JP5952850B2 - Memsデバイス - Google Patents

Memsデバイス Download PDF

Info

Publication number
JP5952850B2
JP5952850B2 JP2014072206A JP2014072206A JP5952850B2 JP 5952850 B2 JP5952850 B2 JP 5952850B2 JP 2014072206 A JP2014072206 A JP 2014072206A JP 2014072206 A JP2014072206 A JP 2014072206A JP 5952850 B2 JP5952850 B2 JP 5952850B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
mems
diagnostic
movable
electrically connected
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2014072206A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015193052A (ja
Inventor
尾崎 貴志
貴志 尾崎
太田 則一
則一 太田
藤塚 徳夫
徳夫 藤塚
和也 浅岡
和也 浅岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyota Motor Corp
Toyota Central R&D Labs Inc
Original Assignee
Toyota Motor Corp
Toyota Central R&D Labs Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyota Motor Corp, Toyota Central R&D Labs Inc filed Critical Toyota Motor Corp
Priority to JP2014072206A priority Critical patent/JP5952850B2/ja
Priority to US14/636,470 priority patent/US20150277106A1/en
Priority to DE102015003188.0A priority patent/DE102015003188B4/de
Publication of JP2015193052A publication Critical patent/JP2015193052A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5952850B2 publication Critical patent/JP5952850B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0833Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
    • G02B26/0841Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting element being moved or deformed by electrostatic means
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/008MEMS characterised by an electronic circuit specially adapted for controlling or driving the same
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/04Optical MEMS
    • B81B2201/042Micromirrors, not used as optical switches
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/04Electrodes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/05Type of movement
    • B81B2203/058Rotation out of a plane parallel to the substrate

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Description

本明細書は、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)装置と回路基板とを含むMEMSデバイスに関する。
基板と、基板に対して相対的に傾動可能な可動部を備えるMEMS装置が知られている。このようなMEMS装置は、例えば光偏向装置として応用される。この種の光偏向装置では、可動部にミラーを固定し、可動部を基板に対して傾動させることで、ミラーの角度を調整する。
可動部を傾動させる方式の1つとして、静電駆動が挙げられる。可動部に設けられた可動電極と、基板に固定された駆動電極との間に、静電的な引力を作用させることで、基板に対して可動部を傾動させることができる。MEMSデバイスは、MEMS装置と、MEMS装置に電気的に接続された回路基板とを備える。回路基板は、駆動電極の電位を制御して可動部を駆動する駆動回路の他に、診断回路を備えていてもよい。診断回路は、例えば、基板に固定された診断電極に接続され、可動電極と診断電極とが接触しているか否かを診断することができる。
一般に、MEMS装置を製造する際には、高温での処理が必要となる。しかしながら、既に回路が形成されている回路基板を高温に曝すと、回路がダメージを受ける恐れがある。このため、特許文献1のMEMSデバイスでは、MEMS装置を備える基板(以下、MEMS基板という)と回路基板とを別工程で製造した後に、両者を互いに電気的に接続する。このMEMSデバイスでは、MEMS基板の表面側に固定される駆動電極、診断電極等は、MEMS基板の厚み方向にその表面から裏面まで貫通する貫通電極を介して、MEMS基板の裏面に設けられた接点と接続している。回路基板の表面にも接点が設けられており、この接点をMEMS基板の裏面の接点と接合することで、MEMS装置と回路基板とを電気的に接続することができる。
欧州特許出願公開第2381289号
特許文献1のように、MEMS装置と回路基板とを接点で接合する場合、歩留まり向上および各接点での接続検査の簡便化のためには、接点はできるだけ少ないことが好ましい。
本明細書が開示するMEMSデバイスは、2以上のMEMS装置と、回路基板とを備えている。それぞれのMEMS装置は、基板と、可動電極を有し、基板の表面側に伸びる支持部に固定されるとともに、基板に対して相対的に傾動可能な可動部と、基板の表面の可動電極と対向する位置に固定された駆動電極と、基板の表面の駆動電極よりも支持部から離れており、可動部と部分的に対向する位置に固定された診断電極と、基板の表面から裏面まで貫通する複数の貫通電極と、基板の裏面に設けられ、貫通電極を介して駆動電極、可動電極、または診断電極のいずれかと電気的に接続する複数のMEMS側接点と、を備えている。回路基板は、MEMS側接点と接合する複数の回路側接点と、回路側接点、MEMS側接点、貫通電極を介して駆動電極および可動電極に電気的に接続し、可動部を基板に対して傾動可能な駆動回路と、回路側接点、MEMS側接点、貫通電極を介して診断電極および可動電極に電気的に接続し、診断電極と可動電極との接触を検知可能な診断回路と、を備えている。少なくとも2つのMEMS装置の診断電極が互いに電気的に接続されて同一の貫通電極を介して同一のMEMS側接点に接続されている。
上記のMEMSデバイスでは、少なくとも2つのMEMS装置の診断電極が互いに電気的に接続されて同一の貫通電極を介して同一のMEMS側接点に接続されている。このため、診断電極と電気的に接続する貫通電極およびMEMS側接点の個数をMEMS装置の個数よりも少なくすることができ、歩留まり向上等に寄与することができる。また、1つの診断回路によって、複数のMEMS装置に対して可動電極と診断電極とが接触しているか否かを診断することができる。
上記のMEMSデバイスでは、診断電極と電気的に接続される貫通電極およびMEMS側接点は、複数のMEMS装置の間とならない位置に配置されている。
上記のMEMSデバイスでは、互いの診断電極が電気的に接続されていない少なくとも2つのMEMS装置の可動電極が互いに電気的に接続されて同一の貫通電極を介して同一のMEMS側接点に接続されていてもよい。
本明細書が開示する技術によれば、MEMS装置と回路基板とを接点で接合するMEMSデバイスにおいて、接点を少なくして歩留まり向上等に寄与する。
実施例1のMEMSデバイスの平面図である。 図1のII−II線断面図である。 実施例1のMEMSデバイスの回路図である。 MEMSデバイスの診断回路の一例を示す回路図である。 実施例2のMEMSデバイスの平面図である。 実施例2のMEMSデバイスの回路図である。 変形例のMEMSデバイスの回路図である。 変形例のMEMSデバイスの平面図である。
図1,2は、実施例1のMEMSデバイス1の平面図および断面図であり、図3は、MEMSデバイス1の回路図である。なお、図1では、分かり易くするために、MEMS基板100の表面に形成された構成を主に図示しており、その他の構成は省略している。図1〜3に示すように、MEMSデバイスは、2つのMEMS装置10,20と、回路基板30とを備えている。MEMS装置10,20は、同一のMEMS基板100上に形成され、x方向に互いに隣接して配置されている。MEMS装置10,20は、それぞれ、MEMS基板100と、可動部120,220とを有している。可動部120,220は、それぞれ、可動電極121,221を有している。MEMS基板100は、ぞれぞれ、その表面側(z軸の正方向側)に伸びる支持部101,201を有している。可動部120,220は、それぞれ、支持部101,201において、MEMS基板100に固定されている。
MEMS基板100の表面の可動電極121,221と対向する位置に、駆動電極102,202が固定されている。駆動電極102,202と可動電極121,221との間の電圧を制御することで、可動部120,220を、MEMS基板100に対して相対的に傾動させることができる。
診断電極122は、MEMS基板100の表面の駆動電極102よりも支持部101から離れた位置に固定されている。診断電極222は、MEMS基板100の表面の駆動電極202よりも支持部201から離れた位置に固定されている。診断電極122,222は、それぞれ、可動部120,220がMEMS基板100に対して傾動した際に最も大きく変位する部分に対向する位置に固定されている。MEMS基板100の表面には絶縁層131が形成されており、駆動電極102,202および診断電極122,222は、MEMS基板100と絶縁されている。
MEMS基板100には、その表面から裏面まで、MEMS基板100の厚さ方向に貫通する複数の貫通電極141〜143,241,242が設けられている。貫通電極141〜143,241,242は、絶縁層132によって覆われており、MEMS基板100と絶縁されている。貫通電極141〜143,241,242は、MEMS基板100の裏面に設けられた接点161〜163,261,262と、それぞれ接しており、電気的に接続されている。駆動電極102,202は、絶縁層131を貫通して、それぞれ、貫通電極141,241と接しており、電気的に接続されている。支持部101,201は、絶縁層131を貫通して、それぞれ、貫通電極142,242と接しており、電気的に接続されている。支持部101,102を介して、貫通電極142,242と可動電極121、221とは、電気的に接続されている。診断電極122は、絶縁層131を貫通して、貫通電極143と接しており、電気的に接続されている。診断電極222は、絶縁層131上に形成された配線322によって診断電極122と電気的に接続されることにより、貫通電極143に電気的に接続されている。図1,2に示すように、貫通電極143は、MEMS基板100の周縁部分に設けられており、MEMS装置11とMEMS装置12との間となる位置には設けられていない。貫通電極143は、複数の診断電極122,222のうち、よりMEMS基板11の周縁に近い位置に配置された診断電極122の下方(裏面側)において、MEMS基板11を貫通している。
回路基板30は、それぞれMEMS基板10の接点161,162,163,261,262と接合する接点361,362,363,364、365を備えている。接点361,364は、それぞれ、回路基板30に設けられた駆動回路40,41に電気的に接続されている。接点363は、回路基板30に設けられた診断回路50に電気的に接続されている。接点362,365は、それぞれ、スイッチST3,ST4を介して、回路基板30に設けられた駆動回路40,41に電気的に接続している。また、接点362,365は、それぞれ、スイッチST1,ST2を介して、回路基板30に設けられた診断回路50に電気的に接続されている。駆動回路40,41は、それぞれ、接点361,364、接点161,261、および貫通電極141,241を介して駆動電極102,202に電気的に接続しており、接点362,365、接点162,262および貫通電極142,242介して可動電極121,221に電気的に接続している。可動部120,220の駆動時には、スイッチST1,ST2をオフにし、スイッチST3,ST4をオンにする。これによって、駆動回路40,41は、駆動電極102,202と可動電極121,221との間の電圧を制御でき、可動部120,220をMEMS基板100に対してz軸方向に傾動させることができる。駆動回路40,41としては、例えば、入力電圧をレベル変換により昇圧するCMOS回路を用いることができる。
診断回路50は、接点363、接点163および貫通電極143を介して診断電極122,222に電気的に接続している。診断時には、スイッチST3およびスイッチST4をオフにした上で、スイッチST1,スイッチST2を切り替えて、それぞれ、診断電極122,222と可動電極121,221との接触を検知する。スイッチST1をオンにし、スイッチST2をオフにすることによって、診断回路50は、スイッチST1,接点362、接点162および貫通電極142を介して可動電極121に電気的に接続できる。これによって、診断回路50は、診断電極122と可動電極121との接触を検知することができる。また、スイッチST2をオンにし、スイッチST1をオフにすることによって、診断回路50は、スイッチST2,接点365、接点262および貫通電極242を介して可動電極221に電気的に接続できる。これによって、診断回路50は、診断電極222と可動電極221との接触を検知することができる。診断回路50は、例えば、診断電極122,222にそれぞれ一定電圧を印加し、可動電極121,221と診断電極122,222との間に流れる電流が閾値を超えた場合に、可動電極121,221と診断電極122,222が接触したと判定する回路であってもよい。また、診断回路50は、可動電極121,221と診断電極122,222にそれぞれ一定電流を流し、可動電極121,221と診断電極122,222との間の電位差が閾値より小さい場合に、可動電極121,221と診断電極122,222が接触したと判定する回路であってもよい。図4に、後者の診断回路の一例を図示する。診断回路50は、定電流生成回路70と、接触抵抗判定回路72と、選択回路74とを有する。抵抗761は、可動電極121と診断電極122との間の抵抗を表し、抵抗762は、可動電極221と診断電極222との間の抵抗を表す。選択回路74は、スイッチST1とスイッチST2とのオンオフを制御し、抵抗761,762のいずれを診断するかを選択する。図4では、一例として、抵抗761を選択した場合を図示している。定電流生成回路70は、電源VDDに接続されたCMOS回路である。定電流生成回路70によって、接触抵抗判定回路72および選択された抵抗761に定電流Iが流れ、これによって、抵抗761の抵抗値Rに応じた電圧V(V=R×I)が発生する。接触抵抗判定回路72は、コンパレータ721を備えたCMOS回路である。抵抗761に定電流Iが流れることによって生じる電圧Vが、非反転入力としてコンパレータ721に入力される。コンパレータ721には、反転入力として参照電圧VREFが入力され、V>VREFの場合には、VOUTは正電圧として出力され、V<VREFの場合には、VOUTは負電圧として出力される。VOUTが正電圧の場合には、可動電極121と診断電極122は接触していないと診断される。VOUTが負電圧の場合には、可動電極121と診断電極122は接触していると診断される。
上記のMEMSデバイス1によれば、それぞれのMEMS装置10,11の診断電極122,222は、互いに電気的に接続されて同一の貫通電極143を介して同一の接点163,363に電気的に接続されている。このため、2つの診断電極122,222に対して、1つの貫通電極143と1対の接点163,363を利用することができ、貫通電極、接点の個数をMEMS装置の個数に対して少なくすることができる。接点を少なくすることによって、MEMSデバイスの歩留まり向上等に寄与することができる。また、スイッチST1、ST2を切り替えることで、1つの診断回路50によって、複数のMEMS装置120,220に対して、可動電極121と診断電極と122の接触、または可動電極221と診断電極と222との接触を診断することができる。
また、MEMSデバイス1では、診断電極50と電気的に接続される貫通電極143および接点163,363は、MEMS装置120とMEMS装置220の間とならない位置に配置されている。このため、開口率を大きくするためにMEMS装置120とMEMS装置220との距離を小さくすることと、診断回路50を設置することとを両立できる。
図5,6に示すMEMSデバイス2は、MEMS基板上に、x方向、y方向に沿ってマトリックス状に配置された6個のMEMS装置123〜125,223〜225を備えている。MEMS基板上で、MEMS装置123〜125は、第1方向(図5に示すx方向)に沿って配置されている。同様に、MEMS装置223〜225は、第1方向に沿って配置されている。MEMS装置123とMEMS装置223、MEMS装置124とMEMS装置224、MEMS装置125とMEMS装置225は、第1方向に直交する第2方向(図5に示すy方向)に沿って配置されている。MEMS装置123〜125,223〜225の駆動電極103〜105,203〜205は、それぞれ、MEMS基板をz方向に貫通する貫通電極153〜155,253〜255を介して、接点173〜175,273〜275(MEMS基板の裏面に形成されている)に接続されている。接点173〜175,273〜275は、回路基板の表面に形成された接点(図示を省略している)を介して、回路基板上に設けられた駆動回路(図示を省略している)に接続されている。
MEMS装置123〜125の診断電極126〜128は、x方向に伸びる配線333によって互いに電気的に接続され、配線333は、MEMS装置123〜125の設置領域に対してx軸の負方向に配置された貫通電極179まで伸びている。診断電極126〜128は、配線333および1つの貫通電極179を介して、1つの接点176(MEMS基板の裏面に形成されている)に接続されている。接点176は、回路基板の表面に形成された接点(図示を省略している)を介して、診断回路53に電気的に接続されている。MEMS装置223〜225の診断電極226〜228は、x方向に伸びる配線334によって互いに電気的に接続され、配線334は、MEMS装置223〜225の設置領域に対してx軸の負方向に配置された貫通電極279まで伸びている。診断電極226〜228は、配線334および1つの貫通電極279を介して、1つの接点276(MEMS基板の裏面に形成されている)に接続されている。接点276は、それぞれ1つの回路基板の表面に形成された接点(図示を省略している)を介して、診断回路54に電気的に接続されている。
MEMS装置123の支持部101aと、MEMS装置223の支持部201aとは、y方向に伸びる接続部335aによって互いに接続されている。支持部101a,201a、および接続部335aは、その内部が導電体によって形成されており、この導電体によって、MEMS装置123の可動電極133と、MEMS装置223の可動電極233とは、電気的に接続され、配線336にさらに接続されている。配線336の下方には、z軸方向にMEMS基板を貫通する貫通電極286が設けられている。MEMS装置123の可動電極133およびMEMS装置223の可動電極233は、配線336および1つの貫通電極286を介して、1つの接点283(MEMS基板の裏面に形成されている)に接続されている。MEMS装置124の支持部101bと、MEMS装置224の支持部201bとは、y方向に伸びる接続部335bによって互いに接続されている。支持部101b,201b、および接続部335bは、その内部が導電体によって形成されており、この導電体によって、MEMS装置124の可動電極134と、MEMS装置224の可動電極234とは、電気的に接続されており、配線337にさらに接続されている。配線337の下方には、z軸方向にMEMS基板を貫通する貫通電極287が設けられている。MEMS装置124の可動電極134およびMEMS装置224の可動電極234は、配線337および1つの貫通電極287を介して、1つの接点284(MEMS基板の裏面に形成されている)に接続されている。MEMS装置125の支持部101cと、MEMS装置225の支持部201cとは、y方向に伸びる接続部335cによって互いに接続されている。支持部101c,201c、および接続部335cは、その内部が導電体によって形成されており、この導電体によって、MEMS装置125の可動電極135と、MEMS装置225の可動電極235とは、電気的に接続されており、配線338にさらに接続されている。配線338の下方には、z軸方向にMEMS基板を貫通する貫通電極288が設けられている。MEMS装置125の可動電極135およびMEMS装置225の可動電極235は、配線338および1つの貫通電極288を介して、1つの接点285(MEMS基板の裏面に形成されている)に接続されている。接点283〜285は、それぞれ、1つの回路基板の表面に形成された接点(図示を省略している)を介してスイッチST11〜ST13に電気的に接続されている。スイッチST11〜ST13は、診断回路53および54に電気的に接続されている。なお、図示を省略しているが、接点283〜285は、図1のMEMSデバイス1と同様に、それぞれスイッチを介して、駆動回路(図示を省略している)と、診断回路53,54に接続されている。実施例1と同様に、スイッチを切り替えて、MEMSデバイス2の駆動時には、接点283〜285の接続先を駆動回路とし、診断時には、接点283〜285の接続先を診断回路53,54とすることができる。
診断時において、診断回路53は、スイッチST11〜ST13のうち、いずれか1つをオンにし、他の2つをオフにすることによって、診断電極126〜128と可動電極133〜135との接触を選択的に検知することができる。また、診断回路54は、スイッチST11〜ST13のうち、いずれか1つをオンにし、他の2つをオフにすることによって、診断電極226〜228と可動電極233〜235との接触を選択的に検知することができる。
上記のMEMSデバイス2によれば、診断電極126〜128は、互いに電気的に接続され、1つの貫通電極179を介して、1つの接点176に接続されている。診断電極226〜228は、互いに電気的に接続され、1つの貫通電極279を介して、1つの接点276に接続されている。このため、実施例1と同様に、診断電極に接続する接点を共有して少なくすることができる。さらに、可動電極133と可動電極233、可動電極134と可動電極234、可動電極135と可動電極235とは、それぞれ、互いに電気的に接続されており、1つの貫通電極286〜288を介して、1つの接点283〜285に接続されている。2つの可動電極で、1つの接点を共有することで、可動電極に接続する接点を少なくすることができる。その結果、歩留まり向上等に寄与することができる。また、診断電極126〜128,226〜228は、MEMS装置123〜125,223〜225の設置領域外に配置されている。このため、開口率を大きくするためにMEMS装置123〜125,223〜225の間の互いの距離を小さくすることと、診断回路53,54を設置することとを両立できる。
(変形例)
実施例2では、診断回路を2つ用いたが、診断回路をさらに少なくすることもできる。例えば、図7に示すように、ST14を介して接点176と診断回路54とを接続し、ST15を介して接点276と診断回路54とを接続することで、診断回路54のみによって、診断電極126〜128、226〜228と可動電極133〜135,233〜235との接触を検知することができる。
また、実施例1,2においては、可動部が支持部に対して一方向(図1ではx軸の負方向)に伸びた片持ち形式のMEMS装置を例示して説明したが、MEMS装置の形態については、特に限定されない。例えば、図8に示すMEMSデバイス4のように、支持部401〜403に対してy軸の正方向および負方向に可動部411〜413,511〜513がそれぞれ伸びた複数のMEMS装置を備えたものであってもよい。可動部411,412の内部に設けられた可動電極は、支持部401および接続部404に内包された導電体を介して配線504に電気的に接続されている。配線504は、その下方に設けられた1つの貫通電極554に電気的に接続されており、貫通電極554を介して、MEMS基板の裏面に形成された1つの接点に接続されている。可動部412,422の内部に設けられた可動電極は、支持部402および接続部405に内包された導電体を介して配線505に電気的に接続されている。配線505は、その下方に設けられた1つの貫通電極555に電気的に接続されており、貫通電極555を介して、MEMS基板の裏面に形成された1つの接点に接続されている。可動部413,423の内部に設けられた可動電極は、支持部403および接続部406に内包された導電体を介して配線506に電気的に接続されている。配線506は、その下方に設けられた1つの貫通電極556に電気的に接続されており、貫通電極556を介して、MEMS基板の裏面に形成された1つの接点に接続され、さらに、実施例1等と同様に、回路基板上に設けられた接点およびスイッチを介して、駆動回路に電気的に接続されている。
駆動電極414〜416,514〜516は、それぞれ、MEMS基板をz方向に貫通する貫通電極421〜423,521〜523を介して、MEMS基板の裏面に形成された1つの接点に接続され、さらに、実施例1等と同様に、回路基板上に設けられた接点を介して、駆動回路に電気的に接続されている。
診断電極441〜443は、x方向に伸びる配線431によって互いに電気的に接続されている。配線431は、MEMS装置の設置領域に対してx軸の負方向に配置された貫通電極433まで伸びている。配線431は、その下方に設けられた1つの貫通電極433に電気的に接続されており、貫通電極433を介して、MEMS基板の裏面に形成された1つの接点に接続され、さらに、実施例1等と同様に、回路基板上に設けられた接点およびスイッチを介して、診断回路に電気的に接続されている。診断電極541〜543は、x方向に伸びる配線531によって互いに電気的に接続されている。配線531は、MEMS装置の設置領域に対してx軸の負方向に配置された貫通電極533まで伸びている。配線531は、その下方に設けられた1つの貫通電極533に電気的に接続されており、貫通電極533を介して、MEMS基板の裏面に形成された1つの接点に接続され、さらに、実施例1等と同様に、回路基板上に設けられた接点およびスイッチを介して、診断回路に電気的に接続されている。
以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項に記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
1,2,4:MEMSデバイス
11,123〜125,12,223〜225:MEMS装置
100:MEMS基板
30:回路基板
121,221,133〜135,233〜235:可動電極
102〜105,202〜205,414〜416,514〜516:駆動電極
122,126〜128、222,226〜228,441〜443,541〜543:診断電極
141〜143,153〜155,179,241,242,253〜255,279,286〜288,421〜423,433,521〜523,533,554〜556:貫通電極
41,42:駆動回路
50,53,54:診断回路

Claims (2)

  1. 2以上のMEMS装置と、回路基板と、を含む、MEMSデバイスであって、
    それぞれのMEMS装置は、
    基板と、
    可動電極を有し、基板の表面側に伸びる支持部に固定されるとともに、基板に対して相対的に傾動可能な可動部と、
    基板の表面の可動電極と対向する位置に固定された駆動電極と、
    基板の表面の駆動電極よりも支持部から離れており、可動部と部分的に対向する位置に固定された診断電極と、
    基板の表面から裏面まで貫通する複数の貫通電極と、
    基板の裏面に設けられ、貫通電極を介して駆動電極、可動電極、または診断電極のいずれかと電気的に接続する複数のMEMS側接点と、を備えており、
    回路基板は、
    MEMS側接点と接合する複数の回路側接点と、
    回路側接点、MEMS側接点、貫通電極を介して駆動電極および可動電極に電気的に接続し、可動部を基板に対して傾動可能な駆動回路と、
    回路側接点、MEMS側接点、貫通電極を介して診断電極および可動電極に電気的に接続し、診断電極と可動電極との接触を検知可能な診断回路と、を備えており、
    少なくとも2つのMEMS装置の診断電極が互いに電気的に接続されて同一の貫通電極を介して同一のMEMS側接点に接続されており、
    診断電極と電気的に接続される貫通電極およびMEMS側接点は、複数のMEMS装置の間とならない位置に配置される、MEMSデバイス。
  2. 互いの診断電極が電気的に接続されていない少なくとも2つのMEMS装置の可動電極が互いに電気的に接続されて同一の貫通電極を介して同一のMEMS側接点に接続されている、請求項1に記載のMEMSデバイス。
JP2014072206A 2014-03-31 2014-03-31 Memsデバイス Expired - Fee Related JP5952850B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014072206A JP5952850B2 (ja) 2014-03-31 2014-03-31 Memsデバイス
US14/636,470 US20150277106A1 (en) 2014-03-31 2015-03-03 Mems device
DE102015003188.0A DE102015003188B4 (de) 2014-03-31 2015-03-12 MEMS-Vorrichtung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014072206A JP5952850B2 (ja) 2014-03-31 2014-03-31 Memsデバイス

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015193052A JP2015193052A (ja) 2015-11-05
JP5952850B2 true JP5952850B2 (ja) 2016-07-13

Family

ID=54066885

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014072206A Expired - Fee Related JP5952850B2 (ja) 2014-03-31 2014-03-31 Memsデバイス

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20150277106A1 (ja)
JP (1) JP5952850B2 (ja)
DE (1) DE102015003188B4 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220072366A (ko) * 2020-11-25 2022-06-02 에스케이하이닉스 주식회사 관통 전극을 포함하는 반도체 칩, 및 이를 포함하는 반도체 패키지

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6275326B1 (en) 1999-09-21 2001-08-14 Lucent Technologies Inc. Control arrangement for microelectromechanical devices and systems
US7013183B1 (en) * 2000-07-14 2006-03-14 Solvisions Technologies Int'l Multiplexer hardware and software for control of a deformable mirror
US6852287B2 (en) * 2001-09-12 2005-02-08 Handylab, Inc. Microfluidic devices having a reduced number of input and output connections
US7136547B2 (en) * 2001-03-30 2006-11-14 Gsi Group Corporation Method and apparatus for beam deflection
US6750655B2 (en) * 2002-02-21 2004-06-15 Pts Corporation Methods for affirming switched status of MEMS-based devices
US7208809B2 (en) 2002-09-19 2007-04-24 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Semiconductor device having MEMS
JP2005326620A (ja) * 2004-05-14 2005-11-24 Fujitsu Ltd マイクロミラー素子
SE533992C2 (sv) 2008-12-23 2011-03-22 Silex Microsystems Ab Elektrisk anslutning i en struktur med isolerande och ledande lager
JP5578810B2 (ja) 2009-06-19 2014-08-27 キヤノン株式会社 静電容量型の電気機械変換装置
JP5603739B2 (ja) 2010-11-02 2014-10-08 キヤノン株式会社 静電容量型電気機械変換装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015193052A (ja) 2015-11-05
DE102015003188A1 (de) 2015-10-01
US20150277106A1 (en) 2015-10-01
DE102015003188B4 (de) 2018-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2398028B1 (en) Mems switching array having a substrate arranged to conduct switching current
WO2016038794A1 (ja) 静電型デバイス
JP7297653B2 (ja) Mems素子及び電気回路
US9742304B2 (en) Driver board and power converter
JP2016075672A (ja) 圧力アレイセンサモジュール、圧力アレイセンサモジュールの製造方法、モニタリングシステム、及び、モニタリングシステムを用いたモニタリング方法
JP2012004112A5 (ja)
JP5952850B2 (ja) Memsデバイス
JP2021091024A5 (ja)
KR102325261B1 (ko) 가열되는 감지 층을 가진 가스 센서
JP2002287045A5 (ja)
JP2017518628A (ja) ドライバアセンブリ
CN102217183B (zh) 用于运行静电驱动装置的方法和静电驱动装置
JP2015521792A (ja) Mems寿命改善
CN101506914B (zh) 表面安装可变电阻器
US10454405B2 (en) Driver assembly
JP4842041B2 (ja) スイッチ
JP2009212027A (ja) スイッチ
JP2013152111A (ja) 加速度センサ
JP2016090230A (ja) 外力検出素子及び外力検出装置
JP2008130613A (ja) Mems可変容量システム
US11837425B2 (en) MEMS element and electrical circuit
JP2016151673A (ja) アクチュエータ
WO2018180141A1 (ja) スイッチ回路構造
JP6859438B2 (ja) 多点切換装置
JP2008292428A (ja) 半導体センサ

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160314

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160329

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160422

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160607

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160610

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5952850

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees