセグメントの一部は複数の角要素であり、前記複数のアンテナセグメントの他の一部は複数の辺要素であることを特徴とする誘導結合プラズマ用アンテナユニット。 - 前記複数のアンテナセグメントのそれぞれに、個別的に電流が流され、前記平面領域全体として環状の電流が流れるように高周波電力が供給されることを特徴とする請求項1に記載の誘導結合プラズマ用アンテナユニット。
- 前記多分割環状アンテナの他に、1または2以上の他の環状アンテナを同心状に配置してなることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の誘導結合プラズマ用アンテナユニット。
- 前記他の環状アンテナは、単一の渦巻き状アンテナであることを特徴とする請求項3に記載の誘導結合プラズマ用アンテナユニット。
- 前記複数のアンテナセグメントのそれぞれに流れる電流を制御する手段をさらに有することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の誘導結合プラズマ用アンテナユニット。
- 基板に誘導結合プラズマ処理を施す誘導結合プラズマ処理装置であって、
処理容器と、
前記処理容器内において基板に処理を施す処理室を区画し、前記処理室の天壁となる誘電体壁と、
前記処理室内で基板が載置される載置台と、前記誘電体壁の上方に設けられ、前記処理室内に誘導結合プラズマを生成するためのアンテナを有するアンテナユニットと、
前記アンテナに高周波電力を供給する高周波電力供給手段と
を具備し、
前記アンテナは、
前記誘電体壁の上面に面しかつ前記基板に対向して形成された、前記誘導結合プラズマの生成に寄与する誘導電界を生成する平面領域を有し、かつ、前記平面領域の一部を形成する平面部を有する複数のアンテナセグメントを、前記平面領域が全体として環状アンテナとして構成されるように配置してなり、前記アンテナセグメントは、アンテナ線を前記基板の表面に直交する方向である縦方向が巻回方向となる縦巻きで、かつ巻回軸が前記基板の表面と平行になるような螺旋状に巻回して構成され、
前記複数のアンテナセグメントは、前記平面領域が全体として環状アンテナとして構成されるように配置されることにより、多分割環状アンテナを構成し、
前記基板は矩形状をなし、前記多分割環状アンテナは、前記矩形状の基板に対応した額縁状をなし、前記複数のアンテナセグメントの一部は複数の角要素であり、前記複数のアンテナセグメントの他の一部は複数の辺要素であることを特徴とする誘導結合プラズマ処理装置。 - 基板に誘導結合プラズマ処理を施す誘導結合プラズマ処理装置であって、
処理容器と、
前記処理容器内において基板に処理を施す処理室を区画し、前記処理室の天壁となり、前記処理容器とは絶縁された金属壁と、
前記処理室内で基板が載置される載置台と、
前記金属壁の上方に設けられ、前記処理室内に誘導結合プラズマを生成するためのアンテナを有するアンテナユニットと、
前記アンテナに高周波電力を供給する高周波電力供給手段と
を具備し、
前記アンテナは、
前記金属壁の上面に面しかつ前記基板に対向して形成された、前記誘導結合プラズマの生成に寄与する誘導電界を生成する平面領域を有し、かつ、前記平面領域の一部を形成する平面部を有する複数のアンテナセグメントを、前記平面領域が全体として環状アンテナとして構成されるように配置してなり、前記アンテナセグメントは、アンテナ線を前記基板の表面に直交する方向である縦方向が巻回方向となる縦巻きで、かつ巻回軸が前記基板の表面と平行になるような螺旋状に巻回して構成され、
前記複数のアンテナセグメントは、前記平面領域が全体として環状アンテナとして構成されるように配置されることにより、多分割環状アンテナを構成し、
前記基板は矩形状をなし、前記多分割環状アンテナは、前記矩形状の基板に対応した額縁状をなし、前記複数のアンテナセグメントの一部は複数の角要素であり、前記複数のアンテナセグメントの他の一部は複数の辺要素であることを特徴とする誘導結合プラズマ処理装置。 - 前記金属壁はアルミニウムまたはアルミニウム合金からなることを特徴とする請求項7に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
- 前記金属壁は、複数の分割壁が互いに絶縁された状態で格子状に配置されて構成されていることを特徴とする請求項7または請求項8に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
- 基板を収容してプラズマ処理を施す処理室と、
前記処理室内で基板が載置される載置台と、
前記処理室内に誘導結合プラズマを生成するためのアンテナを有するアンテナユニットと、
前記アンテナに高周波電力を供給する高周波電力供給手段と
を具備し、
前記アンテナは、前記基板に対向して形成された、前記誘導結合プラズマの生成に寄与する誘導電界を生成する平面領域を有し、かつ、前記平面領域の一部を形成する平面部を有する複数のアンテナセグメントを、前記平面領域が構成されるように配置してなり、前記アンテナセグメントは、アンテナ線を前記基板の表面に直交する方向である縦方向が巻回方向となる縦巻きで、かつ巻回軸が前記基板の表面と平行になるような螺旋状に巻回して構成され、
前記複数のアンテナセグメントは、前記平面領域が全体として環状アンテナとして構成されるように配置されることにより、多分割環状アンテナを構成し、
前記基板は矩形状をなし、前記多分割環状アンテナは、前記矩形状の基板に対応した額縁状をなし、前記複数のアンテナセグメントの一部は複数の角要素であり、前記複数のアンテナセグメントの他の一部は複数の辺要素である誘導結合プラズマ処理装置を用いて、基板に誘導結合プラズマ処理を施す誘導結合プラズマ処理方法であって、
前記複数のアンテナセグメントは、それらの前記平面部が前記平面領域を環状に形成するように配置され、前記複数のアンテナセグメントは、前記平面領域全体として環状の電流が流れるように、それぞれ個別的に電流が流されることを特徴とする誘導結合プラズマ処理方法。
Priority Applications (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012024312A JP6010305B2 (ja) | 2012-02-07 | 2012-02-07 | 誘導結合プラズマ用アンテナユニット、誘導結合プラズマ処理装置および誘導結合プラズマ処理方法 |
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KR1020130011340A KR101798493B1 (ko) | 2012-02-07 | 2013-01-31 | 유도 결합 플라즈마용 안테나 유닛, 유도 결합 플라즈마 처리 장치 및 유도 결합 플라즈마 처리 방법 |
US13/758,622 US20130200043A1 (en) | 2012-02-07 | 2013-02-04 | Antenna unit for inductively coupled plasma, inductively coupled plasma processing apparatus and method therefor |
CN201310049788.0A CN103249242B (zh) | 2012-02-07 | 2013-02-07 | 感应耦合等离子体用天线部件、处理装置以及处理方法 |
KR1020170149421A KR101956478B1 (ko) | 2012-02-07 | 2017-11-10 | 유도 결합 플라즈마용 안테나 유닛, 유도 결합 플라즈마 처리 장치 및 유도 결합 플라즈마 처리 방법 |
KR1020190024108A KR20190024946A (ko) | 2012-02-07 | 2019-02-28 | 유도 결합 플라즈마용 안테나 유닛, 유도 결합 플라즈마 처리 장치 및 유도 결합 플라즈마 처리 방법 |
KR1020200079793A KR102326921B1 (ko) | 2012-02-07 | 2020-06-30 | 유도 결합 플라즈마용 안테나 유닛, 유도 결합 플라즈마 처리 장치 및 유도 결합 플라즈마 처리 방법 |
KR1020210153650A KR102508029B1 (ko) | 2012-02-07 | 2021-11-10 | 유도 결합 플라즈마용 안테나 유닛, 유도 결합 플라즈마 처리 장치 및 유도 결합 플라즈마 처리 방법 |
US18/142,066 US20230268160A1 (en) | 2012-02-07 | 2023-05-02 | Antenna unit for inductively coupled plasma, inductively coupled plasma processing apparatus and method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012024312A JP6010305B2 (ja) | 2012-02-07 | 2012-02-07 | 誘導結合プラズマ用アンテナユニット、誘導結合プラズマ処理装置および誘導結合プラズマ処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013162035A JP2013162035A (ja) | 2013-08-19 |
JP6010305B2 true JP6010305B2 (ja) | 2016-10-19 |
Family
ID=48901990
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012024312A Active JP6010305B2 (ja) | 2012-02-07 | 2012-02-07 | 誘導結合プラズマ用アンテナユニット、誘導結合プラズマ処理装置および誘導結合プラズマ処理方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20130200043A1 (ja) |
JP (1) | JP6010305B2 (ja) |
KR (5) | KR101798493B1 (ja) |
CN (1) | CN103249242B (ja) |
TW (1) | TWI594668B (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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KR102596402B1 (ko) | 2016-04-22 | 2023-10-31 | 기꼬만 가부시키가이샤 | HbA1c 디히드로게나아제 |
KR101798373B1 (ko) | 2016-05-03 | 2017-11-17 | (주)브이앤아이솔루션 | 유도결합 플라즈마 처리장치의 유전체창 지지구조 |
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KR101866214B1 (ko) * | 2016-12-29 | 2018-06-12 | 인베니아 주식회사 | 플라즈마 발생용 안테나 구조체 |
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JP5479867B2 (ja) * | 2009-01-14 | 2014-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 誘導結合プラズマ処理装置 |
JP5155235B2 (ja) * | 2009-01-15 | 2013-03-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ生成装置 |
JP5391209B2 (ja) * | 2009-01-15 | 2014-01-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP5231308B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2013-07-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
KR101062461B1 (ko) * | 2009-05-29 | 2011-09-05 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 유도결합형 플라즈마 발생장치의 안테나 및 이를 포함하는 유도결합형 플라즈마 발생장치 |
US20140175055A1 (en) * | 2012-12-21 | 2014-06-26 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Adjustable coil for inductively coupled plasma |
-
2012
- 2012-02-07 JP JP2012024312A patent/JP6010305B2/ja active Active
-
2013
- 2013-01-28 TW TW102103124A patent/TWI594668B/zh active
- 2013-01-31 KR KR1020130011340A patent/KR101798493B1/ko active IP Right Grant
- 2013-02-04 US US13/758,622 patent/US20130200043A1/en not_active Abandoned
- 2013-02-07 CN CN201310049788.0A patent/CN103249242B/zh active Active
-
2017
- 2017-11-10 KR KR1020170149421A patent/KR101956478B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-02-28 KR KR1020190024108A patent/KR20190024946A/ko not_active IP Right Cessation
-
2020
- 2020-06-30 KR KR1020200079793A patent/KR102326921B1/ko active IP Right Grant
-
2021
- 2021-11-10 KR KR1020210153650A patent/KR102508029B1/ko active IP Right Grant
-
2023
- 2023-05-02 US US18/142,066 patent/US20230268160A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103249242A (zh) | 2013-08-14 |
KR101956478B1 (ko) | 2019-03-08 |
KR20170127397A (ko) | 2017-11-21 |
TWI594668B (zh) | 2017-08-01 |
KR20130091265A (ko) | 2013-08-16 |
JP2013162035A (ja) | 2013-08-19 |
KR20210138532A (ko) | 2021-11-19 |
KR102508029B1 (ko) | 2023-03-10 |
KR101798493B1 (ko) | 2017-11-16 |
KR102326921B1 (ko) | 2021-11-17 |
CN103249242B (zh) | 2016-12-07 |
TW201345323A (zh) | 2013-11-01 |
KR20200084832A (ko) | 2020-07-13 |
KR20190024946A (ko) | 2019-03-08 |
US20130200043A1 (en) | 2013-08-08 |
US20230268160A1 (en) | 2023-08-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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