JP5941707B2 - Die bonding method and die bonder using the same - Google Patents

Description

本発明は、ダイボンディング技術及び半導体製造装置の製造技術に関する。   The present invention relates to a die bonding technique and a semiconductor manufacturing apparatus manufacturing technique.

例えば、半導体装置の組立工程においては、ウェハプロセスで複数の半導体装置が一括形成されたウェハを個々の半導体装置（ダイ）に分割して個別にリードフレーム等の被搭載物にボンディングして封止（パッケージング）する等の組立工程がある。   For example, in the assembly process of a semiconductor device, a wafer in which a plurality of semiconductor devices are collectively formed in a wafer process is divided into individual semiconductor devices (dies) and individually bonded to a mounted object such as a lead frame and sealed. There is an assembly process such as (packaging).

個々のダイをリードフレーム等にボンディングするダイボンディング技術として、ウェハを分割した状態でダイが配列された粘着テープ上から個々のダイをコレット等でピックアップして、中間ステージで位置決めした後に、リードフレーム等にマウントする方式がある。また他の方式として、粘着テープ上からピックアップされた個々のダイを直接的にリードフレーム等のボンディング対象物にマウントするダイレクトピックアップ方式が知られている。
上述のいずれの方式においても、粘着テープ状に配列されたウェハから、当該ウェハを構成するダイを、個々にピックアップして中間ステージを介して、或いは、直接、ボンディング対象物にマウントする。 As die bonding technology for bonding individual dies to lead frames, etc., the individual dies are picked up from the adhesive tape on which the dies are arranged in a divided state with a collet, etc., positioned on the intermediate stage, and then the lead frame There is a method of mounting to etc. As another method, there is known a direct pickup method in which individual dies picked up from an adhesive tape are directly mounted on a bonding object such as a lead frame.
In any of the above-described methods, dies constituting the wafer are individually picked up from the wafers arranged in the form of an adhesive tape and mounted on the bonding object via an intermediate stage or directly.

次に、図１及び図２を用いてピックアップ装置の構成を説明する。
図１は、ダイボンダにおけるピックアップ装置の外観斜視図を示す図である。図２は、ピックアップ装置１２の主要部を示す概略断面図である。図１、図２に示すように、ピックアップ装置１２は、ウェハリング１４を保持するエキスパンドリング１５と、ウェハリング１４に保持され複数のダイ（チップ）４が接着されたダイシングフィルム１６を水平に位置決めする支持リング１７と、支持リング１７の内側に配置されダイ４を上方に突上げるための突上げユニット５０とを有する。突上げユニット５０は、図示しない駆動機構によって、上下方向に移動するようになっており、水平方向にはピックアップ装置１２が移動するようになっている。 Next, the configuration of the pickup device will be described with reference to FIGS.
FIG. 1 is an external perspective view of a pickup device in a die bonder. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the main part of the pickup device 12. As shown in FIGS. 1 and 2, the pickup device 12 horizontally positions an expanding ring 15 that holds a wafer ring 14 and a dicing film 16 that is held by the wafer ring 14 and to which a plurality of dies (chips) 4 are bonded. And a push-up unit 50 that is disposed inside the support ring 17 and pushes up the die 4 upward. The push-up unit 50 is moved in the vertical direction by a drive mechanism (not shown), and the pickup device 12 is moved in the horizontal direction.

ピックアップ装置１２は、ダイ４の突上げ時に、ウェハリング１４を保持しているエキスパンドリング１５を矢印方向に所定の距離だけ下降させる。その結果、ウェハリング１４に保持されているダイシングフィルム１６が引き伸ばされダイ４の間隔が広がる。これにより、突上げユニット５０によってウェハ４０の下方からダイ４を突上げる時のダイ４のピックアップ性を向上させている。なお、ウェハ４０及びダイ４の薄型化に伴い接着剤は液状からフィルム状となり、ウェハ４０とダイシングフィルム１６との間にダイアタッチフィルム１８と呼ばれるフィルム状の接着材料を貼り付けている。ダイアタッチフィルム１８を有するウェハ４０では、ダイシングはウェハとダイアタッチフィルム１８に対して行なわれる。従って、ダイピックアップ時の剥離工程では、ウェハ４０とダイアタッチフィルム１８をダイシングフィルム１６から剥離する。
上述のように、ウェハ４０は、裏面にダイアタッチフィルム１８及びダイシングフィルム１６を張り付けられ、ダイシングによって個々のダイ４に分割されて、ウェハリング１４に取り付けられる。その際には、ダイシングフィルム１６がウェハリング１４によって外側に引っ張られ、隣り合うダイ４の間隔が拡大されて取り付けられる。 The pickup device 12 lowers the expanding ring 15 holding the wafer ring 14 by a predetermined distance in the arrow direction when the die 4 is pushed up. As a result, the dicing film 16 held on the wafer ring 14 is stretched to widen the distance between the dies 4. Thereby, the pick-up property of the die 4 when the die 4 is pushed up from below the wafer 40 by the push-up unit 50 is improved. As the wafer 40 and the die 4 are made thinner, the adhesive is changed from a liquid to a film, and a film-like adhesive material called a die attach film 18 is attached between the wafer 40 and the dicing film 16. In the wafer 40 having the die attach film 18, dicing is performed on the wafer and the die attach film 18. Therefore, the wafer 40 and the die attach film 18 are peeled from the dicing film 16 in the peeling process at the time of die pick-up.
As described above, the die attach film 18 and the dicing film 16 are attached to the back surface of the wafer 40, and the wafer 40 is divided into individual dies 4 by dicing and attached to the wafer ring 14. At that time, the dicing film 16 is pulled outward by the wafer ring 14, and the interval between the adjacent dies 4 is enlarged and attached.

ウェハ４０に全てのダイ４が存在する場合には、図３に示すように、ダイボンダは、ウェハ４０の上段（または下段）の行（または列）の端のダイ４１から、順番に矢印のように、ダイ４をピックアップし、最後のダイ４２までピックアップする。なお、その際、ダイボンダは、あらかじめ、ウェハ４０毎に登録されているマッピングデータに基づいて、不良のダイ４３をスキップし、ピックアップしない。
また、ウェハリング１４によって引っ張られているダイシングフィルム１６は、ダイ４がピックアップされことによって収縮し、ダイが無い部分のテンションが小さくなる。この結果、ダイ４がウェハ４０からピックアップされるに従って、ダイ４は、ダイシングフィルム１６のテンションが大きい方向（即ち、ダイ４がまだ存在する方向）に位置がずれる。 When all the dies 4 are present on the wafer 40, as shown in FIG. 3, the die bonder is arranged in the order of arrows from the dies 41 at the end of the upper (or lower) row (or column) of the wafer 40. Then, the die 4 is picked up and the last die 42 is picked up. At this time, the die bonder skips the defective die 43 and does not pick it up based on the mapping data registered in advance for each wafer 40.
In addition, the dicing film 16 pulled by the wafer ring 14 contracts when the die 4 is picked up, and the tension in the portion where there is no die is reduced. As a result, as the die 4 is picked up from the wafer 40, the die 4 is displaced in the direction in which the tension of the dicing film 16 is large (that is, the direction in which the die 4 still exists).

図３のように、新規のウェハ４０の場合には、ピックアップ開始のダイ４１の位置ずれが小さく、ダイを認識するためのダイ認識カメラで位置補正可能である（特許文献１参照。）。しかし、図４に示すように、再度使用するウェハ（再使用のウェハ）４０ｃの場合には、ピックアップ開始のダイがマッピングデータに基づいたピックアップ開始点のダイ４８となる。この場合には、ダイ４８は、ダイが取り除かれたダイシングフィルム１６のテンションが小さいと、位置ずれが大きくなり、異なるダイをピックアップ開始のダイとしてしまう。この結果、マッピングデータでは不良品または等級が異なるダイをピックアップする恐れがある。   As shown in FIG. 3, in the case of a new wafer 40, the positional deviation of the pick-up start die 41 is small, and the position can be corrected with a die recognition camera for recognizing the die (see Patent Document 1). However, as shown in FIG. 4, in the case of the wafer 40c to be reused (reused wafer) 40c, the pick-up start die becomes the pick-up start point die 48 based on the mapping data. In this case, when the tension of the dicing film 16 from which the die is removed is small, the die 48 has a large positional shift, and a different die is used as a pick-up start die. As a result, the mapping data may pick up defective products or dies with different grades.

特開２００７−３２９２６６号公報JP 2007-329266 A

上述のように、従来のダイボンダにおいては、新規のウェハか再使用のウェハであるかの情報が、ダイの良否、等級、及び位置データと共に、保存されている。特に、再使用のウェハの場合には、ピックアップを開始するダイの位置がどこにあるかは、重要な情報である。ダイボンダは、このマッピングデータに基づいて、当該ウェハ中のダイをピックアップして、ダイボンディングを行う。即ち、ダイボンダの制御部は、マッピングデータに基づきピックアップ作業を開始するように、ダイボンダ及びそのピックアップ装置を制御する。
しかし、マッピングデータに基づいて、ピックアップ開始位置のダイの位置に、突上げユニットとピックアップツールを相対的に移動し、ピックアップしようとしても、上述のように、ダイシングフィルムのテンションの影響によって、正しく突上げユニットとピックアップツールが一致しない問題があった。
本発明の目的は、上記のような問題に鑑み、特に再使用のウェハにおいて、ピックアップ開始位置のダイの位置の情報を的確に把握して位置補正して、正確にダイをピックアップ可能なダイボンダを提供することにある。 As described above, in the conventional die bonder, information on whether the wafer is a new wafer or a reuse wafer is stored together with the quality of the die, the grade, and the position data. In particular, in the case of a reusable wafer, the position of the die where the pickup starts is important information. Based on the mapping data, the die bonder picks up the die in the wafer and performs die bonding. That is, the control unit of the die bonder controls the die bonder and its pickup device so as to start the pickup operation based on the mapping data.
However, even if the push-up unit and the pick-up tool are relatively moved to the position of the die at the pick-up start position based on the mapping data and the pick-up is attempted, as described above, the push-up unit and the pick-up tool are correctly picked up due to the influence of the tension of the dicing film. There was a problem that the lifting unit did not match the pickup tool.
In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a die bonder that can accurately pick up a die by accurately grasping and correcting the position information of the die at the pickup start position, particularly in a reuse wafer. It is to provide.

上記の目的を達成するために、本発明のダイボンディング方法は、ウェハからダイをピックアップし、被搭載物にダイボンディングするダイボンディング方法において、前記ウェハについてダイのピックアップを開始するピックアップ開始点位置情報をメモリに登録または選択するピックアップ開始点位置情報選択ステップと、前記ウェハのマッピングデータをメモリに登録または選択するマッピングデータ選択ステップと、前記登録または選択されたマッピングデータから、ピックアップを開始すべきダイの番号を読み出すダイ開始番号読み出しステップと、前記読み出したダイの番号に基づいて、ピックアップ開始点位置情報を読み出すピックアップ開始点位置ステップと、前記読み出したピックアップ開始点位置情報に基づいて、突き上げユニット及びピックアップ装置をピックアップ開始位置に移動する移動ステップを備え、ダイボンディングを開始することを本発明の第１の特徴とする。   In order to achieve the above object, the die bonding method of the present invention is a die bonding method for picking up a die from a wafer and die-bonding to a mounted object. Pickup start point position information selection step for registering or selecting in the memory, mapping data selection step for registering or selecting the mapping data of the wafer in the memory, and a die to start pickup from the registered or selected mapping data A die start number reading step for reading the number of the pickup, a pickup start point position step for reading the pickup start point position information based on the read die number, and a check based on the read pickup start point position information. Comprising a moving step of moving the lower unit and a pickup device to pick-up starting position, the first feature of the present invention to initiate a die bonding.

また、本発明のダイボンディング方法は、上記の目的を達成するために、ウェハからダイをピックアップし、被搭載物にダイボンディングするダイボンディング方法において、前記ウェハについてダイのピックアップを開始するピックアップ開始点位置情報をメモリに登録または選択するピックアップ開始点位置情報選択ステップと、前記ウェハのマッピングデータをメモリに登録または選択するマッピングデータ選択ステップと、前記登録または選択されたマッピングデータから、ピックアップを開始すべきダイの番号を読み出すダイ開始番号読み出しステップと、
前記読み出したダイの番号に基づいて、ピックアップ開始点位置情報を算出するピックアップ開始点算出ステップと、前記算出したピックアップ開始点位置情報に基づいて、突き上げユニット及びピックアップ装置をピックアップ開始位置に移動する移動ステップを備え、ダイボンディングを開始することを本発明の第２の特徴とする。 Further, in order to achieve the above object, the die bonding method of the present invention picks up a die from a wafer and performs die bonding on a mounted object. Pickup start point position information selection step for registering or selecting position information in the memory, mapping data selection step for registering or selecting the mapping data of the wafer in the memory, and pickup from the registered or selected mapping data A die start number reading step for reading a die number to be
A pickup start point calculating step for calculating pickup start point position information based on the read die number, and a movement for moving the push-up unit and the pickup device to the pickup start position based on the calculated pickup start point position information. It is a second feature of the present invention to include a step and start die bonding.

上記本発明の第１の特徴または第２の特徴のダイボンディング方法において、前記ピックアップ開始点位置情報をあらかじめウェハの機種ごとに作成することを本発明の第３の特徴とする。   In the die bonding method according to the first feature or the second feature of the present invention, the pickup start point position information is created for each wafer model in advance, as a third feature of the present invention.

上記本発明の第１の特徴乃至第３のいずれかの特徴のダイボンディング方法において、ダイボンディング時に不良品のダイをピックアップして廃棄することを本発明の第４の特徴とする。   In the die bonding method according to any one of the first to third features of the present invention, a fourth feature of the present invention is that a defective die is picked up and discarded during die bonding.

上記本発明の第１の特徴乃至第４のいずれかの特徴のダイボンディング方法によってボンディングすることを本発明の第５の特徴とするダイボンダ。   A die bonder according to a fifth feature of the present invention, wherein the bonding is performed by the die bonding method according to any one of the first to fourth features of the present invention.

本発明によれば、特に再使用のウェハにおいて、ピックアップ開始位置のダイの位置の情報を的確に把握して位置を決定することができるため、正確にダイをピックアップ可能となる。   According to the present invention, it is possible to accurately pick up the die because the position of the die can be determined by accurately grasping the position information of the die at the pick-up start position, particularly in a reuse wafer.

ピックアップ装置の外観斜視図を示す図である。It is a figure which shows the external appearance perspective view of a pick-up apparatus. ピックアップ装置の主要部を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the principal part of a pick-up apparatus. ピックアップするダイの順番を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the order of the die | dye to pick up. ピックアップするダイの順番を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the order of the die | dye to pick up. 本発明の一実施形態であるダイボンダを上から見た概念図である。It is the conceptual diagram which looked at the die bonder which is one Embodiment of this invention from the top. 本発明のダイボンダの一実施例の制御装置の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the control apparatus of one Example of the die bonder of this invention. 本発明のダイボンディング方法における、ピックアップ開始点位置情報をあらかじめ作成する一実施例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating one Example which produces the pick-up start point position information previously in the die-bonding method of this invention. 本発明のダイボンディング方法における、ピックアップ開始点位置情報をあらかじめ作成する一実施例の手順を説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating the procedure of one Example which produces the pick-up start point position information previously in the die-bonding method of this invention. 本発明のダイボンディング方法によって、ＣＰＵ３５が実行するダイボンディングの処理動作の一実施例を説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating one Example of the processing operation of the die bonding which CPU35 performs with the die bonding method of this invention. 本発明のダイボンディング方法によって、ＣＰＵ３５が実行するダイボンディングの処理動作の一実施例を説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating one Example of the processing operation of the die bonding which CPU35 performs with the die bonding method of this invention.

以下、図面に基づき、本発明の一実施形態について、図面等を用いて説明する。
なお、以下の説明は、本発明の一実施形態を説明するためのものであり、本願発明の範囲を制限するものではない。従って、当業者であればこれらの各要素若しくは全要素をこれと均等なものに置換した実施形態を採用することが可能であり、これらの実施形態も本願発明の範囲に含まれる。
また、各図の説明において、同一の機能を有する構成要素には同一の参照番号を付し、重複を避け、できるだけ説明を省略する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
In addition, the following description is for describing one embodiment of the present invention, and does not limit the scope of the present invention. Accordingly, those skilled in the art can employ embodiments in which these elements or all of the elements are replaced with equivalent ones, and these embodiments are also included in the scope of the present invention.
In the description of each drawing, the same reference numerals are assigned to components having the same function, and the description is omitted as much as possible to avoid duplication.

図５は、本発明の一実施形態のダイボンダを上から見た概念図である。ダイボンダ１０は、大別してウェハ供給部１と、ワーク供給・搬送部２と、ダイボンディング部３とを有する。
ワーク供給・搬送部２は、スタックローダ２１と、フレームフィーダ２２と、アンローダ２３とを有する。スタックローダ２１によりフレームフィーダ２２に供給されたワーク（リードフレーム、基板等）は、フレームフィーダ２２上の２箇所の処理位置を介してアンローダ２３に搬送される。 FIG. 5 is a conceptual view of a die bonder according to an embodiment of the present invention as viewed from above. The die bonder 10 roughly includes a wafer supply unit 1, a workpiece supply / conveyance unit 2, and a die bonding unit 3.
The workpiece supply / conveyance unit 2 includes a stack loader 21, a frame feeder 22, and an unloader 23. The workpiece (lead frame, substrate, etc.) supplied to the frame feeder 22 by the stack loader 21 is conveyed to the unloader 23 via two processing positions on the frame feeder 22.

ダイボンディング部３は、プリフォーム部３１とボンディングヘッド部３２とを有する。プリフォーム部３１はフレームフィーダ２２により搬送されてきたワーク（基板）にダイ接着剤を塗布する。ボンディングヘッド部３２は、ピックアップ装置１２からダイをピックアップして上昇し、ダイ４を平行移動してフレームフィーダ２２上のボンディングポイントまで移動させる。そして、ボンディングヘッド部３２はダイ４を下降させダイ接着剤が塗布されたワーク（例えば、基板）上にボンディングする。なお、ウェハ４０にダイアタッチフィルム１８が貼り付けられている場合には、プリフォーム部３１でワークにダイ接着剤を塗布しない。
ダイ認識カメラ９１は、ウェハ４０からダイ４をピックアップする前に、マッピングデータに基づく位置に相対的に移動（実際には、ウェハ４０を保持するウェハリング１４が、ＸＹ方向に移動する）し、当該ピックアップ対象のダイ４を撮像し、制御部３５に出力する。そして、制御部３５は、パターン認識により、当該ダイ４の正確な位置を検出し、上記マッピングデータに基づく位置との差分だけ、突上げユニット５０（図２参照）とピックアップ装置１２の位置を補正（実際には、ウェハ４０を保持するウェハリング１４が、ＸＹ方向に移動する）し、ダイ４をピックアップさせる。 The die bonding unit 3 includes a preform unit 31 and a bonding head unit 32. The preform unit 31 applies a die adhesive to the work (substrate) conveyed by the frame feeder 22. The bonding head unit 32 picks up a die from the pickup device 12 and moves up, and moves the die 4 in parallel to a bonding point on the frame feeder 22. Then, the bonding head unit 32 lowers the die 4 and bonds it onto a work (for example, a substrate) coated with a die adhesive. When the die attach film 18 is attached to the wafer 40, the die adhesive is not applied to the work by the preform portion 31.
The die recognition camera 91 moves relative to the position based on the mapping data before picking up the die 4 from the wafer 40 (in practice, the wafer ring 14 holding the wafer 40 moves in the XY direction) The picked up die 4 is imaged and output to the control unit 35. And the control part 35 detects the exact position of the said die | dye 4 by pattern recognition, and correct | amends the position of the pushing-up unit 50 (refer FIG. 2) and the pick-up apparatus 12 only by the difference with the position based on the said mapping data. (In actuality, the wafer ring 14 holding the wafer 40 moves in the XY direction), and the die 4 is picked up.

ウェハ供給部１は、ウェハカセットリフタ１１とピックアップ装置１２とを有する。ウェハカセットリフタ１１は、ウェハリング１４が充填されたウェハカセット（図示せず）を有し、順次ウェハリング１４をピックアップ装置１２に供給する。
また、制御部３５は、ダイボンダ１０のダイのピックアップ及びダイマウントに係る動作を統括制御する。
なお、図１には図示していないが、ダイボンダ１０は、さらに、駆動機構、認識処理部、及びモニタを備え、制御部３５と他の機器とはインタフェースを介して通信している。また、制御部３５は、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）であり、メモリとして、ＲＡＭ３６及びＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）３７を接続した構成を備える。 The wafer supply unit 1 includes a wafer cassette lifter 11 and a pickup device 12. The wafer cassette lifter 11 has a wafer cassette (not shown) filled with the wafer ring 14, and sequentially supplies the wafer ring 14 to the pickup device 12.
The control unit 35 performs overall control of operations related to die pickup and die mounting of the die bonder 10.
Although not shown in FIG. 1, the die bonder 10 further includes a drive mechanism, a recognition processing unit, and a monitor, and the control unit 35 and other devices communicate with each other via an interface. The control unit 35 is, for example, a CPU (Central Processing Unit), and has a configuration in which a RAM 36 and a ROM (Read Only Memory) 37 are connected as memories.

次に、図６に基づき、ダイボンダ１０の制御ブロック図について説明する。ＣＰＵ３５は、前記ＲＡＭ３６に記憶されたデータに基づき、前記ＲＯＭ３７に格納されたプログラムに従い、ダイ４のピックアップ及びダイマウントに係る動作について、インタフェース３８及び駆動回路３９を介して各駆動部３０を統括制御する。また、ＣＰＵ３５は、前記ＲＡＭ３６に記憶されたデータに基づき、前記ＲＯＭ３７に格納されたプログラムに従い、ダイ４のピックアップ及びダイマウントに係る動作について、インタフェース３８を介して、モニタ５１及び５２、並びに認識処理部３４、ダイ認識カメラ９１及びその他認識カメラ９を統括制御する。
尚、ＲＯＭ３７の替わりにハードディスクを用い、このハードディスクからＲＡＭ３６に読み出されたプログラムに従い、ＣＰＵ３５が各駆動部３０を統括制御するようにしても良い。 Next, a control block diagram of the die bonder 10 will be described with reference to FIG. Based on the data stored in the RAM 36, the CPU 35 comprehensively controls each drive unit 30 via the interface 38 and the drive circuit 39 for operations related to the pickup and die mount of the die 4 according to the program stored in the ROM 37. To do. Further, the CPU 35 monitors the operations of the die 4 for picking up and mounting the die 51 via the interface 38 and the recognition process according to the program stored in the ROM 37 based on the data stored in the RAM 36. The unit 34, the die recognition camera 91, and the other recognition camera 9 are collectively controlled.
Note that a hard disk may be used in place of the ROM 37, and the CPU 35 may control each drive unit 30 according to a program read from the hard disk to the RAM 36.

前記ＲＡＭ３６には、ウェハ４０に存在する個々のダイ４について、良品であるか不良品であるかの情報がマッピングデータとして登録され（書き込まれ）ている。さらに、前記ＲＡＭ３６には、当該ウェハ４０のピックアップ開始点位置情報が登録されている。なお、複数のピックアップ開始点位置情報及び複数のマッピングデータが登録されている場合には、オペレータが操作部６０を操作することにより、操作部６０を介して所望のピックアップ開始点位置情報及びマッピングデータを選択する。
ＣＰＵ３５は、ウェハ４０からダイ４をピックアップする度に、マッピングデータに当該情報を読み出したダイに関して、ピックアップした情報を書き込み、次のダイの情報を読み出し、不良品の場合にはスキップして、次のダイの情報を読み出す。読み出した情報から、当該ダイが良品である場合には、位置情報及び位置ずれ情報からウェハリング１４を移動し、突上げユニット５０及びピックアップ装置１２を当該ダイの位置に移動させ、ピックアップ動作を開始させる。
オペレータは、操作部６０を操作して、操作部６０は、インタフェース３８を介して、オペレータの操作に基づいた操作信号をＣＰＵ３５に出力する。ＣＰＵ３５は、入力された操作信号に基づいて、ＲＡＭ３６、ＲＯＭ３７、及び、インタフェース３８を介して、ダイボンダ１０内の各機器を操作する。 In the RAM 36, information on whether each die 4 existing on the wafer 40 is a non-defective product or a defective product is registered (written) as mapping data. Further, in the RAM 36, pickup start point position information of the wafer 40 is registered. In addition, when a plurality of pickup start point position information and a plurality of mapping data are registered, the operator operates the operation unit 60 so that desired pickup start point position information and mapping data are obtained via the operation unit 60. Select.
Every time the die 4 is picked up from the wafer 40, the CPU 35 writes the picked up information on the die from which the information has been read out, reads out the information on the next die, skips the next die, and skips to the next. Read the die information. From the read information, when the die is a non-defective product, the wafer ring 14 is moved from the position information and the position deviation information, the push-up unit 50 and the pickup device 12 are moved to the position of the die, and the pickup operation is started. Let
The operator operates the operation unit 60, and the operation unit 60 outputs an operation signal based on the operation of the operator to the CPU 35 via the interface 38. The CPU 35 operates each device in the die bonder 10 via the RAM 36, the ROM 37, and the interface 38 based on the input operation signal.

本発明のダイボンダは、あらかじめ再使用のウェハについて、ダイを順番にピックアップした場合の、次のダイの位置を画像処理によって検出し、ウェハの機種毎にピックアップ開始点位置情報として、メモリ（例えば、ＲＡＭ３６）に登録する。登録されるウェハの機種毎のダイの位置は、ピックアップを開始するダイの位置であり、新規のウェハのピックアップの位置から順番にピックアップし、次にピックアップするダイの位置を、ダイ認識カメラで撮像し、撮像した画像から正確な位置を決定して、メモリに登録していくものである。   The die bonder of the present invention detects the position of the next die when picking up the dies in order for a wafer to be reused in advance by image processing, and uses a memory (for example, as a pickup start point position information for each wafer model) RAM36). The die position for each wafer model to be registered is the position of the die that starts picking up, picking up in order from the position of picking up a new wafer, and then picking up the position of the die to be picked up with the die recognition camera Then, an accurate position is determined from the captured image and registered in the memory.

以下、図３、図７及び図８を用いて、本発明のダイボンディング方法において、ウェハの機種毎のピックアップ開始点位置情報をあらかじめ自動的に作成する一実施例を説明する。図７は、本発明のダイボンディング方法における、ピックアップ開始点位置情報をあらかじめ作成する一実施例を説明するための図である。また、図８は、本発明のダイボンディング方法における、ピックアップ開始点位置情報をあらかじめ作成する一実施例の手順を説明するためのフローチャートである。
図３及び図７では図示していないが、これらのウェハ４０、４０ａ〜４０ｃは、新規ウェハ或いは再使用のウェハに関わらず、ウェハリング１４にセットされて使用され、ダイボンダ１０において、ピックアップ装置１２に搬入されて使用される。その場合には、ピックアップ装置１２は、搬入されたウェハリング１４を保持しているエキスパンドリング１５を所定の距離だけ下降させる。この結果、ダイシングフィルム１６が引き伸ばされダイ４の間隔が広がる。これにより、突上げユニット５０によってウェハ４０の下方からダイの４を突上げる時のダイ４のピックアップ性が向上する。即ち、ウェハ４０を保持するダイシングフィルム１６は、ピックアップ装置１２に搬入される都度、引き伸ばされる。 Hereinafter, with reference to FIGS. 3, 7, and 8, an embodiment in which pickup start point position information for each wafer model is automatically created in advance in the die bonding method of the present invention will be described. FIG. 7 is a diagram for explaining an embodiment in which pickup start point position information is created in advance in the die bonding method of the present invention. FIG. 8 is a flowchart for explaining the procedure of an embodiment in which pickup start point position information is created in advance in the die bonding method of the present invention.
Although not shown in FIGS. 3 and 7, these wafers 40, 40 a to 40 c are used by being set on the wafer ring 14 regardless of whether they are new wafers or reused wafers. In the die bonder 10, the pickup device 12 is used. To be used. In that case, the pickup device 12 lowers the expand ring 15 holding the carried wafer ring 14 by a predetermined distance. As a result, the dicing film 16 is stretched and the distance between the dies 4 is increased. Thereby, the pick-up property of the die 4 when the die 4 is pushed up from below the wafer 40 by the push-up unit 50 is improved. That is, the dicing film 16 holding the wafer 40 is stretched each time it is carried into the pickup device 12.

まず、図３に示すように、ダイボンダに、ピックアップ開始点位置情報を作成する機種であって、全てのダイが存在するウェハ（新規ウェハ）をセットする。以下の制御は、ＣＰＵ（制御部）３５がダイボンダ１０の各機器を制御して実行する。
ステップＳ８０１では、当該ウェハのマッピングデータをＲＡＭ３６から読み出す。なお、複数のマッピングデータが登録されている場合には、オペレータが操作部６０を操作することにより、操作部６０を介して所望のマッピングデータを選択する。
ステップＳ８０２では、ｎを１とする（ｎ＝１）。
ステップＳ８０３では、読み出したマッピングデータから１番目の位置のダイの位置に突上げユニット５０とピックアップ装置１２を移動する。
ステップＳ８０４では、ダイ認識カメラ９１がマッピングデータから読み出した位置を撮像し、撮像された画像を画像処理して、ダイに形成されている位置合わせマークの位置を検出することによって、突上げユニット５０とピックアップ装置１２の位置補正を行う。
ステップＳ８０５では、１番目の位置のダイ４１をピックアップする。 First, as shown in FIG. 3, a wafer (new wafer), which is a model for creating pickup start point position information and in which all dies exist, is set in a die bonder. The following control is executed by the CPU (control unit) 35 controlling each device of the die bonder 10.
In step S801, the mapping data of the wafer is read from the RAM 36. When a plurality of mapping data are registered, the operator operates the operation unit 60 to select desired mapping data via the operation unit 60.
In step S802, n is set to 1 (n = 1).
In step S803, the push-up unit 50 and the pickup device 12 are moved to the position of the die at the first position from the read mapping data.
In step S804, the position of the alignment mark formed on the die is detected by imaging the position read by the die recognition camera 91 from the mapping data, processing the captured image, and detecting the position of the alignment mark formed on the die. The position of the pickup device 12 is corrected.
In step S805, the die 41 at the first position is picked up.

ステップＳ８０６では、ｎに１を加える（ｎ＝ｎ＋１）。
次に、ステップＳ８０７では、図７（ａ）に示すように、読み出したマッピングデータからｎ番目の位置のダイの位置に、ウェハリング１４を移動させることによって、突上げユニット５０とピックアップ装置１２を移動する（ｎ＝２の場合には、ダイ４６に移動する）。
ステップＳ８０８では、ステップＳ８０４と同様に、ダイ認識カメラ９１がマッピングデータから読み出した位置を撮像し、撮像された画像を画像処理して、位置合わせマークの位置を検出することによって、突上げユニット５０とピックアップ装置１２の位置補正を行う。
ステップＳ８０９では、ｎ番目のダイの位置をピックアップ開始点位置情報としてメモリに登録する（書き込む）。
ステップＳ８１０では、ｎ番目のダイがウェハの最後のダイ４２であるか否かを判定する。最後のダイ４２であれば、処理を終了する。また、ｎ番目のダイがウェハの最後のダイ４２でなければ、ステップＳ８１１の処理に進む。
ステップＳ８１１では、ｎ番目のダイをピックアップして、ステップＳ８０６の処理に戻る。 In step S806, 1 is added to n (n = n + 1).
Next, in step S807, as shown in FIG. 7A, the push-up unit 50 and the pickup device 12 are moved by moving the wafer ring 14 from the read mapping data to the n-th die position. Move (if n = 2, move to die 46).
In step S808, as in step S804, the position of the alignment mark is detected by capturing the position read by the die recognition camera 91 from the mapping data, performing image processing on the captured image, and detecting the position of the alignment mark 50. The position of the pickup device 12 is corrected.
In step S809, the position of the nth die is registered (written) in the memory as pickup start point position information.
In step S810, it is determined whether the nth die is the last die 42 of the wafer. If it is the last die 42, the process is terminated. If the nth die is not the last die 42 of the wafer, the process proceeds to step S811.
In step S811, the nth die is picked up, and the process returns to step S806.

本処理を所定回数繰り返し、代表値（中央値、平均値等）をｎ番目のそれぞれのダイのピックアップ開始点位置情報とするようにしても良い。
また、このようなピックアップ開始点位置情報の取得は、例えば、新規ウェハを用いて、実際にダイボンディングを行う過程で、ダイ認識カメラによる位置補正のデータを使用するようにしても良い。その場合には、不良品のダイをスキップすることになるが、スキップしたダイの位置を前後のダイまたは周囲のダイの位置から補間するようにしても良い。また、不良品のダイに対してもダイ認識カメラで撮像して、位置を検出するようにしても良い。
さらに、上記各位置データをもとに、ピックアップする度に、ダイシングフィルムの収縮状況を計算する近似式を求め、当該近似式をメモリに登録し、登録された近似式に基づいて、次のダイの位置を算出し、算出した位置に、ウェハを移動させることによって、正確なピックアップ位置を常に維持することも可能である。 This process may be repeated a predetermined number of times, and the representative value (median value, average value, etc.) may be used as the pickup start point position information for each of the nth dies.
Further, such acquisition of the pickup start point position information may be performed by using position correction data from a die recognition camera in the process of actually performing die bonding using a new wafer, for example. In this case, the defective die is skipped, but the skipped die position may be interpolated from the front and rear dies or the surrounding dies. Further, a defective die may be imaged with a die recognition camera to detect the position.
Further, each time the pickup is performed based on each position data, an approximate expression for calculating the shrinking state of the dicing film is obtained, the approximate expression is registered in the memory, and the next die is calculated based on the registered approximate expression. It is also possible to always maintain an accurate pick-up position by calculating the position and moving the wafer to the calculated position.

次に、図７を用いて、本発明のダイボンダのピックアップ動作の一実施例を説明する。本実施例では、上述したように、あらかじめ作成したピックアップ開始点位置情報を使用して、位置補正してダイボンディングを開始するものである。
まず、図７（ａ）〜図７（ｃ）においては、ＣＰＵ３５には、オペレータの操作によって、操作部６０から、セットされたウェハのマッピングデータが入力される。この結果、ＣＰＵ３５は、セットされたウェハのピックアップ開始点がどの位置（何番目のダイ）であるかを認識することができる。なお、従来のマッピングデータに比して、個々のダイの位置情報は必要なく、ピックアップするダイの順番（何番目にピックアップされるか）の情報、及び、当該ダイが良品か不良品であるかが分かる情報であっても良い。
図７（ａ）では、ウェハ４０ａのピックアップ開始点は、ウェハ４０ａのマッピングデータから２番目のダイ（ダイ４６）であることが判明するので、ＣＰＵ３５は、２番目のダイのピックアップ開始位置をＲＡＭ３６から読み出したピックアップ開始点位置情報から取得して、ダイボンディングを開始し、ダイ４２まで矢印のようにピックアップを実行する。
図７（ｂ）では、ウェハ４０ｂのピックアップ開始点は、ウェハ４０ｂのマッピングデータから３番目のダイ（ダイ４８）であることが判明するので、ＣＰＵ３５は、３番目のダイのピックアップ開始位置をＲＡＭ３６から読み出したピックアップ開始点位置情報から取得して、ダイボンディングを開始し、ダイ４２まで矢印のようにピックアップを実行する。
図７（ｃ）では、ウェハ４０ｃのピックアップ開始点は、ウェハ４０ｃのマッピングデータから６２番目のダイ（ダイ４７）であることが判明するので、ＣＰＵ３５は、６２番目のダイのピックアップ開始位置をＲＡＭ３６から読み出したピックアップ開始点位置情報から取得して、ダイボンディングを開始し、ダイ４２まで矢印のようにピックアップを実行する。 Next, an embodiment of the pick-up operation of the die bonder of the present invention will be described with reference to FIG. In this embodiment, as described above, die bonding is started by correcting the position using the pickup start point position information created in advance.
First, in FIGS. 7A to 7C, the CPU 35 receives mapping data of the set wafer from the operation unit 60 by the operation of the operator. As a result, the CPU 35 can recognize which position (what number die) the pickup start point of the set wafer is. Compared to conventional mapping data, there is no need for individual die position information, information on the order of picked-up dies (which number is picked up), and whether the die is good or defective. Information that can be understood.
In FIG. 7A, since the pickup start point of the wafer 40a is found from the mapping data of the wafer 40a to be the second die (die 46), the CPU 35 sets the pickup start position of the second die to the RAM 36. Is acquired from the pickup start point position information read out from, and die bonding is started, and the pickup is executed up to the die 42 as indicated by the arrow.
In FIG. 7B, since the pickup start point of the wafer 40b is found from the mapping data of the wafer 40b to be the third die (die 48), the CPU 35 sets the pickup start position of the third die to the RAM 36. Is acquired from the pickup start point position information read out from, and die bonding is started, and the pickup is executed up to the die 42 as indicated by the arrow.
In FIG. 7C, the pickup start point of the wafer 40c is found from the mapping data of the wafer 40c to be the 62nd die (die 47), so the CPU 35 sets the pickup start position of the 62nd die in the RAM 36. Is acquired from the pickup start point position information read out from, and die bonding is started, and the pickup is executed up to the die 42 as indicated by the arrow.

図９は、本発明のダイボンディング方法によって、ＣＰＵ３５が実行するダイボンディングの処理動作の一実施例を説明するためのフローチャートである。ＣＰＵ３５には、オペレータの操作によって、操作部６０から、セットされたウェハのマッピングデータが入力される。この結果、ＣＰＵ３５は、セットされたウェハのピックアップ開始点がどの位置（何番目のダイ）であるかを認識することができる。なお、従来のマッピングデータに比して、個々のダイの位置情報は必要なく、ピックアップするダイの順番（何番目にピックアップされるか）の情報、及び、当該ダイが良品か不良品であるかが分かる情報であっても良い。
ステップＳ９０１では、セットされたウェハ４０について、オペレータの操作により入力されたピックアップ開始点位置情報及びマッピングデータをダイボンダのメモリ（例えば、ＲＡＭ３６）に書き込む。なお、複数のピックアップ開始点位置情報及び複数のマッピングデータが登録されている場合には、オペレータが操作部６０を操作することにより、操作部６０を介して所望のピックアップ開始点位置情報及びマッピングデータを選択する。
ステップＳ９０２では、マッピングデータから、ピックアップを開始すべきダイの番号を読み出す。
ステップＳ９０３では、ステップＳ９０２で読み出したダイの番号に基づくピックアップ開始点位置情報を読み出す。
ステップＳ９０４では、ステップＳ９０３で読み出したピックアップ開始点位置情報に基づいて、ウェハリング１４をＸ方向及びＹ方向に駆動することにより、突き上げユニット５０及びピックアップ装置１２をピックアップ開始位置に移動させる。
以降、ステップＳ９０５では、従来通りのダイボンディングを行う。 FIG. 9 is a flowchart for explaining an embodiment of the die bonding processing operation executed by the CPU 35 by the die bonding method of the present invention. The mapping data of the set wafer is input to the CPU 35 from the operation unit 60 by the operation of the operator. As a result, the CPU 35 can recognize which position (what number die) the pickup start point of the set wafer is. Compared to conventional mapping data, there is no need for individual die position information, information on the order of picked-up dies (which number is picked up), and whether the die is good or defective. Information that can be understood.
In step S901, for the set wafer 40, the pickup start point position information and mapping data input by the operator's operation are written in the die bonder memory (for example, the RAM 36). In addition, when a plurality of pickup start point position information and a plurality of mapping data are registered, the operator operates the operation unit 60 so that desired pickup start point position information and mapping data are obtained via the operation unit 60. Select.
In step S902, the die number to be picked up is read from the mapping data.
In step S903, pickup start point position information based on the die number read in step S902 is read.
In step S904, the push-up unit 50 and the pickup device 12 are moved to the pickup start position by driving the wafer ring 14 in the X direction and the Y direction based on the pickup start point position information read in step S903.
Thereafter, in step S905, conventional die bonding is performed.

上記実施例によれば、特に再使用のウェハにおいて、ピックアップ開始位置のダイの位置の情報を的確に把握して位置を決定することができるため、正確にダイをピックアップ可能となる。   According to the above embodiment, the die can be accurately picked up since the position of the die can be determined by accurately grasping the position information of the die at the pick-up start position, particularly in a reuse wafer.

本実施例においても、実施例１のダイボンダ１０、制御装置、マッピングデータ、及びピックアップ開始点位置情報を使用する。
本実施例では、ＣＰＵ３５は、ｎ番目のダイのピックアップ開始位置をＲＡＭ３６から読み出すのではなく、ダイシングフィルムの収縮状況を計算する近似式を求め、当該近似式をメモリに登録していた場合には、ｎ番目のダイであることから登録された近似式に基づいて、次のダイの位置を算出し、算出した位置に、ウェハを移動させることによって、正確なピックアップ位置を取得して、ダイボンディングを開始する。 Also in the present embodiment, the die bonder 10, the control device, the mapping data, and the pickup start point position information of the first embodiment are used.
In this embodiment, the CPU 35 does not read the pickup start position of the n-th die from the RAM 36, but obtains an approximate expression for calculating the contraction state of the dicing film and registers the approximate expression in the memory. Calculate the position of the next die based on the registered approximate expression because it is the nth die, and move the wafer to the calculated position to obtain the accurate pickup position, and die bonding To start.

図１０は、本発明のダイボンディング方法によって、ＣＰＵ３５が実行するダイボンディングの処理動作の一実施例を説明するためのフローチャートである。ＣＰＵ３５には、オペレータの操作によって、操作部６０から、セットされたウェハのマッピングデータが入力される。この結果、ＣＰＵ３５は、セットされたウェハのピックアップ開始点がどの位置（何番目のダイ）であるかを認識することができる。なお、従来のマッピングデータに比して、個々のダイの位置情報は必要なく、ピックアップするダイの順番（何番目にピックアップされるか）の情報、及び、当該ダイが良品か不良品であるかが分かる情報であっても良い。
さらに、本実施例では、実施例１とは異なり、ピックアップ開始点位置情報には、個々のダイの位置情報が登録されておらず、新規ウェハで最初にピックアップするダイを１番目のダイとして、以後続けてピックアップするダイの順番を示す番号を変数とする近似式が登録されている。この近似式は、シミュレーションによって求めても良いし、実施例１で取得したピックアップ開始位置情を基に近似式を決定するようにしても良い。 FIG. 10 is a flowchart for explaining an embodiment of the die bonding processing operation executed by the CPU 35 by the die bonding method of the present invention. The mapping data of the set wafer is input to the CPU 35 from the operation unit 60 by the operation of the operator. As a result, the CPU 35 can recognize which position (what number die) the pickup start point of the set wafer is. Compared to conventional mapping data, there is no need for individual die position information, information on the order of picked-up dies (which number is picked up), and whether the die is good or defective. Information that can be understood.
Further, in this embodiment, unlike the first embodiment, the position information of each die is not registered in the pickup start point position information, and the first die to be picked up with a new wafer is set as the first die. Thereafter, an approximate expression using a number indicating the order of dies to be picked up continuously as a variable is registered. This approximate expression may be obtained by simulation, or may be determined based on the pickup start position information acquired in the first embodiment.

ステップＳ９０１の動作は、実施例１と同様であるので説明しない。
ステップＳ９０２では、マッピングデータから、ピックアップを開始すべきダイの番号を読み出す。
ステップＳ１００３では、ステップＳ９０１で読み出したダイの番号を変数として、近似式からピックアップ開始点位置情報を算出する。
ステップＳ９０４では、ステップＳ１００３で算出したピックアップ開始点位置情報に基づいて、ウェハリング１４をＸ方向及びＹ方向に駆動することにより、突き上げユニット５０及びピックアップ装置１２をピックアップ開始位置に移動させる。
以降、ステップＳ９０５では、従来通りのダイボンディングを行う。 Since the operation in step S901 is the same as that in the first embodiment, it will not be described.
In step S902, the die number to be picked up is read from the mapping data.
In step S1003, pickup start point position information is calculated from the approximate expression using the die number read in step S901 as a variable.
In step S904, the push-up unit 50 and the pickup device 12 are moved to the pickup start position by driving the wafer ring 14 in the X direction and the Y direction based on the pickup start point position information calculated in step S1003.
Thereafter, in step S905, conventional die bonding is performed.

上記実施例によれば、特に再使用のウェハにおいて、ピックアップ開始位置のダイの位置の情報を的確に把握して位置を決定することができるため、正確にダイをピックアップ可能となる。   According to the above embodiment, the die can be accurately picked up since the position of the die can be determined by accurately grasping the position information of the die at the pick-up start position, particularly in a reuse wafer.

図７（ｃ）のウェハ４０ｃでは、ピックアップ開始点のダイ４８の前に不良のダイ４３がスキップされて残っている。ウェハの種類や残された状態によっては、残された不良品のダイによって、ダイシングフィルム１６の収縮状態が変わり、あらかじめ作成したピックアップ開始点位置情報から大きく位置ずれることが考えられる。
そこで、本発明の別の実施例では、以下の（１）〜（３）の３つの方法のいずれかを実行することで、このような位置ずれの発生を回避する。
なお、本実施例の適用に当たっては、実施例１または実施例２で使用したダイボンダ１０、制御装置、マッピングデータ、及びピックアップ開始点位置情報を用いる。 In the wafer 40c of FIG. 7C, the defective die 43 is skipped and left before the die 48 at the pickup start point. Depending on the type of wafer and the remaining state, the contracted state of the dicing film 16 changes depending on the remaining defective die, and it is considered that the position is largely deviated from the pickup start point position information created in advance.
Therefore, in another embodiment of the present invention, the occurrence of such misalignment is avoided by executing any one of the following three methods (1) to (3).
In applying the present embodiment, the die bonder 10, the control device, the mapping data, and the pickup start point position information used in the first or second embodiment are used.

（１）ダイボンダがダイボンディング作業を実行中に、不良品のダイをピックアップする位置になった場合に、ピックアップして所定の廃棄場所に不良品のダイを廃棄してから、次のダイの位置に移動してピックアップ及びマウント動作を実行する。
（２）ダイボンダがダイボンディング作業を開始する前に、不良品のダイをピックアップして所定の廃棄場所に廃棄してから、ピックアップ及びマウント動作を開始する。
（３）ダイボンダがダイボンディング作業を開始する前に不良品としてピックアップ開始位置より前に存在する（残っている）不良品のダイの数が、所定の数以上である場合には、不良品のダイをピックアップして所定の廃棄場所に廃棄してから、ピックアップ及びマウント動作を開始する。 (1) If the die bonder is in a position to pick up a defective die while performing a die bonding operation, the defective die is discarded after being picked up and disposed at a predetermined disposal location, and then the position of the next die To pick up and mount.
(2) Before the die bonder starts the die bonding operation, the defective die is picked up and discarded in a predetermined disposal place, and then the pick-up and mounting operations are started.
(3) If the number of defective dies present (remaining) before the pick-up start position as a defective product before the die bonder starts the die bonding operation is greater than or equal to a predetermined number, After the die is picked up and discarded at a predetermined disposal location, the pick-up and mounting operations are started.

上述の実施例のダイボンディング方法によれば、再使用のウェハにおいて、ピックアップ開始位置のダイの位置の情報を的確に把握して位置補正して、正確にダイをピックアップ可能となる。   According to the die bonding method of the above-described embodiment, it is possible to accurately pick up a die by recognizing accurately the position information of the die at the pickup start position and correcting the position in a reuse wafer.

１：ウェハ供給部、 ２：ワーク供給・搬送部、 ３：ダイボンディング部、 ４：ダイ、 １０：ダイボンダ、 １１：ウェハカセットリフタ、 １２：ピックアップ装置、 １４：ウェハリング、 １５：エキスパンドリング、 １６：ダイシングフィルム、 １７：支持リング、 ２１：スタックローダ、 ２２：フレームフィーダ、 ２３：アンローダ、 ３０：駆動部、 ３１：プリフォーム部、 ３２：ボンディングヘッド部、 ３４：認識処理部、 ３５：ＣＰＵ、 ３６：ＲＡＭ、３７：ＲＯＭ、 ３８：インタフェース、 ３９：駆動回路、 ４０、４０ａ、４０ｂ、４０ｃ：ウェハ、 ４１、４２、４６、４８：ダイ、 ４３：不良のダイ、 ５０：突上げユニット、 ５１、５２：表示部、 ６０：操作部、 ９１：ダイ認識カメラ。   1: Wafer supply unit, 2: Workpiece supply / conveyance unit, 3: Die bonding unit, 4: Die, 10: Die bonder, 11: Wafer cassette lifter, 12: Pickup device, 14: Wafer ring, 15: Expanding ring, 16 : Dicing film, 17: Support ring, 21: Stack loader, 22: Frame feeder, 23: Unloader, 30: Drive part, 31: Preform part, 32: Bonding head part, 34: Recognition processing part, 35: CPU, 36: RAM, 37: ROM, 38: Interface, 39: Drive circuit, 40, 40a, 40b, 40c: Wafer, 41, 42, 46, 48: Die, 43: Defect die, 50: Push-up unit, 51 52: display unit, 60: operation unit, 91: die recognition camera.

Claims (5)

ウェハからダイをピックアップし、被搭載物にダイボンディングするダイボンディング方法において、
前記ウェハについてダイのピックアップを開始するピックアップ開始点位置情報をメモリに登録または選択するピックアップ開始点位置情報選択ステップと、
前記ウェハのマッピングデータをメモリに登録または選択するマッピングデータ選択ステップと、
前記登録または選択されたマッピングデータから、ピックアップを開始すべきダイの番号を読み出すダイ開始番号読み出しステップと、
前記読み出したダイの番号に基づいて、ピックアップ開始点位置情報を読み出すピックアップ開始点位置ステップと、
前記読み出したピックアップ開始点位置情報に基づいて、突き上げユニット及びピックアップ装置をピックアップ開始位置に移動する移動ステップを備え、
ダイボンディングを開始することを特徴とするダイボンディング方法。 In the die bonding method of picking up the die from the wafer and die bonding to the mounted object,
Pickup start point position information selection step for registering or selecting in a memory pickup start point position information for starting die pickup for the wafer;
A mapping data selection step of registering or selecting the mapping data of the wafer in a memory;
A die start number reading step for reading a die number to start pickup from the registered or selected mapping data;
Based on the read die number, a pickup start point position step for reading pickup start point position information;
Based on the read pickup start point position information, comprising a moving step of moving the push-up unit and the pickup device to the pickup start position,
A die bonding method comprising starting die bonding. ウェハからダイをピックアップし、被搭載物にダイボンディングするダイボンディング方法において、
前記ウェハについてダイのピックアップを開始するピックアップ開始点位置情報をメモリに登録または選択するピックアップ開始点位置情報選択ステップと、
前記ウェハのマッピングデータをメモリに登録または選択するマッピングデータ選択ステップと、
前記登録または選択されたマッピングデータから、ピックアップを開始すべきダイの番号を読み出すダイ開始番号読み出しステップと、
前記読み出したダイの番号に基づいてダイシングフィルムの収縮状況を計算する近似式を求め、該近似式に基づいてピックアップ開始点位置情報を算出するピックアップ開始点算出ステップと、
前記算出したピックアップ開始点位置情報に基づいて、突き上げユニット及びピックアップ装置をピックアップ開始位置に移動する移動ステップを備え、
ダイボンディングを開始することを特徴とするダイボンディング方法。 In the die bonding method of picking up the die from the wafer and die bonding to the mounted object,
Pickup start point position information selection step for registering or selecting in a memory pickup start point position information for starting die pickup for the wafer;
A mapping data selection step of registering or selecting the mapping data of the wafer in a memory;
A die start number reading step for reading a die number to start pickup from the registered or selected mapping data;
A pickup start point calculating step for obtaining an approximate expression for calculating the shrinkage state of the dicing film based on the read die number, and calculating pickup start point position information based on the approximate expression ;
Based on the calculated pickup start point position information, comprising a moving step of moving the push-up unit and the pickup device to the pickup start position,
A die bonding method comprising starting die bonding. 請求項１または請求項２に記載のダイボンディング方法において、前記ピックアップ開始点位置情報をあらかじめウェハの機種ごとに作成することを特徴とするダイボンディング方法。   3. The die bonding method according to claim 1, wherein the pickup start point position information is created in advance for each wafer model. 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のダイボンディング方法において、前記マッピングデータから良品であるか不良品であるかの情報を読み出して、ダイボンディング時に不良品のダイをピックアップして廃棄することを特徴とするダイボンディング方法。 4. The die bonding method according to claim 1, wherein information indicating whether the product is a non-defective product or a defective product is read from the mapping data, and a defective die is picked up and discarded during die bonding. A die bonding method characterized by the above. 請求項１乃至請求項４のいずれかのダイボンディング方法によってボンディングすることを特徴とするダイボンダ。   A die bonder, wherein bonding is performed by the die bonding method according to claim 1.

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