JP5924342B2 - トランジスタの製造方法 - Google Patents
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Description
本願は、2011年8月15日に出願された特願2011−177424号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
以上のようにして、有機トランジスタ1を製造することができる。
以下に本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
まず、アルミナ粒子としてコロイダルアルミナ粒子(Aldrich社製)を用い、バインダーとして紫外線硬化型アクリル樹脂(アートレジンUN−3220HA、根上工業株式会社製)を用いて、メタノール分散液(以下、塗布液)を調整した。
PET基板においてゲート電極が形成された側の全面に、シランカップリング剤(KBE903、信越シリコーン社製) をエタノールと水の混合溶媒で0.05質量%に希釈した溶液を、スピンコートで塗布した。
次いで、PET基板において絶縁体層が形成された側の全面に、上述の方法にてレジスト層の作成と、無電解めっきとを行うことにより、絶縁体層上にパターニングされたNiP電極を形成した。NiP電極は、実施形態で説明した第1電極に対応する。
窒素雰囲気下、ソース電極およびドレイン電極の間に、TIPSペンタセン(シグマアルドリッチ製)のトルエン溶液を滴下し、自然乾燥させることで有機半導体層を形成して、有機トランジスタを作成した。用いたTIPSペンタセン/トルエン溶液の調整も、窒素雰囲気下で行った。
作成した有機トランジスタのトランジスタ特性は、半導体パラメータアナライザー(型番:4145B、横河・ヒューレット・パッカード社製)を用いて評価した。
以上の結果より、本発明の有用性が確かめられた。
上記実施形態において、例えば、前記半導体層が有機半導体からなることができる。
また、上記実施形態において、例えば、前記半導体の形成材料が溶解した溶液を配置して前記半導体層を形成することができる。
また、上記実施形態において、例えば、前記下地膜が、光硬化性樹脂からなる基材と、平均粒径が100nm以下のアルミナ粒子と、を含み、前記基材の前駆体と前記アルミナ粒子とを含む溶液を配置し、選択的に光照射を行うことで、前記下地膜を選択的に形成することができる。
また、上記実施形態において、例えば、前記光硬化性樹脂が、紫外線硬化性樹脂にできる。
また、上記実施形態において、例えば、前記トランジスタを、非金属材料からなる基板上に形成することができる。
また、上記実施形態において、例えば、前記トランジスタを、樹脂材料からなる基板上に形成することができる。
また、上記実施形態において、例えば、前記基板が、可撓性を有することができる。
上記実施形態において、例えば、前記第1電極と前記第3電極とは、同じ材料からなることができる。
また、上記実施形態において、例えば、前記第2電極と前記第4電極とは、同じ材料からなることができる。
また、上記実施形態において、例えば、前記半導体層が有機半導体からなることができる。
Claims (8)
- 無電解めっき用触媒を担持させる下地膜を形成することと、
前記下地膜の上にソース電極およびドレイン電極に対応した開口部を有するレジスト層を形成することと、
前記開口部内の前記下地膜に前記無電解めっき用触媒を担持させ、第1の無電解めっきを行うことと、
前記レジスト層を除去することと、
前記レジスト層を除去した後、前記第1の無電解めっきにより形成された電極の表面に第2の無電解めっきを行うことにより、ソース電極およびドレイン電極を形成することと、
前記ソース電極とドレイン電極との互いに対向する面に接した半導体層を形成することと、を有し、
前記第2の無電解めっきに用いる金属材料の仕事関数と、前記半導体層の形成材料において電子移動に用いる分子軌道のエネルギー準位とのエネルギー準位差は、前記第1の無電解めっきに用いる金属材料の仕事関数と、前記分子軌道のエネルギー準位とのエネルギー準位差よりも小さいトランジスタの製造方法。 - 前記半導体層が有機半導体からなる請求項1に記載のトランジスタの製造方法。
- 前記有機半導体の形成材料が溶解した溶液を配置して前記半導体層を形成する請求項2に記載のトランジスタの製造方法。
- 前記下地膜が、光硬化性樹脂からなる基材と、平均粒径が100nm以下のアルミナ粒子と、を含み、
前記基材の前駆体と前記アルミナ粒子とを含む溶液を配置し、選択的に光照射を行うことで、前記下地膜を選択的に形成する請求項1から3のいずれか1項に記載のトランジスタの製造方法。 - 前記光硬化性樹脂が、紫外線硬化性樹脂である請求項4に記載のトランジスタの製造方法。
- 前記トランジスタを、非金属材料からなる基板上に形成する請求項1から5のいずれか1項に記載のトランジスタの製造方法。
- 前記トランジスタを、樹脂材料からなる基板上に形成する請求項1から5のいずれか1項に記載のトランジスタの製造方法。
- 前記基板が、可撓性を有する請求項7に記載のトランジスタの製造方法。
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