JP5970716B2

JP5970716B2 - 電子部品及びその製造方法

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Publication number: JP5970716B2
Application number: JP2014519919A
Authority: JP
Inventors: 智洋木戸; 未歩北村; 鉄三原
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2012-06-08
Filing date: 2013-05-23
Publication date: 2016-08-17
Anticipated expiration: 2033-05-23
Also published as: WO2013183452A1; TW201405598A; TWI556272B; JPWO2013183452A1

Description

本発明は、電子部品及びその製造方法、より特定的には、コイルを内蔵している電子部品及びその製造方法に関する。

従来の電子部品としては、例えば、特許文献１に記載のコモンモードフィルタ５００が知られている。図１０は特許文献１に記載のコモンモードフィルタ５００の積層体の分解斜視図である。図１１は、特許文献１に記載のコモンモードフィルタ５００の積層体の構造断面図である。

コモンモードフィルタ５００は、図１０に示すように、積層体５０１及びコイル導体５１２，５１４を備えている。積層体５０１は、絶縁層５０７〜５１１、磁性層５１６、接着層５１７及び磁性基板５０２，５０４が積層されて構成されている。また、積層体５０１には、図１０及び図１１に示すように、磁性材料を含有した樹脂を充填するための凹部５３０が、絶縁体層５０８〜５１１に跨って設けられている。コイル導体５１２は、凹部５３０の周囲を周回するように絶縁体層５０８上に設けられている。また、コイル導体５１４は、凹部５３０の周囲を周回するように絶縁体層５０９上に設けられている。コイル導体５１２とコイル導体５１４とは、絶縁体層５０９を挟んで対向しており、電磁結合している。

ところで、凹部５３０の幅は、図１０に示すように、底面から開口部に向かうにつれて、大きくなっている。これにより、磁性材料を含んだ樹脂５４０を凹部５３０に充填する際に、樹脂５４０が、凹部５３０の開口部から底面に向かって、凹部５３０の内周面に沿って流れやすくなっている。

しかし、凹部５３０は、図１０及び図１１に示すように、絶縁体層５０８〜５１１に設けられた孔５３１〜５３４を重ね合わせることで形成されている。これにより、凹部５３０の内周面は、図１１に示すような階段状を成している。そのため、磁性材料を含んだ樹脂５４０を凹部５３０に充填すると、各絶縁体層５０７〜５１０の上面と各絶縁体層５０８〜５１１の側面との継ぎ目部分に空気Ａ５０１が残存する。そして、残存した空気Ａ５０１により、磁性材料を含んだ樹脂５４０の疎密が凹部５３０内で生じる。すなわち、コモンモードフィルタ５００では、磁性材料を含んだ樹脂５４０の充填不良が発生しやすく、インピーダンスの低下を招来する可能性がある。

特開２００７−２４２８００号公報

そこで、本発明の目的は、積層体の凹部への絶縁材料の充填不良を抑制できる電子部品及びその製造方法を提供することである。

本発明の第１の形態に係る電子部品は、複数の絶縁体層が積層されて構成され、かつ、該絶縁体層の積層方向に窪んだ凹部が設けられた積層体と、前記凹部に充填される絶縁材料と、前記積層体内に設けられ、前記凹部の周囲を周回する第１のコイル導体と、を備え、前記凹部は、該凹部の底部から開口部に向かって湾曲しており、前記絶縁材料の透磁率は、前記絶縁体層の透磁率よりも高く、前記積層体の積層方向の一端の前記絶縁体層は、第１の磁性体基板であり、前記凹部の底部は、前記第１の磁性体基板の主面間に位置していること、を特徴とする。
本発明の第２の形態に係る電子部品は、複数の絶縁体層が積層されて構成され、かつ、該絶縁体層の積層方向に窪んだ凹部が設けられた積層体と、前記凹部に充填される絶縁材料と、前記積層体内に設けられ、前記凹部の周囲を周回する第１のコイル導体と、を備え、前記凹部は、実質的に連続な面により構成され、前記凹部の内周面の法線ベクトルの積層方向成分は実質的に全て、該凹部の底部から開口部に向かっており、前記絶縁材料の透磁率は、前記絶縁体層の透磁率よりも高く、前記積層体の積層方向の一端の前記絶縁体層は、第１の磁性体基板であり、前記凹部の底部は、前記第１の磁性体基板の主面間に位置していること、を特徴とする。
本発明の第３の形態に係る電子部品は、複数の絶縁体層が積層されて構成され、かつ、該絶縁体層の積層方向に窪んだ凹部が設けられた積層体と、前記凹部に充填される絶縁材料と、前記積層体内に設けられ、前記凹部の周囲を周回する第１のコイル導体と、を備え、前記凹部は、該凹部の底部から開口部に向かって湾曲しており、前記凹部の底部から開口部に単位長さだけ移動したときにおける、該凹部の前記積層方向に直交する方向における幅の増加量が、該凹部の底部から開口に向かうにしたがって減少すること、を特徴とする。
本発明の第４の形態に係る電子部品は、複数の絶縁体層が積層されて構成され、かつ、該絶縁体層の積層方向に窪んだ凹部が設けられた積層体と、前記凹部に充填される絶縁材料と、前記積層体内に設けられ、前記凹部の周囲を周回する第１のコイル導体と、を備え、前記凹部は、実質的に連続な面により構成され、前記凹部の内周面の法線ベクトルの積層方向成分は実質的に全て、該凹部の底部から開口部に向かっており、前記凹部の底部から開口部に単位長さだけ移動したときにおける、該凹部の前記積層方向に直交する方向における幅の増加量が、該凹部の底部から開口に向かうにしたがって減少すること、を特徴とする。

本発明の第１の形態に係る電子部品の製造方法は、複数の絶縁体層が積層されて構成され、かつ、該絶縁体層の積層方向に窪んだ凹部が設けられた積層体、該凹部に充填される絶縁材料及び前記積層体内に設けられ、前記凹部の周囲を周回する第１のコイル導体を有し、該凹部が、該凹部の底部から開口部に向かって湾曲している電子部品の製造方法であって、前記複数の絶縁体層を積層すると共に、前記絶縁体層上に前記第１のコイル導体を形成して前記積層体を得る第１の工程と、前記積層体に対して前記凹部を形成する第２の工程と、前記凹部に前記絶縁材料を充填する第３の工程と、を備えており、前記絶縁材料の透磁率は、前記絶縁体層の透磁率よりも高く、前記積層体の積層方向の一端の前記絶縁体層は、第１の磁性体基板であり、前記凹部の底部は、前記第１の磁性体基板の主面間に位置していること、を特徴とする。
本発明の第２の形態に係る電子部品の製造方法は、複数の絶縁体層が積層されて構成され、かつ、該絶縁体層の積層方向に窪んだ凹部が設けられた積層体、該凹部に充填される絶縁材料及び前記積層体内に設けられ、前記凹部の周囲を周回する第１のコイル導体を有し、該凹部は、実質的に連続な面により構成され、該凹部の内周面の法線ベクトルの積層方向成分は実質的に全て、該凹部の底部から開口部に向かっている電子部品の製造方法であって、前記複数の絶縁体層を積層すると共に、前記絶縁体層上に前記第１のコイル導体を形成して前記積層体を得る第１の工程と、前記積層体に対して前記凹部を形成する第２の工程と、前記凹部に前記絶縁材料を充填する第３の工程と、を備えており、前記絶縁材料の透磁率は、前記絶縁体層の透磁率よりも高く、前記積層体の積層方向の一端の前記絶縁体層は、第１の磁性体基板であり、前記凹部の底部は、前記第１の磁性体基板の主面間に位置していること、を特徴とする。
本発明の第３の形態に係る電子部品の製造方法は、複数の絶縁体層が積層されて構成され、かつ、該絶縁体層の積層方向に窪んだ凹部が設けられた積層体、該凹部に充填される絶縁材料、及び前記積層体内に設けられ、前記凹部の周囲を周回する第１のコイル導体を有し、該凹部が、該凹部の底部から開口部に向かって湾曲している電子部品の製造方法であって、前記複数の絶縁体層を積層して前記積層体を得る第１の工程と、前記積層体に対して前記凹部を形成する第２の工程と、前記凹部に前記絶縁材料を充填する第３の工程と、を備えており、前記凹部の底部から開口部に単位長さだけ移動したときにおける、該凹部の前記積層方向に直交する方向における幅の増加量が、該凹部の底部から開口に向かうにしたがって減少すること、を特徴とする。
本発明の第４の形態に係る電子部品の製造方法は、複数の絶縁体層が積層されて構成され、かつ、該絶縁体層の積層方向に窪んだ凹部が設けられた積層体、該凹部に充填される絶縁材料、及び前記積層体内に設けられ、前記凹部の周囲を周回する第１のコイル導体を有し、該凹部は、実質的に連続な面により構成され、該凹部の内周面の法線ベクトルの積層方向成分は実質的に全て、該凹部の底部から開口部に向かっている電子部品の製造方法であって、前記複数の絶縁体層を積層して前記積層体を得る第１の工程と、前記積層体に対して前記凹部を形成する第２の工程と、前記凹部に前記絶縁材料を充填する第３の工程と、を備えており、前記凹部の底部から開口部に単位長さだけ移動したときにおける、該凹部の前記積層方向に直交する方向における幅の増加量が、該凹部の底部から開口に向かうにしたがって減少すること、を特徴とする。

本発明の一形態である電子部品によれば、積層体の凹部への絶縁材料の充填不良を抑制できる。

第１の実施形態に係る電子部品の外観斜視図である。第１の実施形態に係る電子部品の分解斜視図である。図１の電子部品のＡ−Ａにおける断面図である。第１の実施形態に係る電子部品の製造時の断面図である。第１の実施形態に係る電子部品の製造時の断面図である。第１の実施形態に係る電子部品の製造時の断面図である。第１の実施形態に係る電子部品の製造時の断面図である。第１の実施形態に係る電子部品の製造時の断面図である。第１の実施形態に係る電子部品の製造時の断面図である。特許文献１に記載のコモンモードフィルタの分解斜視図である。特許文献１に記載のコモンモードフィルタの構造断面図である。

以下に、本発明の一実施形態に係る電子部品及びその製造方法について説明する。

（第１の実施形態）
（電子部品の構成）
以下、本発明の第１の実施形態に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図１は、第１の実施形態に係る電子部品１０の外観斜視図である。図２は、第１の実施形態に係る電子部品１０の分解斜視図である。図３は、図１の電子部品１０のＡ−Ａにおける断面図である。以下、電子部品１０の積層方向をｚ軸方向と定義し、z軸方向から平面視したときに、電子部品１０の長辺に沿った方向をｘ軸方向と定義し、電子部品１０の短辺に沿った方向をｙ軸方向と定義する。ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は互いに直交している。

電子部品１０は、図１に示すように、直方体状を成している。また、電子部品１０は、図１乃至図３に示すように、積層体１２、外部電極１４ａ〜１４ｄ、コイル導体１６ａ，１６ｂ、引き出し導体１７ａ〜１７ｄ、ビアホール導体ｖ１，ｖ２、磁性材料２１（絶縁材料）、磁性体層２２、接着層２４及び磁性体基板２９（第２の磁性体基板）を備えている。なお、図１に示すように、電子部品１０のｘ軸方向の負方向側の面を側面Ｓ１と称し、ｘ軸方向の正方向側の面を側面Ｓ２と称す。

積層体１２は、図１及び図２に示すように、直方体状を成しており、絶縁体層２８ａ〜２８ｅ及び磁性体基板３１（第１の磁性体基板）が積層されて構成されている。絶縁体層２８ａ〜２８ｅは、ｚ軸方向の正方向側からこの順に並ぶように積層されている。また、絶縁体層２８ａ〜２８ｅは、図２に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、長方形状を成している。なお、絶縁体層２８ａ〜２８ｅは、ポリイミド樹脂やベンゾシクロブテン等の絶縁樹脂材料で構成されている。また、絶縁体層２８ａ〜２８ｅは、ガラスセラミックスなどの絶縁性無機材料により構成されていてもよい。

磁性体基板３１は、図２に示すように、積層体１２においてｚ軸方向の負方向の一端に位置している。また、磁性体基板３１は、ｚ軸方向から平面視したときに、長方形状を成している。なお、磁性体基板３１は、フェライト等の磁性材料により構成された絶縁体層である。

さらに、積層体１２には、図２及び図３に示すように、凹部３０が設けられている。凹部３０は、積層体１２のｘ軸方向及びｙ軸方向の略中心に設けられており、ｚ軸方向から平面視したときに、円形をなしている。凹部３０は、絶縁体層２８ａ〜２８ｅを貫き、積層体１２のｚ軸方向の正方向側の面（すなわち、絶縁体層２８ａのｚ軸方向の正方向側の面）からｚ軸方向の負方向側にすり鉢状に窪んでいる。なお、凹部３０の底部は、磁性体基板３１（第１の磁性体基板）の主面間に位置している。

凹部３０の形状は、図３に示すように、積層方向と直交する方向から平面視したときに、ｚ軸方向の負方向側に凸である放物線状を成している。そして、このような放物線の集合である凹部３０の形状は湾曲している。すなわち、凹部３０は曲面により構成されている。

また、厳密には、凹部３０の内周面Ｓ１０は、実質的に連続な面により構成されている。ここにいう連続とは、角がなく滑らかであることを意味する。ところで、凹部３０を形成する際に、サンドブラストなどの加工や他の要因で生じる微細な凹凸は、現実的に不可避である。従って、凹部３０の内周面Ｓ１０は、角がなく滑らかな面とすることを意図して形成された面、すなわち、実質的に連続な面である。

また、凹部３０の内周面Ｓ１０の法線ベクトル３２の積層方向成分３２ｚは、図３に示すように、凹部３０の底部から開口部、すなわち、ｚ軸方向の正方向側を向いている。さらに、積層方向成分３２ｚの大きさは、凹部３０の底部から開口部に向かうに従って小さくなっている。これにより、ｘ軸及びｙ軸含む平面（以下ｘｙ平面と称す）と平行な方向における凹部３０の幅の増加率は、凹部３０の底部から開口部に向かうに従って減少する。なお、凹部３０の幅の増加率とは、ｚ軸方向の正方向側に単位長さだけ移動したときにおける、凹部３０のｘ軸方向の幅又はｙ軸方向の幅の増加量である。

そして、凹部３０の開口部の幅Ｗは、図３に示すように、凹部３０の深さｄよりも大きい。また、内周面Ｓ１０の法線ベクトル３２と積層方向（ｚ軸方向）とが、凹部３０の底部から開口部に向かう方向において成す角θ1は８０°以下である。これは、絶縁体層２８ａのｚ軸方向の正方向側の平面（ｘｙ平面）と内周面Ｓ１０の開口部の接線ベクトル３４とが成す接触角θ2が８０°以下であることを意味する。なぜなら、図３の凹部３０の拡大図に示すように、法線ベクトル３２を９０°回転させたベクトルが接線ベクトル３４であり、ｚ軸を９０°回転させた軸がｙ軸である。従って、法線ベクトル３２とｚ軸とが成す角、及び、接線ベクトル３４とｙ軸とが成す角は等しい関係にあるからである。なお、法線ベクトル３２と積層方向（ｚ軸方向）とが凹部３０の底部から開口部に向かう方向において成す角θ1は、内周面Ｓ１０が連続な面により構成されているため、底部から開口部に向かうに従って、連続的に大きくなる。

凹部３０には、図２及び図３に示すように、磁性材料２１（絶縁材料）が充填される。磁性材料２１は、粉状のフェライト等の磁粉を含有した樹脂（磁粉含有樹脂）である。また、磁性材料２１の透磁率は、絶縁体層２８ａ〜２８ｅの透磁率よりも高い。

コイル導体１６ａ（第１のコイル導体），１６ｂ（第２のコイル導体）は、図２及び図３に示すように、積層体１２内に設けられ、かつ、互いに電磁気的に結合することにより、コモンモードチョークコイルを構成している。また、コイル導体１６ａ，１６ｂは、Ａｇ、Ｃｕ又はＡｕ等の電気導電性の高い材料を主成分とする線状導体である。より詳細には、コイル導体１６ａは、絶縁体層２８ｃのｚ軸方向の正方向側の面に設けられている。コイル導体１６ｂは、絶縁体層２８ｄのｚ軸方向の正方向側の面に設けられている線状導体である。すなわち、コイル導体１６ａ，１６ｂは、絶縁体層２８ｃを挟んでｚ軸方向に対向している。また、コイル導体１６ａ，１６ｂは共に、凹部３０の周囲を時計回りに周回しながら中心に近づく渦巻き形状を成している。

引き出し導体１７ａは、Ａｇ、Ｃｕ又はＡｕ等の電気導電性の高い材料を主成分とする線状導体であり、図２に示すように、積層体１２の絶縁体層２８ｂのｚ軸方向の正方向側の面に設けられている。また、引き出し導体１７ａは、ｚ軸方向から平面視したときに、コイル導体１６ａの内側の端部と重なる位置から電子部品１０の側面Ｓ２まで引き出されている。より詳細には、引き出し導体１７ａは、引き出し部１９ａ及び接続部２０ａを含んでいる。引き出し部１９ａのｘ軸方向の負方向側の一端は、ｚ軸方向から平面視したときに、コイル導体１６ａの内側の端部と重なっている。引き出し部１９ａは、ｘ軸方向の負方向側の一端から絶縁体層２８ｂのｘ軸方向の正方向側の辺近傍まで直線的に延在していると共に、ｙ軸方向の負方向側に向けて折れ曲がっている。接続部２０ａは、引き出し部１９ａの他端に接続され、絶縁体層２８ｂのｘ軸方向の正方向側の辺に引き出されている。これにより、接続部２０ａは、電子部品１０の側面Ｓ２から、ｙ軸方向に延在する線状に露出している。

引き出し導体１７ｂは、Ａｇ、Ｃｕ又はＡｕ等の電気導電性の高い材料を主成分とする線状導体であり、図２に示すように、積層体１２の絶縁体層２８ｃのｚ軸方向の正方向側の面に設けられている。コイル導体１６ａの外側の端部から電子部品１０の側面Ｓ１まで引き出されている。より詳細には、引き出し導体１７ｂは、引き出し部１９ｂ及び接続部２０ｂを含んでいる。引き出し部１９ｂは、コイル導体１６ａの外側の端部から絶縁体層２８ｃのｘ軸方向の負方向側の辺近傍まで直線的に延在していると共に、ｙ軸方向の負方向側に向かって折れ曲がっている。接続部２０ｂは、引き出し部１９ｂの端部に接続され、絶縁体層２８ｃのｘ軸方向の負方向側の辺に引き出されている。これにより、接続部２０ｂは、電子部品１０の側面Ｓ１から、ｙ軸方向に延在する線状に露出している。

引き出し導体１７ｃは、Ａｇ、Ｃｕ又はＡｕ等の電気導電性の高い材料を主成分とする線状導体であり、図２に示すように、積層体１２の絶縁体層２８ｄのｚ軸方向の正方向側の面に設けられている。コイル導体１６ｂの外側の端部から電子部品１０の側面Ｓ１まで引き出されている。より詳細には、引き出し導体１７ｃは、引き出し部１９ｃ及び接続部２０ｃを含んでいる。引き出し部１９ｃは、コイル導体１６ｂの外側の端部から絶縁体層２８ｄのｘ軸方向の負方向側の辺近傍まで直線的に延在していると共に、ｙ軸方向の正方向側に向かって折れ曲がっている。接続部２０ｃは、引き出し部１９ｃの端部に接続され、絶縁体層２８ｄのｘ軸方向の負方向側の辺に引き出されている。これにより、接続部２０ｃは、電子部品１０の側面Ｓ１から、ｙ軸方向に延在する線状に露出している。

引き出し導体１７ｄは、Ａｇ、Ｃｕ又はＡｕ等の電気導電性の高い材料を主成分とする線状導体であり、図２に示すように、積層体１２の絶縁体層２８ｅのｚ軸方向の正方向側の面に設けられている。また、引き出し導体１７ｄは、ｚ軸方向から平面視したときに、コイル導体１６ｂの内側の端部と重なる位置から電子部品１０の側面Ｓ２まで引き出されている。より詳細には、引き出し導体１７ｄは、引き出し部１９ｄ及び接続部２０ｄを含んでいる。引き出し部１９ｄのｘ軸方向の負方向側の一端は、ｚ軸方向から平面視したときに、コイル導体１６ｂの内側の端部と重なっている。引き出し部１９ｄは、ｘ軸方向の負方向側の一端から絶縁体層２８ｅのｘ軸方向の正方向側の辺近傍まで直線的に延在していると共に、ｙ軸方向の正方向側に向けて折れ曲がっている。接続部２０ｄは、引き出し部１９ｄの他端に接続され、絶縁体層２８ｅのｘ軸方向の正方向側の辺に引き出されている。これにより、接続部２０ｄは、電子部品１０の側面Ｓ２から、ｙ軸方向に延在する線状に露出している。

ビアホール導体ｖ１は、Ａｇ、Ｃｕ又はＡｕ等の電気導電性の高い材料を主成分とする線状導体であり、図２に示すように、絶縁体層２８ｂをｚ軸方向に貫通しており、コイル導体１６ａの内側の端部と引き出し導体１７ａの引き出し部１９ａのｘ軸方向の負方向側の一端とを接続している。ビアホール導体ｖ２は、Ａｇ、Ｃｕ又はＡｕ等の電気導電性の高い材料を主成分とする線状導体であり、図２に示すように、絶縁体層２８ｄをｚ軸方向に貫通しており、コイル導体１６ｂの内側の端部と引き出し導体１７ｄの引き出し部１９ｄのｘ軸方向の負方向側の一端とを接続している。

外部電極１４ａ，１４ｂはそれぞれ、図１に示すように、電子部品１０の側面Ｓ１に設けられており、引き出し導体１７ｂ，１７ｃと接続されている。また、外部電極１４ａ，１４ｂは、Ａｇを下地としてその上にＮｉ／Ｓｎめっきが施された電極である。より詳細には、外部電極１４ａ，１４ｂはそれぞれ、側面Ｓ１において、ｚ軸方向に延在するように設けられている。また、外部電極１４ａ，１４ｂは、ｙ軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。外部電極１４ａは、引き出し導体１７ｂの接続部２０ｂと接続されている。また、外部電極１４ｂは、引き出し導体１７ｃの接続部２０ｃと接続されている。

外部電極１４ｃ，１４ｄはそれぞれ、図１に示すように、電子部品１０の側面Ｓ２に設けられており、引き出し導体１７ａ，１７ｄと接続されている。また、外部電極１４ｃ，１４ｄは、Ａｇを下地としてその上にＮｉ／Ｓｎめっきが施された電極である。より詳細には、外部電極１４ｃ，１４ｄはそれぞれ、側面Ｓ２において、ｚ軸方向に延在するように設けられている。また、外部電極１４ｃ，１４ｄは、ｙ軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。外部電極１４ｃは、引き出し導体１７ａの接続部２０ａと接続されている。また、外部電極１４ｄは、引き出し導体１７ｄの接続部２０ｄと接続されている。

積層体１２の絶縁体層２８ａのｚ軸方向の正方向側の面上には、図２及び図３に示すように、磁性体層２２が設けられている。磁性体層２２は、ｚ軸方向から平面視したときに、長方形状を成している。また、磁性体層２２は、粉状のフェライト等の磁粉を含有した樹脂（磁粉含有樹脂）である。また、本実施例においては、磁性体層２２と磁性材料２１は、同じ材料で構成されている。

磁性体層２２のｚ軸方向の正方向側の面上にはさらに、図２及び図３に示すように、接着層２４を挟んで、磁性体基板２９（第２の磁性体基板）が設けられている。磁性体基板２９は、ｚ軸方向から平面視したときに、長方形状を成している。磁性体基板２９は、フェライト等の磁性材料により構成された磁性体基板であり、コイル導体１６ａ，１６ｂなどが設けられた絶縁体層２８ａ〜２８ｅ、磁性体層２２及び接着層２４を挟んで、磁性体基板３１（第１の磁性体基板）と反対側に位置している。なお、接着層２４は、エポキシ樹脂等の熱硬化型の接着剤であり、磁性体層２２と磁性体基板２９との接着強度を高めるために用いられている。

以上のように構成された電子部品１０では、コイル導体１６ａ，１６ｂは、ｚ軸方向から平面視したときに重なっている。これにより、コイル導体１６ａが発生した磁束がコイル導体１６ｂを通過するようになり、コイル導体１６ｂが発生した磁束がコイル導体１６ａを通過するようになる。したがって、コイル導体１６ａとコイル導体１６ｂとが磁気結合するようになり、コイル導体１６ａとコイル導体１６ｂとがコモンモードチョークコイルを構成するようになる。そして、外部電極１４ａ、１４ｂが入力端子として用いられ、外部電極１４ｃ，１４ｄが出力端子として用いられる。すなわち、差動伝送信号が、外部電極１４ａ，１４ｂから入力し、外部電極１４ｃ，１４ｄから出力する。そして、差動伝送信号にコモンモードノイズが含まれている場合には、コイル導体１６ａ，１６ｂは、コモンモードノイズの電流により、同じ方向に磁束を発生する。そのため、磁束同士が強め合うようになり、コモンモードノイズの電流に対するインピーダンスが発生する。その結果、コモンモードノイズの電流は、熱に変換されて、コイル導体１６ａ，１６ｂを通過することが妨げられる。また、ノーマルモードの電流が流れた場合には、コイル導体１６ａ，１６ｂは、逆方向に磁束を発生する。そのため、磁束が打ち消し合うようになり、ノーマルモードの電流に対しては、インピーダンスが発生しない。従って、ノーマルモードの電流は、コイル導体１６ａ，１６ｂを通過することができる。

（電子部品の製造方法）
以上のように構成された電子部品１０の製造方法について図４乃至図９を参照しながら以下に説明する。図４乃至図９は、電子部品１０の製造時の断面図である。なお、以下では、図４乃至図９に示される一つの電子部品１０の製造方法について説明するが、実際には、複数の積層体１２、磁性体層２２、接着層２４及び磁性体基板２９がつながったマザー積層体を作製し、マザー積層体をカットした後に外部電極１４を形成して、複数の電子部品１０を得る。

まず、図４に示すように、磁性体基板３１上に絶縁体層２８ｅを形成する。具体的には、スピン法により、磁性体基板３１上に樹脂膜を塗布することで、絶縁体層２８ｅを形成する。

形成された絶縁体層２８ｅ上に、フォトリソグラフィにより引き出し導体１７ｄ（図４乃至図９には図示せず）を形成する。具体的には、めっき、蒸着、スパッタリング等により絶縁体層２８ｅの表面全面に金属膜を形成する。そして、金属膜に対して感光性レジスト膜を塗布し、露光及び現像を行う。この後、感光性レジスト膜から露出した金属膜の部分をエッチングにより除去した後、感光性レジスト膜を有機溶剤により除去する。これにより、引き出し導体１７ｄ（図４乃至図９には図示せず）が形成される。

次に、絶縁体層２８ｅ及び引き出し導体１７ｄ（図４乃至図９には図示せず）上にフォトリソグラフィにより、ポリイミド樹脂からなる絶縁体層２８ｄを形成する。具体的には、スピン法により、絶縁体層２８ｅ上に感光性樹脂膜を塗布する。そして、感光性樹脂膜に対して露光及び現像を行って、ビアホール導体ｖ２（図４乃至図９には図示せず）となるビアホールが形成された絶縁体層２８ｄを形成する。

形成された絶縁体層２８ｄ上にフォトリソグラフィにより、Ａｇ、Ｃｕ又はＡｕ等の電気導電性の高い材料を主成分とするコイル導体１６ｂ、引き出し導体１７ｃ（図４乃至図９には図示せず）及びビアホール導体ｖ２（図４乃至図９には図示せず）を形成する。具体的には、めっき、蒸着、スパッタリング等により絶縁体層２８ｄの表面全面に金属膜を形成する。この際、絶縁体層２８ｄのビアホールに金属が充填され、ビアホール導体ｖ２（図４乃至図９には図示せず）が形成される。そして、金属膜に対して感光性レジスト膜を塗布し、露光及び現像を行う。この後、感光性レジスト膜から露出した金属膜の部分をエッチングにより除去した後、感光性レジスト膜を除去する。これにより、コイル導体１６ｂ、引き出し導体１７ｃ（図４乃至図９には図示せず）及びビアホール導体ｖ２（図４乃至図９には図示せず）が形成される。

この後、絶縁体層２８ｄの形成工程及びコイル導体１６ｂ、引き出し導体１７ｃ（図４乃至図９には図示せず）及びビアホール導体ｖ２（図４乃至図９には図示せず）の形成工程と同様の工程を繰り返す。これにより、絶縁体層２８ａ〜２８ｃ、コイル導体１６ａ、引き出し導体１７ａ，１７ｂ（図４乃至図９には図示せず）及びビアホール導体ｖ１（図４乃至図９には図示せず）を形成する。以上の工程（第１の工程）により、積層体１２が完成する。

さらに、ドライフィルムレジスト及びサンドブラストを用いて凹部３０を形成する（第２の工程）。より詳細には、絶縁体層２８ａ上に感光性樹脂フィルム５０を貼りつける。貼り付け後、図６に示すように、凹部３０を形成しない部分（受光部５１）に光Ｐを照射する。そして、光Ｐを照射していない部分（非受光部５２）を現像により除去する。続いて、現像により除去された部分に対して、図７に示すように、サンドブラストＢを行う。このとき、現像によって除去されなかった受光部５１が、サンドブラスト時のマスクとして機能する。そして、絶縁体層２８ａ〜２８ｅ及び磁性体基板３１が削られ、凹部３０が形成される。なお、サンドブラストＢにより、凹部３０は、絶縁体層２８ａ〜２８ｅを貫通する。さらに、凹部３０の底部は、磁性体基板３１に達する。なお、サンドブラストを用いて複数の絶縁体層２８ａ〜２８ｅ及び磁性体基板３１に対して、同時に凹部３０を形成するため、凹部３０の内周面Ｓ１０は、角がなく滑らかな面となる。凹部３０を形成した後に、感光性樹脂フィルム５０の受光部５１を除去する。

次に、スクリーン印刷法により、図８に示すように、磁性材料２１（絶縁材料）を凹部３０に埋め込むと共に磁性体層２２を形成する（第３の工程）。具体的には、ペースト状の磁粉含有樹脂を絶縁体層２８ａ上に載せた状態で、スキージを押し当て摺動させる。その後、ペースト状の磁粉含有樹脂を熱硬化させる。これにより、磁性材料２１を凹部３０に埋め込むと共に、磁性体層２２を形成する。

続いて、磁性体層２２上にエポキシ樹脂等の熱硬化型の接着剤を塗布して、接着層２４を形成する。そして、図９に示すように、接着層２４上に磁性体基板２９を貼りつける。その後、熱処理を行うことによって、磁性体層２２と磁性体基板２９とを接着する。

次に、ダイシングにより、積層体１２、磁性体層２２、接着層２４及び磁性体基板２９の集合体を複数のチップに分割する。そして、チップに対してバレル研磨を施して面取りを行う。

次に、メタルマスク等の遮蔽板を用いて、Ａｇを主成分とする導体膜を積層体１２、磁性体層２２、接着層２４及び磁性体基板２９に形成する。

最後に、導体膜上にＮｉ／Ｓｎめっきを施す。これにより、外部電極１４が形成される。以上の工程により、電子部品１０が完成する。

（効果）
以上のように構成された電子部品１０では、凹部３０への磁性材料２１の充填不良を抑制できる。電子部品１０の凹部３０は、サンドブラストを用いて、複数の絶縁体層２８ａ〜２８ｅ及び磁性体基板３１に対して同時に形成される。これにより、電子部品１０の凹部３０の内周面Ｓ１０は、角のない滑らかな面、すなわち、連続な面で構成される。従って、電子部品１０では、凹部３０に磁性材料２１を充填する際、内周面Ｓ１０の表面上には空気が残存する面の継ぎ目はない。その結果、電子部品１０では、特許文献１に記載のコモンモードフィルタ５００で生じるような磁性材料の充填不良の発生が抑制される。よって、電子部品１０では、磁性材料２１の充填不良を原因とするインピーダンスの低下が抑制される。

ところで、特許文献１に記載のコモンモードフィルタ５００では、孔５３１〜５３４は、下から上に行くにしたがって等間隔に広がっている。一方、電子部品１０では、凹部３０の幅の増加率は、底部から開口部に向かうに従って減少する。これにより、電子部品１０では、凹部３０の開口部に近い絶縁体層における凹部３０の占有率が、コモンモードフィルタ５００の凹部５３０の開口部に近い絶縁体層における凹部５３０の占有率よりも低い。なお、ここに言う占有率とは、各絶縁体層上における凹部３０が占める面積の割合である。従って、電子部品１０では、コモンモードフィルタ５００よりも、コイル導体１６ａを設けるためのスペースを大きくできる。結果として、電子部品１０では、コイル導体１６ａの巻き数をコモンモードフィルタ５００よりも多くできる。また、これに付随し、コイル導体１６ｂの巻き数についてもコモンモードフィルタ５００よりも多くできる。すなわち、電子部品１０のインピーダンスは、コモンモードフィルタ５００のインピーダンスよりも大きくなる。

また、電子部品１０では、凹部３０の底部は、磁性体基板３１の主面間に位置する。これにより、凹部３０に充填された磁性材料２１と磁性体基板３１が強固に接続され、コイル導体１６ａ，１６ｂで発生した磁束の磁束経路が、磁性体基板３１に至るまで確保される。従って、電子部品１０では、磁束の漏れを抑制し、インピーダンスの安定化を図ることができる。

さらに、電子部品１０では、凹部３０の開口部の幅Ｗは、凹部３０の深さｄよりも大きい。これにより、電子部品１０では、凹部３０の開口部の幅Ｗが、凹部３０の深さｄよりも小さい場合と比較して、底部まで磁性材料２１が到達しやすいため、磁性材料の充填不良は発生しづらい。

電子部品１０では、絶縁体層２８ａのｚ軸方向の正方向側の面を含む平面と内周面Ｓ１０の開口部とが成す接触角θ2は、８０°以下である。これにより、磁性材料２１を充填する際に、開口部から内周面Ｓ１０に沿うように磁性材料２１が流れる。これにより、磁性材料の充填不良が発生しづらくなる。

また、特許文献１に記載のコモンモードフィルタ５００の凹部５３０は、各絶縁体層５０８〜５１１に対して個別に孔５３１〜５３４を設けて、孔５３１〜５３４を重ね合わせて形成される。従って、コモンモードフィルタ５００では、孔５３１〜５３４を重ね合わせる際の位置ずれを考慮する必要がある。具体的には、位置ずれの公差分だけ、上層の孔を大きく設計する必要がある。これは、コイル５１４の巻き数の減少、又は、コモンモードフィルタ５００の大型化に繋がる。一方、電子部品１０の凹部３０は、サンドブラストを用いて、複数の絶縁体層２８ａ〜２８ｅ及び磁性体基板３１に対して同時に形成される。従って、電子部品１０では、各孔の位置ずれを考慮する必要がないため、コイル導体１６ａ，１６ｂの巻き数の減少及び部品の大型化を抑制できる。

（その他の実施形態）
本発明に係る電子部品は、前記実施形態に係る電子部品１０に限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。例えば、凹部３０の断面が描く曲線は、放物線だけでなく円弧も含む。つまり、凹部３０の断面が曲線を描いていればよい。また、凹部３０の形状は、すり鉢状に限らず、その内周面Ｓ１０が曲面であればよい。さらに、凹部３０を形成する際のサンドブラストに対するマスキング方法は、感光性樹脂フィルムを貼り付ける方法に限らない。そして、凹部３０を形成する際に、サンドブラストではなくレーザー加工を用いてもよく、効果はサンドブラストと同様である。

なお、電子部品１０は、コイル導体１６ａ又はコイル導体１６ｂのいずれか一方のみが設けられたコイル部品であってもよい。また、電子部品１０は、コイル以外の回路素子を内蔵していてもよい。

以上のように、本発明は、コイルを内蔵している電子部品及びその製造方法に有用であり、特に、インピーダンスの低下の抑制を可能とする点において優れている。

ｄ深さ
Ｓ１０内周面
Ｗ幅
１０電子部品
１２積層体
１６ａ，１６ｂコイル導体
２１磁性材料
２８ａ〜２８ｅ絶縁体層
２９，３１磁性体基板
３０凹部
３２法線ベクトル
３２ｚ法線ベクトルの積層方向成分

Claims

複数の絶縁体層が積層されて構成され、かつ、該絶縁体層の積層方向に窪んだ凹部が設けられた積層体と、
前記凹部に充填される絶縁材料と、
前記積層体内に設けられ、前記凹部の周囲を周回する第１のコイル導体と、
を備え、
前記凹部は、該凹部の底部から開口部に向かって湾曲しており、
前記絶縁材料の透磁率は、前記絶縁体層の透磁率よりも高く、
前記積層体の積層方向の一端の前記絶縁体層は、第１の磁性体基板であり、
前記凹部の底部は、前記第１の磁性体基板の主面間に位置していること、
を特徴とする電子部品。
複数の絶縁体層が積層されて構成され、かつ、該絶縁体層の積層方向に窪んだ凹部が設けられた積層体と、
前記凹部に充填される絶縁材料と、
前記積層体内に設けられ、前記凹部の周囲を周回する第１のコイル導体と、
を備え、
前記凹部は、実質的に連続な面により構成され、
前記凹部の内周面の法線ベクトルの積層方向成分は実質的に全て、該凹部の底部から開口部に向かっており、
前記絶縁材料の透磁率は、前記絶縁体層の透磁率よりも高く、
前記積層体の積層方向の一端の前記絶縁体層は、第１の磁性体基板であり、
前記凹部の底部は、前記第１の磁性体基板の主面間に位置していること、
を特徴とする電子部品。
複数の絶縁体層が積層されて構成され、かつ、該絶縁体層の積層方向に窪んだ凹部が設けられた積層体と、
前記凹部に充填される絶縁材料と、
前記積層体内に設けられ、前記凹部の周囲を周回する第１のコイル導体と、
を備え、
前記凹部は、該凹部の底部から開口部に向かって湾曲しており、
前記凹部の底部から開口部に単位長さだけ移動したときにおける、該凹部の前記積層方向に直交する方向における幅の増加量が、該凹部の底部から開口に向かうにしたがって減少すること、
を特徴とする電子部品。
複数の絶縁体層が積層されて構成され、かつ、該絶縁体層の積層方向に窪んだ凹部が設けられた積層体と、
前記凹部に充填される絶縁材料と、
前記積層体内に設けられ、前記凹部の周囲を周回する第１のコイル導体と、
を備え、
前記凹部は、実質的に連続な面により構成され、
前記凹部の内周面の法線ベクトルの積層方向成分は実質的に全て、該凹部の底部から開口部に向かっており、
前記凹部の底部から開口部に単位長さだけ移動したときにおける、該凹部の前記積層方向に直交する方向における幅の増加量が、該凹部の底部から開口に向かうにしたがって減少すること、
を特徴とする電子部品。
前記積層体内には、前記凹部の周囲を周回する第２のコイル導体が設けられ、
前記第２のコイル導体は、前記第１のコイル導体と積層方向において対向していること、
を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の電子部品。
前記第１のコイル導体を挟んで前記第１の磁性体基板と反対側の前記積層体上に第２の磁性体基板を、
更に備えていること、
を特徴とする請求項１、請求項２又は請求項５のいずれかに記載の電子部品。
前記積層方向に直交する直交方向における前記開口部の幅は、前記積層方向における前記凹部の深さよりも大きいこと、
を特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の電子部品。
複数の絶縁体層が積層されて構成され、かつ、該絶縁体層の積層方向に窪んだ凹部が設けられた積層体、該凹部に充填される絶縁材料及び前記積層体内に設けられ、前記凹部の周囲を周回する第１のコイル導体を有し、該凹部が、該凹部の底部から開口部に向かって湾曲している電子部品の製造方法であって、
前記複数の絶縁体層を積層すると共に、前記絶縁体層上に前記第１のコイル導体を形成して前記積層体を得る第１の工程と、
前記積層体に対して前記凹部を形成する第２の工程と、
前記凹部に前記絶縁材料を充填する第３の工程と、
を備えており、
前記絶縁材料の透磁率は、前記絶縁体層の透磁率よりも高く、
前記積層体の積層方向の一端の前記絶縁体層は、第１の磁性体基板であり、
前記凹部の底部は、前記第１の磁性体基板の主面間に位置していること、
を特徴とする電子部品の製造方法。
複数の絶縁体層が積層されて構成され、かつ、該絶縁体層の積層方向に窪んだ凹部が設けられた積層体、該凹部に充填される絶縁材料及び前記積層体内に設けられ、前記凹部の周囲を周回する第１のコイル導体を有し、該凹部は、実質的に連続な面により構成され、該凹部の内周面の法線ベクトルの積層方向成分は実質的に全て、該凹部の底部から開口部に向かっている電子部品の製造方法であって、
前記複数の絶縁体層を積層すると共に、前記絶縁体層上に前記第１のコイル導体を形成して前記積層体を得る第１の工程と、
前記積層体に対して前記凹部を形成する第２の工程と、
前記凹部に前記絶縁材料を充填する第３の工程と、
を備えており、
前記絶縁材料の透磁率は、前記絶縁体層の透磁率よりも高く、
前記積層体の積層方向の一端の前記絶縁体層は、第１の磁性体基板であり、
前記凹部の底部は、前記第１の磁性体基板の主面間に位置していること、
を特徴とする電子部品の製造方法。
複数の絶縁体層が積層されて構成され、かつ、該絶縁体層の積層方向に窪んだ凹部が設けられた積層体、該凹部に充填される絶縁材料、及び前記積層体内に設けられ、前記凹部の周囲を周回する第１のコイル導体を有し、該凹部が、該凹部の底部から開口部に向かって湾曲している電子部品の製造方法であって、
前記複数の絶縁体層を積層して前記積層体を得る第１の工程と、
前記積層体に対して前記凹部を形成する第２の工程と、
前記凹部に前記絶縁材料を充填する第３の工程と、
を備えており、
前記凹部の底部から開口部に単位長さだけ移動したときにおける、該凹部の前記積層方向に直交する方向における幅の増加量が、該凹部の底部から開口に向かうにしたがって減少すること、
を特徴とする電子部品の製造方法。
複数の絶縁体層が積層されて構成され、かつ、該絶縁体層の積層方向に窪んだ凹部が設けられた積層体、該凹部に充填される絶縁材料、及び前記積層体内に設けられ、前記凹部の周囲を周回する第１のコイル導体を有し、該凹部は、実質的に連続な面により構成され、該凹部の内周面の法線ベクトルの積層方向成分は実質的に全て、該凹部の底部から開口部に向かっている電子部品の製造方法であって、
前記複数の絶縁体層を積層して前記積層体を得る第１の工程と、
前記積層体に対して前記凹部を形成する第２の工程と、
前記凹部に前記絶縁材料を充填する第３の工程と、
を備えており、
前記凹部の底部から開口部に単位長さだけ移動したときにおける、該凹部の前記積層方向に直交する方向における幅の増加量が、該凹部の底部から開口に向かうにしたがって減少すること、
を特徴とする電子部品の製造方法。
前記第２の工程は、サンドブラストにより行われること
を特徴とする請求項８乃至請求項１１に記載の電子部品の製造方法。
前記第１の工程において、前記絶縁体層上に前記第１のコイル導体を形成すること、
を特徴とする請求項１０又は請求項１１のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
前記積層体の積層方向の一端の前記絶縁体層は、第１の磁性体基板であり、
前記第１のコイル導体を挟んで前記第１の磁性体基板と反対側の前記積層体上に第２の磁性体基板を積層する第４の工程を、
更に備えていること、
を特徴とする請求項８乃至請求項１３のいずれかに記載の電子部品の製造方法。