JP5919310B2 - 微小電気機械素子を製造する方法、及び微小電気機械素子とその用途 - Google Patents

微小電気機械素子を製造する方法、及び微小電気機械素子とその用途 Download PDF

Info

Publication number
JP5919310B2
JP5919310B2 JP2014005037A JP2014005037A JP5919310B2 JP 5919310 B2 JP5919310 B2 JP 5919310B2 JP 2014005037 A JP2014005037 A JP 2014005037A JP 2014005037 A JP2014005037 A JP 2014005037A JP 5919310 B2 JP5919310 B2 JP 5919310B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electronic circuit
layer
microelectromechanical
cover
cover portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014005037A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014111308A (ja
Inventor
クイスマ,ヘイキ
ニエミスト,イリ
Original Assignee
ムラタ エレクトロニクス オサケユキチュア
ムラタ エレクトロニクス オサケユキチュア
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from FI20055618A external-priority patent/FI119728B/fi
Application filed by ムラタ エレクトロニクス オサケユキチュア, ムラタ エレクトロニクス オサケユキチュア filed Critical ムラタ エレクトロニクス オサケユキチュア
Publication of JP2014111308A publication Critical patent/JP2014111308A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5919310B2 publication Critical patent/JP5919310B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00222Integrating an electronic processing unit with a micromechanical structure
    • B81C1/0023Packaging together an electronic processing unit die and a micromechanical structure die
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C3/00Assembling of devices or systems from individually processed components
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/02Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C3/00Assembling of devices or systems from individually processed components
    • B81C3/008Aspects related to assembling from individually processed components, not covered by groups B81C3/001 - B81C3/002
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01CMEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C17/00Compasses; Devices for ascertaining true or magnetic north for navigation or surveying purposes
    • G01C17/38Testing, calibrating, or compensating of compasses
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01CMEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/56Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01CMEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/56Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
    • G01C19/5783Mountings or housings not specific to any of the devices covered by groups G01C19/5607 - G01C19/5719
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0042Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P1/00Details of instruments
    • G01P1/02Housings
    • G01P1/023Housings for acceleration measuring devices
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/0802Details
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/125Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/18Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration in two or more dimensions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2207/00Microstructural systems or auxiliary parts thereof
    • B81B2207/01Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS
    • B81B2207/012Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS the micromechanical device and the control or processing electronics being separate parts in the same package
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2207/00Microstructural systems or auxiliary parts thereof
    • B81B2207/01Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS
    • B81B2207/015Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS the micromechanical device and the control or processing electronics being integrated on the same substrate
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00Forming microstructural systems
    • B81C2203/07Integrating an electronic processing unit with a micromechanical structure
    • B81C2203/0785Transfer and j oin technology, i.e. forming the electronic processing unit and the micromechanical structure on separate substrates and joining the substrates
    • B81C2203/0792Forming interconnections between the electronic processing unit and the micromechanical structure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16135Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/16145Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/17Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H01L2224/1701Structure
    • H01L2224/1703Bump connectors having different sizes, e.g. different diameters, heights or widths
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48145Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/10251Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/146Mixed devices
    • H01L2924/1461MEMS
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3011Impedance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Gyroscopes (AREA)

Description

本発明は、例えば加速度、角加速度、角速度又は他の物理量を測定する際に使用する微小電気機械ゲージ、発振周波数を安定化させる、又は電気信号をフィルタリングするのに使用する微小電気機械共振器及びフィルタ等の微小電気機械素子、及び封装した微小電気機械部品と超小型回路との組合せが望ましい他の微小電気機械デバイスに関する。本発明の目的は、改良した微小電気機械素子の作製方法を提供すること、及び、特に小型微小電気機械センサ・ソリューション、発振周波数安定化ソリューション、電気的インピーダンス整合ソリューション、電気信号切換ソリューション、又は、電気信号フィルタリング・ソリューションでの使用に適用可能な微小電気機械素子を提供することである。
微小電気機械素子(MEMS、微小電気機械システム)を、例えば、加速度、角速度又は圧力等の様々な物理量を測定するセンサ技術で使用するのは、信頼性が高い単純な原理の方法であることが分かっている。微小電気機械センサでは、この測定を、例えば容量原理に基づいて行うが、該原理では、センサの運動状態が変化すると、バネに懸架した振動質量体が変位するようになっている。質量体の位置を、電極対間の静電容量、即ち電極の表面積と表面間距離によって決まる表面間の静電容量を用いて、検出することができる。微小電気機械センサに基づく測定を、多様な物理量の小計測範囲についても、使用することができる。
データ通信及びデータ処理用デバイスでは、殆どの機能を、1個又は、最大でも、数個のシリコンチップに集積が可能となっている。技術的に相容れないため、データ処理の同期化、無線周波数の安定化、電気信号のフィルタリング、電気的インピーダンスの整合、及び電気信号の切換を担う機能を集積することは、しかしながら、必ずしも可能にはなっていない。シリコン技術に基づくMEMS共振器及びMEMSフィルタでは、シリコン素子を、例えば静電力によって、機械的に振動運動させる。該シリコン素子の形状及び寸法については、電気音響カプリングによる接続部間のインピーダンス、又は接続部間の信号伝播を制御するよう、設定する。MEMSスイッチでは、信号経路を、MEMS技術で作製した可動素子を用いて開閉し、該素子を、例えば静電力で制御する。インピーダンス整合デバイス用には、小型の受動素子、例えばコイル又はコンデンサを、MEMS技術で作製する。該コンデンサを、調節可能な、空気を遮断したMEMS構造体とすることができる。
従来は、集積回路を、該回路を例えば金属製リードフレーム上に搭載する技術を用いて、封止している。該回路の接点で、接続ワイヤをボンディングし、該ワイヤの他端部をリードフレームのボンディング領域に接続する。その後、リードフレーム及び回路を、プラスチックで成型し、最終的に、該素子を回路基板に接続するのに用いる外部接続領域又は接続ワイヤを、切断、曲折又は幾つかの他のそのような方法で形成する。
電子素子の作製に関しては、シリコンチップ及び同様な電子素子用の新たな封装方法として、ウエハレベル・パッケージ(WLP)があるが、該方法では全封装段階を、ダイシング前にシリコンウエハ表面上で行う。これにより、寸法及び費用を相当節約できる。かかる先行技術の方法の例としては、アムコール社(Amkor Corporation)の超CSP(チップ・スケール・パッケージ)技術を挙げられ、該技術では、厚いポリマ層を、シリコンウエハの表面上に広げ、銅リードを溶着し、チップを直接回路基板上に接続できる半田バンプを、設ける又は溶着する。
微小電気機械素子は集積回路等の電子素子とは、固体材料、例えば窒化パッシベーションを用いたパッシベーションの代わりに、該素子は、機械的保護体、即ちカバーを必要とし、該カバーの下に空間を残存させ、該空間内で電気機械構造体が可動である点で、異なる。微小電気機械素子にウエハレベル・パッケージングを、特に適用する向きがあるが、これは該素子の特徴として、寸法が大きく、特に厚みが大きく、従って従来の方法で封装すると、同じ方法で封装した超小型回路より大きく、特に、厚くなる点があるためである。他方、微小電気機械素子の封装は、カバーが必要となるため、厄介である。
微小電気機械素子を、可動部を周囲から密閉したチャンバ内に留めるように気密封止する必要がある。こうした封止を、微小電気機械ウエハを他のウエハ、所謂カバーウエハに接合させて行うことができる。カバーウエハを微小電気機械素子に使用することは、周知である。
微小電気機械センサ素子に関する他の重要な問題点として、微小電気機械素子に関連する電気的機能の集積化がある。これは、カプセルレベルで集積化して、誘電部及び導電部を備える外部カプセルを設けるという既知の方法で達成可能である。カプセルレベルで集積する際には、該部分間を導電性ワイヤで接続して、該部分を1ユニットに集積する。
以下では、先行技術について、添付図を例示参照して記述する。図1では、モノリシック集積化によって微小電気機械素子を作製する、先行技術による方法を示す。図2では、プラスチック成型カプセル内で集積を行うことによって微小電気機械素子を作製する、先行技術による方法を示す。図3では、プラスチック成型カプセル内で積重ねて集積を行うことによって微小電気機械素子を作製する、先行技術による方法を示す。
図1では、モノリシック集積化によって微小電気機械素子を作製する、先行技術による方法を示す。モノリシック集積化によって微小電気機械素子を作製する、先行技術による該方法では、微小電気機械チップ部1及び電子回路部2を、同一シリコンウエハ3上に作製し、該ウエハ間の電気的接続を、金属製薄膜によって作成する。微小電気機械チップ部1及び電子回路部2を、共通のカバー部4によって保護し、該両部をワイヤ接続体5によって接続し、プラスチック成型カプセル6で更に成型する。該先行技術の微小電気機械素子にはまた、金属製リードフレーム7を備える。
図2では、プラスチック成型カプセル内で集積を行うことで微小電気機械素子を作製する、先行技術による方法を示す。プラスチック成型カプセル内で集積することで微小電気機械素子を作製する、先行技術による該方法では、微小電気機械チップ部8と電子回路部9を、別々に同一シリコンウエハ要素10上に作製する。微小電気機械チップ部8を、別のカバー部11によって保護する。微小電気機械チップ部8と電子回路部9との電気的接続を、ワイヤ接続体12によって行う。電子回路部9を、ワイヤ接続体13によって接続する。その後、微小電気機械チップ部8及び電子回路部9から成る実体を、プラスチック成型カプセル14で成型する。この先行技術の微小電気機械素子にも、金属製リードフレーム15を備える。
図3では、プラスチック成型カプセル内で積重ねて集積を行うことで微小電気機械素子を作製する、先行技術による方法を示す。プラスチック成型カプセル内に積層して集積を行うことによって微小電気機械素子を作製する、先行技術による該方法では、微小電気機械チップ部16を、シリコンウエハ17上に作製する。微小電気機械チップ部16を、別のカバー部18によって保護する。電子回路部19を、該カバー部の上に作製する。微小電気機械チップ部16と電子回路部19との電気的接続を、ワイヤ接続体20によって行う。微小電気機械チップ部16を、ワイヤ接続体21によって接続する。次に、微小電気機械チップ部16及び電子回路部19から成る実体を、プラスチック成型カプセル22で成型する。この先行技術の微小電気機械素子にも、金属製リードフレーム23を備える。
これら従来技術のソリューションで、微小電気機械素子の電気的機能を微小電気機械素子で集積するに関しての中心的問題は、カバーウエハと2部分、即ち、微小電気機械チップ部と電子回路部が原因で、寸法が大きくなる点である。該素子を当該分野で典型的に使用される種類のプラスチックカプセルで成型すると、該ソリューションの寸法は更に大きくなる。加えて、微小電気機械素子の電気的機能を微小電気機械素子で集積するに関して、これら先行技術によるソリューションにおける問題点として、ボンディング領域用に回路ソリューション表面積を無駄に使用する点も挙げられる。
従って、商用及び家庭用電化製品を作製する際に、電気的機能の微小電気機械素子での集積化について解決しており、特に小型の微小電気機械センサ・ソリューション、振動数安定化ソリューション、電気信号フィルタリング・ソリューション、電気信号切換ソリューション、及び電気的インピーダンス整合ソリューションでの使用に適するといった小型微小電気機械要素に対する要求は明らかに増大している。
本発明は、微小電気機械素子を作製する改良した方法、及び改良した微小電気機械素子を目的とする。本発明によって、微小電気機械素子ソリューションを獲得するが、該ソリューションでは、電気的機能を好適な方法で該微小電気機械素子で集積し、該素子を、特に、小型微小電気機械運動センサソリューション、圧力センサソリューション、IMU(慣性測定ユニット)運動測定ソリューション、振動周波数安定化ソリューション、電気信号フィルタリングソリューション、電気信号切換ソリューション、及び電気的インピーダンス整合ソリューションでの使用に適用可能にもする。
本発明は、例えば加速度、角加速度、角速度、圧力又は他の物理量を測定する際に使用する微小電気機械ゲージ、或は発振周波数を安定化させる、電気信号をフィルタリングする、電気信号を切換える、又は電気的インピーダンスを整合させるのに使用する微小電気機械デバイスに関する。本発明の目的はまた、改良した微小電気機械素子の作製方法を提供すること、及び、特に小型微小電気機械センサ・ソリューション、発振周波数安定化ソリューション、電気信号フィルタリング・ソリューション、電気信号切換ソリューション、及び電気的インピーダンス整合ソリューションでの使用に適用可能な微小電気機械素子を提供することである。
本発明の第1特徴によると、微小電気機械素子を作製する方法を提供し、該方法では、微小電気機械チップ部をカバー部で封止し、該カバー部には、該カバー部を通して電気的に接続する導線構造を備えており、該方法では、層毎に、少なくとも1つの電子回路部を、該カバー部で封止した上記微小電気機械チップ部の上に固着させ、該微小電気機械素子を外部接続する接合部材を、最も上側の電子回路部の表面上に作製するようにする。
好適には、該方法では、カバー部を主にガラス製にして、該カバー部に、該ガラス要素を通り延在する導電性領域を、シリコンから作製するようにする。或は、カバー部を主にシリコン製にし、該カバー部内にガラス絶縁体を作製して、該ガラス絶縁体を通り延在する導電性領域を、シリコンから作製するようにする。更に、或は、カバー部を主にシリコン製にし、該カバー部内に、ガラス絶縁体を作製して、該カバー部を細片状の導電性領域に分割するようにする。更に、或は、カバー部を主にシリコン製にし、該カバー部内に、ガラス絶縁体を作製して、該カバー部を島状の導電性領域に分割するようにする。好適には、カバー部及び/又はガラス絶縁体を、ガラスの代わりに、幾つかの他の既知の誘電材料から作製する。好適には、カバー部及び/又は導電性領域を、シリコンの代わりに、幾つかの他の既知の導電材料から作製する。
好適には、該方法では、カバー部の導電性導線と微小電気機械チップ部との間の電気的接続を、直接接合によって、形成する。或は、カバー部の導電性導線と微小電気機械チップ部との間の電気的接続を、表面に存在させる金属層によって、形成する。更に、或は、カバー部の導電性導線と微小電気機械チップ部との間の電気的接続を、半田バンプによって、形成する。
好適には、該方法では、微小電気機械チップ部を封止するカバー部の導線構造を、該カバー部の上面に、該カバー部の外部接触領域が、該微小電気機械素子全体に亘り縁部にまで延在するように、実装する。好適には、誘電体層を該カバー部の上面の上に作製する。
好適には、該方法では、該カバー部を該微小電気機械チップ部に固着する前に、該カバー部の外部接触領域を備える再配線層を、該カバー部の上面と該誘電体層との間に作製する。或は、該カバー部を該微小電気機械チップ部に固着する後に、該カバー部の外部接触領域を備える再配線層を、該カバー部の上面と該誘電体層との間に作製する。
好適には、該方法では、該カバー部を絶縁する層を、該カバー部の外部接触領域を備える再配線層と、該カバー部との間に作製する。好適には、上記電子回路部を、該誘電体層の上に固着する。更に、好適には、該誘電体層は該電子回路部を固着する接着材層として機能する。或は、別の接着材層を、該電子回路部を固着する際に使用する。
好適には、該方法では、該回路ウエハを被覆する誘電体層を、該電子回路部の上に作製する。更に、好適には、該カバー部の外部接続領域までだけでなく、該電子回路部まで延在する導線を、該回路ウエハを被覆する該誘電体層に作製する。更に、好適には、配線層を該導線まで実装し、該配線層の配線によって、導電接続を該カバー部の導電性領域と、上記微小電気機械チップ部の上に最初に固着する該電子回路部との間に生成する。更に、好適には、配線層を該導線まで実装し、該配線層の配線によって、導電接続を、上記微小電気機械チップ部の上に最初に固着する該電子回路部と接続させるために、生成する。
好適には、該方法では、少なくとも1つの電子回路部を、カバー部で封止した上記微小電気機械チップ部上に、以下の連続した工程:
−誘電体層を、該回路ウエハを被覆する該誘電体層の上に作製すること、
−上記電子回路部を、該誘電体層の上に固着すること、
−該回路ウエハを被覆する誘電体層を、該電子回路部の上に作製すること、及び
−該回路ウエハを被覆する該誘電体層に、導線を、該導線まで及び該電子回路部まで実装した該配線層にまで延在させて作製すること、
を少なくとも1回行うことによって、固着させる。
好適には、該方法では、該誘電体層は該電子回路部を固着する接着材層として機能する。或は、別の接着材層を、該電子回路部を固着する際に使用する。
好適には、該方法では、配線層を該導線まで実装し、導電接続を、既に固着した電子回路部と、該誘電体層上に固着する該電子回路部との間に生成する。更に、好適には、配線層を該導線まで実装し、該配線層の配線によって、導電接続を、該誘電体層上に固着する該電子回路部と接続させるために、生成する。
好適には、該方法では、保護層を、該導線に実装する該配線層の上に作製する。更に、好適には、該保護層に、該導線まで実装する該配線層の接触面にまで適切に延在する開口部を、微小電気機械素子を外部接続させるために作製する接合部材用に、作製する。
好適には、該方法では、該微小電気機械素子を外部接続させるために作製する該接合部材を、ワイヤ接続体によって実装する。更に、好適には、プラスチック成型カプセルを、該微小電気機械素子を被い成型する。或は、該微小電気機械素子を外部接続させるために作製する該接合部材を、バンプ接続体によって実装する。或は、該微小電気機械素子を外部接続させるために作製する該接合部材を、接着結合体によって実装する。或は、該微小電気機械素子を外部接続させるために作製する該接合部材を、直接半田付結合体によって実装する。更に、好適には、該接合部材により、該微小電気機械素子の該カプセル構造まで導電接続を形成し、上記カプセル構造には導電性コーティングを施す。更に、好適には、該微小電気機械素子の該カプセル構造を、該微小電気機械素子に適合するよう適切に設計する。
好適には、該方法では、該微小電気機械素子の該電子回路部には、電気信号処理能力を備える。好適には、異なる種類の電気的機能を、別々の電子回路部に分配する。好適には、干渉の原因となる素子及び干渉され易い素子を、別々の電子回路部上に配設する。好適には、別の電磁干渉(EMI)シールド層を、該電子回路部間に加える。
好適には、該方法では、アンテナ素子を、別々の電子回路部に配設する。更に、好適には、送信用アンテナ素子及び受信用アンテナ素子を、別々の電子回路部に配設する。更に、好適には、アンテナグランド層を、該アンテナ素子を備える該電子回路部間に配設する。
好適には、該方法では、物理量を測定するセンサ機能を、該微小電気機械素子の該電子回路部に配置する。更に、好適には、磁場を検出する回路構造を、該電子回路部に配置する。好適には、温度を検出する回路構造を、該電子回路部に配置する。
好適には、1組のカバー部で封止した上記微小電気機械チップ部を備えるプレート状基板は、該電子回路部を配設する基台として機能させる。更に、好適には、1組の電子回路部を、1つずつ、カバー部で封止した該微小電気機械チップ部組を備えるプレート状基板の表面上に載置する。更に、好適には、テストに合格した電子回路部のみを、テストに合格したカバー部で封止した該微小電気機械チップ部の表面上に載置する。
好適には、カバー部で封止した該微小電気機械チップ部組を備える該プレート状基板を、載置段階後のみにダイシングする。好適には、カバー部で封止した該微小電気機械チップ部組を備えるプレート状基板を、最終テスト後のみにダイシングする。
本発明の第2の特徴によれば、微小電気機械素子を提供するが、カバー部で封止した微小電気機械チップ部を備え、該カバー部には、該カバー部を通して電気的に接続する導線構造を設けており、少なくとも1つの電子回路部を、層毎に、該カバー部で封止した該微小電気機械チップ部の上に固着しておき、最も上側の電子回路部の表面上に、接合部材を、該微小電気機械素子を外部接続させるために、作製しておくようにする。
好適には、該カバー部を主にガラス製にしておき、該カバー部に、シリコン製の導電性領域を、該ガラス要素を通り延在させて作製しておくようにする。或は、該カバー部を主にシリコン製にしておき、該カバー部に接してガラス絶縁体を作製しておくが、該カバー部に、導電性領域を該ガラス絶縁体に貫通させて作製しておくようにして、これを行う。更に、好適には、該カバー部を主にシリコン製にし、該カバー部にガラス絶縁体を、該カバー部を細片状の導電性領域に分割するように、作製しておく。更に、好適には、該カバー部を主にシリコン製にしておき、該カバー部に、ガラス絶縁体を作製しておくが、該カバー部を島状の導電性領域に分割するようにして、これを行う。好適には、該カバー部及び/又は該ガラス絶縁体を、ガラスの代わりに、幾つかの他の既知の誘電材料から作製しておく。好適には、該カバー部及び/又は該導電性領域を、シリコンの代わりに、幾つかの他の既知の導電材料から作製しておく。
好適には、該カバー部の導電性導線と該微小電気機械チップ部との間の電気的接続を、直接接合によって、形成しておく。或は、該カバー部の導電性導線と該微小電気機械チップ部との間の電気的接続を、表面に存在させる金属層によって、形成しておく。更に、或は、該カバー部の導電性導線と該微小電気機械チップ部との間の電気的接続を、半田バンプによって、形成しておく。
好適には、微小電気機械チップ部を封止するカバー部の該導線構造を、該カバー部の上面に、該カバー部の外部接触領域が、該微小電気機械素子全体に亘り縁部にまで延在するようにして、実装しておく。好適には、誘電体層を該カバー部の上面上に作製しておく。更に、好適には、該誘電体層により該カバー部の全表面を被覆する。
好適には、該カバー部の外部接触領域を備える再配線層を、該カバー部の上面と該誘電体層との間に作製しておく。更に、好適には、該カバー部を絶縁する層を、該カバー部の外部接触領域を備える再配線層と、該カバー部との間に作製しておく。好適には、上記電子回路部を、該誘電体層の上に固着する。
好適には、該回路ウエハを被覆する誘電体層を、該電子回路部の上に作製しておく。更に、好適には、該カバー部の外部接続領域までだけでなく、該電子回路部まで延在する導線を、該回路ウエハを被覆する該誘電体層に作製しておく。更に、好適には、配線層を該導線まで実装し、該配線層の配線によって、導電接続を該カバー部の導電性領域と、上記微小電気機械チップ部上に最初に固着する電子回路部との間に生成しておく。更に、好適には、配線層を該導線まで実装しておき、該配線層の配線によって、導電接続を、上記微小電気機械チップ部上に最初に固着する電子回路部と接続するために、生成しておく。
好適には、少なくとも1つの電子回路部を、カバー部で封止した上記微小電気機械チップ部上に、以下の連続した工程:
−誘電体層を、該回路ウエハを被覆する該誘電体層の上に作製しておくこと、
−上記電子回路部を、該誘電体層の上に固着しておくこと、
−該回路ウエハを被覆する誘電体層を、該電子回路部の上に作製しておくこと、及び
−該回路ウエハを被覆する該誘電体層に、導線を、該導線まで及び該電子回路部まで実装した該配線層にまで延在させて作製しておくこと、
を少なくとも1回行うことによって、固着しておく。
好適には、該誘電体層により該カバー部の全表面を被覆する。好適には、配線層を該導線まで実装しておき、該配線層の配線によって、導電接続を、既に固着した電子回路部と該誘電体層に固着する該電子回路部との間に、生成しておく。好適には、配線層を該導線まで実装し、該配線層の配線によって、導電接続を、該誘電体層上に固着する該電子回路部と接続するために、生成しておく。
好適には、保護層を、該導線に実装した該配線層の上に作製しておく。更に、好適には、該保護層に、該導線まで実装する該配線層の接触面にまで適切に延在する開口部を、微小電気機械素子を外部接続させるために作製する接合部材用に、作製しておく。
好適には、該微小電気機械素子を外部接続させるために作製する該接合部材を、ワイヤ接続体によって実装しておく。更に、好適には、プラスチック成型カプセルを、該微小電気機械素子を被い成型しておく。或は、該微小電気機械素子を外部接続させるために作製する該接合部材を、バンプ接続体によって実装しておく。或は、該微小電気機械素子を外部接続させるために作製する該接合部材を、接着結合体によって実装しておく。或は、該微小電気機械素子を外部接続させるために作製する該接合部材を、直接半田付結合体によって実装しておく。更に、好適には、該接合部材により、該微小電気機械素子の該カプセル構造まで導電接続を形成し、上記カプセル構造には導電性コーティングを施す。更に、好適には、該微小電気機械素子の該カプセル構造を、該微小電気機械素子に適合するよう適切に設計しておく。
好適には、該微小電気機械素子の該電子回路部には、電気信号処理能力を備える。好適には、異なる種類の電気的機能を、別々の電子回路部に分配しておく。好適には、干渉の原因となる素子及び干渉され易い素子を、別々の電子回路部上に配設しておく。好適には、別の電磁干渉(EMI)シールド層を、該電子回路部間に加えておく。
好適には、アンテナ素子を、別々の電子回路部に配設しておく。更に、好適には、送信用アンテナ素子及び受信用アンテナ素子を、別々の電子回路部に配設しておく。更に、好適には、アンテナグランド層を、該アンテナ素子を備える該電子回路部間に配設しておく。
好適には、物理量を測定するセンサ機能を、該微小電気機械素子の該電子回路部に配置する。更に、好適には、磁場を検出する回路構造を、該電子回路部に配置する。好適には、温度を検出する回路構造を、該電子回路部に配置する。
本発明の第3の特徴によれば、微小電気機械加速度センサを提供するが、該センサには、カバー部で封止してある微小電気機械チップ部を備え、該カバー部には、該カバー部を通して電気的に接続する導線構造を含んでおり、該カバー部で封止した上記微小電気機械チップ部の上に、少なくとも1つの電子回路部を、層毎に、固着しておき、最も上側の電子回路部の表面上に、接合部材を、該微小電気機械素子を外部接続させるために作製しておくようにする。
本発明の第4の特徴によれば、微小電気機械角加速度センサを提供するが、該センサには、カバー部で封止してある微小電気機械チップ部を備え、該カバー部には、該カバー部を通して電気的に接続する導線構造を含んでおり、該カバー部で封止した上記微小電気機械チップ部の上に、少なくとも1つの電子回路部を、層毎に、固着しておき、最も上側の電子回路部の表面上に、接合部材を、該微小電気機械素子を外部接続させるために作製しておくようにする。
本発明の第5の特徴によれば、微小電気機械角速度センサを提供し、該センサには、カバー部で封止してある微小電気機械チップ部を備え、該カバー部には、該カバー部を通して電気的に接続する導線構造を含んでおり、該カバー部で封止した上記微小電気機械チップ部の上に、少なくとも1つの電子回路部を、層毎に、固着しておき、最も上側の電子回路部の表面上に、接合部材を、該微小電気機械素子を外部接続させるために作製しておくようにする。
本発明の第6の特徴によれば、微小電気機械圧力センサを提供し、該センサには、カバー部で封止してある微小電気機械チップ部を備え、該カバー部には、該カバー部を通して電気的に接続する導線構造を含んでおり、該カバー部で封止した上記微小電気機械チップ部の上に、少なくとも1つの電子回路部を、層毎に、固着しておき、最も上側の電子回路部の表面上に、接合部材を、該微小電気機械素子を外部接続させるために作製しておくようにする。
本発明の第7の特徴によれば、微小電気機械IMU運動測定装置ユニット(慣性測定ユニット)を提供し、該ユニットには、カバー部で封止してある微小電気機械チップ部を備え、該カバー部には、該カバー部を通して電気的に接続する導線構造を含んでおり、該カバー部で封止した上記微小電気機械チップ部の上に、少なくとも1つの電子回路部を、層毎に、固着しておき、最も上側の電子回路部の表面上に、接合部材を、該微小電気機械素子を外部接続させるために作製しておくようにする。
本発明の第8の特徴によれば、微小電気機械発振周波数安定化装置を提供し、該装置には、カバー部で封止してある微小電気機械チップ部を備え、該カバー部には、該カバー部を通して電気的に接続する導線構造を含んでおり、該カバー部で封止した上記微小電気機械チップ部の上に、少なくとも1つの電子回路部を、層毎に、固着しておき、最も上側の電子回路部の表面上に、接合部材を、該微小電気機械素子を外部接続させるために作製しておくようにする。
本発明の第9の特徴によれば、微小電気機械電気信号フィルタを提供し、該フィルタには、カバー部で封止してある微小電気機械チップ部を備え、該カバー部には、該カバー部を通して電気的に接続する導線構造を含んでおり、該カバー部で封止した上記微小電気機械チップ部の上に、少なくとも1つの電子回路部を、層毎に、固着しておき、最も上側の電子回路部の表面上に、接合部材を、該微小電気機械素子を外部接続させるために作製しておくようにする。
本発明の第10の特徴によれば、微小電気機械電気信号切換素子を提供し、該素子には、カバー部で封止してある微小電気機械チップ部を備え、該カバー部には、該カバー部を通して電気的に接続する導線構造を含んでおり、該カバー部で封止した上記微小電気機械チップ部の上に、少なくとも1つの電子回路部を、層毎に、固着しておき、最も上側の電子回路部の表面上に、接合部材を、該微小電気機械素子を外部接続させるために作製しておくようにする。
本発明の第11の特徴によれば、インピーダンス整合デバイスを提供し、該デバイスには、カバー部で封止してある微小電気機械チップ部を備え、該カバー部には、該カバー部を通して電気的に接続する導線構造を含んでおり、該カバー部で封止した上記微小電気機械チップ部の上に、少なくとも1つの電子回路部を、層毎に、固着しておき、最も上側の電子回路部の表面上に、接合部材を、該微小電気機械素子を外部接続させるために作製しておくようにする。
本発明の第12の特徴によれば、微小電気機械傾斜補正付コンパスを提供し、該コンパスには、カバー部で封止してある微小電気機械チップ部を備え、該カバー部には、該カバー部を通して電気的に接続する導線構造を含んでおり、該カバー部で封止した上記微小電気機械チップ部の上に、少なくとも1つの電子回路部を、層毎に、固着しておき、最も上側の電子回路部の表面上に、接合部材を、該微小電気機械素子を外部接続させるために作製しておくようにする。
モノリシック集積化によって微小電気機械素子を作製する、先行技術による方法を示す。 プラスチック成型カプセル内で集積を行うことによって微小電気機械素子を作製する、先行技術による方法を示す。 図3では、プラスチック成型カプセル内で積重ねて集積を行うことによって微小電気機械素子を作製する、先行技術による方法を示す。 本発明による微小電気機械素子ソリューションのカバー部について、断面図及び投影図でこれを示す。 本発明による微小電気機械素子ソリューションの別なカバー部について、断面図及び投影図でこれを示す。 本発明による微小電気機械素子ソリューションの第2の別なカバー部について、断面図及び投影図でこれを示す。 本発明による微小電気機械素子ソリューションの第3の別なカバー部について、断面図及び投影図でこれを示す。 本発明による微小電気機械素子ソリューションのカバー部を、微小電気機械チップ部に固着した、断面図を示す。 本発明による微小電気機械素子ソリューションのカバー部の例示的な再配線層ソリューションについて、投影図を示す。 本発明による微小電気機械素子ソリューションのカバー部の例示的な再配線層ソリューションについて、断面図を示す。 本発明による微小電気機械素子ソリューションのカバー部の別な再配線層ソリューションについて、断面図を示す。 本発明による微小電気機械素子ソリューションのカバー部の第2の別な再配線層ソリューションについて、断面図を示す。 本発明による微小電気機械素子ソリューションのカバー部の第3の別な再配線層ソリューションについて、断面図を示す。 微小電気機械チップ部に、本発明による微小電気機械素子ソリューションの別なカバー部を固着した、断面図を示す。 本発明による微小電気機械素子ソリューションのカバー部の絶縁層ソリューションについて、断面図を示す。 本発明による微小電気機械素子ソリューションの実装について、電子回路部を微小電気機械チップ部の上に固着した、断面図を示す。 本発明による微小電気機械素子ソリューションのウエハレベルの実装について、電子回路部を微小電気機械チップ部の上に固着した、投影図を示す。 本発明による微小電気機械素子ソリューションの電子回路部を、誘電体層で保護する実装について、断面図を示す。 本発明による微小電気機械素子ソリューションの電子回路部の配線実装について、断面図を示す。 本発明による微小電気機械素子ソリューションの電子回路部の配線を保護する実装について、断面図を示す。 本発明による微小電気機械素子ソリューションの電子回路部用に、接続開口部を実装した、断面図を示す。 本発明による微小電気機械素子ソリューションの構造の例示的な実装について、断面図を示す。 本発明による微小電気機械素子ソリューションの他の構造の例示的な実装について、断面図を示す。
以下、本発明及び本発明の好適な実施例について、添付図を例示参照して、詳細に記述する。図1乃至図3については、上記で説明した通りである。以下、本発明及び本発明の好適な実施例について、図4乃至図23を参照して記述する。
図4では、本発明による微小電気機械素子ソリューションのカバー部について、断面図及び投影図でこれを示す。この本発明による微小電気機械素子ソリューションのカバー部を、数字24で表し、典型的には主にガラス製とする。カバー部24には、該ガラス要素を通り延在する導電性領域25〜27を備え、該導電性領域を典型的にはシリコン製とする。導電性領域25〜27を幅狭且つ高くすることができる。
図5では、本発明による微小電気機械素子ソリューションの別なカバー部について、断面図及び投影図でこれを示す。本発明による微小電気機械素子ソリューションのこの別なカバー部を、数字28で表し、主にシリコン製とする。該別なカバー部28には、該要素を通り延在する導電性領域29〜31を備え、該導電性領域29〜31を典型的にはシリコン製とする。該別なカバー部28の導電性領域29〜31を、カバー部28の本体からガラス絶縁体32によって絶縁し、該ガラス絶縁体32により、カバー部28の底部も絶縁する。導電性領域29〜31を幅狭且つ高くすることができる。
図6では、本発明による微小電気機械素子ソリューションの第2の別なカバー部について、断面図及び投影図でこれを示す。本発明による微小電気機械素子ソリューションの第2の別なカバー部について、数字33で表し、主にシリコン製とする。この第2の別なカバー部33を、狭幅のガラス絶縁体37〜40によって細片状の導電性領域34〜36に分割する。導電性領域34〜36を、典型的にはシリコン製とする。第2の別なカバー部33のガラス絶縁体37〜40により、カバー部33の底部も絶縁する。
図7では、断面図及び投影図で、本発明による微小電気機械素子ソリューションの第3の別なカバー部について、これを示す。この本発明による微小電気機械素子ソリューションの第3の別なカバー部を、数字41で表し、主にシリコン製とする。第3の別なカバー部41を、狭幅なガラス絶縁体45によって、島状の導電性領域42〜44に分割する。導電性領域42〜44を、典型的にはシリコン製とする。第3の別なカバー部41のガラス絶縁体45により、カバー部41の底部も絶縁する。
本発明によるソリューションでは、他の種類のカバー部も使用することができ、そうしたカバー部では、互いに絶縁させた電気的接続を、カバー部を片方の平面から他方の平面まで、基本的には該カバー部を垂直に貫通させて、形成する。
図8では、本発明による微小電気機械素子ソリューションのカバー部を、微小電気機械チップ部に固着した、断面図を示す。本発明によるこのソリューションでは、微小電気機械チップ部46を、カバー部47を通して電気的に接続する導線構造を有する該カバー部47により封止する。本発明によるこのソリューションでは、シリコン導線によって、下の微小電気機械チップ部46からガラス製カバー部47の平面まで電気的に接続する。
微小電気機械素子ソリューションのカバー部47の導電性導線と、微小電気機械チップ部46との結合を、表面上の金属層によって、半田バンプによって、又は、幾つかの他のボンディング手段で、又は、他の手段で、直接形成することができる。
図9では、本発明による微小電気機械素子ソリューションのカバー部の例示的な再配線層ソリューションについて、投影図を示す。本発明による微小電気機械素子ソリューションのカバー部48の表面上に、導電性接触領域49〜52を、再配線層49〜52によって作製し、該導電性領域により、導線と、後に表面上に作製する配線層との間で導電接続を提供する。かかる上記接触領域49〜52は、微小電気機械素子ソリューションの電子回路部用と外部接続用の両接触領域となる。
再配線層は、カバー部の外部接触領域49〜52を備えており、該層を、微小電気機械素子ソリューションのカバー部48を微小電気機械チップ部に固着する前又は後のどちらかに、作製する。本発明によるこの導電性再配線層49〜52により、カバー部の導線の位置及び配線層用導線の位置を、該両位置に関して他方側の位置とは無関係に、出来る限り好適に、後で作製可能になる。導電性再配線層49〜52によって、カバー部の導線と配線層の導線との間の他に、幾つかの他の目的に使用する配線層導線間にも、接続を生成することができる。
図10では、本発明による微小電気機械素子ソリューションのカバー部の例示的な再配線層ソリューションについて、断面図を示す。本発明による微小電気機械素子ソリューションの例示的なカバー部を、数字24で表し、典型的には主にガラス製とする。カバー部24には、該ガラス要素を通り延在する導電性領域25〜27を備え、導電性領域25〜27を典型的にはシリコン製とする。
本発明による微小電気機械素子ソリューションのこの例示的なカバー部24の表面上に、導電性再配線層53を作製し、該再配線層により、カバー部の導線と、後に表面上に作製する配線層との間で導電接続を提供する。例示的なカバー部24を主に誘電体製とするため、導電性再配線層53を直接カバー部24の表面上に配置できる。
図11では、本発明による微小電気機械素子ソリューションのカバー部の別な再配線層ソリューションについて、断面図を示す。微小電気機械素子ソリューションのカバー部を、本発明によれば、数字24で表し、典型的には、主にガラス製とする。カバー24には、該ガラス要素を通り延在する導電性領域を備え、導電性領域を典型的にはシリコン製とする。
まず、本発明による微小電気機械素子ソリューションのカバー部24表面上に、誘電体層54を作製する。本発明によるカバー部24の誘電体層54によって、例えば、カバー部24の表面を最適強度とすることができる。次に、本発明によるカバー部24の表面上に、導電性再配線層55を作製し、それによりカバー部の導線と、後で該表面上に作製する配線層との間に、導電接続を提供する。再配線層の構造には、カバー部の外部接触領域55を備え、その様々な領域の機能を、図9の投影図で表した、導線ウエハ表面に直接作製した再配線層のものと同じとする。
図12では、本発明による微小電気機械素子ソリューションのカバー部の第2の別な再配線層ソリューションについて、断面図を示す。本発明によるこの微小電気機械素子ソリューションのカバー部を、数字28で表し、主にシリコン製とする。カバー28部には、シリコン要素を通り延在する導電性領域を備え、該導電性領域を典型的にはシリコン製とする。カバー部28の導電性領域を、カバー部28の本体からガラス絶縁体によって絶縁し、該ガラス絶縁体により、カバー部28の底部も絶縁する。
まず、誘電体層56を、本発明による微小電気機械素子ソリューションのカバー部28表面上に作製する。本発明によるカバー部28の誘電体層56によって、例えば、カバー部28の表面を最適強度とすることができる。該誘電体層はまた、カバー部用に選択した材料からも必要である。次に、本発明によるカバー部28表面上に、導電性再配線層57を作製し、それによりカバー部の導線と、後で該表面上に作製する配線層との間に、導電接続を提供する。
図13では、本発明による微小電気機械素子ソリューションのカバー部の第3の別な再配線層ソリューションについて、断面図を示す。本発明によるこの微小電気機械素子ソリューションのカバー部を、数字33で表し、主にシリコン製とする。カバー部33を、狭幅のガラス絶縁体によって細片状の導電性領域に分割する。導電性領域を、典型的にはシリコン製とする。第3の別なカバー部33のガラス絶縁体により、カバー部33の底部も絶縁する。
まず、本発明による微小電気機械素子ソリューションのカバー部33表面上に、誘電体層58を、作製する。本発明によるカバー部33の誘電体層58によって、例えば、カバー部33の表面を最適強度とすることができる。誘電体層はまた、カバー部用に選択した材料からも必要である。次に、本発明によるカバー部33表面上に、導電性再配線層59を作製し、それによりカバー部の導線と、後で該表面上に作製する配線層との間に、導電接続を提供する。
図14では、微小電気機械チップ部に、本発明による微小電気機械素子ソリューションの別なカバー部を固着した断面図を示す。本発明によるこのソリューションでは、微小電気機械チップ部60を、カバー部24で封止するが、該カバー部を典型的には主にガラス製とする。
カバー部24には、ガラス要素を通り延在する、導電性導線構造を備え、該導電性構造体を典型的にはシリコン製にし、カバー部24を通して導電接続する。本発明によるこのソリューションでは、シリコン導線によって、ガラスカバー部24の平面へと、その下にある微小電気機械チップ部60から、電気的に接続する。
微小電気機械素子ソリューションのカバー部24の導電性導線と微小電気機械チップ部60との間の接続を、直接、表面上の金属層、半田バンプを介して、又は幾つかの接合手段によって、又は他の方法で、形成することができる。
導電性再配線層61を、本発明による微小電気機械素子ソリューションの別なカバー部24の表面上に、作製し、該再配線層により、該カバー部の導線と、後に表面上に作製する配線層との間で導電接続を提供する。カバー部を絶縁する層を、カバー部の外部接触領域61を備える再配線層とカバー部24との間に介在させてもよい。或は、カバー部24を主に誘電材料製とするため、再配線層61を直接カバー部24表面に配置してもよい。
図15は、本発明による微小電気機械素子ソリューションのカバー部の絶縁層構造について、断面図を示す。本発明によるこのソリューションでは、微小電気機械チップ部60を、カバー部24で封止しておき、該カバー部24の表面上に導電性再配線層61を作製しておく。
更に、誘電体層62を、本発明によるこの微小電気機械素子ソリューションのカバー部の外部接触領域61を備える再配線層の上に作製する。誘電体層62で、典型的にはこの微小電気機械素子ソリューションのカバー部の全表面を被覆する。微小電気機械素子ソリューションの誘電体層62を、電子回路部を固着する接着層としても機能させることができる。
本発明による微小電気機械チップ部46、60を封止するカバー部24、28、33、41、47、48の導線構造を、カバー部24、28、33、41、47、48上面に、カバー部の外部接触領域を、微小電気機械素子全体に亘り縁部にまで延在させるように、実装することができる。従って、再配線層が不要となり、誘電体層62をカバー部24、28、33、41、47、48の上面に直接作製できる。
或は、カバー部の外部接触領域49〜52、53、55、57、59、61を備える再配線層を、カバー部24、28、33、41、47、48の上面と誘電体層62の上面との間に作製することができる。カバー部の外部接触領域49〜52、53、55、57、59、61を備える再配線層を、微小電気機械素子ソリューションのカバー部24、28、33、41、47、48を微小電気機械チップ部に固着させる前、又は、その後に作製する。
図16では、本発明による微小電気機械素子ソリューションの実装について、電子回路部を微小電気機械チップ部の上に固着した、断面図を示す。本発明によるこのソリューションでは、微小電気機械チップ部60を、カバー部24を通して電気的に接続する導線構造を含むカバー部24で封止しておく。導電性再配線層61を、カバー部24の表面上に作製し、その後誘電体層62を作製しておく。
本発明によるこの微小電気機械素子ソリューションでは、電子回路部63を、微小電気機械チップ部60を保護するカバー部24の表面上に、該電子回路部63を誘電体層62に固定するようにして、固着する。本発明によるこの微小電気機械素子ソリューションでは、誘電体層62により電子回路部63を絶縁する。誘電体層62を、電子回路部63を固着する接着層としても機能させることができる。或は、別の接着層を、電子回路部63を固着する際に使用することもできる。
図17では、本発明による微小電気機械素子ソリューションのウエハレベルの実装について、電子回路部を微小電気機械チップ部上に固着した、断面図を示す。本発明によるこの微小電気機械素子ソリューションでは、ウエハ上に配置した微小電気機械チップ部60を、カバー部ウエハで封止して、単一のウエハ要素64を形成する。
各電子回路部63を、微小電気機械チップ部60を保護するカバー部24表面に、該電子回路部63を、ウエハ要素64の誘電体層62に固定するようにして、ウエハレベルで固着する。本発明によるこの微小電気機械素子ソリューションでは、固着する電子回路部63を極薄にし、厚さ約20μmとする。その後、微小電気機械素子ソリューションの電子回路部63を、ウエハレベルで、誘電体層により保護することができる。
図18では、本発明による微小電気機械素子ソリューションの電子回路部を、誘電体層で保護する実装について、断面図を示す。本発明によるこのソリューションでは、微小電気機械チップ部60を、カバー部24で封止しておく。カバー部24の表面上には、導電性再配線層61と誘電体層62を作製しておき、次に、電子回路部63を、カバー部24を絶縁する誘電体層62の表面上に固着しておく。
更に、本発明によるこの微小電気機械素子ソリューションのカバー部24の電子回路部63の上に、回路ウエハを被覆する誘電体層65を、作製する。電子回路部に隣接する誘電体層65により、典型的には該微小電気機械素子ソリューションの全表面を被覆する。
図19では、本発明による微小電気機械素子ソリューションの電子回路部の配線実装について、断面図を示す。本発明によるこのソリューションでは、微小電気機械チップ部60を、カバー部24で封止しておく。カバー部24の表面上に、導電性再配線層61と誘電体層62とを作製しておき、次に電子回路部63を、カバー部24の誘電体層62の表面に固着させておき、その後、回路ウエハを被覆する誘電体層65で被覆する。
本発明によるこの微小電気機械素子ソリューションでは、誘電体層65に、配線用導線66、67を作製し、上記導線を適切にカバー部の外部接触領域まで、及び電子回路部63まで延在させる。次に、配線層を、誘電体層65の上に、導線66、67にまで作製する。配線層での配線を導線66まで実装することによって、導電接続をカバー部の導電性領域25〜27、29〜31、34〜36、42〜44と微小電気機械チップ部46、60の上に最初に固着する電子回路部63との間に生成する。配線層での配線を導線67まで実装することによって、導電接続を同様に生成して、微小電気機械チップ部46、60の上に最初に固着する電子回路部63と接続する。
図20では、本発明による微小電気機械素子ソリューションの電子回路部の配線を保護する実装について、断面図を示す。本発明によるこのソリューションでは、微小電気機械チップ部60を、カバー部24で封止しておく。カバー部24の表面上に、導電性再配線層61及び誘電体層62を、作製しておく。カバー部24の誘電体層62上に、電子回路部63を、誘電体層65で固着し被覆しておく。誘電体層65に、導線66、67を作製しておき、更に、誘電体層65の上に、導線66、67にまで、配線層を作製しておく。
本発明によるこの微小電気機械素子ソリューションのカバー部24の電子回路部63の上に、導線66、67及び配線層を保護する保護層68を、更に作製する。この保護層により、典型的にはこの微小電気機械素子ソリューションのカバー部の全表面を被覆する。
図21では、本発明による微小電気機械素子ソリューションの電子回路部用に、接続開口部を実装した、断面図を示す。本発明によるこのソリューションでは、微小電気機械チップ部60を、カバー部24で封止しておく。電子回路部63をカバー部24表面上に固着し、誘電体層で被覆しておく。該誘電体層に、導線66、67、配線層及び保護層68を、作製しておく。
本発明によるこの微小電気機械素子ソリューションでは、保護層68に、開口部69〜72を、接続用バンプ等の接合部材用に作製し、該開口部を適切に配線層の接触面まで延在させる。
図22では、本発明による微小電気機械素子ソリューションの構造の例示的な実装について、断面図を示す。本発明によるこのソリューションでは、微小電気機械チップ部60を、カバー部24で封止しておく。電子回路部63をカバー部24表面上に固着し、誘電体層で被覆しておく。該誘電体層に、導線66、67、配線層及び保護層68を、作製しておく。保護層68では、接続用バンプ用開口部69〜72を作製しておき、該開口部を配線層の接触面にまで延在させる。
本発明によるこの微小電気機械素子ソリューションでは、微小電気機械素子を外部と接続する接続用バンプ73〜77を、保護層68の開口部69〜72に作製する。図面では、接続用バンプ77に対応する保護層68の開口部については、図示していない。本発明によるこの微小電気機械素子のバンプ接続部ソリューションでは、微小電気機械チップ部60及び電子回路部63を含む微小電気機械素子の外部接続を、バンプ接続部73〜77によって行う。
バンプ接続部73〜77を、本発明によるこの微小電気機械素子ソリューションに作製すると、半田付工程に適した微小電気機械素子を、別の封装をせずに獲得できる。
図23では、本発明による微小電気機械素子ソリューションの別な構造の例示的な実装について、断面図を示す。本発明によるこのソリューションでは、微小電気機械チップ部60を、カバー部24を通して電気的に接続する導線構造を含むカバー部24で封止しておく。カバー部24の表面上へ、再配線層61を作製し、その後誘電体層62を作製しておく。
本発明による微小電気機械素子ソリューションのこの別な構造では、第1電子回路部78を、微小電気機械チップ部60を保護するカバー部24表面上に、該第1電子回路部78を誘電体層62に固定するようにして、固着する。本発明による微小電気機械素子ソリューションのこの別な構造では、誘電体層62により第1電子回路部78を絶縁する。誘電体層62は、第1電子回路部78を固着する接着層としても機能させることができる。或は、別の接着層を、第1電子回路部78を固着させる際に使用できる。
本発明による微小電気機械素子ソリューションのこの別な構造では、誘電体層79をカバー部24の第1電子回路部78の上に作製する。誘電体層79で、典型的には微小電気機械素子ソリューションのカバー部の全表面を被覆する。誘電体層79に、カバー部の外部接触領域まで、及び第1電子回路部78まで適切に延在する導線80、81を、配線用に作製する。その後、誘電体層79の上で、導線80、81まで、配線層を作製する。配線層で配線を導線80まで実装することによって、導電接続を、カバー部の導電性領域25〜27、29〜31、34〜36、42〜44と微小電気機械チップ46、60の上に最初に固着する電子回路部78との間に生成する。配線層で配線を導線81まで実装することによって、導電接続を同様に生成して、微小電気機械チップ部46、60の上に最初に固着する電子回路部78と接続する。
本発明による微小電気機械素子ソリューションのこの別な構造では、回路部間に挟む誘電体層82を、導線80、81及び配線層の上に更に作製する。回路部間に挟む該誘電体層82により、典型的にはこの微小電気機械素子ソリューションのカバー部の全表面を被覆する。
本発明による微小電気機械素子ソリューションのこの別な構造では、第2電子回路部83をまた、微小電気機械チップ部60を保護するカバー部24表面上に、該第2電子回路部83を誘電体層82に固定するようにして、固着する。本発明による微小電気機械素子ソリューションのこの別な構造では、回路部間に挟む誘電体層82により、第2電子回路部83を絶縁する。回路部に挟む誘電体層82をまた、第2電子回路部83を固着させる接着層としても機能させることができる。或は、別の接着層を、第2電子回路部83を固着させる際に使用することができる。
本発明による微小電気機械素子ソリューションのこの別な構造では、誘電体層84を、第2電子回路部83の上に作製する。誘電体層84により典型的には、この微小電気機械素子ソリューションのカバー部の全表面を被覆する。誘電体層84に、新たな配線用の導線85、86を、配線層の導線81まで、及び第2電子回路部83まで適切に延在させて、作製する。その後、配線層を、誘電体層84の上に、導線85、86まで作製する。既に固着した電子回路部78と、誘電体層82に固着する電子回路部83との間の導電接続を、配線層の配線を導線85まで実装することによって生成する。誘電体層82に固着する電子回路部83を接続する導電接続もまた、配線層の配線を導線86まで実装することによって生成する。
また、導線85、86及び配線層を保護する保護層87を、第2電子回路部83の上に作製する。保護層87により典型的には、この微小電気機械素子ソリューションのカバー部の全表面を被覆する。本発明によるこの微小電気機械素子ソリューションの構造では、また、3つ以上の電子回路部を、1つの電子回路部63又は2つの電子回路部78、83の代わりに使用することができる。
本発明による微小電気機械素子ソリューションのこの別な構造では、接続用バンプ等の接合部材用開口部88〜91であって、配線層の接触面にまで適切に延在する該開口部を、第2電子回路部83上に配置する保護層87に作製する。
本発明による微小電気機械素子ソリューションのこの別な構造では、微小電気機械素子を外部と接続する接続用バンプ92〜96を、保護層の開口部88〜91内に作製する。接続用バンプ96に対応する保護層68の開口部については、図示していない。本発明によるこの微小電気機械素子のバンプ接続部ソリューションでは、微小電気機械チップ部60及び2つの電子回路部78、83を含む微小電気機械素子の外部接続を、バンプ接続部92〜96によって行う。
本発明によるこの微小電気機械素子ソリューションで、バンプ接続部92〜96を微小電気機械素子に作製すると、半田付工程に適する微小電気機械素子を、別の封装をせずに獲得できる。本発明によるこの微小電気機械素子ソリューションでは、また、3つ以上の電子回路部を、1つの電子回路部63又は2つの電子回路部78、83の代わりに使用することができる。
本発明によるこの微小電気機械素子ソリューションでは、誘電体層及び保護層62、65、68、79、82、84、87は、湿気等環境に起因する様々な有害物質に対する保護体として十分に機能する。電子回路部63、78、83及び微小電気機械チップ部46、60の電気的影響を受け易い領域を、誘電体層及び保護層62、65、68、79、82、84、87によって保護するため、必要に応じて、微小電気機械素子をプラスチック成型カプセル無しで使用することができる。しかしながら、必要に応じて、プラスチック成型カプセルを、本発明による微小電気機械素子ソリューションから成るユニットを被い、成型することができる。微小電気機械素子のカプセル構造を、微小電気機械チップ部46、60及び電子回路部63、78、83を含む微小電気機械素子と適合し得るよう適宜設計することができる。
本発明による微小電気機械素子ソリューションでは、微小電気機械チップ部46、60及び電子回路部63、78、83を含む微小電気機械素子を、任意の既知の接続ソリューションによって外部接続することができる。かかる接続ソリューションとしては、ワイヤ接続、バンプ接続、接着接続、導電性接着接続、異方性接着接続又は直接半田接合ソリューションがある。
本発明による方法によって作製する微小電気機械素子にはまた、電気信号処理能力を含む。本発明によって、微小電気機械素子ソリューションを提供するが、該ソリューションでは、電気的機能を有利な方法で、微小電気機械素子ソリューションに関連させて集積しており、また、該ソリューションは、特に、小型の微小電気機械運動センサ・ソリューション、圧力センサ・ソリューション、その他のセンサ・ソリューション、発振周波数安定化ソリューション、電気信号フィルタリング・ソリューション、電気信号切換ソリューション及び電気的インピーダンス整合ソリューションで、使用するのに極めて適する。
本発明は、様々な微小電気機械素子、例えば加速度、角加速度、角速度、圧力、磁場、温度又は他の物理量を測定する際に使用する微小電気機械計測器で使用するのに、極めて適している。本発明によるソリューションによって、センサの測定動作分析を、微小電気機械センサ自体で行うことができる。
本発明による微小電気機械素子ソリューションで複数の電子回路部63、78、83を使用することによって、異なる種類の電気的機能を別々の電子回路部63、78、83に、簡便に分配することができる。例えば、アナログ素子、プロセッサ素子、メモリ素子又は無線周波数素子を、各々それら自体の電子回路部63、78、83に配設することができる。本発明による微小電気機械素子ソリューションでは、センサ機能を、モノリシックに集積して1つ又は複数の電子回路部63、78、83上に配設することができる。本発明による微小電気機械素子ソリューションでは、電磁干渉(EMI)に対する遮断を、干渉の原因となる素子及び干渉され易い素子を、別々の電子回路部63、78、83上に配設することによって、簡便に行うこともできる。従って、必要に応じて、別のEMIシールド層を、電子回路部63、78、83間に加えることができる。
本発明による微小電気機械素子ソリューションでは、センサのアンテナ素子を、簡便に電子回路部又はそれら自体の電子回路部63、78、83上に配設することもできる。また、送信用アンテナ素子及び受信用アンテナ素子を、別々の電子回路部63、78、83上に配設することができる。このように、送信用アンテナ素子と受信用アンテナ素子を備える電子回路部63、78、83間に、例えば、アンテナグランド層を、必要に応じて、設けることができる。
本発明による微小電気機械素子によって、例えば、3方向で測定する、圧力センサ又は角加速度、角速度、又は直線運動センサを、実装することができる。本発明によるセンサは、3方向で、角加速度、角速度又は直線運動を測定し、従って該センサには、異なる方向で夫々測定を行う複数の微小電気機械素子を備えることができる。
本発明による微小電気機械素子ソリューションによって、また、IMU運動測定装置ユニット(慣性測定ユニット)を、実装することができる。本発明による微小電気機械IMU運動測定装置ユニットには、例えば、角速度センサ素子、加速度センサ素子、及び磁界の強さを計測又は検出するセンサ素子等、数多くの微小電気機械素子を備えることができる。
本発明による微小電気機械素子ソリューションによって、また、傾斜補正付コンパスを実装することができる。本発明による、傾斜補正付コンパスには、2又は3軸に関して測定する加速度センサ、及び電子回路部に関連して実装し、磁界を測定又は検出するセンサを備えることができ、該センサを、磁気抵抗、磁気誘導、フラックスゲート、ホール又は幾つかの他の既知の磁界測定原理に基づくものにしてもよい。
本発明による微小電気機械素子ソリューションによって、また、遠隔制御する微小電気機械センサ素子を、実装することができる。本発明による遠隔制御する微小電気機械センサ素子にはまた、センサユニットに加えて、例えば、測定データを送信し、指示及び較正データを受信する送信手段及び受信手段を備えることもできる。
本発明は、発振周波数を発生及び安定化させるのに使用する発振器及び周波数シンセサイザにおいて、及び電子回路によって行う機能を付加したいと所望する、例えば、無線装置の高周波又は中間周波部品等の素子において、共振器、フィルタ、又はインピーダンス整合要素等の微小電気機械部品において、及び封止空間に配置する微小電気機械部品と、超小型回路によって実装する部品とを組合せたいと所望する、他の微小電気機械デバイスにおいて、使用するのに極めて適している。本発明によって、改良した方法を提供して、微小電気機械素子を作製できるだけでなく、特に小型の微小電気機械センサ・ソリューション、発振周波数安定化ソリューション、電気信号フィルタリング・ソリューション、電気信号切換ソリューション、及び電気的インピーダンス整合ソリューションにおいて使用するのに極めて適した微小電気機械素子を作製することもできる。
本発明による方法によって作製する微小電気機械素子では、微小電気機械チップ部と電子回路部とを互いに機械的に及び電気的に、特定の種類のカバーウエハを用いて、好適な方法で接合し、それにより作製に際して、該微小電気機械ウエハが、電子回路部を載置する基板として機能し、該各部間の接続を環境から保護しつつ行うことができる。
本発明による方法では、電子回路部を、例えば、カバーを備えた微小電気機械ウエハの表面上に、1つずつ載置することができる。このように確実に、テストに合格した電子回路部だけを、テストに合格した微小電気機械チップを含む箇所のみに載置することができる。本発明による方法では、該微小電気機械ウエハを、載置段階及び最終テスト後にのみダイシングする。
1 微小電気機械チップ部
2 電子回路部
3 シリコンウエハ
4 カバー部
5 ワイヤ接続体
6 プラスチック成型カプセル
7 リードフレーム
8 微小電気機械チップ部
9 電子回路部
10 シリコンウエハ
11 カバー部
12 ワイヤ接続体
13 ワイヤ接続体
14 プラスチック成型カプセル
15 リードフレーム
16 微小電気機械チップ部
17 シリコンウエハ
18 カバー部
19 電子回路部
20 ワイヤ接続体
21 ワイヤ接続体
22 プラスチック成型カプセル
23 リードフレーム
24 カバー部
25 導電性領域
26 導電性領域
27 導電性領域
28 カバー部
29 導電性領域
30 導電性領域
31 導電性領域
32 ガラス絶縁体
33 カバー部
34 導電性領域
35 導電性領域
36 導電性領域
37 ガラス絶縁体
38 ガラス絶縁体
39 ガラス絶縁体
40 ガラス絶縁体
41 カバー部
42 導電性領域
43 導電性領域
44 導電性領域
45 ガラス絶縁体
46 微小電気機械チップ部
47 カバー部
48 カバー部
49 再配線層
50 再配線層
51 再配線層
52 再配線層
53 再配線層
54 誘電体層
55 再配線層
56 誘電体層
57 再配線層
58 誘電体層
59 再配線層
60 微小電気機械チップ部
61 再配線層
62 誘電体層
63 電子回路部
64 ウエハ要素
65 誘電体層
66 導線
67 導線
68 保護層
69 開口部
70 開口部
71 開口部
72 開口部
73 バンプ接続部
74 バンプ接続部
75 バンプ接続部
76 バンプ接続部
77 バンプ接続部
78 電子回路部
79 誘電体層
80 導線
81 導線
82 誘電体層
83 電子回路部
84 誘電体層
85 導線
86 導線
87 保護層
88 開口部
89 開口部
90 開口部
91 開口部
92 接続用バンプ
93 接続用バンプ
94 接続用バンプ
95 接続用バンプ
96 接続用バンプ

Claims (72)

  1. 微小電気機械素子を製造する方法であって、当該方法では、
    微小電気機械チップ部(60)の表面カバー部(24)で封止され、該カバー部(24)は、該カバー部(24を通して電気的接続をもたらす導線構造を含んでおり
    該方法の特徴
    記カバー部(24)の上に、導電性再配線層(61)を形成し;
    前記導電性再配線層(61)の上に1以上の電子回路層を形成し、各電子回路層は、
    電子回路部(7883)を有し、該電子回路部(78;83)はその下に誘電体層(62;82)を有し、かつ、該電子回路部(78;83)はその上に誘電体層(7984)を有し、
    前記電子回路部(78;83)上の前記誘電体層(79;84)の上に、配線層(80、81)を有し、
    少なくとも2つの導線を有し、一方の導線は、前記配線層(80、81)から延びて前記誘電体層(62、79;82、84)を通過し、下層にある前記カバー部上の前記導電性再配線層(61)に達しているかまたは下層にある電子回路層上の配線層(80、81)に達しており、かつ、他方の導線は、前記配線層(80、81)から延びて前記電子回路部(7883)の接触面に達しており;
    最も上の電子回路層の配線層(85、86)の接触面に達する開口部(88−91)を持った保護層(87)を形成し;
    前記微小電気機械素子外部接続ために、接合部材(92〜96)を前記開口部(88−91)内に形成することである;
    前記方法。
  2. 前記カバー部(24)を主にガラス製にして、該カバー部(24)内に、該ガラス要素を通り延在する導電性領域(25〜27)を、シリコンから作製するようにすること、を特徴とする請求項1に記載の方法。
  3. 前記カバー部(28)を主にシリコン製にし、該カバー部(28)内にガラス絶縁体(32)を作製して、前記カバー部(28)内に、前記ガラス絶縁体(32)を通り延在する導電性領域(29〜31)を、シリコンから作製するようにすること、を特徴とする請求項1に記載の方法。
  4. 前記カバー部(33)を主にシリコン製にし、該カバー部(33)内に、ガラス絶縁体(37〜40)を作製して、前記カバー部(33)を細片状の導電性領域(34〜36)に分割するようにすること、を特徴とする請求項1に記載の方法。
  5. 前記カバー部(41)を主にシリコン製にし、該カバー部(41)内に、ガラス絶縁体(45)を作製して、前記カバー部(41)を島状の導電性領域(42〜44)に分割するようにすること、を特徴とする請求項1に記載の方法。
  6. 前記カバー部(24)と前記ガラス絶縁体(32)、(37〜40)、(45)の両方または一方を、ガラスの代わりにガラス以外の誘電材料製とすること、を特徴とする請求項3〜5の何れか1項に記載の方法。
  7. 前記カバー部(28)、(33)、(41)と導電性領域(25〜27)、(29〜31)、(34〜36)、(42〜44)の両方または一方を、シリコンの代わりにシリコン以外の導電材料製とすること、を特徴とする請求項2〜6の何れか1項に記載の方法。
  8. 前記カバー部(24)の前記導電性再配線層(61)前記微小電気機械チップ部(60)とは直接接合されて、電気的接続を形成すること、を特徴とする請求項1〜7の何れか1項に記載の方法。
  9. 前記カバー部(24)の前記導電性再配線層(61)前記微小電気機械チップ部(60)との間に、前記カバー部(24)の表面に配置された金属層によって、電気的接続を形成すること、を特徴とする請求項1〜7の何れか1項に記載の方法。
  10. 前記カバー部(24の前記導電性再配線層(61)前記微小電気機械チップ部(60)との間に、半田バンプによって、電気的接続を形成すること、を特徴とする請求項1〜7の何れか1項に記載の方法。
  11. 前記微小電気機械チップ部(60)を封止する前記カバー部(24上面前記導電性再配線層(61)を、前記カバー部(24)の外部接触領域が、前記微小電気機械素子全体に亘り縁部まで延在するように、実装すること、を特徴とする請求項1〜10の何れか1項に記載の方法。
  12. 前記カバー部(24)を前記微小電気機械チップ部(60)に固着する前に、前記カバー部の外部接触領域を備える前記導電性再配線層(61)を、前記カバー部(24)の前記上面に作製すること、を特徴とする請求項に記載の方法。
  13. 前記カバー部(24)を前記微小電気機械チップ部(60)に固着した後に、前記カバー部の外部接触領域を備える前記導電性再配線層(61)を、前記カバー部(24)の前記上面に作製すること、を特徴とする請求項に記載の方法。
  14. 電子回路部(78)の下にある誘電体層(62)、前記電子回路部(78)を固着する接着層として機能すること、を特徴とする請求項に記載の方法。
  15. 別の接着層を、前記電子回路部(78)を固着する際に使用すること、を特徴とする請求項に記載の方法。
  16. 前記微小電気機械素子を外部接続させるために作製する接合部材を、ワイヤ接続体によって実装すること、を特徴とする請求項に記載の方法。
  17. プラスチック成型カプセルを、前記微小電気機械素子を被い、成型すること、を特徴とする請求項16に記載の方法。
  18. 前記微小電気機械素子を外部接続させるために作製する前記接合部材を、バンプ接続体によって実装すること、を特徴とする請求項に記載の方法。
  19. 前記微小電気機械素子を外部接続させるために作製する前記接合部材を、接着結合体によって実装すること、を特徴とする請求項に記載の方法。
  20. 前記微小電気機械素子を外部接続させるために作製する前記接合部材を、半田接合によって実装すること、を特徴とする請求項に記載の方法。
  21. 前記接合部材により、前記微小電気機械素子のカプセル構造まで導電接続を形成し、前記カプセル構造には導電性コーティングを施すこと、を特徴とする請求項19又は20に記載の方法。
  22. 前記微小電気機械素子のカプセル構造を、前記微小電気機械素子に適合するよう適切に設計すること、を特徴とする請求項1920又は21の何れか1項に記載の方法。
  23. 前記微小電気機械素子の電子回路部7883)、電気信号処理能力を備えること、を特徴とする請求項1〜22の何れか1項に記載の方法。
  24. 異なる種類の電気的機能を、別々の電子回路部7883)に分配しておくこと、を特徴とする請求項1〜23の何れか1項に記載の方法。
  25. 干渉の原因となる素子及び干渉され易い素子を、別々の電子回路部7883)上に配設しておくこと、を特徴とする請求項1〜24の何れか1項に記載の方法。
  26. 電磁干渉(EMI)シールド層を、前記電子回路部7883)間に加えておくこと、を特徴とする請求項1〜25の何れか1項に記載の方法。
  27. アンテナ素子を、別々の電子回路部7883)に配設しておくこと、を特徴とする請求項1〜26の何れか1項に記載の方法。
  28. 送信用アンテナ素子及び受信用アンテナ素子を、別々の電子回路部7883)に配設しておくこと、を特徴とする請求項27に記載の方法。
  29. アンテナグランド層を、前記アンテナ素子を備える電子回路部7883)間に配設しておくこと、を特徴とする請求項27又は28に記載の方法。
  30. 前記微小電気機械素子の前記電子回路部7883)には、物理量を測定するセンサ機能を含むこと、を特徴とする請求項1〜29の何れか1項に記載の方法。
  31. 前記電子回路部7883)には、磁場を検出する回路構造を含むこと、を特徴とする請求項30に記載の方法。
  32. 前記電子回路部7883)には、温度を検出する回路構造を含むこと、を特徴とする請求項30又は31に記載の方法。
  33. 前記カバー部(24)で封止された前記微小電気機械チップ部(60)を備えるウエハ状基板、電子回路部7883)を載置する基台として機能すること、を特徴とする請求項1〜32の何れか1項に記載の方法。
  34. 微小電気機械素子であって、当該微小電気機械素子は、
    バー部(24)で封止された微小電気機械チップ部(60)を備え、該カバー部は、該カバー部(24)をして電気的接続をもたらす導線構造を含んでおり
    当該微小電気機械素子の特徴は、
    前記カバー部(24)の上に、導電性再配線層(61)を有し;
    前記カバー部(24)上の前記導電性再配線層(61)の上に、1以上の電子回路層を有し、各電子回路層は、
    電子回路部(78;83)を有し、該電子回路部(78;83)はその下に誘電体層(62;82)を有し、かつ、該電子回路部(78;83)はその上に誘電体層(7984)を有し、
    前記電子回路部(78;83)上の前記誘電体層(79;84)の上に、配線層(80、81)を有し、
    少なくとも2つの導線を有し、一方の導線は、前記配線層(80、81)から延びて前記誘電体層(62、79;82、84)を通過し、下層にある前記カバー部上の前記導電性再配線層(61)に達しているかまたは下層にある電子回路層上の配線層(80、81)に達しており、かつ、他方の導線は、前記配線層(80、81)から延びて前記電子回路部(7883)の接触面に達しており;
    最も上の電子回路部(63)の表面上に、最上部の配線層(85、86)を有し;
    最も上の電子回路層の配線層(85、86)の接触面に達する開口部(88−91)を持った保護層(87)を有し;
    前記開口部(88−91)内に、当該微小電気機械素子外部接続ための接合部材(92〜96)を有することである;
    前記微小電気機械素子。
  35. 前記カバー部(24)を、主にガラス製にして、前記カバー部(24)内に、前記ガラス要素を通り延在する導電性領域(25〜27)を、シリコンから作製しておくこと、を特徴とする請求項34に記載の微小電気機械素子。
  36. 前記カバー部(28)を、主にシリコン製にし、該カバー部(28)内に、ガラス絶縁体(32)を作製しておき、前記カバー部(28)内に、前記ガラス絶縁体(32)を通り延在する導電性領域(29〜31)をシリコンから作製しておくようにすること、を特徴とする請求項34に記載の微小電気機械素子。
  37. 前記カバー部(33)を主にシリコン製にし、該カバー部(33)内に、ガラス絶縁体(37〜40)を作製しておき、前記カバー部(33)を細片状の導電性領域(34〜36)に分割するようにすること、を特徴とする請求項34に記載の微小電気機械素子。
  38. 前記カバー部(41)を主にシリコン製にし、該カバー部(41)内に、ガラス絶縁体(45)を作製しておき、前記カバー部(41)を島状の導電性領域(42〜44)に分割するようにすること、を特徴とする請求項34に記載の微小電気機械素子。
  39. 前記カバー部(24)と前記ガラス絶縁体(32)、(37〜40)、(45)の両方または一方を、ガラスの代わりにガラス以外の誘電材料製とすること、を特徴とする請求項3538の何れか1項に記載の微小電気機械素子。
  40. 前記カバー部(28)、(33)、(41)と導電性領域(25〜27)、(29〜31)、(34〜36)、(42〜44)の両方または一方を、シリコンの代わりにシリコン以外の導電材料製とすること、を特徴とする請求項3539の何れか1項に記載の微小電気機械素子。
  41. 前記カバー部(24)の前記導電性再配線層(61)と前記微小電気機械チップ部(60)との間の電気的接続が、直接的な接合によって実施されていること、を特徴とする請求項3440の何れか1項に記載の微小電気機械素子。
  42. 前記カバー部(24)の前記導電性再配線層(61)と前記微小電気機械チップ部(60)との間の電気的接続、前記カバー部(24)の表面に配置した金属層によって実施されていること、を特徴とする請求項3440の何れか1項に記載の微小電気機械素子。
  43. 前記カバー部(24)の前記導電性再配線層(61)と前記微小電気機械チップ部(60)との間の電気的接続、半田バンプによって実施されていること、を特徴とする請求項3440の何れか1項に記載の微小電気機械素子。
  44. 前記微小電気機械チップ部(60)を封止する前記カバー部(24)の前記導電性再配線層(61)が、前記カバー部の外部接触領域が当該微小電気機械素子全体に亘って縁部にまで延在するように、実装されていること、を特徴とする請求項3443の何れか1項に記載の微小電気機械素子。
  45. 前記誘電体層(62)により、前記カバー部(24)の全表面を被覆すること、を特徴とする請求項34に記載の微小電気機械素子。
  46. 前記微小電気機械素子を外部接続させるために作製する接合部材を、ワイヤ接続体によって実装しておくこと、を特徴とする請求項34に記載の微小電気機械素子。
  47. プラスチック成型カプセルを、前記微小電気機械素子を被い成型しておくこと、を特徴とする請求項46に記載の微小電気機械素子。
  48. 前記微小電気機械素子を外部接続させるために作製する前記接合部材を、バンプ接続体によって実装しておくこと、を特徴とする請求項46に記載の微小電気機械素子。
  49. 前記微小電気機械素子を外部接続させるために作製する前記接合部材を、接着結合体によって実装しておくこと、を特徴とする請求項34に記載の微小電気機械素子。
  50. 前記微小電気機械素子を外部接続させるために作製する前記接合部材を、直接半田付結合体によって実装しておくこと、を特徴とする請求項34に記載の微小電気機械素子。
  51. 前記接合部材により、前記微小電気機械素子のカプセル構造まで導電接続を形成し、前カプセル構造には導電性コーティングを施すこと、を特徴とする請求項49又は50に記載の微小電気機械素子。
  52. 前記微小電気機械素子のカプセル構造を、前記微小電気機械素子に適合するよう適切に設計しておくこと、を特徴とする請求項4950又は51の何れか1項に記載の微小電気機械素子。
  53. 前記微小電気機械素子の前記電子回路部7883)、電気信号処理能力を備えること、を特徴とする請求項3452の何れか1項に記載の微小電気機械素子。
  54. 異なる種類の電気的機能が、別々の電子回路部(78、83)に分配されていること、を特徴とする請求項34〜5の何れか1項に記載の微小電気機械素子。
  55. 干渉の原因となる素子及び干渉され易い素子、別々の電子回路部7883)上に配設されていること、を特徴とする請求項3454の何れか1項に記載の微小電気機械素子。
  56. 電磁干渉(EMI)シールド層、前記電子回路部7883)間に加えられていること、を特徴とする請求項3455の何れか1項に記載の微小電気機械素子。
  57. アンテナ素子、別々の電子回路部7883)に配設されていること、を特徴とする請求項3456の何れか1項に記載の微小電気機械素子。
  58. 送信用アンテナ素子及び受信用アンテナ素子、別々の電子回路部7883)に配設されていること、を特徴とする請求項57に記載の微小電気機械素子。
  59. アンテナグランド層、前記アンテナ素子を備える電子回路部7883)間に配設されていること、を特徴とする請求項57又は58に記載の微小電気機械素子。
  60. 前記微小電気機械素子の前記電子回路部7883)、物理量を測定するセンサ機能を含むこと、を特徴とする請求項3459の何れか1項に記載の微小電気機械素子。
  61. 前記電子回路部7883)、磁場を検出する回路構造を含むこと、を特徴とする請求項60に記載の微小電気機械素子。
  62. 前記電子回路部7883)、温度を検出する回路構造を含むこと、を特徴とする請求項60又は61に記載の微小電気機械素子。
  63. 微小電気機械加速度センサであって、当該微小電気機械加速度センサは、
    バー部(24)で封止された微小電気機械チップ部(60)を備え、該カバー部は、該カバー部(24)をして電気的接続をもたらす導線構造を含んでおり
    当該微小電気機械加速度センサの特徴は、
    前記カバー部(24)の上に、導電性再配線層(61)を有し;
    前記カバー部(24)上の前記導電性再配線層(61)の上に、1以上の電子回路層を有し、各電子回路層は、
    電子回路部(78;83)を有し、該電子回路部(78;83)はその下に誘電体層(62;82)を有し、かつ、該電子回路部(78;83)はその上に誘電体層(79;84)を有し、
    前記電子回路部(78;83)上の前記誘電体層(79;84)の上に、配線層(80、81)を有し、
    少なくとも2つの導線を有し、一方の導線は、前記配線層(80、81)から延びて前記誘電体層(62、79;82、84)を通過し、下層にある前記カバー部上の前記導電性再配線層(61)に達しているかまたは下層にある電子回路層上の配線層(80、81)に達しており、かつ、他方の導線は、前記配線層(80、81)から延びて前記電子回路部(78;83)の接触面に達しており;
    最も上の電子回路部(63)の表面上に、最上部の配線層(85、86)を有し;
    最も上の電子回路層の配線層(85、86)の接触面に達する開口部(88−91)を持った保護層(87)を有し;
    前記開口部(88−91)内に、当該微小電気機械素子の外部接続のための接合部材(92〜96)を有することである;
    前記微小電気機械加速度センサ。
  64. 微小電気機械角加速度センサであって、当該微小電気機械角加速度センサは、
    バー部(24)で封止された微小電気機械チップ部(60)を備え、該カバー部は、該カバー部(24)をして電気的接続をもたらす導線構造を含んでおり
    当該微小電気機械角加速度センサの特徴は、
    前記カバー部(24)の上に、導電性再配線層(61)を有し;
    前記カバー部(24)上の前記導電性再配線層(61)の上に、1以上の電子回路層を有し、各電子回路層は、
    電子回路部(78;83)を有し、該電子回路部(78;83)はその下に誘電体層(62;82)を有し、かつ、該電子回路部(78;83)はその上に誘電体層(79;84)を有し、
    前記電子回路部(78;83)上の前記誘電体層(79;84)の上に、配線層(80、81)を有し、
    少なくとも2つの導線を有し、一方の導線は、前記配線層(80、81)から延びて前記誘電体層(62、79;82、84)を通過し、下層にある前記カバー部上の前記導電性再配線層(61)に達しているかまたは下層にある電子回路層上の配線層(80、81)に達しており、かつ、他方の導線は、前記配線層(80、81)から延びて前記電子回路部(78;83)の接触面に達しており;
    最も上の電子回路部(63)の表面上に、最上部の配線層(85、86)を有し;
    最も上の電子回路層の配線層(85、86)の接触面に達する開口部(88−91)を持った保護層(87)を有し;
    前記開口部(88−91)内に、当該微小電気機械素子の外部接続のための接合部材(92〜96)を有することである;
    前記微小電気機械角加速度センサ。
  65. 微小電気機械角速度センサであって、当該微小電気機械角速度センサは、
    バー部(24)で封止された微小電気機械チップ部(60)を備え、該カバー部は、該カバー部(24)をして電気的接続をもたらす導線構造を含んでおり
    当該微小電気機械角速度センサの特徴は、
    前記カバー部(24)の上に、導電性再配線層(61)を有し;
    前記カバー部(24)上の前記導電性再配線層(61)の上に、1以上の電子回路層を有し、各電子回路層は、
    電子回路部(78;83)を有し、該電子回路部(78;83)はその下に誘電体層(62;82)を有し、かつ、該電子回路部(78;83)はその上に誘電体層(79;84)を有し、
    前記電子回路部(78;83)上の前記誘電体層(79;84)の上に、配線層(80、81)を有し、
    少なくとも2つの導線を有し、一方の導線は、前記配線層(80、81)から延びて前記誘電体層(62、79;82、84)を通過し、下層にある前記カバー部上の前記導電性再配線層(61)に達しているかまたは下層にある電子回路層上の配線層(80、81)に達しており、かつ、他方の導線は、前記配線層(80、81)から延びて前記電子回路部(78;83)の接触面に達しており;
    最も上の電子回路部(63)の表面上に、最上部の配線層(85、86)を有し;
    最も上の電子回路層の配線層(85、86)の接触面に達する開口部(88−91)を持った保護層(87)を有し;
    前記開口部(88−91)内に、当該微小電気機械素子の外部接続のための接合部材(92〜96)を有することである;
    前記微小電気機械角速度センサ。
  66. 微小電気機械圧力センサであって、当該微小電気機械圧力センサは、
    バー部(24)で封止された微小電気機械チップ部(60)を備え、該カバー部は、該カバー部(24)をして電気的接続をもたらす導線構造を含んでおり
    当該微小電気機械圧力センサの特徴は、
    前記カバー部(24)の上に、導電性再配線層(61)を有し;
    前記カバー部(24)上の前記導電性再配線層(61)の上に、1以上の電子回路層を有し、各電子回路層は、
    電子回路部(78;83)を有し、該電子回路部(78;83)はその下に誘電体層(62;82)を有し、かつ、該電子回路部(78;83)はその上に誘電体層(79;84)を有し、
    前記電子回路部(78;83)上の前記誘電体層(79;84)の上に、配線層(80、81)を有し、
    少なくとも2つの導線を有し、一方の導線は、前記配線層(80、81)から延びて前記誘電体層(62、79;82、84)を通過し、下層にある前記カバー部上の前記導電性再配線層(61)に達しているかまたは下層にある電子回路層上の配線層(80、81)に達しており、かつ、他方の導線は、前記配線層(80、81)から延びて前記電子回路部(78;83)の接触面に達しており;
    最も上の電子回路部(63)の表面上に、最上部の配線層(85、86)を有し;
    最も上の電子回路層の配線層(85、86)の接触面に達する開口部(88−91)を持った保護層(87)を有し;
    前記開口部(88−91)内に、当該微小電気機械素子の外部接続のための接合部材(92〜96)を有することである;
    前記微小電気機械圧力センサ。
  67. 微小電気機械IMU運動測定装置ユニットであって、当該微小電気機械IMU運動測定装置ユニットは、
    バー部(24)で封止された微小電気機械チップ部(60)を備え、該カバー部は、該カバー部(24)をして電気的接続をもたらす導線構造を含んでおり
    当該微小電気機械IMU運動測定装置ユニットの特徴は、
    前記カバー部(24)の上に、導電性再配線層(61)を有し;
    前記カバー部(24)上の前記導電性再配線層(61)の上に、1以上の電子回路層を有し、各電子回路層は、
    電子回路部(78;83)を有し、該電子回路部(78;83)はその下に誘電体層(62;82)を有し、かつ、該電子回路部(78;83)はその上に誘電体層(79;84)を有し、
    前記電子回路部(78;83)上の前記誘電体層(79;84)の上に、配線層(80、81)を有し、
    少なくとも2つの導線を有し、一方の導線は、前記配線層(80、81)から延びて前記誘電体層(62、79;82、84)を通過し、下層にある前記カバー部上の前記導電性再配線層(61)に達しているかまたは下層にある電子回路層上の配線層(80、81)に達しており、かつ、他方の導線は、前記配線層(80、81)から延びて前記電子回路部(78;83)の接触面に達しており;
    最も上の電子回路部(63)の表面上に、最上部の配線層(85、86)を有し;
    最も上の電子回路層の配線層(85、86)の接触面に達する開口部(88−91)を持った保護層(87)を有し;
    前記開口部(88−91)内に、当該微小電気機械素子の外部接続のための接合部材(92〜96)を有することである;
    前記微小電気機械IMU運動測定装置ユニット。
  68. 微小電気機械発振周波数安定化装置であって、当該微小電気機械発振周波数安定化装置は、
    バー部(24)で封止された微小電気機械チップ部(60)を備え、該カバー部は、該カバー部(24)をして電気的接続をもたらす導線構造を含んでおり
    当該微小電気機械発振周波数安定化装置の特徴は、
    前記カバー部(24)の上に、導電性再配線層(61)を有し;
    前記カバー部(24)上の前記導電性再配線層(61)の上に、1以上の電子回路層を有し、各電子回路層は、
    電子回路部(78;83)を有し、該電子回路部(78;83)はその下に誘電体層(62;82)を有し、かつ、該電子回路部(78;83)はその上に誘電体層(79;84)を有し、
    前記電子回路部(78;83)上の前記誘電体層(79;84)の上に、配線層(80、81)を有し、
    少なくとも2つの導線を有し、一方の導線は、前記配線層(80、81)から延びて前記誘電体層(62、79;82、84)を通過し、下層にある前記カバー部上の前記導電性再配線層(61)に達しているかまたは下層にある電子回路層上の配線層(80、81)に達しており、かつ、他方の導線は、前記配線層(80、81)から延びて前記電子回路部(78;83)の接触面に達しており;
    最も上の電子回路部(63)の表面上に、最上部の配線層(85、86)を有し;
    最も上の電子回路層の配線層(85、86)の接触面に達する開口部(88−91)を持った保護層(87)を有し;
    前記開口部(88−91)内に、当該微小電気機械素子の外部接続のための接合部材(92〜96)を有することである;
    前記微小電気機械発振周波数安定化装置。
  69. 微小電気機械電気信号フィルタであって、当該微小電気機械電気信号フィルタは、
    バー部(24)で封止された微小電気機械チップ部(60)を備え、該カバー部は、該カバー部(24)をして電気的接続をもたらす導線構造を含んでおり
    当該微小電気機械電気信号フィルタの特徴は、
    前記カバー部(24)の上に、導電性再配線層(61)を有し;
    前記カバー部(24)上の前記導電性再配線層(61)の上に、1以上の電子回路層を有し、各電子回路層は、
    電子回路部(78;83)を有し、該電子回路部(78;83)はその下に誘電体層(62;82)を有し、かつ、該電子回路部(78;83)はその上に誘電体層(79;84)を有し、
    前記電子回路部(78;83)上の前記誘電体層(79;84)の上に、配線層(80、81)を有し、
    少なくとも2つの導線を有し、一方の導線は、前記配線層(80、81)から延びて前記誘電体層(62、79;82、84)を通過し、下層にある前記カバー部上の前記導電性再配線層(61)に達しているかまたは下層にある電子回路層上の配線層(80、81)に達しており、かつ、他方の導線は、前記配線層(80、81)から延びて前記電子回路部(78;83)の接触面に達しており;
    最も上の電子回路部(63)の表面上に、最上部の配線層(85、86)を有し;
    最も上の電子回路層の配線層(85、86)の接触面に達する開口部(88−91)を持った保護層(87)を有し;
    前記開口部(88−91)内に、当該微小電気機械素子の外部接続のための接合部材(92〜96)を有することである;
    前記微小電気機械電気信号フィルタ。
  70. 微小電気機械電気信号切換素子であって、当該微小電気機械電気信号切換素子は、
    バー部(24)で封止された微小電気機械チップ部(60)を備え、該カバー部は、該カバー部(24)をして電気的接続をもたらす導線構造を含んでおり
    当該微小電気機械電気信号切換素子の特徴は、
    前記カバー部(24)の上に、導電性再配線層(61)を有し;
    前記カバー部(24)上の前記導電性再配線層(61)の上に、1以上の電子回路層を有し、各電子回路層は、
    電子回路部(78;83)を有し、該電子回路部(78;83)はその下に誘電体層(62;82)を有し、かつ、該電子回路部(78;83)はその上に誘電体層(79;84)を有し、
    前記電子回路部(78;83)上の前記誘電体層(79;84)の上に、配線層(80、81)を有し、
    少なくとも2つの導線を有し、一方の導線は、前記配線層(80、81)から延びて前記誘電体層(62、79;82、84)を通過し、下層にある前記カバー部上の前記導電性再配線層(61)に達しているかまたは下層にある電子回路層上の配線層(80、81)に達しており、かつ、他方の導線は、前記配線層(80、81)から延びて前記電子回路部(78;83)の接触面に達しており;
    最も上の電子回路部(63)の表面上に、最上部の配線層(85、86)を有し;
    最も上の電子回路層の配線層(85、86)の接触面に達する開口部(88−91)を持った保護層(87)を有し;
    前記開口部(88−91)内に、当該微小電気機械素子の外部接続のための接合部材(92〜96)を有することである;
    前記微小電気機械電気信号切換素子。
  71. 微小電気機械電気的インピーダンス整合ユニットであって、当該微小電気機械電気的インピーダンス整合ユニットは、
    バー部(24)で封止された微小電気機械チップ部(60)を備え、該カバー部は、該カバー部(24)をして電気的接続をもたらす導線構造を含んでおり
    当該微小電気機械電気的インピーダンス整合ユニットの特徴は、
    前記カバー部(24)の上に、導電性再配線層(61)を有し;
    前記カバー部(24)上の前記導電性再配線層(61)の上に、1以上の電子回路層を有し、各電子回路層は、
    電子回路部(78;83)を有し、該電子回路部(78;83)はその下に誘電体層(62;82)を有し、かつ、該電子回路部(78;83)はその上に誘電体層(79;84)を有し、
    前記電子回路部(78;83)上の前記誘電体層(79;84)の上に、配線層(80、81)を有し、
    少なくとも2つの導線を有し、一方の導線は、前記配線層(80、81)から延びて前記誘電体層(62、79;82、84)を通過し、下層にある前記カバー部上の前記導電性再配線層(61)に達しているかまたは下層にある電子回路層上の配線層(80、81)に達しており、かつ、他方の導線は、前記配線層(80、81)から延びて前記電子回路部(78;83)の接触面に達しており;
    最も上の電子回路部(63)の表面上に、最上部の配線層(85、86)を有し;
    最も上の電子回路層の配線層(85、86)の接触面に達する開口部(88−91)を持った保護層(87)を有し;
    前記開口部(88−91)内に、当該微小電気機械素子の外部接続のための接合部材(92〜96)を有することである;
    前記微小電気機械電気的インピーダンス整合ユニット。
  72. 微小電気機械傾斜補正付コンパスであって、当該微小電気機械傾斜補正付コンパスは、
    バー部(24)で封止された微小電気機械チップ部(60)を備え、該カバー部は、該カバー部(24)をして電気的接続をもたらす導線構造を含んでおり
    当該微小電気機械傾斜補正付コンパスの特徴は、
    前記カバー部(24)の上に、導電性再配線層(61)を有し;
    前記カバー部(24)上の前記導電性再配線層(61)の上に、1以上の電子回路層を有し、各電子回路層は、
    電子回路部(78;83)を有し、該電子回路部(78;83)はその下に誘電体層(62;82)を有し、かつ、該電子回路部(78;83)はその上に誘電体層(79;84)を有し、
    前記電子回路部(78;83)上の前記誘電体層(79;84)の上に、配線層(80、81)を有し、
    少なくとも2つの導線を有し、一方の導線は、前記配線層(80、81)から延びて前記誘電体層(62、79;82、84)を通過し、下層にある前記カバー部上の前記導電性再配線層(61)に達しているかまたは下層にある電子回路層上の配線層(80、81)に達しており、かつ、他方の導線は、前記配線層(80、81)から延びて前記電子回路部(78;83)の接触面に達しており;
    最も上の電子回路部(63)の表面上に、最上部の配線層(85、86)を有し;
    最も上の電子回路層の配線層(85、86)の接触面に達する開口部(88−91)を持った保護層(87)を有し;
    前記開口部(88−91)内に、当該微小電気機械素子の外部接続のための接合部材(92〜96)を有することである;
    前記微小電気機械傾斜補正付コンパス。
JP2014005037A 2005-11-23 2014-01-15 微小電気機械素子を製造する方法、及び微小電気機械素子とその用途 Active JP5919310B2 (ja)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20055618A FI119728B (fi) 2005-11-23 2005-11-23 Menetelmä mikroelektromekaanisen komponentin valmistamiseksi ja mikroelektromekaaninen komponentti
FI20055618 2005-11-23
US11/430,035 US7982291B2 (en) 2005-11-23 2006-05-09 Method for manufacturing a microelectromechanical component, and a microelectromechanical component
US11/430,035 2006-05-09
FI20065484 2006-07-07
FI20065484A FI119729B (fi) 2005-11-23 2006-07-07 Menetelmä mikroelektromekaanisen komponentin valmistamiseksi ja mikroelektromekaaninen komponentti

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008541775A Division JP2009516597A (ja) 2005-11-23 2006-11-21 微小電気機械素子を作製する方法及び微小電気機械素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014111308A JP2014111308A (ja) 2014-06-19
JP5919310B2 true JP5919310B2 (ja) 2016-05-18

Family

ID=36758331

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008541775A Pending JP2009516597A (ja) 2005-11-23 2006-11-21 微小電気機械素子を作製する方法及び微小電気機械素子
JP2014005037A Active JP5919310B2 (ja) 2005-11-23 2014-01-15 微小電気機械素子を製造する方法、及び微小電気機械素子とその用途

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008541775A Pending JP2009516597A (ja) 2005-11-23 2006-11-21 微小電気機械素子を作製する方法及び微小電気機械素子

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7932568B2 (ja)
EP (1) EP1951611B1 (ja)
JP (2) JP2009516597A (ja)
KR (1) KR101388946B1 (ja)
CN (1) CN101312904B (ja)
FI (1) FI119729B (ja)
MY (1) MY153013A (ja)
WO (1) WO2007060289A1 (ja)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2011762B1 (en) * 2007-07-02 2015-09-30 Denso Corporation Semiconductor device with a sensor connected to an external element
US9588081B2 (en) * 2007-09-25 2017-03-07 Ownstone Medical Limited Interdigitated electrode configuration for ion filter
US7782522B2 (en) 2008-07-17 2010-08-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Encapsulation methods for interferometric modulator and MEMS devices
DE102009002376A1 (de) * 2009-04-15 2010-10-21 Robert Bosch Gmbh Multichip-Sensormodul und Verfahren dessen Herstellung
US8315793B2 (en) * 2009-06-03 2012-11-20 Honeywell International Inc. Integrated micro-electro-mechanical systems (MEMS) sensor device
US8043891B2 (en) * 2009-06-05 2011-10-25 Shanghai Lexvu Opto Microelectronics Technology Co., Ltd. Method of encapsulating a wafer level microdevice
CN102092352B (zh) * 2010-12-16 2013-03-27 芜湖伯特利电子控制***有限公司 一种应用于机动车的惯量测量单元的控制方法
WO2013001171A1 (en) * 2011-06-30 2013-01-03 Murata Electronics Oy A method of making a system-in-package device, and a system-in-package device
FR3005648B1 (fr) 2013-05-15 2016-02-12 Commissariat Energie Atomique Procede d'encapsulation d'un dispositif microelectronique comprenant une injection de gaz noble a travers un materiau permeable a ce gaz noble
US10081535B2 (en) * 2013-06-25 2018-09-25 Analog Devices, Inc. Apparatus and method for shielding and biasing in MEMS devices encapsulated by active circuitry
CN104944359B (zh) * 2014-03-25 2017-02-22 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Mems器件及其形成方法
CN105174203B (zh) 2014-05-28 2016-09-28 无锡华润上华半导体有限公司 基于mems的传感器的制作方法
US9611137B2 (en) * 2014-08-26 2017-04-04 Invensense, Inc. MEMS sensor integrated with a flip chip
JP6488639B2 (ja) * 2014-10-28 2019-03-27 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、電子機器および移動体
JP6488640B2 (ja) * 2014-10-28 2019-03-27 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、電子機器および移動体
US9604841B2 (en) 2014-11-06 2017-03-28 Analog Devices, Inc. MEMS sensor cap with multiple isolated electrodes
DE102016201097A1 (de) 2015-01-28 2016-07-28 Continental Teves Ag & Co. Ohg Sensor mit symmetrisch eingebetteten Sensorelementen
CN107209034B (zh) 2015-01-28 2020-03-24 大陆-特韦斯股份有限公司 具有用于传感器的嵌入式过滤器部件的适配器
US9969614B2 (en) * 2015-05-29 2018-05-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. MEMS packages and methods of manufacture thereof
WO2017104103A1 (ja) * 2015-12-17 2017-06-22 パナソニックIpマネジメント株式会社 接続構造体
US11444048B2 (en) 2017-10-05 2022-09-13 Texas Instruments Incorporated Shaped interconnect bumps in semiconductor devices

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5448014A (en) * 1993-01-27 1995-09-05 Trw Inc. Mass simultaneous sealing and electrical connection of electronic devices
US6140707A (en) * 1998-05-07 2000-10-31 3M Innovative Properties Co. Laminated integrated circuit package
US6159385A (en) 1998-05-08 2000-12-12 Rockwell Technologies, Llc Process for manufacture of micro electromechanical devices having high electrical isolation
CN1242602A (zh) * 1998-07-16 2000-01-26 日东电工株式会社 晶片规模封装结构及其内使用的电路板
AU2001234750A1 (en) * 2000-02-02 2001-08-14 Raytheon Company Vacuum package fabrication of microelectromechanical system devices with integrated circuit components
DE10017976A1 (de) * 2000-04-11 2001-10-18 Bosch Gmbh Robert Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Herstellungsverfahren
US6522015B1 (en) * 2000-09-26 2003-02-18 Amkor Technology, Inc. Micromachine stacked wirebonded package
US6512300B2 (en) * 2001-01-10 2003-01-28 Raytheon Company Water level interconnection
DE10123039A1 (de) * 2001-05-11 2002-11-21 Bosch Gmbh Robert Sensoranordnung, insbesondere mikromechanische Sensoranordnung
US6815739B2 (en) * 2001-05-18 2004-11-09 Corporation For National Research Initiatives Radio frequency microelectromechanical systems (MEMS) devices on low-temperature co-fired ceramic (LTCC) substrates
JP4173652B2 (ja) * 2001-07-02 2008-10-29 富士通株式会社 金融取引装置
FR2833106B1 (fr) * 2001-12-03 2005-02-25 St Microelectronics Sa Circuit integre comportant un composant auxiliaire, par exemple un composant passif ou un microsysteme electromecanique, dispose au-dessus d'une puce electronique, et procede de fabrication correspondant
TW517361B (en) * 2001-12-31 2003-01-11 Megic Corp Chip package structure and its manufacture process
JP3575478B2 (ja) * 2002-07-03 2004-10-13 ソニー株式会社 モジュール基板装置の製造方法、高周波モジュール及びその製造方法
US7402897B2 (en) * 2002-08-08 2008-07-22 Elm Technology Corporation Vertical system integration
AU2003286572A1 (en) * 2002-10-23 2004-05-13 Rutgers, The State University Of New Jersey Processes for hermetically packaging wafer level microscopic structures
JP4342174B2 (ja) 2002-12-27 2009-10-14 新光電気工業株式会社 電子デバイス及びその製造方法
JP4489411B2 (ja) * 2003-01-23 2010-06-23 新光電気工業株式会社 電子部品実装構造の製造方法
FR2856844B1 (fr) * 2003-06-24 2006-02-17 Commissariat Energie Atomique Circuit integre sur puce de hautes performances
JP4269806B2 (ja) * 2003-06-30 2009-05-27 カシオ計算機株式会社 半導体装置およびその製造方法
US20050054133A1 (en) * 2003-09-08 2005-03-10 Felton Lawrence E. Wafer level capped sensor
JP4539155B2 (ja) * 2003-10-03 2010-09-08 パナソニック電工株式会社 センサシステムの製造方法
JP3875240B2 (ja) * 2004-03-31 2007-01-31 株式会社東芝 電子部品の製造方法
CN100485911C (zh) * 2004-04-22 2009-05-06 松下电工株式会社 传感器器件、传感器***及其制造方法
KR100733242B1 (ko) 2004-05-19 2007-06-27 삼성전기주식회사 측면 밀봉부재가 형성된 mems 패키지 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP1951611A1 (en) 2008-08-06
CN101312904A (zh) 2008-11-26
EP1951611B1 (en) 2016-08-17
CN101312904B (zh) 2012-09-05
JP2014111308A (ja) 2014-06-19
MY153013A (en) 2014-12-31
KR20080078823A (ko) 2008-08-28
WO2007060289A1 (en) 2007-05-31
US7932568B2 (en) 2011-04-26
US20070132047A1 (en) 2007-06-14
FI119729B (fi) 2009-02-27
JP2009516597A (ja) 2009-04-23
FI20065484A (fi) 2007-09-06
KR101388946B1 (ko) 2014-05-27
EP1951611A4 (en) 2014-01-22
FI20065484A0 (fi) 2006-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5919310B2 (ja) 微小電気機械素子を製造する方法、及び微小電気機械素子とその用途
JP5834098B2 (ja) 微小電気機械部品の製造方法、および微小電気機械部品とその用途
JP5763682B2 (ja) Mems及びasicを備える小型化した電気的デバイス及びその製造方法
US8698292B2 (en) Environment-resistant module, micropackage and methods of manufacturing same
JP4838732B2 (ja) 電気的構成素子および製造方法
EP2481703B1 (en) Sensor protection
US20070188054A1 (en) Surface acoustic wave packages and methods of forming same
US20100053922A1 (en) Micropackaging method and devices
EP2619536A2 (en) Microelectromechanical pressure sensor including reference capacitor
WO2010039453A2 (en) Inertial sensor with dual cavity package and method of fabrication
US20160159641A1 (en) Environment-resistant module, micropackage and methods of manufacturing same
KR101753087B1 (ko) 미소 전자 기계 디바이스 및 제조 방법
JP2008073818A (ja) 電子部品および複合電子部品

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20140311

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140430

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150331

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20150630

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20150728

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20150828

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150928

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20151117

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160216

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160315

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160411

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5919310

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250