JP5980111B2 - 光電センサ - Google Patents
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Description
また、擬似的に入光/遮光状態を作り出し、アップダウンカウンタのカウントが終わるのを待つ必要があった。さらに、擬似的に入光/遮光するための回路も必要となる。
図1は、この発明の実施の形態1に係る反射形光電センサ1の構成を示す回路図である。この反射形光電センサ1は、投光素子2(例えば、発光ダイオード)と、投光回路3と、受光素子4(例えば、フォトダイオード)と、増幅回路5と、コンパレータ(弁別部)6と、閾値設定回路7と、パルス検出回路8と、アップダウンカウンタ9と、出力制御回路10と、制御部11と、記憶部12とから構成される。
アップダウンカウンタ9は、周期的なカウント毎に(図2(a)、図3(a))、アップダウン信号が入力された場合はカウントアップし(図2(c))、パルスが入力されない場合はカウントダウンする(図3(c))。そして、カウント値が最大値の5になると入光状態としてオン信号を出力し(図2(d))、カウント値が最小値の0になると遮光状態としてオン信号出力を停止する(図3(d))。出力制御回路10は、アップダウンカウンタ9のオン信号の入力有無に応じて接点を開閉する。
アップダウンカウンタ9は、制御部11からセットオン信号が入力されると(図4(e))、カウント値を最大値(例えば、5)に変更し(図4(c))、オン信号を出力する(図4(d))。一方、制御部11からセットオフ信号が入力されると(図5(e))、アップダウンカウンタ9はカウント値を最小値の0に変更し(図5(c))、オン信号出力を停止する(図5(d))。
図8は、OP閾値およびRP閾値の概念図であり、縦軸を光量とする。前の状態とは、セットオン信号出力時の擬似的な入光状態、またはセットオフ信号出力時の擬似的な遮光状態のことであり、後の状態とは、入光状態の判定結果のことである。前の状態がOFF(遮光状態)の場合、後の状態がOFFであれば光量<OP閾値、後の状態がON(入光状態)であれば光量>OP閾値となる。一方、前の状態がONの場合、後の状態がOFFであれば光量<RP閾値、後の状態がONであれば光量>RP閾値となる。
2 投光素子
3 投光回路
4 受光素子
5 増幅回路
6 コンパレータ(弁別部)
7 閾値設定回路
8 パルス検出回路
9 アップダウンカウンタ
10 出力制御回路
11 制御部
12 記憶部
Claims (12)
- 検出領域へ投光する投光素子と、
前記投光素子からの光を受光し、受光量に応じたレベルの受光信号を出力する受光素子と、
前記受光素子からの受光信号を所定の閾値で弁別して出力する弁別部と、
前記弁別部の出力を所定の周期毎にカウントアップまたはカウントダウンするアップダウンカウンタと、
前記アップダウンカウンタのカウント値が最大値のとき入光状態にあり、最小値のとき遮光状態にあることを示す信号を出力する出力制御部と、
前記受光信号に基づいて前記弁別部の閾値をチューニングする場合に、前記アップダウンカウンタのカウント値を最大値または最小値にリセットする制御部とを備える光電センサ。 - 前記制御部は、前記弁別部の閾値が取り得る範囲の最大値を閾値上限、最小値を閾値下限に初期設定し、前記閾値上限および前記閾値下限から仮の閾値を求めて前記弁別部に設定して入光状態か遮光状態かを判定し、入光状態であった場合は当該仮の閾値を前記閾値下限に設定する一方、遮光状態であった場合は当該仮の閾値を前記閾値上限に設定して当該仮の閾値を求め直すことを繰り返し、所定回数繰り返した後の当該仮の閾値を前記弁別部の閾値に用いることを特徴とする請求項1記載の光電センサ。
- 前記受光素子からの受光信号を増幅して前記弁別部へ入力する増幅部を備え、
前記制御部は、前記受光信号と前記弁別部の閾値との比較に基づいて前記増幅部の増幅度をチューニングする場合に、前記アップダウンカウンタのカウント値を最大値または最小値にリセットすることを特徴とする請求項1または請求項2記載の光電センサ。 - 前記制御部は、外部から指示を受け付けた場合に、前記アップダウンカウンタのカウント値を最大値または最小値にリセットすることを特徴とする請求項1から請求項3のうちのいずれか1項記載の光電センサ。
- 検出領域へ投光する投光素子と、
前記投光素子からの光を受光し、受光量に応じたレベルの受光信号を出力する受光素子と、
前記受光素子からの受光信号を所定の閾値で弁別して出力する弁別部と、
前記弁別部の出力を所定の周期毎にカウントアップまたはカウントダウンするアップダウンカウンタと、
前記アップダウンカウンタのカウント値が最大値のとき入力状態にあり、最小値のとき遮光状態にあることを示す信号を出力する出力制御部と、
前記受光信号と前記閾値との比較に基づいて前記増幅部の増幅度をチューニングする場合に、前記アップダウンカウンタのカウント値を最大値または最小値にリセットする制御部とを備える光電センサ。 - 前記制御部は、前記受光素子の受光信号に基づいて前記弁別部の閾値をチューニングする場合に、前記アップダウンカウンタのカウント値を最大値または最小値にリセットすることを特徴とする請求項5記載の光電センサ。
- 前記制御部は、前記受光素子の受光信号と前記弁別部の閾値との比較に基づいて前記投光素子の投光量をチューニングする場合に、前記アップダウンカウンタのカウント値を最大値または最小値にリセットすることを特徴とする請求項5または請求項6記載の光電センサ。
- 前記制御部は、前記弁別部の閾値が取り得る範囲の最大値を閾値上限、最小値を閾値下限に初期設定し、前記閾値上限および前記閾値下限から仮の閾値を求めて前記弁別部に設定して入光状態か遮光状態かを判定し、入光状態であった場合は当該仮の閾値を前記閾値下限に設定する一方、遮光状態であった場合は当該仮の閾値を前記閾値上限に設定して当該仮の閾値を求め直すことを繰り返し、所定回数繰り返した後の当該仮の閾値を前記弁別部の閾値に用いることを特徴とする請求項6記載の光電センサ。
- 前記制御部は、外部から指示を受け付けた場合に、前記アップダウンカウンタのカウント値を最大値または最小値にリセットすることを特徴とする請求項5から請求項8のうちのいずれか1項記載の光電センサ。
- 検出領域へ投光する投光素子と、
前記投光素子からの光を受光し、受光量に応じたレベルの受光信号を出力する受光素子と、
前記受光素子からの受光信号を所定の閾値で弁別して出力する弁別部と、
前記弁別部の出力を所定の周期毎にカウントアップまたはカウントダウンするアップダウンカウンタと、
前記アップダウンカウンタのカウント値が最大値のとき入光状態にあり、最小値のとき遮光状態にあることを示す信号を出力する出力制御部と、
前記受光信号と前記閾値との比較に基づいて前記投光素子の投光量をチューニングする場合に、前記アップダウンカウンタのカウント値を最大値または最小値にリセットする制御部とを備える光電センサ。 - 前記受光素子からの受光信号を増幅して前記弁別部へ入力する増幅部を備え、
前記制御部は、前記受光信号と前記弁別部の閾値との比較に基づいて前記増幅部の増幅度をチューニングする場合に、前記アップダウンカウンタのカウント値を最大値または最小値にリセットすることを特徴とする請求項10記載の光電センサ。 - 前記制御部は、外部から指示を受け付けた場合に、前記アップダウンカウンタのカウント値を最大値または最小値にリセットすることを特徴とする請求項10または請求項11記載の光電センサ。
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