JP5980717B2 - エッチング液、これを用いたエッチング方法、エッチング液のキット、および半導体基板製品の製造方法 - Google Patents
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
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Description
〔1〕シリサイド層の上側に配置された金属層を除去するエッチング液であって、
塩酸と硝酸とスルホン酸化合物とヘテロ原子を含む化合物からなる金属防食剤と水とを含有し、
金属防食剤は、これを含有する薬液と、これを含まない薬液の下記ニッケル溶解度比が20%以上であるエッチング液。
(ニッケル溶解度:ニッケル粉末をエッチング液に添加して10分間60℃で処理する。そのろ液中に含まれるニッケルの溶解濃度。)
ニッケル溶解度比(%)
={1−Sb/Sa}×100
Sa:防食剤を含まないニッケル溶解度
Sb:防食剤を含むニッケル溶解度
〔2〕金属防食剤がカルボン酸化合物、アゾール化合物、およびベタイン化合物から選ばれる〔1〕に記載のエッチング液。
〔3〕カルボン酸化合物がポリカルボン酸化合物である〔2〕に記載のエッチング液。
〔4〕アゾール化合物がチアゾール化合物である〔2〕に記載のエッチング液。
〔5〕ベタイン化合物が、第四級アンモニウム基とカルボキシル基またはスルホン酸基とを分子内に持つ化合物である〔2〕に記載のエッチング液。
〔6〕スルホン酸化合物がメタンスルホン酸またはトルエンスルホン酸である〔1〕〜〔5〕のいずれか1項に記載のエッチング液。
〔7〕シリサイド層が、NiPtシリサイドまたはNiPtGeシリサイドである〔1〕〜〔6〕のいずれか1項に記載のエッチング液。
〔8〕金属層がNi、Ptまたはこれらの組合せを含有する〔1〕〜〔7〕のいずれか1項に記載のエッチング液。
〔9〕塩酸を0.01質量%以上0.5質量%以下で含有する〔1〕〜〔8〕のいずれか1項に記載のエッチング液。
〔10〕硝酸を0.1質量%以上20質量%以下で含有する〔1〕〜〔9〕のいずれか1項に記載のエッチング液。
〔11〕スルホン酸化合物を25質量%以上95質量%以下で含有する〔1〕〜〔10〕のいずれか1項に記載のエッチング液。
〔12〕金属防食剤を0.01質量%以上5質量%以下で含有する〔1〕〜〔11〕のいずれか1項に記載のエッチング液。
〔13〕エッチング液によりシリサイド層の上側に配置された未反応金属層を除去するエッチング方法であって、エッチング液が、塩酸と硝酸とスルホン酸化合物とヘテロ原子を含む化合物からなる金属防食剤と水とを含有し、金属防食剤は、これを含有する薬液と、これ含まない薬液の下記ニッケル溶解度比が20%以上であるエッチング方法。
(ニッケル溶解度:ニッケル粉末をエッチング液に添加して10分間60℃で処理する。そのろ液中に含まれるニッケルの溶解濃度。)
ニッケル溶解度比(%)
={防食剤を含むニッケル溶解度/防食剤を含まないニッケル溶解度}×100
〔14〕金属防食剤がカルボン酸化合物、アゾール化合物、およびベタイン化合物から選ばれる〔13〕に記載のエッチング方法。
〔15〕シリサイド層が、NiPtシリサイドまたはNiPtGeシリサイドである〔13〕または〔14〕に記載のエッチング方法。
〔16〕金属防食剤を0.05質量%以上10質量%以下で含有する〔13〕〜〔15〕のいずれか1項に記載のエッチング方法。
〔17〕シリサイド層の上側に配置された金属層を除去するエッチング液のキットであって、
塩酸および水を含む第1液と硝酸および水を含む第2液とを有し、
第1液、第2液、および必要により採用されるそれ以外の第3液の少なくともいずれかが、スルホン酸化合物とヘテロ原子を含む化合物からなる金属防食剤とをそれぞれまたは両者をともに含有し、金属防食剤は、これを含有する薬液のニッケル溶解度と、これ含まない薬液の下記ニッケル溶解度比が20%以上であるエッチング液のキット。
(ニッケル溶解度:ニッケル粉末をエッチング液に添加して10分間60℃で処理する。そのろ液中に含まれるニッケルの溶解濃度。)
ニッケル溶解度比(%)
={1−Sb/Sa}×100
Sa:防食剤を含まないニッケル溶解度
Sb:防食剤を含むニッケル溶解度
〔18〕シリコンウエハ上側にシリコン層と金属層とをその順に形成した半導体基板とする工程と、前記半導体基板をアニールする工程と、当該半導体基板に請求項1〜12のいずれか1項に記載のエッチング液を付与し、当該エッチング液と前記金属層とを接触させ、当該金属層を選択的に除去する工程とを有する半導体基板製品の製造方法。
図1はエッチング前後の半導体基板を示した図である。本実施形態の製造例においては、シリコン層2の上面に金属層1が配置されている。シリコン層としてはソース電極、ドレイン電極を構成するSiGeエピタキシャル層が適用されている。本発明においては、SiGeエピタキシャル層であることが、そのエッチング液の顕著な効果が発揮されるため好ましい。
(Ge濃度)
ゲルマニウム(Ge)を含む第一層の基盤をエッチングESCA(アルバックファイ製 Quantera)にて0〜30nmまでの深さ方向を分析し、3〜15nm分析結果におけるGe濃度の平均値をGe濃度(質量%)とする。
図2は、MOSトランジスタの製造例を示す工程図である。(A)はMOSトランジスタ構造の形成工程、(B)は金属膜のスパッタ工程、(C)は1回目のアニール工程、(D)は金属膜の選択除去工程、(E)は2回目のアニール工程である。
図に示すように、シリコン基板21の表面に形成されたゲート絶縁膜22を介してゲート電極23が形成されている。シリコン基板21のゲート電極23の両側にエクステンション領域が別途形成されていてもよい。本実施形態では、ゲート電極23の上側に、NiPt層との接触を防ぐ保護層24が形成されている。さらに、シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜からなるサイドウォール25が形成され、イオン注入によりソース領域26及びドレイン領域27が形成されている。
次いで、図に示すように、NiPt膜28が形成され、急速アニール処理が施される。これによって、NiPt膜28中の元素をシリコン基板中に拡散させてシリサイド化させる。この結果、ソース電極26及びドレイン電極27の上部がシリサイド化されて、NiPtGeSiソース電極部26A及びNiPtGeSiドレイン電極部27Aが形成される。このとき、必要により、図2(E)に示したように2回目のアニールをすることにより電極部材を所望の状態に変化させることができる。前記1回目と2回目のアニール温度は特に限定されないが、例えば、400〜1100℃で行うことができる。
次に、本発明のエッチング液の好ましい実施形態について説明する。本実施形態のエッチング液は塩酸と硝酸とスルホン酸化合物と金属防食剤と水とを含有する。以下、任意のものを含め、各成分について説明する。
本発明に係るエッチング液には塩酸が含まれる。その濃度は、エッチング液中、0.01質量%以上であることが好ましく、0.02質量%以上がより好ましく、0.03質量%以上含有させることが特に好ましい。上限としては、0.5質量%以下が好ましく、0.1質量%以下がより好ましく、0.05質量%以下が特に好ましい。上記上限値以下とすることで、シリサイド層の過度の損傷を防ぐ点で好ましい。特に、ニッケルの溶解には塩酸(塩素イオン)が寄与するので、この量を制限することが好ましい。一方、上記下限値以上とすることが、十分な速度で金属層をエッチングする観点で好ましい。エッチング液の成分の同定に関しては、塩酸として確認される必要まではなく、水溶液中で塩素イオン(Cl−)が同定されることにより、その存在および量が把握されるものである。
本発明においては、第7族の元素の酸として塩酸のみを含むことが好ましく、逆にシュウ酸を含まないことが好ましい。なお、ゲルマニウムを含むシリサイド層においては、塩化ニトロシル(NOCl)が関与しているものと解される。
本発明に係るエッチング液には硝酸が含まれる。その濃度は、エッチング液中、0.1質量%以上であることが好ましく、1質量%以上がより好ましく、2質量%以上含有させることが特に好ましい。上限としては、20質量%以下が好ましく、5質量%以下がより好ましく、3質量%以下が特に好ましい。上記上限値以下とすることで、シリサイド層の過度の損傷を防ぐ点で好ましい。一方、上記下限値以上とすることが、十分な速度で金属層をエッチングする観点で好ましい。なお、エッチング液の成分の同定に関しては、硝酸として確認される必要まではなく、水溶液中で硝酸イオン(NO3 −)が同定されることにより、その存在および量が把握されるものである。
本発明に係るエッチング液にはスルホン酸化合物が含まれる。このスルホン酸化合物はその作用からスルホン酸化合物(A)とスルホン酸化合物(B)とに大別される。
スルホン酸化合物(A)は金属層をエッチングする作用をもたらす物質であり、メタンスルホン酸が挙げられる。
スルホン酸化合物(A)の濃度は、エッチング液中、25質量%以上であることが好ましく、50質量%以上がより好ましく、60質量%以上含有させることが特に好ましい。上限としては、95質量%以下が好ましく、80質量%以下がより好ましく、70質量%以下が特に好ましい。
スルホン酸化合物(B)はNiPtシリサイドを酸化抑制する作用をもたらす物質であり、任意の添加剤である。スルホン酸化合物は、後記金属防食剤(必須成分)には含めない。スルホン酸化合物(B)としては、下記式(1)で表される化合物が好ましい。
nは0〜5の整数である。mは1〜6の整数である。
Rは、なかでも、少なくともSO3H基に対して4位に置換基を有することが好ましく、パラトルエンスルホン酸化合物であることがより好ましく、パラトルエンスルホン酸であることが特に好ましい。
スルホン酸化合物(B)の濃度は、エッチング液中、任意成分であり含まれなくてもよいが、適用する場合には、0質量%超であることが好ましく、0.5質量%以上がより好ましく、1質量%以上含有させることが特に好ましい。上限としては、10質量%以下が好ましく、5質量%以下がより好ましく、3質量%以下が特に好ましい。
本発明に係るエッチング液には金属防食剤が含まれる。この金属防食剤は、卑な金属の防食性を有するものであり、ヘテロ原子(好ましくは窒素原子、酸素原子、または硫黄原子)を含む化合物からなる。具体的には実施例で採用した測定方法により測定したニッケル粉末溶解度の比(ニッケル溶解度比)で20質量%以上を示す化合物である。ニッケル溶解度比は、さらに25%以上であることが好ましく、30%以上であることがより好ましく、35%以上であることがさらに好ましく、40%以上であることが特に好ましい。上限は特に限定されないが、70%以下であることが実際的である。
前記カルボン酸化合物はポリカルボン酸化合物であることが好ましい。特に、ジカルボン酸化合物、トリカルボン酸化合物、テトラカルボン酸化合物が好ましい。具体的には、マロン酸、シュウ酸、クエン酸、酒石酸、フタル酸、グルタル酸が好ましい。その中でも特にマロン酸、シュウ酸、クエン酸が好ましい。
前記アゾール化合物はチアゾール化合物であることが好ましい。チアゾール化合物はさらに置換基を有していてもよく、当該置換基としては、アルキル基(炭素数1〜12が好ましく、1〜6がより好ましく、1〜3が特に好ましい)、アルケニル基(炭素数6〜22が好ましく、6〜14がより好ましい)、アルキニル基(炭素数6〜22が好ましく、6〜14がより好ましい)、アルコキシ基(炭素数1〜12が好ましく、1〜6がより好ましく、1〜3が特に好ましい)、アシル基(炭素数1〜12が好ましく、1〜6がより好ましく、1〜3が特に好ましい)、アミノ基(炭素数0〜6が好ましく、0〜3がより好ましい)、Cl、Br、F、OH、NO2、SO3H、CO2Hが挙げられる。
前記ベタイン化合物は酸性基と塩基性基を分子内にもつ化合物であり、第四級アンモニウム基とカルボキシル基又はスルホン酸基とを分子内にもつ化合物であることが好ましい。ベタイン化合物の炭素数は特に限定されないが、炭素数1以上24以下が好ましく、1以上16以下がより好ましく、1以上8以下が特に好ましい。具体的には、ベタイン[N(CH3)3 +−CH2−COO−]またはスルホベタイン[N(CH3)3 +−CH2−SO3 −]が好ましい。
本発明のエッチング液には、その媒体として水(水媒体)が適用される。水(水媒体)としては、本発明の効果を損ねない範囲で溶解成分を含む水性媒体であってもよく、あるいは不可避的な微量混合成分を含んでいてもよい。なかでも、蒸留水やイオン交換水、あるいは超純水といった浄化処理を施された水が好ましく、半導体製造に使用される超純水を用いることが特に好ましい。
本発明においては、エッチング液のpHを3以下とすることが好ましく、2以下とすることがより好ましく、1以下とすることが特に好ましい。上記上限値以下とすることがNiPt膜の十分なエッチング速度を確保する観点で好ましい。
本発明におけるエッチング液は、その原料を複数に分割したキットとしてもよい。例えば、第1液として前記塩酸を水に含有する液組成物を準備し、第2液として前記硝酸を水媒体に含有する液組成物を準備する態様が挙げられる。このときその他の必須成分である、スルホン酸化合物や金属防食剤はそれぞれ別にあるいはともに第1液、第2液、またはその他の第3液に含有させておく。なかでも、スルホン酸化合物(B)を第2液に含有させ、金属防食剤を第1液に含有させることが好ましい。スルホン酸化合物(A)は第1液及び第2液の両液に含有させることが好ましい。
その使用例としては、両液を混合してエッチング液を調液し、その後適時に前記エッチング処理に適用する態様が好ましい。このようにすることで、各成分の分解による液性能の劣化を招かずにすみ、所望のエッチング作用を効果的に発揮させることができる。ここで、混合後「適時」とは、混合ののち所望の作用を失うまでの時期を指し、具体的には60分以内であることが好ましく、30分以内であることがより好ましく、10分以内であることがさらに好ましく、1分以内であることが特に好ましい。下限は特にないが、1秒以上であることが実際的である。
なお、本発明のエッチング液は、その使用用途に鑑み、液中の不純物、例えば金属分などは少ないことが好ましい。
本発明のエッチング液は、(キットであるか否かに関わらず)対腐食性等が問題とならない限り、任意の容器に充填して保管、運搬、そして使用することができる。また、半導体用途向けに、容器のクリーン度が高く、不純物の溶出が少ないものが好ましい。使用可能な容器としては、アイセロ化学(株)製の「クリーンボトル」シリーズ、コダマ樹脂工業(株)製の「ピュアボトル」などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
本発明のエッチング方法においては、枚葉式装置を用いることが好ましい。具体的に枚葉式装置は、処理槽を有し、該処理槽で前記半導体基板を搬送もしくは回転させ、その処理槽内に前記エッチング液を付与して、当該半導体基板に前記エッチング液を接触させるものであることが好ましい。
枚葉式装置のメリットとしては、(i)常に新鮮なエッチング液が供給されるので、再現性がよい、(ii)面内均一性が高いといったことが挙げられる。さらに、エッチング液を複数に分けたキットを利用しやすく、例えば、前記第1液と第2液をインラインで混合し、吐出する方法が好適に採用される。このとき、前記の第1液と第2液とを共に温度調節するか、どちらか一方だけ温調し、インラインで混合して吐出する方法が好ましい。なかでも、共に温調する実施態様がより好ましい。ラインの温度調節を行うときの管理温度は、後記処理温度と同じ範囲とすることが好ましい。
枚葉式装置はその処理槽にノズルを具備することが好ましく、このノズルを半導体基板の面方向にスイングさせてエッチング液を半導体基板に吐出する方法が好ましい。このようにすることにより、液の劣化が防止でき好ましい。また、キットにして2液以上に分けることで有害なガス等を発生させにくくすることができ好ましい。
吐出口(ノズル)の移動速度は特に限定されないが、0.1cm/s以上であることが好ましく、1cm/s以上であることがより好ましい。一方、その上限としては、30cm/s以下であることが好ましく、15cm/s以下であることがより好ましい。移動軌跡線は直線でも曲線(例えば円弧状)でもよい。いずれの場合にも移動速度は実際の軌跡線の距離とその移動に費やされた時間から算出することができる。
本実施形態においては、シリコンウエハ上に、前記シリコン層と金属層とを形成した半導体基板とする工程と、前記半導体基板をアニールする工程、当該半導体基板にエッチング液を付与し、エッチング液と金属層とを接触させて、前記金属層を選択的に除去する工程とを介して、所望の構造を有する半導体基板製品を製造することが好ましい。このとき、エッチングには前記特定のエッチング液を用いる。上記の工程の順序は制限されて解釈されるものではなく、それぞれの工程間にさらに別の工程を含んでいてもよい。
ウェハサイズは特に限定されないが、直径8インチ、直径12インチ、または直径14インチのものを好適に使用することができる。
1.下記Ni粉末を0.1895g準備した。
2.各金属防食剤試料を2質量%加えた第1液(HCI含有)と、第2液(HNO3含有)とを下表Aの処方で準備した。
3.第1液100gと第2液100gとをそれぞれ60℃に昇温して混合した。
4.Ni粉末を添加して、60℃で10分間処理した。
5.ろ過で未反応のNi粉末を除去した。
6.下記ICP装置にてろ液中に含まれるNi溶解濃度を測定した。
CAS7740−02−0 :53マイクロメートル以下
ICP分析装置:製造元 Perkin Elmer
型番 Optima 7300PV
シート抵抗の測定方法としては四端子法を用いて行い、JIS K7194に準拠した方法で実施した。
シート抵抗測定器 :
製造元 日立国際電気エンジニアリング(株)
型番 本体 VR−120S
四探針プローブ KS−TC−200−MT−200g
電流を30 mA 流したときの電圧を測定
市販のシリコン基板(直径:20cm)上に、SiGeをエピタキシャル成長させ、Pt/Ni金属層(厚さ20nm、Pt/Niの比率:10/90[質量基準])をその順で形成した。このとき、SiGeエピタキシャル層は、ゲルマニウムを5〜10質量%含有していた。この半導体基板を、800℃で10秒アニールし、シリサイド層を形成して試験基板とした。アニール後のシリサイド層の厚さは15nmであり、金属層の厚さは5nmであった。
上記の試験用基板に対して、枚葉式装置(SPS−Europe B.V.社製、POLOS(商品名)))にて下記の条件でエッチングを行い、評価試験を実施した。
・処理温度:60℃
・吐出量:1L/min.
・ウェハ回転数500rpm
・ノズル移動速度 7cm/s
なお、エッチング液の供給は、下記のように2液に分けライン混合により行った(図3参照)。供給ラインfcは加熱により60℃で温度調節した。
第1液(A):塩酸 + メタンスルホン酸 および水
第2液(B):硝酸 + メタンスルホン酸 および水
第1液と第2液との比率は質量で等量となるようにした。メタンスルホン酸の量は第1液と第2液とで質量でほぼ等量となるように両液に配合した。金属防食剤は第1液に添加した。パラトルエンスルホン酸は、第2液に添加した。
株式会社堀場製作所製の放射温度計IT−550F(商品名)を前記枚葉式装置内のウェハ上30cmの高さに固定した。ウェハ中心から2cm外側のウェハ表面上に温度計を向け、薬液を流しながら温度を計測した。温度は、放射温度計からデジタル出力し、パソコンで連続的に記録した。このうち温度が安定した10秒間の温度を平均した値をウェハ上の温度とした。
pHは、室温(25℃)においてHORIBA社製、F−51(商品名)で測定した。
金属層(Pt/Ni層)が除去されていることは、後記シリサイド層ダメージで行われるESCA測定で、PtおよびNiが検出されないことにより確認した。その結果、実施例および比較例のいずれの試料についても、金属層の顕著な残りは確認されなかった。
シリサイド層のダメージは前記シート抵抗の変化量及びエッチングESCAによる酸素プロファイル測定により行った。結果を下記のように区分して序列付けた。
NiPtを除去した部分の
C:シート抵抗が4.0(Ω/□)以上上昇した
B:シート抵抗に4.0(Ω/□)以上の上昇はみられず
ESCA測定により2.5nmの深さの酸素濃度が
20質量%以上と見積もられた
A:シート抵抗に3.5(Ω/□)以上の上昇はみられず
ESCA測定により2.5nmの深さの酸素濃度が
20質量%未満と見積もられた
Al層のダメージは前記シート抵抗の変化量により行った。結果を下記のように区分して序列付けた。
Alを付した部分の
C:シート抵抗が1.50(mΩ/□)以上上昇した
B:シート抵抗が1.0(mΩ/□)以上1.5(mΩ/□)未満上昇した
A:シート抵抗の上昇が1.0(mΩ/□)未満であった
MSA、HCl、HNO3、PTSAの数値は濃度(質量%)を意味する。金属防食剤の配合量(質量%)は( )内に示した。残部は水である。
NiPtGeSi Rs:薬液処理前後のシート抵抗の差分
(薬液処理前シート抵抗 − 処理後シート抵抗)
MSA:メタンスルホン酸
PTSA:p−トルエンスルホン酸
D(Si):シリサイド層のダメージ
D(Al):Alのダメージ
表中の下線は各防食剤の「標準ニッケル溶解度」(表A参照)に該当するものを示す
ニッケル溶解度比=
(1−Sb*/Sa*)×100
Sa*:c01の標準ニッケル溶解度
Sb*:各防食剤の標準ニッケル溶解度
2 シリコン層
3 シリサイド層
11 処理容器(処理槽)
12 回転テーブル
13 吐出口
14 合流点
S 基板
21 シリコン基板
22 ゲート絶縁膜
23 ゲート電極
24 保護膜
25 サイドウォール
26 ソース電極
27 ドレイン電極
28 NiPt膜
Claims (18)
- シリサイド層の上側に配置された金属層を除去するエッチング液であって、
塩酸と硝酸とスルホン酸化合物とヘテロ原子を含む化合物からなる金属防食剤と水とを含有し、
前記金属防食剤は、これを含有する薬液と、これを含まない薬液の下記ニッケル溶解度比が20%以上であるエッチング液。
(ニッケル溶解度:ニッケル粉末をエッチング液に添加して10分間60℃で処理する。そのろ液中に含まれるニッケルの溶解濃度。)
ニッケル溶解度比(%)
={1−Sb/Sa}×100
Sa:防食剤を含まないニッケル溶解度
Sb:防食剤を含むニッケル溶解度 - 前記金属防食剤がカルボン酸化合物、アゾール化合物、およびベタイン化合物から選ばれる請求項1に記載のエッチング液。
- 前記カルボン酸化合物がポリカルボン酸化合物である請求項2に記載のエッチング液。
- 前記アゾール化合物がチアゾール化合物である請求項2に記載のエッチング液。
- 前記ベタイン化合物が、第四級アンモニウム基とカルボキシル基またはスルホン酸基とを分子内に持つ化合物である請求項2に記載のエッチング液。
- 前記スルホン酸化合物がメタンスルホン酸またはトルエンスルホン酸である請求項1〜5のいずれか1項に記載のエッチング液。
- 前記シリサイド層が、NiPtシリサイドまたはNiPtGeシリサイドである請求項1〜6のいずれか1項に記載のエッチング液。
- 前記金属層がNi、Ptまたはこれらの組合せを含有する請求項1〜7のいずれか1項に記載のエッチング液。
- 塩酸を0.01質量%以上0.5質量%以下で含有する請求項1〜8のいずれか1項に記載のエッチング液。
- 硝酸を0.1質量%以上20質量%以下で含有する請求項1〜9のいずれか1項に記載のエッチング液。
- スルホン酸化合物を25質量%以上95質量%以下で含有する請求項1〜10のいずれか1項に記載のエッチング液。
- 金属防食剤を0.01質量%以上5質量%以下で含有する請求項1〜11のいずれか1項に記載のエッチング液。
- エッチング液によりシリサイド層の上側に配置された未反応金属層を除去するエッチング方法であって、前記エッチング液が、塩酸と硝酸とスルホン酸化合物とヘテロ原子を含む化合物からなる金属防食剤と水とを含有し、前記金属防食剤は、これを含有する薬液と、これ含まない薬液の下記ニッケル溶解度比が20%以上であるエッチング方法。
(ニッケル溶解度:ニッケル粉末をエッチング液に添加して10分間60℃で処理する。そのろ液中に含まれるニッケルの溶解濃度。)
ニッケル溶解度比(%)
={防食剤を含むニッケル溶解度/防食剤を含まないニッケル溶解度}×100 - 前記金属防食剤がカルボン酸化合物、アゾール化合物、およびベタイン化合物から選ばれる請求項13に記載のエッチング方法。
- 前記シリサイド層が、NiPtシリサイドまたはNiPtGeシリサイドである請求項13または14に記載のエッチング方法。
- 金属防食剤を0.05質量%以上10質量%以下で含有する請求項13〜15のいずれか1項に記載のエッチング方法。
- シリサイド層の上側に配置された金属層を除去するエッチング液のキットであって、
塩酸および水を含む第1液と硝酸および水を含む第2液とを有し、
前記第1液、第2液、および必要により採用されるそれ以外の第3液の少なくともいずれかが、スルホン酸化合物とヘテロ原子を含む化合物からなる金属防食剤とをそれぞれまたは両者をともに含有し、前記金属防食剤は、これを含有する薬液のニッケル溶解度と、これ含まない薬液の下記ニッケル溶解度比が20%以上であるエッチング液のキット。
(ニッケル溶解度:ニッケル粉末をエッチング液に添加して10分間60℃で処理する。そのろ液中に含まれるニッケルの溶解濃度。)
ニッケル溶解度比(%)
={1−Sb/Sa}×100
Sa:防食剤を含まないニッケル溶解度
Sb:防食剤を含むニッケル溶解度 - シリコンウエハ上側にシリコン層と金属層とをその順に形成した半導体基板とする工程と、前記半導体基板をアニールする工程と、当該半導体基板に請求項1〜12のいずれか1項に記載のエッチング液を付与し、当該エッチング液と前記金属層とを接触させ、当該金属層を選択的に除去する工程とを有する半導体基板製品の製造方法。
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