JP5919789B2 - 赤外線撮像装置 - Google Patents
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Description
複数の赤外線検出素子を形成した赤外線検出チップと、
赤外線検出チップ上に形成された、赤外線検出素子毎の画素バンプと、共通バイアスバンプと、
複数の画素信号を処理し、赤外線画像を生成する信号処理回路を有する信号処理チップと、
信号処理チップ上に形成された、画素バンプと対向して配置された入力信号バンプと、共通バイアスバンプに対向して配置された共通バイアス供給バンプと、
信号処理チップを支持し、冷却する冷却ヘッドを含む真空容器と、
冷却ヘッドを冷却する冷凍機と、
信号処理チップ上に形成され、信号処理回路から電気的に分離され、信号処理回路で発する熱を冷却ヘッドに伝導するための金属構造体と、
を有する。
20 信号処理チップ、
11,12 (赤外線検出チップ上の)バンプ、
21,22 (信号処理チップ上の)バンプ、
24 金属構造体(第1部分)、
26 放熱構造体(第2部分)、
28 金属構造体(第3部分)、
VSR 垂直シフトレジスタ、
HSR 水平シフトレジスタ、
OA 出力アンプ。
Claims (10)
- 複数の赤外線検出素子を形成した赤外線検出チップと、
前記赤外線検出チップ上に形成された、前記赤外線検出素子毎の画素バンプと、共通バイアスバンプと、
複数の画素信号を処理し、赤外線画像を生成する信号処理回路を有する信号処理チップと、
前記信号処理チップ上に形成された、前記画素バンプと対向して配置された入力信号バンプと、前記共通バイアスバンプに対向して配置された共通バイアス供給バンプと、
前記信号処理チップを支持し、冷却する冷却ヘッドを含む真空容器と、
前記冷却ヘッドを冷却する冷凍機と、
前記信号処理チップ上に形成され、前記信号処理回路から電気的に分離され、前記信号処理回路で発する熱を前記冷却ヘッドに伝導するための金属構造体と、
を有する赤外線撮像装置。 - 前記金属構造体が、前記赤外線検出チップに対向する領域に形成された第1部分と、前記第1部分に連続して形成され、前記赤外線検出チップ外の領域に延在する第2部分とを有する請求項1に記載の赤外線検出装置。
- 前記金属構造体の第1部分が、前記入力信号バンプを取り囲む格子状の形状、又は前記入力信号バンプを収容する開口の周囲に延在する形状を有する、請求項2に記載の赤外線撮像装置。
- 前記信号処理回路が水平シフトレジスタ、出力アンプを含み、
前記金属構造体が、前記第1部分、第2部分と別体で、前記出力アンプを覆う第3部分を含む、請求項2又は3に記載の赤外線撮像装置。 - 前記金属構造体の第3部分が、水平シフトレジスタも覆う請求項4に記載の赤外線撮像装置。
- 前記金属構造体が、前記入力信号バンプおよび前記共通バイアス供給バンプと同一金属層から形成されたものである請求項1〜5のいずれか1項に記載の赤外線撮像装置。
- 前記金属構造体は、前記入力端子ごとのバンプおよび前記共通バンプより高い熱伝導率を有する金属層から形成されたものである請求項1〜5のいずれか1項に記載の赤外線撮像装置。
- 前記赤外線検出チップは化合物半導体で形成され、前記信号処理チップはシリコンで形成されている請求項1〜7のいずれか1項に記載の赤外線撮像装置。
- 前記赤外線検出チップは、基板上に多重量子井戸型赤外線検出素子を形成し、基板をエッチング又は研磨で薄くした構成を有する請求項8記載の赤外線撮像装置。
- 前記赤外線検出チップは、HgCdTe基板上に複数のフォトダイオードを形成した構成を有する請求項8記載の赤外線撮像装置。
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