JP5955215B2 - Antenna board - Google Patents

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Description

本発明は、多層配線基板中にアンテナパッドとグランド用導体とを対向するように設けたアンテナ基板に関するものである。   The present invention relates to an antenna substrate provided with an antenna pad and a ground conductor facing each other in a multilayer wiring substrate.

従来、アンテナ基板として、図3に示すように、多層配線基板の一方の主面側にアンテナパッド27を設けるとともに他方の主面側にアンテナパッド27に接続される半導体素子Sが搭載されるアンテナ基板30が知られている。このアンテナ基板30は、スルーホール22を有するコア絶縁板21の両主面に、ビアホール25を有するビルドアップ絶縁層24とビルドアップ配線層26とが交互に複数層積層されている。アンテナパッド27は、一方の主面側の最表層のビルドアップ配線層26に設けられている。また、この一方の主面側のコア絶縁板21の主面には、アンテナパッド27と対向するようにしてグランド用導体23が配置されている。このグランド用導体23は、アンテナパッド27から放射される電波を反射させる反射用導体であり、それによりアンテナパッド27から放射される電波がアンテナ基板30の一方の主面側から外部に効率よく放射されるようになっている。なお、アンテナパッド27とグランド用導体23とは、複数のビルドアップ絶縁層24を挟んで対向しており、それによりアンテナパッド27とグランド用導体23との間に適度な間隔が確保されている。アンテナパッド27とグランド用導体23との間隔が狭すぎると、両者間に大きな蓄電体が形成されて、電波の放射の障害となってしまう。   Conventionally, as shown in FIG. 3, as an antenna substrate, an antenna pad 27 is provided on one main surface side of a multilayer wiring substrate and a semiconductor element S connected to the antenna pad 27 is mounted on the other main surface side. A substrate 30 is known. In this antenna substrate 30, a plurality of buildup insulating layers 24 and buildup wiring layers 26 having via holes 25 are alternately stacked on both main surfaces of the core insulating plate 21 having the through holes 22. The antenna pad 27 is provided on the outermost build-up wiring layer 26 on one main surface side. A ground conductor 23 is arranged on the main surface of the core insulating plate 21 on the one main surface side so as to face the antenna pad 27. The ground conductor 23 is a reflecting conductor that reflects the radio wave radiated from the antenna pad 27, whereby the radio wave radiated from the antenna pad 27 is efficiently radiated from one main surface side of the antenna substrate 30 to the outside. It has come to be. The antenna pad 27 and the ground conductor 23 are opposed to each other with a plurality of build-up insulating layers 24 interposed therebetween, so that an appropriate interval is secured between the antenna pad 27 and the ground conductor 23. . If the distance between the antenna pad 27 and the ground conductor 23 is too small, a large power storage unit is formed between the two, and this may interfere with radio wave radiation.

アンテナ基板30の他方の主面側の最表層のビルドアップ配線層26には、半導体素子Sと接続される複数の半導体素子接続パッド29が形成されている。そして、これらの半導体素子接続パッド29の一つとアンテナパッド27とが、互いに上下に重なるように形成されたビアホール25およびスルーホール22を介して電気的に接続されている。これらのスルーホール22内およびビアホール25内には、スルーホール導体22aおよびビア導体25aが形成されている。また、上下に重なりあったビア導体25a同士の間にはビアランド25bが形成されている。ビアランド25bは、ビア導体25aと一体的に形成されており、その直径がビアホール25の直径よりも若干大きなものとなっている。このようにビアランド25bの直径がビアホール25の直径よりも若干大きくなっていることによって、上下に位置するビアホール25同士の位置が互いに若干ずれしたとしてもこれらの間を確実に接続することが可能となっている。さらに、スルーホール導体22aの両端にはスルーホールランド22bが形成されている。スルーホールランド22bは、スルーホール導体22aと一体的に形成されており、その直径がスルーホール22の直径よりも若干大きなものとなっている。このようにスルーホールランド22bの直径がスルーホール22の直径よりも若干大きなものとなっていることによって、スルーホール22と上下に位置するビアホール25との位置が互いに若干ずれたとしても、これらの間を確実に接続することが可能となっている。   A plurality of semiconductor element connection pads 29 connected to the semiconductor element S are formed on the outermost buildup wiring layer 26 on the other main surface side of the antenna substrate 30. One of these semiconductor element connection pads 29 and the antenna pad 27 are electrically connected via a via hole 25 and a through hole 22 formed so as to overlap each other. In these through holes 22 and via holes 25, through hole conductors 22a and via conductors 25a are formed. In addition, via lands 25b are formed between the via conductors 25a that overlap in the vertical direction. The via land 25 b is formed integrally with the via conductor 25 a and has a diameter slightly larger than the diameter of the via hole 25. As described above, the diameter of the via land 25b is slightly larger than the diameter of the via hole 25, so that even if the positions of the via holes 25 located above and below are slightly shifted from each other, the via land 25b can be reliably connected. It has become. Further, through-hole lands 22b are formed at both ends of the through-hole conductor 22a. The through-hole land 22 b is formed integrally with the through-hole conductor 22 a and has a diameter slightly larger than the diameter of the through-hole 22. Since the diameter of the through hole land 22b is slightly larger than the diameter of the through hole 22 in this way, even if the positions of the through hole 22 and the via hole 25 positioned above and below are slightly shifted from each other, It is possible to connect between them reliably.

そして、このアンテナ基板30においては、半導体素子Sからスルーホール22およびビアホール25を介してアンテナパッド27に高周波信号を給電することで、高周波信号がアンテナパッド27から電波として放射される。   In the antenna substrate 30, a high frequency signal is fed from the semiconductor element S to the antenna pad 27 through the through hole 22 and the via hole 25, so that the high frequency signal is radiated from the antenna pad 27 as a radio wave.

ところで、このようなアンテナ基板30は、通信機器に組み込まれ、例えば音声や映像などの高周波信号を離れた場所にある別の通信機器に送信する用途等に用いられる。ところが、近年、これらの通信機器を、より広範囲で送受信可能とすることが求められている。この要求に対応するためには、高周波信号をより高出力で放射する必要がある。   By the way, such an antenna substrate 30 is incorporated in a communication device, and is used for, for example, a purpose of transmitting a high-frequency signal such as audio or video to another communication device at a remote location. However, in recent years, it has been demanded that these communication devices can transmit and receive in a wider range. In order to meet this demand, it is necessary to radiate a high-frequency signal at a higher output.

しかしながら、高出力化が進むにつれて、アンテナパッド27から放射された電波のうち、アンテナ基板30の内部方向に放射された電波の一部をアンテナパッド27とスルーホールランド22bとを接続するビア導体25a同士の間に介在するビアランド25bのうち、グランド用導体23よりもアンテナパッド27側にあるビアランド25bが受信してしまう場合がある。その結果、ビアランド25bが受信した電波の一部が、アンテナパッド27から放射される電波にノイズとして混成されてしまい、音声や映像などの高周波信号を正常に送信することが出来ない場合がある。   However, as the output increases, a part of the radio wave radiated from the antenna pad 27 toward the inside of the antenna substrate 30 is connected to the via pad 25a that connects the antenna pad 27 and the through-hole land 22b. Of the via lands 25b interposed between the via lands 25b, the via lands 25b closer to the antenna pad 27 than the ground conductor 23 may be received. As a result, a part of the radio wave received by the via land 25b is mixed as noise with the radio wave radiated from the antenna pad 27, and a high-frequency signal such as voice or video may not be transmitted normally.

特開平5−183328号公報JP-A-5-183328

本発明は、アンテナパッドから放射される電波に混成されるノイズを低減することで、高周波信号を正常に送信することが可能なアンテナ基板を提供することを課題とする。   An object of the present invention is to provide an antenna substrate capable of normally transmitting a high-frequency signal by reducing noise mixed with radio waves radiated from an antenna pad.

本発明のアンテナ基板は、スルーホールを有する第1の厚みのコア絶縁板の一方の主面にグランド用導体を設けるとともに該グランド用導体上を含む前記一方の主面上に前記第1の厚みよりも薄い第2の厚みのビルドアップ絶縁層とビルドアップ配線層とを交互に積層し、前記コア絶縁板の他方の主面に前記グランド用導体と対向するとともに前記ビルドアップ配線層に前記スルーホールを介して電気的に接続されたアンテナパッドを設けたことを特徴とするものである。   In the antenna substrate of the present invention, a ground conductor is provided on one main surface of the first thickness core insulating plate having a through hole, and the first thickness is formed on the one main surface including the ground conductor. A build-up insulating layer and a build-up wiring layer having a second thickness smaller than each other are alternately stacked, the other main surface of the core insulating plate is opposed to the ground conductor, and the build-up wiring layer has the through-through. An antenna pad electrically connected through a hole is provided.

本発明のアンテナ基板は、スルーホールを有するコア絶縁板の一方の主面にグランド用導体を設けるとともに、コア絶縁板の他方の主面にグランド用導体と対向するアンテナパッドが形成されている。即ち、アンテナパッドとグランド用導体とは、コア絶縁板を挟んで対向している。コア絶縁板は、その厚みを厚くしたとしてもスルーホール導体の途中にランドを設ける必要はない。したがって、グランド用導体よりもアンテナパッド側に不要なランドを介在させることなく、アンテナパッドとグランド用導体との間に十分な間隔を確保することができる。このため、アンテナパッドから放射される電波にランドに起因するノイズが混成されることを防止することができ、音声や映像などの高周波信号を正常に送信することが可能なアンテナ基板を提供することができる。   In the antenna substrate of the present invention, a ground conductor is provided on one main surface of a core insulating plate having a through hole, and an antenna pad facing the ground conductor is formed on the other main surface of the core insulating plate. That is, the antenna pad and the ground conductor are opposed to each other with the core insulating plate interposed therebetween. Even if the core insulating plate is thickened, it is not necessary to provide a land in the middle of the through-hole conductor. Therefore, a sufficient space can be ensured between the antenna pad and the ground conductor without interposing an unnecessary land on the antenna pad side of the ground conductor. For this reason, it is possible to prevent the noise caused by the land from being mixed with the radio wave radiated from the antenna pad, and to provide an antenna substrate capable of normally transmitting a high-frequency signal such as audio or video. Can do.

図1は、本発明のアンテナ基板の実施の形態の一例を示す概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of an embodiment of an antenna substrate of the present invention. 図2は、本発明のアンテナ基板の別の実施の形態の一例を示す概略断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of another embodiment of the antenna substrate of the present invention. 図3は、従来のアンテナ基板の実施の形態の一例を示す概略断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an example of an embodiment of a conventional antenna substrate.

次に、本発明の実施形態の一例を、図1を基に説明する。図1に示すように本例のアンテナ基板10は、スルーホール2を有するコア絶縁板1の一方の主面側のみにビアホール5を有するビルドアップ絶縁層4とビルドアップ配線層6とを交互に積層して成る。この一方の主面側の最表層のビルドアップ配線導体6には、半導体素子Sの電極Tと接続される半導体素子接続パッド9が形成されている。また、コア絶縁板1の一方の主面には、グランド用導体3が配置されている。さらに、コア絶縁板1の他方の主面には、グランド用導体3と対向するようにしてアンテナパッド7が形成されている。そして、このアンテナパッド7と半導体素子接続パッド9の一つとが、互いに上下に重なるように形成されたスルーホール2およびビアホール5を介して互いに電気的に接続されている。さらに、両主面側の最表面にソルダーレジスト層8が被着されている。   Next, an example of an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 1, the antenna substrate 10 of this example has a build-up insulating layer 4 and a build-up wiring layer 6 having via holes 5 only on one main surface side of the core insulating plate 1 having through-holes 2 alternately. It is made up of layers. A semiconductor element connection pad 9 connected to the electrode T of the semiconductor element S is formed on the buildup wiring conductor 6 on the outermost layer on the one main surface side. A ground conductor 3 is disposed on one main surface of the core insulating plate 1. Further, an antenna pad 7 is formed on the other main surface of the core insulating plate 1 so as to face the ground conductor 3. The antenna pad 7 and one of the semiconductor element connection pads 9 are electrically connected to each other through a through hole 2 and a via hole 5 formed so as to overlap each other. Further, a solder resist layer 8 is deposited on the outermost surfaces on both main surfaces.

上述のスルーホール2内およびビアホール5内には、スルーホール導体2aおよびビア導体5aが形成されている。上下に重なりあったビア導体5a同士の間にはビアランド5bが形成されている。また、スルーホール導体2aの両端にはスルーホールランド2bが形成されている。そして、半導体素子接続パッド9と半導体素子Sの電極Tとが、半田バンプを介して電気的に接続され、半導体素子Sからビアホール5およびスルーホール2を介してアンテナパッド7に高周波信号を給電することで、高周波信号がアンテナパッド7から電波として放射される。   A through-hole conductor 2a and a via conductor 5a are formed in the through hole 2 and the via hole 5 described above. Via lands 5b are formed between the via conductors 5a that overlap vertically. Further, through-hole lands 2b are formed at both ends of the through-hole conductor 2a. The semiconductor element connection pad 9 and the electrode T of the semiconductor element S are electrically connected via solder bumps, and a high frequency signal is supplied from the semiconductor element S to the antenna pad 7 via the via hole 5 and the through hole 2. Thus, a high frequency signal is radiated from the antenna pad 7 as a radio wave.

コア絶縁板1は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料から成る。コア絶縁板1の厚みは150〜400μm程度であることが好ましい。150μmよりも小さいと、アンテナパッド7とグランド用導体3との間で蓄電体を形成してしまい、アンテナパッド7から電波を正常に放射する障害となってしまう。また、400μmよりも大きいと、スルーホール導体2aを形成するためにスルーホール2開口径を大きくする必要が生じてしまい、高密度配線化の妨げになってしまう。   The core insulating plate 1 is made of an electrically insulating material in which a glass cloth is impregnated with a thermosetting resin such as an epoxy resin or a bismaleimide triazine resin. The thickness of the core insulating plate 1 is preferably about 150 to 400 μm. If the thickness is smaller than 150 μm, a power storage unit is formed between the antenna pad 7 and the ground conductor 3, which is an obstacle to normal emission of radio waves from the antenna pad 7. On the other hand, if it is larger than 400 μm, it becomes necessary to increase the opening diameter of the through-hole 2 in order to form the through-hole conductor 2a, which hinders high density wiring.

スルーホール2はφ100〜150μm程度であり、例えばドリル加工により形成されている。また、スルーホール導体2aは、銅めっき層から成り、スルーホール2内壁に、例えば無電解銅めっき法により銅めっき層を被着した後に、電解銅めっき法により銅めっき層を析出させることで形成されている。   The through hole 2 has a diameter of about φ100 to 150 μm and is formed by, for example, drilling. The through-hole conductor 2a is made of a copper plating layer, and is formed by depositing a copper plating layer on the inner wall of the through hole 2 by, for example, an electroless copper plating method and then depositing the copper plating layer by an electrolytic copper plating method. Has been.

スルーホールランド2bおよびグランド用導体3およびアンテナパッド7は、主にめっき法により銅などの金属で形成されており、例えば周知のセミアディティブ法により5〜25μm程度の厚みで形成されている。   The through-hole land 2b, the ground conductor 3 and the antenna pad 7 are mainly formed of a metal such as copper by a plating method, and for example, are formed with a thickness of about 5 to 25 μm by a well-known semi-additive method.

アンテナパッド7は、半導体素子Sから給電される高周波信号を電波として放射するアンテナとして機能する。アンテナパッド7は所定の面積を有する円形や方形、多角形であり、その大きさは、例えば方形である場合、一辺が0.3〜1.5mm程度である。   The antenna pad 7 functions as an antenna that radiates a high-frequency signal fed from the semiconductor element S as a radio wave. The antenna pad 7 is a circle, a rectangle, or a polygon having a predetermined area. When the antenna pad 7 is a rectangle, for example, one side is about 0.3 to 1.5 mm.

グランド用導体3は、アンテナパッド7と対向するベタ状のパターンであり、アンテナパッド7から放射された電波のうち、アンテナ基板10内部方向に放射された電波を、外部に向けて反射させる反射板として機能する。   The ground conductor 3 is a solid pattern facing the antenna pad 7, and reflects the outside of the radio wave radiated from the antenna pad 7 toward the outside of the antenna substrate 10. Function as.

このとき、アンテナパッド7とグランド用導体3とは、厚みが150〜400μm程度のコア絶縁板1を挟んで対向している。コア絶縁板1は、その厚みを150〜400μm程度と厚くしたとしてもスルーホール導体2aの途中にランドを設ける必要はない。したがって、グランド用導体3よりもアンテナパッド7側に不要なランドを介在させることなく、アンテナパッド7とグランド用導体3との間に十分な間隔を確保することができる。   At this time, the antenna pad 7 and the ground conductor 3 are opposed to each other with the core insulating plate 1 having a thickness of about 150 to 400 μm interposed therebetween. Even if the thickness of the core insulating plate 1 is increased to about 150 to 400 μm, it is not necessary to provide a land in the middle of the through-hole conductor 2a. Therefore, a sufficient space can be secured between the antenna pad 7 and the ground conductor 3 without interposing an unnecessary land on the antenna pad 7 side of the ground conductor 3.

ビルドアップ絶縁層4は、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂を含有する電気絶縁材料を熱硬化して成る。ビルドアップ絶縁層4の厚みは、30〜70μmであることが好ましい。なお、ビアホール5はレーザ加工により形成されている。ビアホール5には、ビアランド5bなどのビルドアップ配線層6を構成する導体の一部がビア導体5aとして充填されており、それによりビルドアップ絶縁層6の上下の導通をとっている。   The build-up insulating layer 4 is formed by thermosetting an electrical insulating material containing a thermosetting resin such as an epoxy resin or a polyimide resin. The thickness of the buildup insulating layer 4 is preferably 30 to 70 μm. The via hole 5 is formed by laser processing. The via hole 5 is filled with a part of the conductor constituting the build-up wiring layer 6 such as the via land 5 b as the via conductor 5 a, and thereby the conduction up and down of the build-up insulating layer 6 is taken.

ビルドアップ配線層6は主にめっき法により銅などの金属で形成された配線で、例えば周知のセミアディティブ法で形成され、半導体素子Sとアンテナパッド7との間で電力や信号を供給する経路として機能する。   The build-up wiring layer 6 is a wiring mainly formed of a metal such as copper by a plating method, and is formed by, for example, a known semi-additive method, and a path for supplying power and signals between the semiconductor element S and the antenna pad 7. Function as.

なお、ビルドアップ絶縁層4およびビルドアップ配線層6は、コア絶縁板1上のグランド用導体3が形成された一方の主面上にのみ被着形成される。このため、例えばビルドアップ絶縁層4が熱硬化されるときに熱収縮が生じて加工中のアンテナ基板10に反りが生じる恐れがある。これを回避するため、複数層のビルドアップ配線層6を順次形成していく際に、前述のアンテナパッド7となる金属上面にも同時にめっきを析出させて厚みを増加させていく。これにより、ビルドアップ絶縁層4およびビルドアップ配線層6が形成されない他方の主面側に剛性を付与することが可能となり、ビルドアップ絶縁層4の熱収縮によるアンテナ基板10の反りを抑制することができる。そして、全てのビルドアップ配線層6の形成が終了した後で、アンテナパッド7となる金属上面のめっきをエッチングや研磨などにより所定の厚みまで薄くしてやれば良い。   The build-up insulating layer 4 and the build-up wiring layer 6 are deposited only on one main surface on which the ground conductor 3 is formed on the core insulating plate 1. For this reason, for example, when the build-up insulating layer 4 is thermally cured, there is a possibility that the antenna substrate 10 being processed is warped due to thermal contraction. In order to avoid this, when the plurality of build-up wiring layers 6 are sequentially formed, plating is also deposited on the metal upper surface serving as the antenna pad 7 to increase the thickness. Thereby, it becomes possible to give rigidity to the other main surface side where the buildup insulating layer 4 and the buildup wiring layer 6 are not formed, and to suppress the warp of the antenna substrate 10 due to the thermal contraction of the buildup insulating layer 4. Can do. Then, after the formation of all the build-up wiring layers 6 is finished, the plating on the upper surface of the metal to be the antenna pad 7 may be thinned to a predetermined thickness by etching or polishing.

ソルダーレジスト層8は、アクリル変性エポキシ樹脂等の感光性を有する熱硬化性樹脂を硬化させた電気絶縁材料から成る。ソルダーレジスト層8は、ビルドアップ配線層6の一部を半導体素子接続パッド9として露出させる開口部8aを有しているとともに、ビルドアップ配線層6の残余の部分を被覆している。これにより半導体素子接続パッド9に半導体素子Sの電極Tを接続可能とするとともにビルドアップ配線層6の残余の部分を外部環境より保護している。   The solder resist layer 8 is made of an electrically insulating material obtained by curing a photosensitive thermosetting resin such as an acrylic-modified epoxy resin. The solder resist layer 8 has an opening 8 a that exposes a part of the buildup wiring layer 6 as the semiconductor element connection pad 9, and covers the remaining part of the buildup wiring layer 6. Thus, the electrode T of the semiconductor element S can be connected to the semiconductor element connection pad 9 and the remaining part of the build-up wiring layer 6 is protected from the external environment.

このように、本発明によるアンテナ基板10は、コア絶縁板1の一方の主面にグランド用導体3が形成されており、グランド用導体3と対向するコア絶縁板1の他方の主面にアンテナパッド7が形成されているため、グランド用導体3よりもアンテナパッド7側に不要なランドを介在させることなく、グランド用導体3とアンテナパッド7との間に十分な間隔を確保することができる。したがって、アンテナパッド7から放射される電波にランドに起因するノイズが混成されることを防止することができ、音声や映像などの高周波信号を正常に送信することが可能なアンテナ基板10を提供することができる。   Thus, the antenna substrate 10 according to the present invention has the ground conductor 3 formed on one main surface of the core insulating plate 1 and the antenna on the other main surface of the core insulating plate 1 facing the ground conductor 3. Since the pad 7 is formed, a sufficient gap can be secured between the ground conductor 3 and the antenna pad 7 without interposing an unnecessary land on the antenna pad 7 side of the ground conductor 3. . Therefore, it is possible to prevent the noise caused by the land from being mixed with the radio wave radiated from the antenna pad 7 and to provide the antenna substrate 10 capable of normally transmitting a high-frequency signal such as audio or video. be able to.

なお、本発明は、上述の実施形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。例えば、上述の実施形態の一例では、コア絶縁板1は単層構造であるが、図2に示すように、同一または異なる電気絶縁材料から成る複数の絶縁層11a、11b、11cを多層に積層した多層構造であってもよい。このような多層構造にすることにより、例えば、コア絶縁板11を構成する絶縁層11a、11b、11c間におけるグランド用導体13よりもアンテナパッド17側以外の箇所にコア配線層18を形成することができる。これにより、ビルドアップ絶縁層14の層数を増やすことなく、高密度な配線形成が可能になるとともに、コア絶縁板11の剛性が高いアンテナ基板20を提供することができる。また、上述の実施形態の一例では、アンテナパッド7は、コア絶縁板1の他方の主面に直接形成されているが、図2に示すように、コア絶縁板11の他方の主面に1層積層されたビルドアップ絶縁層14の主面に形成してもよい。このように、コア絶縁板11の上側にビルドアップ絶縁層14を1層積層することにより、コア絶縁板11の下面に積層されたビルドアップ絶縁層14が製造時の熱履歴で伸縮することに起因して発生する反りを緩和することができるので反りの小さいアンテナ基板20を提供することができる。
In addition, this invention is not limited to an example of the above-mentioned embodiment, A various change is possible if it is a range which does not deviate from the summary of this invention. For example, in the example of the above-described embodiment, the core insulating plate 1 has a single-layer structure. However, as shown in FIG. 2, a plurality of insulating layers 11a, 11b, and 11c made of the same or different electric insulating materials are stacked in multiple layers. It may be a multilayer structure. By adopting such a multilayer structure, for example, the core wiring layer 18 is formed at a place other than the antenna pad 17 side than the ground conductor 13 between the insulating layers 11a, 11b, and 11c constituting the core insulating plate 11. Can do. As a result, high-density wiring can be formed without increasing the number of build-up insulating layers 14, and the antenna substrate 20 with high rigidity of the core insulating plate 11 can be provided. In the example of the above-described embodiment, the antenna pad 7 is directly formed on the other main surface of the core insulating plate 1. However, as shown in FIG. You may form in the main surface of the buildup insulating layer 14 laminated | stacked. Thus, by laminating one build-up insulating layer 14 on the upper side of the core insulating plate 11, the build-up insulating layer 14 laminated on the lower surface of the core insulating plate 11 expands and contracts due to the thermal history during manufacturing. Since the warp generated due to this can be alleviated, the antenna substrate 20 with a small warp can be provided.

1 コア絶縁板
2 スルーホール
3 グランド用導体
4 ビルドアップ絶縁層
6 ビルドアップ配線層
7 アンテナパッド
10 アンテナ基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Core insulation board 2 Through hole 3 Ground conductor 4 Build-up insulation layer 6 Build-up wiring layer 7 Antenna pad 10 Antenna board

Claims (2)

スルーホールを有する第1の厚みのコア絶縁板の一方の主面にグランド用導体を設けるとともに該グランド用導体上を含む前記一方の主面上に前記第1の厚みよりも薄い第2の厚みのビルドアップ絶縁層とビルドアップ配線層とを交互に積層し、前記コア絶縁板の他方の主面に前記グランド用導体と対向するとともに前記ビルドアップ配線層に前記スルーホールを介して電気的に接続されたアンテナパッドを設けたことを特徴とするアンテナ基板。   A second conductor having a ground conductor provided on one main surface of the first thickness core insulating plate having a through hole and having a thickness smaller than the first thickness on the one main surface including the ground conductor. The build-up insulating layers and build-up wiring layers are alternately laminated, and the other main surface of the core insulating plate is opposed to the ground conductor and electrically connected to the build-up wiring layer through the through holes. An antenna substrate comprising a connected antenna pad. 前記コア絶縁板の厚みが150〜400μmであり、前記ビルドアップ絶縁層の厚みが30〜70μmであることを特徴とする請求項1記載のアンテナ基板。   2. The antenna substrate according to claim 1, wherein the core insulating plate has a thickness of 150 to 400 [mu] m, and the buildup insulating layer has a thickness of 30 to 70 [mu] m.
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