JP5968753B2 - 配線基板 - Google Patents

Description

本発明は、配線基板に関するものである。

従来、チップ型の容量素子（チップキャパシタ）等の電子部品を内蔵した配線基板が知られている（例えば、特許文献１参照）。例えば、図２２に示すように、電子部品８０は、配線基板のコア基板９０に形成された貫通孔９１内に配置されている。そして、この電子部品８０は、貫通孔９１の内面に形成された突起部９２によって側方から支持されている。

特開２００８−３１１２７５号公報

ところで、上記電子部品８０は、２つの突起部９２によって２点のみで支持されている。このため、例えば突起部９２の製造誤差や電子部品８０の製造誤差等に起因して、突起部９２による電子部品８０の支持力が弱くなると、図２２に一点鎖線で示した支持軸を支点にして電子部品８０が矢印方向に回転してしまうという問題が生じる。

本発明の一観点によれば、第１面から該第１面と反対側の第２面までを貫通する貫通孔が形成されたコア基板と、前記貫通孔内に配置され、本体部と前記本体部の対向する各第１側面を被覆する接続端子とを有する電子部品と、前記第１側面と対向する前記貫通孔の内面から各々の前記接続端子に当接するように突出し、前記電子部品を支持する第１突起部と、前記接続端子から露出された前記本体部の対向する各第２側面に向かって前記貫通孔の内面から突出する第２突起部と、前記貫通孔の内面と前記電子部品との間に充填された絶縁材と、を有し、前記貫通孔において対向する２つの内面にそれぞれ形成された前記第２突起部の先端間の距離のうち、前記第１側面と平行な成分における距離が、前記本体部の前記対向する第２側面間の距離よりも長く、且つ、前記本体部の前記第１側面の外形上の任意の２点を結ぶ直線のうち最も長い直線の距離よりも短く設定されている。

本発明の一観点によれば、貫通孔内に配置された電子部品の回転を抑制することができるという効果を奏する。

一実施形態の配線基板を示す概略断面図。 一実施形態の配線基板を示す概略断面図。 コア基板の一部を拡大した拡大平面図。 チップキャパシタを示す概略斜視図。 貫通孔の一部を示す概略斜視図。 一実施形態の配線基板の一部を示す概略断面図（図３における６−６断面図）。 一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。 （ａ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図、（ｂ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略平面図。 （ａ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図、（ｂ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略平面図。 一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。 （ａ）、（ｂ）は、一実施形態の配線基板の作用を示す説明図。 一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図。 変形例の突起部を示す概略斜視図。 変形例の配線基板を示す概略断面図。 （ａ）、（ｂ）は、変形例の配線基板の作用を示す説明図。 （ａ）は、変形例の突起部を示す概略斜視図、（ｂ）は、変形例の突起部が形成されたコア基板の一部を示す拡大平面図。 （ａ）は、変形例の突起部を示す概略斜視図、（ｂ）は、変形例の突起部が形成されたコア基板の一部を示す拡大平面図。 （ａ）は、変形例の突起部を示す概略斜視図、（ｂ）、（ｃ）は、変形例の突起部が形成されたコア基板の一部を示す拡大平面図。 変形例のコア基板の一部を示す拡大平面図。 （ａ）、（ｂ）は、変形例の配線基板を示す概略断面図。 （ａ）、（ｂ）は、変形例の配線基板を示す概略断面図。 従来の配線基板のコア基板を示す概略平面図。

以下、一実施形態を添付図面を参照して説明する。
なお、添付図面は、特徴を分かりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを省略している。

図１及び図２に示すように、電子装置は、半導体チップ１０と配線基板２０とを有している。半導体チップ１０は、配線基板２０の上面に搭載されている。この配線基板２０は、例えばマザーボード等の実装基板に実装される。この配線基板２０は、ＣＰＵ等のチップを搭載する半導体パッケージ用の配線基板として使用することもできる。

配線基板２０は、コア基板２１を有している。コア基板２１は、例えば補強材であるガラスクロス（ガラス織布）にエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性の絶縁性樹脂を含浸させ硬化させた、いわゆるガラスエポキシ基板である。補強材としてはガラスクロスに限らず、例えばガラス不織布、アラミド織布、アラミド不織布、液晶ポリマ（Liquid Crystal Polymer：ＬＣＰ）織布やＬＣＰ不織布を用いることができる。また、熱硬化性の絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂に限らず、例えばポリイミド樹脂やシアネート樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。

コア基板２１には、上面２１Ａ（第１面）と下面２１Ｂ（第２面）との間を貫通する貫通孔２２が形成されている。貫通孔２２は、図３に示すように、平面視略矩形状に形成されている。なお、図３は、貫通孔２２を形成したコア基板２１の矩形状の部分を拡大して示している。

貫通孔２２内にはチップキャパシタ５０が配置されている。チップキャパシタ５０は電子部品の一例である。
図４に示すように、チップキャパシタ５０は、直方体状に形成されたキャパシタ本体５１と、そのキャパシタ本体５１の長手方向の両端に形成された一対の接続端子５２を有している。キャパシタ本体５１は、キャパシタ本体５１の長手方向の両端面である側面５１Ａと、長手方向と平面視で直交するキャパシタ本体５１の短手方向の両端面である側面５１Ｂと、側面５１Ａ，５１Ｂと直交する上面５１Ｃ及び下面５１Ｄとを有している。各接続端子５２は、キャパシタ本体５１の長手方向の両端部を全体的に被覆するように形成されている。具体的には、各接続端子５２は、キャパシタ本体５１の側面５１Ａ全面と、側面５１Ｂの一部と、上面５１Ｃの一部と、下面５１Ｄの一部を被覆するように形成されている。なお、キャパシタ本体５１は、例えば、主としてセラミックと銅等の電極により形成されている。接続端子５２の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。キャパシタ本体５１の大きさは、例えば平面視で１０００μｍ×５００μｍ程度とすることができる。キャパシタ本体５１の厚さは、例えば１５０〜６００μｍ程度とすることができる。また、接続端子５２の厚さは、例えば５０μｍ程度とすることができる。

図３に示すように、コア基板２１には、チップキャパシタ５０の長手方向の両端面、つまりキャパシタ本体５１の側面５１Ａと対向する貫通孔２２の内面に一対の突起部２３が形成されている。一対の突起部２３は、貫通孔２２の内面のうち対向する一対の内面に形成されている。各突起部２３は、矩形状に形成された貫通孔２２の短辺を底辺とする平面視略三角形状に形成されている。この各突起部２３は、貫通孔２２の内面からキャパシタ本体５１の側面５１Ａを被覆する接続端子５２に向かって突出するように形成されている。具体的には、各突起部２３は、対向する接続端子５２に当接するように形成されている。すなわち、一対の突起部２３の先端間の距離は、チップキャパシタ５０の長手方向の長さ（つまり、一対の接続端子５２間の距離）と略同じ長さに設定されている。ここで、本例における一対の突起部２３の先端間の距離とは、一対の突起部２３の先端間の距離のうちチップキャパシタ５０（キャパシタ本体５１）の長手方向の距離のことである。このような一対の突起部２３によってチップキャパシタ５０が貫通孔２２内に支持されている。このように、チップキャパシタ５０は、その接続端子５２部分における２箇所のみで突起部２３によって支持されている。

なお、貫通孔２２の長辺の長さは例えば１１００〜１２００μｍ程度とすることができ、突起部２３の先端間の距離は例えば９００〜１０００μｍ程度とすることができ、チップキャパシタ５０の長手方向の長さは例えば９５０〜１０５０μｍ程度とすることができる。

さらに、図５に示すように、突起部２３は、コア基板２１において上面２１Ａから下面２１Ｂに向かって先端が連続するように形成されている。このため、コア基板２１の厚さ方向に直線状に延在された突起部２３の先端がチップキャパシタ５０の接続端子５２に対して線状に当接される。

また、図３に示すように、コア基板２１には、チップキャパシタ５０の短手方向の両端面、つまりキャパシタ本体５１の側面５１Ｂと対向する貫通孔２２の内面に一対の突起部２４が形成されている。一対の突起部２４は、貫通孔２２の内面のうち対向する一対の内面に形成されている。各突起部２４は、矩形状に形成された貫通孔２２の長辺を底辺とする平面視略三角形状にされている。この各突起部２４は、貫通孔２２の内面から接続端子５２から露出されたキャパシタ本体５１の側面５１Ａに向かって突出するように形成されている。

図６に示すように、一対の突起部２４の先端２４Ａ間の距離Ｌ１は、キャパシタ本体５１の短手方向の幅の長さ（つまり、キャパシタ本体５１の側面５１Ｂ間の距離）Ｌ２よりも長く設定されている。ここで、本例における一対の突起部２４の先端２４Ａ間の距離とは、突起部２４の先端２４Ａ間の距離のうち、チップキャパシタ５０（キャパシタ本体５１）の短手方向の距離（つまり、側面５１Ａと平行な成分における距離）のことである。このため、各突起部２４の先端２４Ａは、対向するキャパシタ本体５１の側面５１Ａに接触（当接）されていない。また、一対の突起部２４の先端２４Ａ間の距離Ｌ１は、キャパシタ本体５１の短手方向に沿った断面の対角線の距離Ｌ３、つまり側面５１Ａの対角線の距離よりも短く設定されている。さらに、図５に示すように、突起部２４は、コア基板２１において上面２１Ａから下面２１Ｂに向かって先端２４Ａが連続するように形成されている。

なお、上記距離Ｌ１は、上記距離Ｌ２よりも１０〜２０％長く設定されている。例えば、距離Ｌ１は５５０μｍ程度とすることができ、距離Ｌ２は５００μｍ程度とすることができる。

そして、これら突起部２３，２４は、コア基板２１と同じ材料、つまり硬化された樹脂により形成され、ガラスクロスなどの補強材を含む。
図２に示すように、貫通孔２２内には、絶縁材２５が充填されている。絶縁材２５は、貫通孔２２内に充填可能な粘度を有する樹脂を、貫通孔２２内に充填後に硬化して形成されている。絶縁材２５の材料としては、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂やアクリル樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。

図１及び図２に示すように、コア基板２１の上面２１Ａ側には、配線層３１と絶縁層３２と配線層３３がこの順番で形成されている。同様に、コア基板２１の下面２１Ｂ側には、配線層４１と絶縁層４２と配線層４３がこの順番で形成されている。配線層３１の一部のパターンは、絶縁層３２を貫通して形成されたビア３４を介してチップキャパシタ５０の接続端子５２に接続されている。また、各配線層３１，３３，４１，４３の一部のパターンは、コア基板２１及び絶縁層３２，４２を貫通して形成されたスルーホール３５を介して互いに電気的に接続されている。スルーホール３５は筒状に形成され、そのスルーホール３５の内部には絶縁材３６が充填されている。絶縁材３６は、スルーホール３５内に充填可能な粘度を有する樹脂を、スルーホール３５内に充填後に硬化することにより得られる。なお、図示は省略するが、配線層３１と配線層３３の一部のパターンは絶縁層３２を貫通して形成されたビアを介して互いに接続され、配線層４１と配線層４３の一部のパターンは絶縁層４２を貫通して形成されたビアを介して互いに接続されている。また、コア基板２１の両面に形成された配線層３１と配線層４１とを、コア基板２１に形成された貫通電極を介して電気的に接続してもよい。

なお、配線層３１，３３，４１，４３の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。絶縁層３２，４２及び絶縁材３６の材料としては、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂やアクリル樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。

絶縁層３２及び配線層３３は、ソルダレジスト層３７により被覆されている。ソルダレジスト層３７には、配線層３３の一部を接続用のパッド３３Ｐとして露出するための開口部３７Ｘが形成されている。

絶縁層４２及び配線層４３は、ソルダレジスト層４４により被覆されている。ソルダレジスト層４４には、配線層４３の一部を外部接続用のパッド４３Ｐとして露出するための開口部４４Ｘが形成されている。

なお、ソルダレジスト層３７，４４の材料としては、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。
パッド３３Ｐには、半導体チップ１０のバンプ１１が接続される。したがって、半導体チップ１０は、バンプ１１、パッド３３Ｐ（配線層３３）及びビア３４を介してチップキャパシタ５０と接続されている。なお、図示は省略するが、パッド４３Ｐは、外部接続端子（はんだボール等）を介してマザーボード等の実装基板に接続される。

次に、配線基板２０の製造方法を説明する。
図７に示すように、コア基板２１の上下両面に形成された金属箔をエッチング等によりパターニングして配線層３１，４１を形成する。このとき、図１等に示す貫通孔２２に応じて配線層３１，４１に開口部３１Ｘ，４１Ｘを形成する。

次に、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、コア基板２１に貫通孔２２及び突起部２３，２４を形成する。貫通孔２２及び突起部２３，２４の形成には、例えばプレス装置やレーザ加工機を用いることができる。

続いて、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、コア基板２１に形成した貫通孔２２内にチップキャパシタ５０を挿入する。このとき、チップキャパシタ５０の各接続端子５２の側面を対向する突起部２３の先端に当接させながらチップキャパシタ５０を貫通孔２２内に挿入する。但し、図９（ｂ）に示すように、突起部２４は、チップキャパシタ５０（具体的には、当該突起部２４に対向するキャパシタ本体５１の側面５１Ｂ）に接触しない。そして、貫通孔２２内に挿入されたチップキャパシタ５０は、一対の突起部２３のみによって支持される。また、本工程では、コア基板２１を平坦な基準面を有する治具上に載置し、チップキャパシタ５０を基準面に押し当てるように貫通孔２２内に挿入しても良い。これにより、チップキャパシタ５０が傾いた状態で突起部２３に支持されることを抑制することができる。また、コア基板２１の第１面（図１における上面）２１Ａに対して、チップキャパシタ５０の接続端子５２の主面（貫通孔２２内に配置されたチップキャパシタ５０において露出する面）が平行（略同一平面上）となるようにそのチップキャパシタ５０を配置することが可能となる。

次いで、図１０に示すように、コア基板２１の上下両面に絶縁層３２，４２を形成する。例えば、コア基板２１及びチップキャパシタ５０の上面と下面のそれぞれを樹脂フィルムにより覆う。樹脂フィルムの材料は熱硬化性樹脂である。また、この樹脂フィルムは、例えばＢ−ステージ状態（半硬化状態）のものである。これらの樹脂フィルムを、減圧雰囲気（例えば真空中）にてプレス装置等によりコア基板２１に向かって両面側から加圧することで、貫通孔２２の内面とチップキャパシタ５０との間に樹脂を充填する。このとき、２つの突起部２３のみでチップキャパシタ５０が支持されているため、貫通孔２２内に樹脂を供給する圧力がチップキャパシタ５０に加わると、そのチップキャパシタ５０が貫通孔２２内で回転する場合がある。例えば、図１１（ａ）に示すように、チップキャパシタ５０が、チップキャパシタ５０（キャパシタ本体５１）の厚さ方向の略中心に位置する回転支点Ａ１を中心として貫通孔２２内で回転する場合がある（図中の矢印参照）。このとき、一対の突起部２４の先端２４Ａ間の距離Ｌ１が、キャパシタ本体５１の短手方向に沿った断面の対角線の距離Ｌ３（図６参照）よりも短く設定されている。このため、図１１（ｂ）に示すように、チップキャパシタ５０が回転する途中でキャパシタ本体５１が突起部２４の先端２４Ａに係合されることになる。この係合によって、チップキャパシタ５０の回転を止めることができる。すなわち、貫通孔２２の内面に形成された突起部２４によってチップキャパシタ５０の回転を抑制することができ、チップキャパシタ５０の姿勢が変化（傾斜）することを抑制することができる。

その後、加熱処理により樹脂を硬化させ、絶縁材２５及び絶縁層３２，４２を形成する。
次に、図１２に示すように、絶縁層３２に、チップキャパシタ５０の接続端子５２の一部を露出するように開口部３２Ｘを形成する。なお、図１２では、図１０以前の工程に対して、上下を反転して示している。この開口部３２Ｘの形成には、例えばレーザ加工機が用いられる。このとき、上述したように突起部２４（図１１参照）によってチップキャパシタ５０の回転が抑制されるため、チップキャパシタ５０の接続端子５２の主面（ここでは、上面）がコア基板２１の上面２１Ａと略平行な姿勢が維持されている。したがって、接続端子５２を覆う絶縁層３２の厚みにおける所望の厚み（例えば設計値）に対する誤差が少ない。このため、本工程において接続端子５２の上面を確実に露出させることができ、次工程で形成するビア３４（図１参照）を確実に接続することができる。

なお、図示は省略するが、ビア３４及び配線層３３，４３は、例えばセミアディティブ法やサブトラクティブ法などの各種の配線形成方法により形成することができる。また、スルーホール３５は、レーザ加工機やドリル機により形成した貫通孔に無電解めっきや電解めっきを施すことにより形成することができる。そして、例えば感光性樹脂のフィルムを所定の形状にパターニングしてソルダレジスト層３７，４４が形成される。

次に、配線基板２０の作用を説明する。
一対の突起部２４は、貫通孔２２の内面のうち対向する内面からチップキャパシタ５０の接続端子５２から露出されたキャパシタ本体５１の側面５１Ｂに向かって突出するように形成されている。また、一対の突起部２４の先端２４Ａ間の距離Ｌ１は、キャパシタ本体５１の短手方向の距離Ｌ２よりも長く設定されている。これにより、接続端子５２の上面とコア基板２１の上面２１Ａとが略平行な状態では、キャパシタ本体５１は突起部２４と接触しないため、キャパシタ本体５１において支持の際の応力等が加わらない。このため、キャパシタ本体５１における割れ等の損傷が抑制される。さらに、一対の突起部２４の先端２４Ａ間の距離Ｌ１は、キャパシタ本体５１の短手方向に沿った断面（又は、側面５１Ａ）の対角線の距離Ｌ３よりも短く設定されている。このため、貫通孔２２内でチップキャパシタ５０が回転する場合であっても、その回転の途中でキャパシタ本体５１が突起部２４の先端２４Ａに係合され、チップキャパシタ５０の回転が停止される。具体的には、貫通孔２２内でチップキャパシタ５０が回転する場合であっても、上記一対の突起部２４によって、チップキャパシタ５０の接続端子５２の上面が貫通孔２２のコア基板２１の上面２１Ａ側の開口端に露出された状態で、チップキャパシタ５０の回転が停止される。すなわち、一対の突起部２４によってチップキャパシタ５０の回転を抑制することができる。ここで、チップキャパシタ５０の回転は、例えば接続端子５２に対するビア３４の接続不良の要因となる。このため、チップキャパシタ５０の回転を抑制することで、接続端子５２に対するビア３４の接続不良が低減する。

ここで、キャパシタ本体５１における寸法誤差は、接続端子５２における寸法誤差よりも小さい。このため、このようなキャパシタ本体５１の側面５１Ｂに向かって突出される突起部２４の寸法誤差とキャパシタ本体５１の寸法誤差とに起因してキャパシタ本体５１が回転していない状態で該キャパシタ本体５１と突起部２４とが接触することを好適に抑制することができる。換言すると、寸法誤差の小さいキャパシタ本体５１に向かって回転防止用の突起部２４を突出させることにより、チップキャパシタ５０（キャパシタ本体５１）と突起部２４との不要な接触を抑制している。

以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）一対の突起部２４は、接続端子５２から露出されたキャパシタ本体５１の側面５１Ｂと対向する貫通孔２２の内面にそれぞれ形成され、上記側面５１Ｂに向かって突出するように形成されている。また、一対の突起部２４の先端２４Ａ間の距離Ｌ１を、キャパシタ本体５１の短手方向の距離Ｌ２よりも長く、且つキャパシタ本体５１の側面５１Ａの対角線の距離よりも短く設定するようにした。これにより、キャパシタ本体５１における割れ等の損傷を抑制することができ、貫通孔２２内におけるチップキャパシタ５０の回転を抑制することができる。

（２）突起部２４を、コア基板２１の厚さ方向に沿って先端が連続するように形成した。これにより、コア基板２１の厚さ方向の一部に突起部２４を形成する場合に比べて、チップキャパシタ５０の回転による変位量を小さくすることができる。

（３）突起部２３を、コア基板２１の厚さ方向に沿って先端が連続するように形成し、接続端子５２の側面に対して、コア基板２１の厚さ方向に直線状に延びる突起部２３の先端を当接するようにした。これにより、コア基板２１の厚さ方向の一部に突起部２３を形成する場合に比べて、突起部２３によってチップキャパシタ５０を好適に支持することができる。

（４）ところで、コア基板に形成した貫通孔内に電子部品を配置した配線基板の製造方法としては、以下のような方法が知られている。すなわち、電子部品よりも大きな貫通孔が形成されたコア基板の片面に、貫通孔を塞ぐように仮止めテープを貼付し、貫通孔内に電子部品を配置した後、テープを貼付していないコア基板の面に絶縁層を形成し、テープを剥離する。このような製造方法によっても、コア基板の貫通孔内に電子部品を配置した配線基板を得ることができる。しかし、このような製造方法では、仮止めのためのテープがコア基板に貼付された状態で絶縁層を形成すると、絶縁層を形成する際の圧力によりテープが強固に接着されてしまう。このため、コア基板からテープを剥離する際に、テープを固定するための粘着剤等がコア基板の面に残ってしまう。

これに対し、本実施形態の製造方法では、チップキャパシタ５０が、貫通孔２２の内面に形成された突起部２３により支持される。このため、貫通孔２２内にチップキャパシタ５０を保持するために仮止め用のテープを必要としない。したがって、コア基板２１の両面に粘着剤等が残らないため、粘着剤等に起因して生じうる配線基板２０の反りや絶縁層３２，４２の剥離等の発生を抑制することができる。

（他の実施形態）
なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・上記実施形態における突起部２３の形状を適宜変更してもよい。例えば、図１３に示すように、貫通孔２２の内面に形成される各突起部２３を、その突起部２３の先端と対向する接続端子５２（図３参照）との距離が、コア基板２１の厚さ方向に沿って徐々に変化するように形成してもよい。図１４に示す例では、一対の突起部２３の先端間の距離が、コア基板２１の上面２１Ａから下面２１Ｂに向かって徐々に長くなる。これにより、貫通孔２２内にチップキャパシタ５０を挿入し易くなる。すなわち、チップキャパシタ５０を貫通孔２２内に挿入するために必要な押圧力が、貫通孔２２にテーパを形成しない場合よりも小さくなる。これにより、チップキャパシタ５０のキャパシタ本体５１に加わる応力等を小さくすることができるため、キャパシタ本体５１の破損を抑制することができる。

また、この場合には、コア基板２１の上面２１Ａ側において一対の突起部２３の先端間の距離が最も狭くなる最狭部が形成され、その最狭部における一対の突起部２３の先端によってチップキャパシタ５０が支持される。このため、この場合には、図１５（ａ）に示すように、チップキャパシタ５０の回転支点Ａ２が該チップキャパシタ５０の厚さ方向の中心付近からチップキャパシタ５０の端部（ここでは、上面）側に変位する。このようにチップキャパシタ５０の回転支点Ａ２をチップキャパシタ５０の上面側に近づけることで、図１５（ｂ）に示すように、貫通孔２２内におけるチップキャパシタ５０の回転を好適に抑制することができる。詳述すると、先の図１１（ｂ）と図１５（ｂ）を比較して明らかなように、チップキャパシタ５０の上面側に回転支点Ａ２を近づけた場合のチップキャパシタ５０の回転角度θ２は、チップキャパシタ５０の中心付近に回転支点Ａ１が位置する場合のチップキャパシタ５０の回転角度θ１よりも小さくなる。このため、チップキャパシタ５０の中心付近から端部（上面又は下面）側に回転支点Ａ２を近づけるほど、チップキャパシタ５０の回転が抑制され、その回転によるチップキャパシタ５０の変位量を小さくすることができる。

・上記実施形態では、各突起部２４を平面視略三角形状に形成するようにしたが、チップキャパシタ５０の回転を止めることが可能な形状であれば、各突起部２４の形状を適宜変更してもよい。例えば図１３に示すように、各突起部２４を、その突起部２４の先端と対向するキャパシタ本体５１（図３参照）との距離が、コア基板２１の厚さ方向に沿って徐々に変化するように形成してもよい。

また、例えば図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示すように、各突起部２４を平面視略台形状に形成するようにしてもよい。具体的には、各突起部２４を、矩形状に形成された貫通孔２２の長辺を底辺（下底）とする平面視略台形状に形成するようにしてもよい。この場合には、各突起部２４の先端部が、線状ではなく、面状に形成されることになる。すなわち、この場合の各突起部２４の先端部には、キャパシタ本体５１の側面５１Ｂと対向した断面視略矩形状の先端面２４Ｂが形成されている。このような貫通孔２２内においてチップキャパシタ５０が回転した場合には、キャパシタ本体５１が突起部２４の先端面２４Ｂに接触される。このため、キャパシタ本体５１と突起部２４との接触面積を増大させることができる。したがって、チップキャパシタ５０の回転時に、キャパシタ本体５１に加わる応力等を小さくすることができるため、キャパシタ本体５１の破損を抑制することができる。

また、図１７（ａ）及び図１７（ｂ）に示すように、各突起部２４の先端２４Ａを、丸みを帯びた形状に形成するようにしてもよい。例えば、各突起部２４全体を平面視略円弧状に形成するようにしてもよいし、各突起部２４の先端２４Ａのみを湾曲状に形成するようにしてもよい。いずれの場合にも、各突起部２４の先端２４Ａが面取りされた状態となる。そして、チップキャパシタ５０が回転したときに、そのキャパシタ本体５１と上記面取りされた突起部２４の先端２４Ａとが接触される。このため、キャパシタ本体５１と突起部２４との接触面積を増大させることができる。したがって、キャパシタ本体５１の破損を抑制することができる。さらに、キャパシタ本体５１が面取りされた先端２４Ａに接触されるため、キャパシタ本体５１の損傷をさらに抑制することができる。

・上記実施形態では、各突起部２３，２４を、貫通孔２２の各内面全面から突出するように形成するようにしたが、突起部２３，２４を形成する位置を適宜変更してもよい。例えば図１８（ａ）及び図１８（ｂ）に示すように、貫通孔２２の内面２２Ａの一部から貫通孔２２内に突出する突起部２３，２４を形成するようにしてもよい。具体的には、図１８（ｂ）に示すように、各突起部２３を、接続端子５２の側面と対向する貫通孔２２の内面２２Ａの一部（ここでは、貫通孔２２の短辺の中心付近）から接続端子５２に向かって突出するように形成してもよい。また、各突起部２４を、キャパシタ本体５１の側面５１Ｂと対向する貫通孔２２の内面２２Ａの一部（ここでは、貫通孔２２の長辺の中心付近）か上記側面５１Ｂに向かって突出するように形成してもよい。

・また、上記実施形態及び上記各変形例では、一対の突起部２４の先端２４Ａ（又は先端面２４Ｂ）を対向させるように形成した。これに限らず、例えば図１８（ｃ）に示すように、貫通孔２２の対向する内面２２Ａにおいて、一対の突起部２４の先端２４Ａを貫通孔２２の長辺方向に互いにずれた位置に形成するようにしてもよい。この場合であっても、各突起部２４は、接続端子５２から露出されたキャパシタ本体５１の側面５１Ｂに向かって貫通孔２２の内面２２Ａから突出するように形成される。また、一対の突起部２４の先端２４Ａ間の距離のうち、キャパシタ本体５１の短手方向の距離Ｌ１（つまり、側面５１Ａと平行な成分における距離）は、キャパシタ本体５１の短手方向の幅の長さＬ２よりも長く、且つキャパシタ本体５１の短手方向に沿った断面の対角線の距離Ｌ３（図６参照）よりも短く設定される。

・あるいは、図１８（ｃ）に示した変形例において、キャパシタ本体５１の側面５１Ｂと対向する貫通孔２２の各内面２２Ａに複数の突起部２４を形成するようにしてもよい。この場合には、対向する内面２２Ａに形成された２つの突起部２４の先端２４Ａ間の距離のうち側面５１Ａと平行な成分における距離が、キャパシタ本体５１の短手方向の幅の長さＬ２よりも長く、且つキャパシタ本体５１の短手方向に沿った断面の対角線の距離Ｌ３（図６参照）よりも短く設定される（条件１）。但し、複数の突起部２４のうち少なくとも一対の突起部２４が上記条件１を満たせば、上記実施形態と同様の効果を奏することができる。すなわち、２つの突起部２４の先端２４Ａ間の距離のうち側面５１Ａと平行な成分における最も狭い距離が条件１を満たせば、上記実施形態と同様の効果を奏することができる。

・上記実施形態では、突起部２３，２４をコア基板２１の上面２１Ａから下面２１Ｂに向かって先端が連続するように形成した。これに限らず、例えば突起部２３，２４をコア基板２１の厚さ方向の一部に形成するようにしてもよい。

・上記実施形態では、キャパシタ本体５１の長手方向の両端部に接続端子５２を形成するようにした。これに限らず、例えば図１９に示すように、チップキャパシタ６０において、キャパシタ本体６１の短手方向の両端部に接続端子６２を形成するようにしてもよい。この場合には、キャパシタ本体６１の短手方向の端面である側面６１Ａ全面が接続端子６２によって被覆され、キャパシタ本体６１の長手方向の端面である側面６１Ｂの少なくとも一部が接続端子６２から露出される。また、キャパシタ本体６１の側面６１Ａを被覆する接続端子６２の側面と対向する貫通孔２２の内面に突起部２３が形成され、キャパシタ本体６１の側面６１Ｂと対向する貫通孔２２の内面に突起部２４が形成される。このとき、各突起部２４は、接続端子６２から露出されたキャパシタ本体６１の側面６１Ｂに向かって突出するように形成される。さらに、一対の突起部２４の先端２４Ａ間の距離は、キャパシタ本体６１の長手方向の幅の長さ（つまり、キャパシタ本体６１の側面６１Ｂ間の距離）よりも長く、側面６１Ａの対角線の距離よりも短く設定される。なお、本変形例における一対の突起部２４の先端２４Ａ間の距離とは、突起部２４の先端２４Ａ間の距離のうち、キャパシタ本体６１の長手方向の距離（つまり、側面６１Ａと平行な成分における距離）のことである。このような構造であっても、上記実施形態の（１）〜（４）の効果と同様の効果を奏することができる。

・上記実施形態では、接続端子５２の上面がコア基板２１の上面２１Ａと略同一平面上に形成されるようにチップキャパシタ５０を貫通孔２２内に配置するようにした。これに限らず、例えば図２０（ａ）及び図２０（ｂ）に示すように、接続端子５２の上面が配線層３１の上面と略同一平面上に形成されるようにチップキャパシタ５０を貫通孔２２内に配置するようにしてもよい。

・上記実施形態では、キャパシタ本体５１の平面形状を長方形状としたが、これに限らず、キャパシタ本体５１の平面形状を、例えば正方形状や五角形以上の多角形状に形成するようにしてもよい。

・上記実施形態におけるキャパシタ本体５１の短手方向に沿った断面形状（側面５１Ａの外形形状）を長方形状としたが、これに限らず、キャパシタ本体５１の短手方向に沿った断面形状を正方形状や台形状に形成するようにしてもよい。また、キャパシタ本体５１の短手方向に沿った断面形状（側面５１Ａの外形形状）を、五角形以上の多角形状に形成するようにしてもよい。但し、この場合には、突起部２４の先端２４Ａ間の距離Ｌ１を、側面５１Ａの外形上の任意の２点を結ぶ直線のうち最も長い直線の距離よりも短くなるように設定する。

・図２１（ａ）及び図２１（ｂ）に示すように、貫通孔２２内に充填した絶縁材２５と絶縁層３２，４２を別の工程において形成するようにしてもよい。また、貫通孔２２内に充填した絶縁材２５と、絶縁層３２，４２を互いに異なる材料により形成してもよい。

・上記実施形態における配線層及び絶縁層の層数は適宜変更してもよい。
・上記実施形態の配線基板２０では、スルーホール３５内に絶縁材３６を充填したが、導電材（例えば、銅）を充填した、所謂フィルドビアスルーホールとしてもよい。

・上記実施形態では、貫通孔２２内に、２つの接続端子５２を有するチップキャパシタ５０を収容したが、３つ以上の接続端子５２を有するキャパシタなどの電子部品を貫通孔２２内に収容してもよい。

・上記実施形態では、貫通孔２２内にチップキャパシタ５０を収容したが、チップ抵抗、インダクタ、半導体装置（ＬＳＩ）等の電子部品を収容するようにしてもよい。

２０ 配線基板
２１ コア基板
２２ 貫通孔
２３ 突起部（第１突起部）
２４ 突起部（第２突起部）
２４Ａ 先端
２４Ｂ 先端面
２５ 絶縁材
３１，３３，４１，４３ 配線層
３２ 絶縁層（第１絶縁層）
４２ 絶縁層（第２絶縁層）
５０，６０ チップキャパシタ（電子部品）
５１，６１ キャパシタ本体（本体部）
５１Ａ，６１Ａ 側面（第１側面）
５１Ｂ，６１Ｂ 側面（第２側面）
５２，６２ 接続端子

Claims (8)

1. 第１面から該第１面と反対側の第２面までを貫通する貫通孔が形成されたコア基板と、
   前記貫通孔内に配置され、本体部と前記本体部の対向する各第１側面を被覆する接続端子とを有する電子部品と、
   前記第１側面と対向する前記貫通孔の内面から各々の前記接続端子に当接するように突出し、前記電子部品を支持する第１突起部と、
   前記接続端子から露出された前記本体部の対向する各第２側面に向かって前記貫通孔の内面から突出する第２突起部と、
   前記貫通孔の内面と前記電子部品との間に充填された絶縁材と、
   を有し、
   前記貫通孔において対向する２つの内面にそれぞれ形成された前記第２突起部の先端間の距離のうち、前記第１側面と平行な成分における距離が、前記本体部の前記対向する第２側面間の距離よりも長く、且つ、前記本体部の前記第１側面の外形上の任意の２点を結ぶ直線のうち最も長い直線の距離よりも短く設定されていることを特徴とする配線基板。
2. 前記第１突起部及び前記第２突起部は、前記コア基板において前記第１面から前記第２面に向かって連続するように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
3. 前記第１突起部は、前記第１突起部の先端と対向する前記接続端子との間の距離が、前記第１面から前記第２面に向かって徐々に変化するように形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
4. 前記第２突起部の平面形状が台形状に形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の配線基板。
5. 前記第２突起部の先端が丸みを帯びた形状に形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の配線基板。
6. 前記電子部品は、直方体状に形成された前記本体部を有し、
   前記第１側面は、前記本体部の長手方向の端面であり、
   前記第２側面は、前記本体部の短手方向の端面であり、
   前記接続端子は、前記本体部の長手方向の端部全体を被覆するように形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の配線基板。
7. 前記電子部品はチップキャパシタであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の配線基板。
8. 前記コア基板の第１面及び前記電子部品を被覆する第１絶縁層と、
   前記コア基板の第２面及び前記電子部品を被覆する第２絶縁層と、を有し、
   前記絶縁材は、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層と同じ熱硬化性樹脂であり、前記貫通孔の内面と前記電子部品との間に充填されたものであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の配線基板。