JP5965258B2 - エレクトロクロミック素子及びその製造方法 - Google Patents
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Description
20 第1の透明電極
30、30A、30B エレクトロクロミック薄膜
40 電解質層
40a スペーサ
50 対極膜
60 第2の透明電極
70 第2の透明基板
100、200、300 エレクトロクロミック素子
Claims (8)
- 対向する一対の基板上に互いに対向して設けられた一対の透明電極層と、前記一対の透明電極層に挟まれた電解質層及びエレクトロクロミック層とを有し、前記一対の透明電極層間に印加される電圧によって光の透過率が変化するエレクトロクロミック素子において、
前記エレクトロクロミック層は、水酸化物と水和酸化物との複合薄膜であることを特徴とするエレクトロクロミック素子。 - 前記水酸化物は、水酸化コバルト又は水酸化ニッケルであることを特徴とする請求項1に記載のエレクトロクロミック素子。
- 前記水和酸化物は、水和酸化ニオブ、水和酸化ジルコニウム又は水和酸化タンタルであることを特徴とする請求項1又は2に記載のエレクトロクロミック素子。
- 前記エレクトロクロミック層は、水酸化コバルトと水和酸化ニオブとの複合薄膜であり、ニオブ濃度は、43at.%以下であることを特徴とする請求項1に記載のエレクトロクロミック素子。
- 前記エレクトロクロミック層は、水酸化コバルトと水和酸化ジルコニウムとの複合薄膜であり、ジルコニウム濃度は、37at.%以下であることを特徴とする請求項1に記載のエレクトロクロミック素子。
- 前記エレクトロクロミック層は、水酸化ニッケルと水和酸化ジルコニウムとの複合薄膜であり、ジルコニウム濃度は、22at.%以下であることを特徴とする請求項1に記載のエレクトロクロミック素子。
- 第1の透明基板の表面に第1の透明電極を形成する第1の透明電極形成工程と、
該形成された第1の透明電極の表面に薄膜によるエレクトロクロミック層を形成するエレクトロクロミック層形成工程と、
第2の透明基板の表面に第2の透明電極を形成する第2の透明電極形成工程と、
該形成された第2の透明電極の表面に対極膜を形成する対極膜形成工程と、
表面に第1の透明電極及びエレクトロクロミック層が形成された第1の透明基板と、表面に第2の透明電極及び対極膜が形成された第2の透明基板とを、電解質層を介在させて積層する組み立て工程とを備え、
前記エレクトロクロミック層形成工程では、水蒸気を用いた反応性スパッタリングにより水酸化物と水和酸化物との複合薄膜を形成することを特徴とするエレクトロクロミック素子の製造方法。 - 前記エレクトロクロミック層形成工程では、第1のターゲット金属の表面に、所定面積を有する複数の第2のターゲット金属のチップを設けた複合ターゲットを用いたことを特徴とする請求項7に記載のエレクトロクロミック素子の製造方法。
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