JP5766145B2 - 赤外線センサアレー - Google Patents
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Description
LX1〜LX4 第1の配線
LY1〜LY4 第2の配線
X1〜X4、Y1〜Y4 パッド
XY 交差部
1 赤外線センサアレー
10、601 基板
20、21 第1導電型の半導体層
30 光吸収層
31 バリア層
40 第2導電型の半導体層
50、51 絶縁層
52、53、54 コンタクトホール
60 配線層
70 保護層
61、603 第1の配線層
62、605 第2の配線層
100 半導体積層部
101 半導体積層部のメサ構造部の斜面領域
200、2001〜2004 赤外線受光素子
600 積層構造
602 第1の絶縁層
604 第2の絶縁層
Claims (9)
- 基板上に形成されたM行N列に配列された複数の赤外線受光部と、
前記列毎に設けられ、前記複数の赤外線受光部の各々の一端に接続される第1の配線と、
前記行毎に設けられ、前記複数の赤外線受光部の各々の他端に接続される第2の配線と
を備える赤外線センサアレーであって、
前記赤外線受光部は、
前記基板上に形成されたPN接合又はPIN接合のフォトダイオード構造を有する半導体積層部を備える複数の赤外線受光素子を備え、
前記フォトダイオード構造は第1導電型の第1の半導体層及び第2導電型の半導体層を含み、
前記第1の配線と前記第2の配線との交差部における前記基板上には、前記第1導電型の第1の半導体層と同じ材料で形成され、かつ同じ不純物が等しい濃度で含まれる第1導電型の第2の半導体層が形成され、
前記交差部において、
前記第1の配線は、絶縁層を介して前記交差部の前記第1導電型の第2の半導体層上に形成され、
前記第2の配線は、前記絶縁層の一部に形成されたコンタクトホールを介して前記交差部の前記第1導電型の第2の半導体層に電気的に接続されていることを特徴とする赤外線センサアレー。 - 前記複数の赤外線受光素子の各々は、直列接続されていることを特徴とする請求項1に記載の赤外線センサアレー。
- 前記基板上に、前記複数の赤外線受光部をスイッチングするためのスイッチング手段を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の赤外線センサアレー。
- 前記第1の配線及び前記第2の配線が同一レイヤーに存在することを特徴とする請求項1から3の何れか一項に記載の赤外線センサアレー。
- 前記第1導電型の第1の半導体層のシート抵抗が500Ω/□〜0.5Ω/□であることを特徴とする請求項1から4の何れか一項に記載の赤外線センサアレー。
- 前記第1導電型の第1の半導体層及び前記第2導電型の半導体層は、インジウムおよび/又はアンチモンを含むことを特徴とする請求項1から5の何れか一項に記載の赤外線センサアレー。
- 前記基板は、絶縁基板もしくは半絶縁基板であることを特徴とする請求項1から6の何れか一項に記載の赤外線センサアレー。
- 基板上に形成されたM行N列に配列された複数の赤外線受光部と、前記列毎に設けられ、前記複数の赤外線受光部の各々の一端に接続される第1の配線と、前記行毎に設けられ、前記複数の赤外線受光部の各々の他端に接続される第2の配線とを備えた赤外線センサアレーであって、
前記赤外線受光部は、前記基板上に形成されたPN接合又はPIN接合のフォトダイオード構造を有する半導体積層部を備える複数の赤外線受光素子を備え、前記フォトダイオード構造は第1導電型の第1の半導体層及び第2導電型の半導体層を含み、前記複数の赤外線受光素子を備えた赤外線センサアレーを製造する方法であって、
前記基板上に、少なくとも第1導電型の半導体層及び第2導電型の半導体層を形成するステップと、
少なくとも前記第1導電型の半導体層及び前記第2導電型の半導体層をエッチングすることにより、前記複数の赤外線受光素子を形成するとともに、前記第1の配線と前記第2の配線との交差部における前記基板上に第1導電型の第2の半導体層を形成するステップと、
前記赤外線受光素子及び前記第1導電型の第2の半導体層上に絶縁層を形成するステップと
前記第1導電型の第2の半導体層上に形成された前記絶縁層を部分的に除去してコンタクトホールを形成するステップと、
前記複数の赤外線受光素子同士を直列接続する配線層と、前記交差部で前記絶縁層上に形成される前記第1の配線と、前記コンタクトホールを介して前記第1導電型の第2の半導体層に電気的に接続される前記第2の配線とを形成するステップと
を備えたことを特徴とする方法。 - 前記第1の配線及び前記第2の配線のそれぞれが同時に形成されることを特徴とする請求項8に記載の方法。
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2012
- 2012-03-29 JP JP2012077415A patent/JP5766145B2/ja active Active
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