JP5935765B2 - ナノインプリントモールド用合成石英ガラス、その製造方法、及びナノインプリント用モールド - Google Patents
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Description
そのため転写工程においては、気泡が残らないように粘性の低いガス雰囲気、例えばヘリウム含有雰囲気で行うことが一般的である。
〔1〕
ケイ素源原料に対し酸水素火炎にて火炎加水分解を行い、生成したシリカ微粒子を回転している石英ガラスターゲット上に堆積すると同時に溶融ガラス化して、合成石英ガラスインゴットを得た後、成型し、アニールし、更に温度600℃以上、保持時間12時間以上、圧力5Pa以下で脱水素処理することを特徴とするナノインプリントモールド用合成石英ガラスの製造方法。
〔2〕
成型を1,500〜1,800℃で1〜10時間の熱間成型にて行い、アニールを1,050〜1,300℃で5時間以上保持した後、20℃/hr以下の徐冷速度で800〜1,000℃の範囲まで冷却することによって行うことを特徴とする〔1〕に記載のナノインプリントモールド用合成石英ガラスの製造方法。
〔3〕
OH基濃度が300ppm以上、水素分子濃度が8.5×10 15 分子/cm 3 以下であることを特徴とするナノインプリントモールド用合成石英ガラス。
〔4〕
複屈折が8nm/cm以下であることを特徴とする〔3〕に記載のナノインプリントモールド用合成石英ガラス。
〔5〕
複屈折分布が5nm/cm以下であることを特徴とする〔3〕又は〔4〕に記載のナノインプリントモールド用合成石英ガラス。
〔6〕
仮想温度が910℃以下であることを特徴とする〔3〕〜〔5〕のいずれかに記載のナノインプリントモールド用合成石英ガラス。
〔7〕
仮想温度分布が10℃以下であることを特徴とする〔3〕〜〔6〕のいずれかに記載のナノインプリントモールド用合成石英ガラス。
〔8〕
〔3〕〜〔7〕のいずれかに記載の合成石英ガラスを用いたことを特徴とするナノインプリント用モールド。
本発明のナノインプリントモールド用合成石英ガラスの製造方法は、合成石英ガラス製造炉内に設けたバーナに、水素ガスを含む可燃性ガス及び酸素ガスを含む支燃性ガスを供給して燃焼させることにより、バーナ先端に形成される酸水素炎中に、ケイ素源原料ガスを供給して、ケイ素源原料ガスを酸化又は火炎加水分解することにより、酸化ケイ素微粒子をバーナ先端前方に配設したターゲット上に付着させると同時に透明ガラス化することにより、合成石英ガラスインゴットを作製する、いわゆる直接法が好ましい。
具体的には、図1に示したように、回転する支台1上に石英ガラス製ターゲット2を取り付ける一方、原料蒸発器3内に入れたケイ素源原料ガス4にアルゴン等の不活性ガス5を導入し、この不活性ガス5にケイ素源原料ガス4の蒸気を随伴させ、かつこれに酸素ガス6を混合した混合ガスを石英ガラス製バーナ7の中心ノズルに供給すると共に、このバーナ7には、更に上記混合ガスを中心にして順次内側から外側に酸素ガス8、水素ガス9、水素ガス10、酸素ガス11を供給し、バーナ7から上記ケイ素源原料ガス4、酸水素火炎12をターゲット2に向けて噴出して、シリカ微粒子13をターゲット2に堆積させ、同時に溶融透明ガラス化させて合成石英ガラスインゴット14を得ることができる。
得られたインゴットを熱間成型して所定の形状に成型し、成型後のインゴットをアニール処理することによって本発明のナノインプリントモールド用合成石英ガラスを製造することができる。
なお、合成石英ガラスの製造炉は、竪型及び横型のいずれも使用することができる。
一方、可燃性ガスとして使用する水素には、他に必要に応じて一酸化炭素、メタン、プロパン等のガスを併用したものが用いられる。
熱間成型した合成石英ガラスは、複屈折、複屈折分布、仮想温度及び仮想温度分布が所望の範囲となるようにアニール処理を行うことができる。
この場合、複屈折及び複屈折分布を所望の範囲になるようにするには、大気中又は窒素等の不活性ガス雰囲気下でアニール温度1,050〜1,300℃の範囲内において、好ましくは5時間以上、更に好ましくは10時間以上、特に好ましくは15時間以上保持した後、好ましくは20℃/hr以下、更に好ましくは10℃/hr以下、特に好ましくは5℃/hr以下の徐冷速度で、歪点温度付近の800〜1,000℃の範囲まで冷却する。
更に、仮想温度及び仮想温度分布を所望の範囲にするには、1,025〜860℃の徐冷速度を好ましくは3℃/hr以下、更に好ましくは2℃/hr以下、特に好ましくは1℃/hr以下にすることが有効である。更に、860℃において、10時間以上保持することも更に有効である。
当該熱処理での温度は、600℃以上、好ましくは700℃以上であり、温度の上限は好ましくは1,000℃以下、より好ましくは900℃以下、更に好ましくは850℃以下が好ましい。
また、保持時間は12時間以上、好ましくは25時間以上、更に好ましくは50時間以上、特に好ましくは75時間以上である。
圧力は5Pa以下、好ましくは2.5Pa以下、更に好ましくは1Pa以下である。
本発明において、合成石英ガラス中のOH基濃度は300ppm以上であり、より好ましくは400ppm以上である。OH基濃度が300ppmより少ない場合には、合成石英ガラスのヘリウムガス透過性が低くなるからである。OH基濃度とヘリウムガス透過性との関係は明確とはなっていないが、OH基がヘリウムガスを透過する合成石英ガラス中の空隙に良好な作用をもたらすものと考えられる。また、レジストとの親和性を有する上でも、OH基濃度を300ppm以上含有することは有効と考えられる。
なお、OH基濃度の上限は特に制限されないが、1,500ppm以下である。
OH基濃度(ppm)={(4522cm-1における吸光係数)/T}×4400
(1)
本発明においてラマン分光測定は、以下の条件で行う。
測定器:日本分光(株)製NRS−2100
レーザ:アルゴンイオンレーザ 出力7.5W 波長514nm
ラマン散乱形式:垂直散乱
測定形式:マクロ
測定波数域:3900〜4400cm-1
C=K(I4135/I800) (2)
式(2)中で
K:定数(1.22×1021)
I4135:4135cm-1のラマンバンドの面積強度である
I800:800cm-1のラマンバンドの面積強度である
当該熱処理での温度は600℃以上、好ましくは700℃以上であり、温度の上限は好ましくは1,000℃以下、より好ましくは900℃以下、更に好ましくは850℃以下である。
また、保持時間は12時間以上、好ましくは25時間以上、更に好ましくは50時間以上、特に好ましくは75時間以上である。保持時間の上限は特に制限されないが、経済性を考慮して300時間以下が好ましい。
圧力は5Pa以下、好ましくは2.5Pa以下、更に好ましくは1Pa以下である。圧力の下限は特に制限されないが、一般的に0.01Pa以上が好ましい。
<インゴット製造工程>
メチルトリクロロシラン2,800g/hrを図1に示す石英ガラス製バーナに供給し、酸素13Nm3/hr及び水素28Nm3/hrからなる酸水素火炎にて火炎加水分解を行い、シリカ微粒子を生成させ、これを回転している石英ガラスターゲット上に堆積すると同時に溶融ガラス化して、140mmφ×350mmの合成石英ガラスインゴットを得た。
<成型工程>
合成石英ガラスインゴットの表面に付着した未溶融のシリカ(スート)を除去するため、円筒研削機にて表面を研削した後、表面洗浄のため、50質量%フッ酸溶液中に3時間浸漬させた後、純水槽内で洗い流し、クリーンブース内で乾燥した。
この表面処理された合成石英ガラスインゴットを電気炉にて内側に高純度カーボンシートがセットされている高純度カーボン製型材の中に設置し、温度1,780℃、アルゴンガス雰囲気下で40分間加熱して160mm×160mm×210mmLの合成石英ガラス成型ブロックとした。更に、当該合成石英ガラス成型ブロックを厚さ50mmに細断した。なお、細断した合成石英ガラス成型ブロックの水素分子濃度は、中心部で6×1018分子/cm3、外周部で3×1018分子/cm3であった。
<アニール工程>
細断した厚さ50mmの合成石英ガラス成型ブロックを大気炉内に、炉内ヒータに160×160mm面が正対するように配置した。
1,145℃で15時間保持した後、1,025℃まで5℃/hrの徐冷速度で冷却した後、860℃まで1℃/hrの徐冷速度で冷却した。860℃で10時間保持した後、150℃まで10℃/hrの徐冷速度で冷却し、大気炉の電源をオフにして自然冷却した。
<脱水素減圧加熱工程>
アニール処理を施した合成石英ガラス成型ブロックを真空加熱炉内に設置し、800℃、0.8Pa、75時間保持して脱水素処理を施した。
<基板作製工程>
脱水素減圧加工を施した合成石英ガラス成型ブロックを厚さ6.8mmにスライスし、ラッピングした。基板端面を研磨加工した後、酸化セリウム研磨剤を用いて粗研磨を行う。更に、軟質のスエード製の研磨布を用い、研磨剤としてSiO2の濃度が40質量%のコロイダルシリカ水分散液を研磨剤に用いて精密研磨を行った。研磨終了後、洗浄・乾燥して152.4mm×152.4mm×6.35mmの研磨基板を作製した。
<物性測定工程>
作製した研磨基板の図2に示す各点において、OH基濃度、水素分子濃度、複屈折及び仮想温度を測定した。最大値、最小値及び分布値(最大値−最小値)を表1に示す。
<ガス透過性試験>
研磨したシリコンウェハにレジストをドット状に塗布した。このとき、シリコンウェハ中央部のみ部分的にレジスト(MUR−XR01、丸善石油化学社製)の塗布を行わなかった。上部より作製した合成石英ガラス研磨基板を近づけ、シリコンウェハと合成石英ガラス研磨基板の間の距離を一定に保つように保持し、レジスト塗布を行わなかったシリコンウェハ−合成石英ガラス研磨基板中央部に直径約100μmの気泡を発生させ、当該気泡が消滅するまでの時間を計測した。計測した気泡消滅時間を表1に示す。なお、ガス透過性試験はヘリウムガスを充填したチャンバー内で実施した。
<脱水素減圧加熱工程>
脱水素減圧加熱工程において、厚さ50mmの合成石英ガラス成型ブロックを真空加熱炉内で600℃、2.5Pa、12時間保持して脱水素処理を施した。
脱水素減圧加熱工程以外の工程は、実施例1と同様とした。物性測定結果及びガス透過性試験の結果を表1に示す。
<インゴット製造工程>
メチルトリクロロシラン2,650g/hrを図1に示す石英ガラス製バーナに供給し、酸素10Nm3/hr及び水素23Nm3/hrからなる酸水素火炎にて火炎加水分解を行い、シリカ微粒子を生成させ、これを回転している石英ガラスターゲット上に堆積すると同時に溶融ガラス化して、140mmφ×350mmの合成石英ガラスインゴットを得た。
インゴット製造工程以外の工程は、実施例1と同様とした。物性測定結果及びガス透過性試験の結果を表1に示す。
<脱水素減圧加熱工程>
脱水素減圧加熱工程において、厚さ50mmの合成石英ガラス成型ブロックを真空加熱炉内で400℃、1.0Pa、25時間保持して脱水素処理を施した。
脱水素減圧加熱工程以外の工程は、実施例1と同様とした。物性測定結果及びガス透過性試験の結果を表1に示す。
<インゴット製造工程>
メチルトリクロロシラン1,000g/hr、これを水素ガス5Nm3/hr、酸素ガス6Nm3/hrで石英製多重管バーナに導入して形成した酸水素火炎中に供給し、シリカ微粒子を生成させた。これを20rpmで回転している石英製耐熱性基体上に吹き付けて堆積させ、担体を軸方向に一定速度で取り上げたところ、300mmφ×1,000mmの多孔質シリカ焼結体が得られた。真空加熱炉内に多孔質シリカ焼結体を設置し、炉内圧を0.3Pa以下として室温から1,250℃まで10℃/hrの昇温速度で昇温して10時間保持してから、1,500℃まで3℃/minの昇温速度で昇温して透明ガラス化して、140mmφ×350mmの合成石英ガラスを得た。
インゴット製造工程以外の工程は、実施例1と同様とした。物性測定結果及びガス透過性試験の結果を表1に示す。
<インゴット製造工程>
メチルトリクロロシラン1,000g/hr、これを水素ガス5Nm3/hr、酸素ガス6Nm3/hrで石英製多重管バーナに導入して形成した酸水素火炎中に供給し、シリカ微粒子を生成させた。これを20rpmで回転している石英製耐熱性基体上に吹き付けて堆積させ、担体を軸方向に一定速度で取り上げたところ、300mmφ×1,000mmの多孔質シリカ焼結体を得た。多孔質シリカ焼結体をヘリウムガス95体積%,水蒸気5体積%雰囲気下で、室温から1,250℃まで10℃/hrの昇温速度で昇温して10時間保持してから、1,500℃まで3℃/minの昇温速度で昇温して透明ガラス化して、140mmφ×350mmの合成石英ガラスを得た。
インゴット製造工程以外の工程は、実施例1と同様とした。物性測定結果及びガス透過性試験の結果を表1に示す。
2 石英ガラス製ターゲット
3 原料蒸発器
4 ケイ素源原料ガス
5 不活性ガス
6 酸素ガス
7 バーナ
8 酸素ガス
9 水素ガス
10 水素ガス
11 酸素ガス
12 酸水素火炎
13 シリカ微粒子
14 合成石英ガラスインゴット
Claims (8)
- ケイ素源原料に対し酸水素火炎にて火炎加水分解を行い、生成したシリカ微粒子を回転している石英ガラスターゲット上に堆積すると同時に溶融ガラス化して、合成石英ガラスインゴットを得た後、成型し、アニールし、更に温度600℃以上、保持時間12時間以上、圧力5Pa以下で脱水素処理することを特徴とするナノインプリントモールド用合成石英ガラスの製造方法。
- 成型を1,500〜1,800℃で1〜10時間の熱間成型にて行い、アニールを1,050〜1,300℃で5時間以上保持した後、20℃/hr以下の徐冷速度で800〜1,000℃の範囲まで冷却することによって行うことを特徴とする請求項1に記載のナノインプリントモールド用合成石英ガラスの製造方法。
- OH基濃度が300ppm以上、水素分子濃度が8.5×10 15 分子/cm 3 以下であることを特徴とするナノインプリントモールド用合成石英ガラス。
- 複屈折が8nm/cm以下であることを特徴とする請求項3に記載のナノインプリントモールド用合成石英ガラス。
- 複屈折分布が5nm/cm以下であることを特徴とする請求項3又は4に記載のナノインプリントモールド用合成石英ガラス。
- 仮想温度が910℃以下であることを特徴とする請求項3乃至5のいずれか1項に記載のナノインプリントモールド用合成石英ガラス。
- 仮想温度分布が10℃以下であることを特徴とする請求項3乃至6のいずれか1項に記載のナノインプリントモールド用合成石英ガラス。
- 請求項3乃至7のいずれか1項に記載の合成石英ガラスを用いたことを特徴とするナノインプリント用モールド。
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