JP5971015B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 97
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 46
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 29
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 29
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims description 20
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical group [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- UGCSPKPEHQEOSR-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2-tetrachloro-1,2-difluoroethane Chemical compound FC(Cl)(Cl)C(F)(Cl)Cl UGCSPKPEHQEOSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Description
極に接続された主電極と、該裏面電極に接続されたベース板と、該主電極が外部に伸びる
ように該半導体素子を覆う樹脂と、該樹脂の外で該主電極を冷却する冷却器と、を備え、
該主電極の該表面電極に接続された面と反対の面には該樹脂が形成され、該半導体素子は第1半導体素子と第2半導体素子を有し、該主電極は、該第1半導体素子の表面電極に接続された第1主電極と、該第2半導体素子の表面電極に接続された第2主電極を有し、該冷却器は、該第1主電極と該第2主電極をまとめて冷却することを特徴とする。
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置の断面図である。半導体装置10は、半導体素子12、14を備えている。半導体素子12は例えばIGBTで形成されている。半導体素子12は、半導体素子12のエミッタと接続された表面電極12a、コレクタと接続された裏面電極12b、及びゲートと接続されたゲート電極12cを有している。半導体素子14は、例えばIGBTに接続される還流ダイオードで形成されている。半導体素子14は表面電極14aと裏面電極14bを有している。
本発明の実施の形態2に係る半導体装置については実施の形態1に係る半導体装置と共通点が多いので、実施の形態1との相違点を中心に説明する。図3は、本発明の実施の形態2に係る半導体装置の平面図である。この半導体装置は、第1主電極28aと第2主電極28bを有している。第1主電極28aは樹脂30aから外部に伸びている。第2主電極28bは樹脂30bから外部に伸びている。樹脂30a、30bの内部は実施の形態1の樹脂30の内部と同じである。樹脂30aの内部の半導体素子を第1半導体素子と称し、樹脂30bの内部の半導体素子を第2半導体素子と称する。
本発明の実施の形態3に係る半導体装置については、実施の形態2に係る半導体装置と共通点が多いので実施の形態2との相違点を中心に説明する。図6は、本発明の実施の形態3に係る半導体装置の平面図である。ベース板冷却器110の冷媒が流れる流路は、上部冷却部122の冷媒が流れる流路及び下部冷却部の冷媒が流れる流路とつながっている。具体的には、ベース板冷却器110と上部冷却部122が接続管130で接続されている。同様に、ベース板冷却器110と下部冷却部が接続管で接続される。
Claims (7)
- 表面電極と裏面電極を有する半導体素子と、
前記表面電極に接続された主電極と、
前記裏面電極に接続されたベース板と、
前記主電極が外部に伸びるように前記半導体素子を覆う樹脂と、
前記樹脂の外で前記主電極を冷却する冷却器と、を備え、
前記主電極の前記表面電極に接続された面と反対の面には前記樹脂が形成され、
前記半導体素子は第1半導体素子と第2半導体素子を有し、
前記主電極は、前記第1半導体素子の表面電極に接続された第1主電極と、前記第2半導体素子の表面電極に接続された第2主電極を有し、
前記冷却器は前記第1主電極と前記第2主電極をまとめて冷却することを特徴とする半導体装置。 - 前記冷却器は、
前記第1主電極と前記第2主電極の上面に熱接触し、内部を冷媒が流れる上部冷却部と、
前記第1主電極と前記第2主電極の下面に熱接触し、内部を冷媒が流れる下部冷却部と、
前記上部冷却部と前記下部冷却部を前記第1主電極と前記第2主電極の方向へ押し付けるように、前記上部冷却部と前記下部冷却部を前記第1主電極と前記第2主電極に固定する固定具と、を備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記ベース板と熱接触し、内部を冷媒が流れるベース板冷却器を備え、
前記ベース板冷却器の冷媒が流れる流路は、前記上部冷却部の冷媒が流れる流路及び前記下部冷却部の冷媒が流れる流路とつながることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 前記第1主電極と前記第2主電極が外部に伸びるように前記第1半導体素子と前記第2半導体素子を収容するケースを有し、
前記冷却器は前記ケースの中に形成されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1主電極と前記第2主電極が外部に伸びるように前記第1半導体素子と前記第2半導体素子を収容するケースを有し、
前記冷却器は前記ケースの外に形成されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記半導体素子はワイドバンドギャップ半導体によって形成されたことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化珪素、窒化ガリウム系材料、又はダイアモンドであることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012171347A JP5971015B2 (ja) | 2012-08-01 | 2012-08-01 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012171347A JP5971015B2 (ja) | 2012-08-01 | 2012-08-01 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014033021A JP2014033021A (ja) | 2014-02-20 |
JP5971015B2 true JP5971015B2 (ja) | 2016-08-17 |
Family
ID=50282632
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012171347A Active JP5971015B2 (ja) | 2012-08-01 | 2012-08-01 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5971015B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6834841B2 (ja) * | 2017-08-09 | 2021-02-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001308245A (ja) * | 2000-04-25 | 2001-11-02 | Denso Corp | 冷媒冷却型両面冷却半導体装置 |
JP4089595B2 (ja) * | 2002-12-16 | 2008-05-28 | 株式会社デンソー | 冷媒冷却型両面冷却半導体装置 |
JP5092654B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2012-12-05 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
JP5067267B2 (ja) * | 2008-06-05 | 2012-11-07 | 三菱電機株式会社 | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 |
JP5257817B2 (ja) * | 2010-06-15 | 2013-08-07 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
-
2012
- 2012-08-01 JP JP2012171347A patent/JP5971015B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014033021A (ja) | 2014-02-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141120 |
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A977 | Report on retrieval |
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R250 | Receipt of annual fees |
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