JP5965235B2 - 金属めっき皮膜を有する半導体基材およびその製造方法 - Google Patents
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(1)半導体基材に金属めっきを施すことによって金属めっき皮膜を有する半導体基材を製造する方法であって、前記半導体基材としてシリコン基材およびシリコンカーバイド基材から選ばれた半導体基材を用い、純度が70%以上であり、温度が0〜100℃であるフッ素ガスを用いて0.1〜60kPaの減圧下で当該フッ素ガスと半導体基材とを接触させて半導体基材の表面を改質させ、当該半導体基材と水を必須成分として含有する3〜95℃の水性媒体とを10〜90分間接触させた後、当該半導体基材に金属めっきを施すことを特徴とする金属めっき皮膜を有する半導体基材の製造方法、および
(2)表面が改質された半導体基材を製造する方法であって、前記半導体基材としてシリコン基材およびシリコンカーバイド基材から選ばれた半導体基材を用い、純度が70%以上であり、温度が0〜100℃であるフッ素ガスを用いて0.1〜60kPaの減圧下で当該フッ素ガスと半導体基材とを接触させて半導体基材の表面を改質させた後、当該半導体基材と水を必須成分として含有する3〜95℃の水性媒体とを10〜90分間接触させることを特徴とする表面が改質された半導体基材の製造方法
に関する。
半導体基材として、チップ状(縦:10mm、横:10mm、厚さ:1mm)に切断したシリコンウェハを用いた。このチップ状シリコンウェハに水滴径が約1mmの水滴を滴下し、接触角計〔協和界面科学(株)製、品番:DM−701〕を用いて室温(約25℃)における水の接触角を測定した。その結果、水の接触角は34°であることが確認された。また、このシリコンウェハの表面を電子顕微鏡で観察したところ、その表面は平滑であることが確認された。
半導体基材として、チップ状(縦:10mm、横:10mm、厚さ:1mm)に切断したシリコンウェハを用いた。このチップ状シリコンウェハを300mL容量のビーカーに入れた超純水150mLに浸漬し、30分間超音波洗浄機で処理した。
半導体基材として、チップ状(縦:10mm、横:10mm、厚さ:1mm)に切断したシリコンウェハを用いた。このチップ状シリコンウェハを300mL容量のビーカーに入れた超純水150mLに浸漬し、30分間超音波洗浄機で処理した。
半導体基材として、チップ状(縦:10mm、横:10mm、厚さ:1mm)に切断したシリコンウェハを用いた。このチップ状シリコンウェハを300mL容量のビーカーに入れた超純水150mLに浸漬し、30分間超音波洗浄機で処理した。
半導体基材として、チップ状(縦:10mm、横:10mm、厚さ:1mm)に切断したシリコンウェハを用いた。このチップ状シリコンウェハを300mL容量のビーカーに入れた超純水150mLに浸漬し、30分間超音波洗浄機で処理した。
半導体基材として、チップ状(縦:10mm、横:10mm、厚さ:1mm)に切断したシリコンウェハを用いた。このチップ状シリコンウェハを300mL容量のビーカーに入れた超純水150mLに浸漬し、30分間超音波洗浄機で処理した。
半導体基材として、チップ状(縦:10mm、横:10mm、厚さ:1mm)に切断したシリコンウェハを用いた。このチップ状シリコンウェハを300mL容量のビーカーに入れた超純水150mLに浸漬し、30分間超音波洗浄機で処理した。
半導体基材として、チップ状(縦:10mm、横:10mm、厚さ:1mm)に切断したシリコンウェハを用いた。このチップ状シリコンウェハを300mL容量のビーカーに入れた超純水150mLに浸漬し、30分間超音波洗浄機で処理した。
半導体基材として、チップ状(縦:10mm、横:10mm、厚さ:1mm)に切断したシリコンウェハを用いた。このチップ状シリコンウェハを300mL容量のビーカーに入れた超純水150mLに浸漬し、30分間超音波洗浄機で処理した。
半導体基材として、チップ状(縦:10mm、横:10mm、厚さ:1mm)に切断したシリコンウェハを用いた。このチップ状シリコンウェハを300mL容量のビーカーに入れた超純水150mLに浸漬し、30分間超音波洗浄機で処理した。
半導体基材として、チップ状(縦:10mm、横:10mm、厚さ:1mm)に切断したシリコンカーバイドウェハを用いた。このチップ状シリコンカーバイドウェハを300mL容量のビーカーに入れた超純水150mLに浸漬し、30分間超音波洗浄機で処理した。
半導体基材として、チップ状(縦:10mm、横:10mm、厚さ:1mm)に切断したシリコンウェハを用いた。このチップ状シリコンウェハを300mL容量のビーカーに入れた超純水150mLに浸漬し、30分間超音波洗浄機で処理した。このチップ状シリコンウェハの表面の電子顕微鏡写真を図1(a)に示す。図1(a)に示された結果から、このチップ状シリコンウェハの表面は平滑であることが確認された。また、このチップ状シリコンウェハに水滴径が約1mmの水滴を滴下し、接触角計〔協和界面科学(株)製、品番:DM−701〕を用いて室温(約25℃)における水の接触角を測定した。その結果を図2(a)に示す。図2(a)に示された結果から、水の接触角は34°であることが確認された。
半導体基材として、チップ状(縦:10mm、横:10mm、厚さ:1mm)に切断したシリコンウェハを用いた。このチップ状シリコンウェハを300mL容量のビーカーに入れた超純水150mLに浸漬し、30分間超音波洗浄機で処理した。
半導体基材として、チップ状(縦:10mm、横:10mm、厚さ:1mm)に切断したシリコンウェハを用いた。このチップ状シリコンウェハを300mL容量のビーカーに入れた超純水150mLに浸漬し、30分間超音波洗浄機で処理した。
半導体基材として、チップ状(縦:10mm、横:10mm、厚さ:1mm)に切断したシリコンウェハを用いた。このチップ状シリコンウェハを300mL容量のビーカーに入れた超純水150mLに浸漬し、30分間超音波洗浄機で処理した。
各実施例、各比較例および参考例のチップ状シリコンウェハまたはチップ状シリコンカーバイドウェハにセンシタイジング(感応化処理)を施すために、塩酸および蒸留水を混合することによって得られた酸性水溶液100mLに塩化第一スズ約5gを添加し、溶解させた溶液を調製した。
〔金属めっき皮膜の密着性〕
試料の金属めっき皮膜が形成されている面に、セロハン粘着テープ〔ニチバン(株)製、商品名:セロテープ(登録商標)〕を貼付し、セロハン粘着テープにカッターナイフで傷を入れ、半導体基材に達する1mm×1mm×100個の碁盤目を形成し、その上にセロハン粘着テープを貼り付けた後、急激にセロハン粘着テープを引き剥がし、碁盤目の剥離状態を観察し、残存している碁盤目の数をカウントし、その数を表1に記載した。当該残存している碁盤目の数が多いほど、金属めっき皮膜の密着性に優れている。
硫酸銅200g/L、硫酸45g/Lからなる水溶液に塩化ナトリウム水溶液を適宜加えて塩化物イオン濃度を60ppmとした水溶液を調製し、25℃に調整し、めっき浴とした。
Claims (2)
- 半導体基材に金属めっきを施すことによって金属めっき皮膜を有する半導体基材を製造する方法であって、前記半導体基材としてシリコン基材およびシリコンカーバイド基材から選ばれた半導体基材を用い、純度が70%以上であり、温度が0〜100℃であるフッ素ガスを用いて0.1〜60kPaの減圧下で当該フッ素ガスと半導体基材とを接触させて半導体基材の表面を改質させ、当該半導体基材と水を必須成分として含有する3〜95℃の水性媒体とを10〜90分間接触させた後、当該半導体基材に金属めっきを施すことを特徴とする金属めっき皮膜を有する半導体基材の製造方法。
- 表面が改質された半導体基材を製造する方法であって、前記半導体基材としてシリコン基材およびシリコンカーバイド基材から選ばれた半導体基材を用い、純度が70%以上であり、温度が0〜100℃であるフッ素ガスを用いて0.1〜60kPaの減圧下で当該フッ素ガスと半導体基材とを接触させて半導体基材の表面を改質させた後、当該半導体基材と水を必須成分として含有する3〜95℃の水性媒体とを10〜90分間接触させることを特徴とする表面が改質された半導体基材の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
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JP2012162165A JP5965235B2 (ja) | 2012-07-21 | 2012-07-21 | 金属めっき皮膜を有する半導体基材およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014019933A JP2014019933A (ja) | 2014-02-03 |
JP5965235B2 true JP5965235B2 (ja) | 2016-08-03 |
Family
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012162165A Active JP5965235B2 (ja) | 2012-07-21 | 2012-07-21 | 金属めっき皮膜を有する半導体基材およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5965235B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6603491B2 (ja) * | 2015-06-29 | 2019-11-06 | 公立大学法人兵庫県立大学 | 複合材料及びその製造方法、並びにその製造装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10270381A (ja) * | 1997-03-24 | 1998-10-09 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP3975625B2 (ja) * | 1999-10-20 | 2007-09-12 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3923389B2 (ja) * | 2002-08-08 | 2007-05-30 | 新光電気工業株式会社 | めっき装置及び配線基板の製造方法 |
JP5474626B2 (ja) * | 2010-03-26 | 2014-04-16 | 国立大学法人福井大学 | 表面改質された樹脂基材の製造方法 |
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2012
- 2012-07-21 JP JP2012162165A patent/JP5965235B2/ja active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014019933A (ja) | 2014-02-03 |
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