JP5943042B2 - 電子モジュール、電子モジュールの製造方法 - Google Patents
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Claims (7)
- 第1面と該第1面と反対の側の面である第2面とを有する基板と、
前記基板の前記第1面および前記第2面のうちのいずれかの面上に設けられた、第1のランドと第2のランドとを有する配線パターンと、
前記第1のランドの領域と前記第2のランドの領域とを少なくとも除くように前記基板の前記いずれかの面上に形成されたはんだレジスト膜と、
前記配線パターンの前記第1のランドを介して前記基板上に実装された表面実装型受動素子部品と、
多孔性の構造を備えた導電部と、該導電部の該多孔性の構造の間を埋めて存在する樹脂部とを有する、前記表面実装型受動素子部品と前記第1のランドとの間に位置する接続部材と、
前記配線パターンの前記第2のランドにスタッド状のバンプが向かい合わされ圧接された状態で、該バンプを介して前記基板上にフリップ実装された半導体チップと、を具備し、
前記接続部材の前記導電部が、第1の金属の粒子の種部と、該種部を覆った、前記第1の金属と該第1の金属とは異なる第2の金属との複数元素系相部とを含有し、かつ、該複数元素系相部が連接して前記多孔性の構造を形成しており、かつ、前記第2の金属を組成のひとつとするはんだ成分をさらに含有し、かつ、該はんだ成分の融点が240℃以下であり、前記複数元素系相部の融点が260℃以上である
電子モジュール。 - 前記接続部材の前記樹脂部が、その材料としてエポキシ変性ポリイミド樹脂である請求項1記載の電子モジュール。
- 前記はんだ成分が、Sn−In組成系、Sn−Bi組成系、Sn−Zn−Bi組成系、Sn−Ag−In組成系、Sn−Ag−Cu組成系、Sn−Ag組成系、Sn−Cu組成系、およびSn−Sb組成系、ならびにSnからなる群より選択された1種の組成系または金属であり、
前記第1の金属が、Ag、Au、Cu、Ni、およびFe、ならびにCu−Ni組成系、Cu−Sn組成系、Ag−Sn組成系、Cu−Zn組成系、およびCo−Sb組成系からなる群より選択された1種以上の金属または組成系である
請求項1記載の電子モジュール。 - 前記接続部材の前記導電部の前記複数元素系相部が、CuxSny、CoxSny、CuxZny、CuxSby、CoxSby、NixBiy、AgxSny、FexSny、AgxCuySnz、およびAuxSnyからなる群から選択された1種以上を含む相である請求項1記載の電子モジュール。
- 前記はんだ成分が、Snと、Ag、Bi、Cu、In、およびZnからなる群より選択された1種以上とを組成とする第1の合金と、Snと、Agと、Bi、Cu、In、およびZnからなる群より選択された1種以上とを組成とする第2の合金とを有し、
前記第1の金属が、Cuと、Ag、Bi、In、およびSnからなる群より選択された1種以上とを組成とする合金である
請求項1記載の電子モジュール。 - 前記接続部材が、前記樹脂部として、該接続部材の前記はんだ成分の前記融点より高い熱硬化温度を有する熱硬化性樹脂を有する請求項1記載の電子モジュール。
- 第1のランドと第2のランドとを有する配線パターンを同一表面側に備えかつ該第1のランドの領域と該第2のランドの領域とを少なくとも除くようにはんだレジスト膜が形成された基板の前記第1のランド上に、硬化前の絶縁性接着樹脂中にはんだ粒子と、Ag、Au、Cu、Ni、およびFe、ならびにCu−Ni組成系、Cu−Sn組成系、Ag−Sn組成系、Cu−Zn組成系、およびCo−Sb組成系からなる群より選択された1種以上の金属または組成系の粒子とが分散されたペースト材料を適用する工程と、
前記ペースト材料が適用された前記基板の前記第1のランド上に、表面実装型受動素子部品を載置する工程と、
前記表面実装型受動素子部品が載置された前記基板を加熱し、前記ペースト材料を、多孔性の構造を備えた導電部と該導電部の該多孔性構造の間を埋めて存在する樹脂部とを有する接続部材に変化させることによって、前記表面実装型受動素子部品を前記基板の前記第1のランド上に電気的、機械的に接続する工程と、
前記表面実装型受動素子部品を前記基板の前記第1のランド上に接続する前記工程の後、スタッド状のバンプの形成された端子パッドを備えた機能面を有する半導体チップを、該バンプが前記第2のランドに向かい合うように位置合わせしさらに圧接して前記基板上にフリップ接続する工程と
を具備する電子モジュールの製造方法。
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