JP5911178B2 - Plasma surface treatment equipment - Google Patents
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- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 title claims description 61
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 91
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 91
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 44
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 31
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 29
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 33
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 11
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000004323 axial length Effects 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000037237 body shape Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000002277 temperature effect Effects 0.000 description 1
- 230000002463 transducing effect Effects 0.000 description 1
Images
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- Plasma Technology (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
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Description
この発明はプラズマ表面処理装置に関し、より詳細には、大気圧近傍の圧力下で発生させた放電プラズマを用いて被処理体の表面処理を行うプラズマ表面処理装置に関する。 The present invention relates to a plasma surface treatment apparatus, and more particularly, to a plasma surface treatment apparatus that performs surface treatment of an object to be processed using discharge plasma generated under a pressure near atmospheric pressure.
この種のプラズマ表面処理装置は、電圧印加電極と接地電極とで構成される対向電極間に所定の処理ガスを導入しつつ両電極に高周波電界を印加することによって、これら電極間の放電空間に放電プラズマを発生させ、この放電プラズマを放電空間の外に配置された被処理体に導いて、被処理体の表面処理を行うように構成されている(たとえば、特許文献1参照)。 This type of plasma surface treatment apparatus applies a high-frequency electric field to both electrodes while introducing a predetermined treatment gas between opposing electrodes composed of a voltage application electrode and a ground electrode, thereby forming a discharge space between these electrodes. A discharge plasma is generated, the discharge plasma is guided to a target object disposed outside the discharge space, and a surface treatment of the target object is performed (see, for example, Patent Document 1).
このような構造のプラズマ表面処理装置では安定した放電プラズマを発生させるために、電圧印加電極または接地電極の少なくとも一方の電極対向面を誘電体で被覆しておくのが好ましく、最近では、電圧印加電極および接地電極の双方をそれぞれ固体誘電体で構成された箱型のケース内に収容する構造が提案されている(たとえば、特許文献2の図8参照)。 In the plasma surface treatment apparatus having such a structure, in order to generate a stable discharge plasma, it is preferable to cover at least one electrode facing surface of the voltage application electrode or the ground electrode with a dielectric. There has been proposed a structure in which both an electrode and a ground electrode are accommodated in a box-shaped case made of a solid dielectric (see, for example, FIG. 8 of Patent Document 2).
このように、固体誘電体を箱型のケースで構成する場合、材料となるセラミックスの焼結品の切削加工が難しく加工に時間がかかるため製作費が高くなり、装置全体の製造コストが高額になる。しかも箱型のケースでは、ケースの開口部(すなわち、ケースの背面)から外部への沿面放電のおそれがあるため、ケースの開口部には蓋を設けなければならないが、ケースと蓋との接合部の隙間から被処理体に放電が起こるおそれがあった。 As described above, when the solid dielectric is formed of a box-shaped case, it is difficult to cut the sintered ceramic material, which takes a long time to process, resulting in a high manufacturing cost and a high manufacturing cost for the entire apparatus. Become. In addition, in a box-type case, there is a risk of creeping discharge from the case opening (ie, the back of the case) to the outside, so a lid must be provided at the case opening. There was a possibility that discharge would occur in the object to be processed from the gap between the portions.
出願人は、このような問題点を解消するために、電圧印加電極を構成する金属電極を被覆する固体誘電体として汎用品のセラミックス製の円筒パイプを用い、このパイプ内に金属電極を収容するとともに、接地電極として電圧印加電極の外周面に対応する形状の電極対向面を有する一対の金属電極を用い、これら一対の金属電極の電極対向面が電圧印加電極の外周面と対面するように配置する構造を提案している(特許文献3参照)。 In order to solve such a problem, the applicant uses a general-purpose ceramic cylindrical pipe as a solid dielectric covering the metal electrode constituting the voltage application electrode, and the metal electrode is accommodated in the pipe. In addition, a pair of metal electrodes having an electrode facing surface having a shape corresponding to the outer peripheral surface of the voltage application electrode is used as the ground electrode, and the electrode facing surfaces of the pair of metal electrodes are arranged to face the outer peripheral surface of the voltage application electrode. The structure which does is proposed (refer patent document 3).
この構造によれば、電圧印加電極の固体誘電体として安価に入手可能なセラミックス製の円筒パイプを用いることができるので、電圧印加電極の製造コストを大幅に削減することができる。しかも、固体誘電体を構成する円筒パイプの外周面には接合部がないので、箱型のケースのような接合部からの異常放電のおそれも生じない。 According to this structure, a ceramic cylindrical pipe that can be obtained at low cost can be used as the solid dielectric of the voltage application electrode, so that the manufacturing cost of the voltage application electrode can be greatly reduced. Moreover, since there is no joint on the outer peripheral surface of the cylindrical pipe constituting the solid dielectric, there is no possibility of abnormal discharge from the joint such as a box-shaped case.
しかしながら、特許文献3に示すプラズマ表面処理装置では、接地電極が一対(2個)の金属電極で構成されるため、特許文献2に示すような従来品よりも部品点数が増えるとともに、接地電極を構成する金属電極が大型となってしまうため、接地電極の製造のコストが高くなるという新たな問題が生じた。
However, in the plasma surface treatment apparatus shown in Patent Document 3, since the ground electrode is composed of a pair (two) of metal electrodes, the number of parts is increased as compared with the conventional product as shown in
そこで、出願人は、接地電極の製造コストを抑制する構造として、図9に示すようなプラズマ表面処理装置を発明した。この図9に示すプラズマ表面処理装置は、円筒状の固体誘電体bの内部に半円柱状の金属電極cを挿入して電圧印加電極aを構成するとともに、接地電極dを電圧印加電極aの外周面に対応する凹状溝eを有する一枚の金属電極fで構成し、この凹状溝eの底部に放電プラズマの噴出口gを形成することで、接地電極dを一枚の金属電極fで構成し、接地電極dの製造コストを削減している。 Therefore, the applicant has invented a plasma surface treatment apparatus as shown in FIG. 9 as a structure for suppressing the manufacturing cost of the ground electrode. In the plasma surface treatment apparatus shown in FIG. 9, a semi-cylindrical metal electrode c is inserted into a cylindrical solid dielectric b to constitute a voltage application electrode a, and a ground electrode d is connected to the voltage application electrode a. The ground electrode d is formed by a single metal electrode f by forming a discharge plasma jetting g at the bottom of the concave groove e and having a single metal electrode f having a concave groove e corresponding to the outer peripheral surface. This reduces the manufacturing cost of the ground electrode d.
しかし、このような構成のプラズマ表面処理装置においても更なる製造コストの削減が強く望まれている。すなわち、この図9に示す構造では、電圧印加電極a側の金属電極cの形状が複雑となるため電圧印加電極aの製造コストの削減が十分でなかった。また、この種のプラズマ表面処理装置を用いた表面処理においては、処理ガスとして、窒素(N2)ガスと空気(CDA)の混合ガスが一般に用いられるところ、窒素ガスは安価ではあるが、この種の装置では表面処理に大量の処理ガスを使用するため、結果的にランニングコストが高くなってしまう。そのため、表面処理にあたり、窒素ガスの使用量を抑制できるプラズマ表面処理装置の提供が望まれていた。 However, even in the plasma surface treatment apparatus having such a configuration, it is strongly desired to further reduce the manufacturing cost. That is, in the structure shown in FIG. 9, since the shape of the metal electrode c on the voltage application electrode a side is complicated, the manufacturing cost of the voltage application electrode a is not sufficiently reduced. In the surface treatment using this type of plasma surface treatment apparatus, a mixed gas of nitrogen (N 2 ) gas and air (CDA) is generally used as a treatment gas. Since a large amount of process gas is used for the surface treatment in the kind of apparatus, the running cost is increased as a result. Therefore, it has been desired to provide a plasma surface treatment apparatus that can suppress the amount of nitrogen gas used in the surface treatment.
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、安価に製造でき、しかも、窒素ガスの使用量を抑制できるプラズマ表面処理装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a plasma surface treatment apparatus that can be manufactured at low cost and that can suppress the amount of nitrogen gas used. is there.
上記目的を達成するため、本発明に係るプラズマ表面処理装置は、大気圧近傍の圧力下において、電圧印加電極と接地電極との間に処理ガスを導入しつつ高周波電界を印加することにより得られる放電プラズマを、放電空間外に配置された被処理体に導いて上記被処理体の表面処理を行うプラズマ表面処理装置であって、下方を開放した箱型の装置カバーの内部に、上記電圧印加電極および接地電極と、これら電極間に処理ガスを導入するガス導入部とを収容してリアクタ部を形成するものにおいて、上記電圧印加電極は、断面が半円弧状を呈し、かつ、水冷用の冷却水の導入孔のない金属電極と、この金属電極の半円弧状の外周面を被覆する円筒状の固体誘電体とで構成され、上記電圧印加電極の金属電極がその半円弧状の外周面を下向きにして上記円筒状の固体誘電体の内部に収容され、上記接地電極は、上記電圧印加電極の半円弧状の外周面を収容可能な凹状溝を有し、この凹状溝の内周面が上記電圧印加電極との電極対向面を形成する構造の金属電極で構成され、かつ、この凹状溝の底部に上記電圧印加電極の軸方向に沿って上記放電プラズマの噴出口が形成されるとともに、上記凹状溝が形成される面と反対側の面が上記被処理体と対面するように配置され、上記接地電極が前記リアクタ部の底板を兼ねることを特徴とする。 In order to achieve the above object, a plasma surface treatment apparatus according to the present invention is obtained by applying a high-frequency electric field while introducing a processing gas between a voltage application electrode and a ground electrode under a pressure near atmospheric pressure. A plasma surface treatment apparatus for conducting discharge plasma to a target object disposed outside a discharge space to perform a surface treatment of the target object , wherein the voltage is applied to the inside of a box-shaped device cover whose bottom is opened and the electrode and a ground electrode, in which housing the gas introduction section for introducing a processing gas between the electrodes to form a reactor unit, the voltage application electrode in cross section exhibits a semi-circular arc, and, for water-cooled It is composed of a metal electrode without a cooling water introduction hole and a cylindrical solid dielectric covering the semicircular arc outer peripheral surface of the metal electrode, and the metal electrode of the voltage application electrode is the semicircular outer peripheral surface Down Housed inside said cylindrical solid dielectric and said ground electrode has an outer can accommodate surface concave groove of semicircular of the voltage application electrode, an inner peripheral surface of the recessed groove above formed of a metal electrode structure forming the electrode surface facing the voltage application electrode and the the bottom of the concave grooves along the axial direction of the voltage application electrode spout of the discharge plasma is formed Rutotomoni, the The surface opposite to the surface on which the concave groove is formed is disposed so as to face the object to be processed, and the ground electrode also serves as a bottom plate of the reactor section .
そして、その好適な実施態様として、上記電圧印加電極の金属電極は、円筒状の金属部材または円筒状の金属部材を軸方向に沿って分割した金属部材で構成されていることを特徴とする。 As a preferred embodiment thereof, the metal electrode of the voltage application electrode is formed of a cylindrical metal member or a metal member obtained by dividing the cylindrical metal member along the axial direction.
また、他の好適な実施態様として、上記接地電極の凹状溝は、その表面が耐熱性を有する金属材料で構成されていることを特徴とする。 As another preferred embodiment, the concave groove of the ground electrode has a surface made of a metal material having heat resistance.
本発明によれば、電圧印加電極と接地電極の双方がいずれも安価に入手できる部品や容易に加工できる部品で構成されるので、プラズマ表面処理装置を安価に製造・提供することができる。 According to the present invention, since both the voltage application electrode and the ground electrode are composed of parts that can be obtained at low cost or parts that can be easily processed, the plasma surface treatment apparatus can be manufactured and provided at low cost.
しかも、本発明のプラズマ表面処理装置によれば、従来(たとえば、特許文献3に示す)のプラズマ表面処理装置に比して少量の窒素ガスで、従来のプラズマ表面処理装置以上の処理性能で被処理体の表面処理を行うことができる。 In addition, according to the plasma surface treatment apparatus of the present invention, compared with the conventional plasma surface treatment apparatus (for example, shown in Patent Document 3), a small amount of nitrogen gas is used and the treatment performance is higher than that of the conventional plasma surface treatment apparatus. The surface treatment of the treatment body can be performed.
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
本発明に係るプラズマ表面処理装置は、大気圧近傍の圧力下において、電圧印加電極と接地電極との間に処理ガスを導入しつつ高周波電界を印加することにより得られる放電プラズマを、放電空間外に配置された被処理体に導いて、被処理体の表面処理(たとえば、ぬれ性改善や有機物除去など)を行うプラズマ表面処理装置であって、図示しない処理ガスの供給源と、高周波電源と、冷却液の供給源と、図示のリアクタ部1とを主要部として構成されている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
The plasma surface treatment apparatus according to the present invention is configured to discharge a discharge plasma obtained by applying a high-frequency electric field while introducing a processing gas between a voltage application electrode and a ground electrode under a pressure close to atmospheric pressure. A plasma surface treatment apparatus for conducting a surface treatment (for example, improvement of wettability or organic matter removal) of the object to be treated, which is disposed on the object to be treated, comprising: a treatment gas supply source (not shown); a high frequency power supply; The coolant supply source and the
図1は本発明に係るプラズマ表面処理装置のリアクタ部1の外観構成を示している。この図1に示すように、リアクタ部1は、被処理体Wを搬送するコンベア2の上方に、該コンベア2の搬送方向Xと直交する向きに搬送路を横断して配置される装置であって、図2に示すように、下方を開放した細長い箱型の装置カバー3の内部に、放電プラズマを生成するための電圧印加電極4および接地電極5と、これら電極4,5間に処理ガスを導入するためのガス導入部6とを収容してなる構造を備えている。
FIG. 1 shows an external configuration of a
装置カバー3は、電気的に接地された導体板(たとえばステンレス鋼などの金属板)によって構成されており、内部に収容される電圧印加電極4によって発生する高周波電界が外部に漏れないようにシールドするシールドケースの役割を果たしている。
The device cover 3 is composed of an electrically grounded conductor plate (for example, a metal plate such as stainless steel), and shields the high frequency electric field generated by the
電圧印加電極4は、図示しない高周波電源から供給される高周波電力が印加される電極であって、高周波電源と電気的に接続される金属電極41と、この金属電極41の外周を覆う固体誘電体42とを主要部として構成されている。
The
この電圧印加電極4は、図2および図3に示すように、中空円筒状の固体誘電体42の内部に、断面が半円弧状の金属電極41を収容することによって構成されている。
As shown in FIGS. 2 and 3, the
ここで、この電圧印加電極4に使用する固体誘電体42には、中空円筒形状のセラミックス製パイプが用いられる。このセラミックス製のパイプには、外周面に放電経路となり得るつなぎ目(接合部)のないパイプ、たとえば、アルミナを焼結して一体成形してなるパイプが用いられる。このような一体成型品のセラミックス製パイプは、既製品として流通しており安価に入手できるので、電圧印加電極4の固体誘電体42にこのような既製品のパイプを使用することにより、電圧印加電極4の製造コストを安価に抑えることができる。
Here, as the solid dielectric 42 used for the
この固体誘電体42に用いるパイプの内径は、金属電極41の外径との関係で決定される。また、この固体誘電体42の軸方向の長さ寸法(図2において紙面と直交する方向の長さ寸法)は、固体誘電体42の内部に収容される金属電極41の軸方向の長さ寸法に応じて決定される。すなわち、この固体誘電体42には、少なくとも、内部に金属電極41を収容可能な長さ寸法を有したものが用いられる。なお、固体誘電体42を構成するパイプの厚みは、固体誘電体としての機能が十分に果たされるように、適当な厚みのものが選択される。
The inner diameter of the pipe used for the solid dielectric 42 is determined in relation to the outer diameter of the
一方、固体誘電体42内に収容される金属電極41は、断面が半円弧状を呈する(すなわち、半円弧状の外周面を有する)金属製の板材で構成される。この金属電極41は、図3に示すように、円筒状のパイプを軸方向に2分割したような形状を有しており、その外周面が固体誘電体42の内周面に嵌合可能な外径寸法を有している。具体的には、この金属電極41は、その外径が固体誘電体42の内径と同寸または固体誘電体42の内径よりも小さな用いられ、図2および図5に示すように、固体誘電体42内に収容されたときに、その外周面が固体誘電体42の内周面とほぼ密着するようになっている。
On the other hand, the
ここで、この金属電極41は、図示のように、断面が半円弧状を呈する薄い金属製の板材で構成されることから、この金属電極41には水冷用の冷却水を導入する導入孔を設けることができない。そのため、この金属電極41には耐熱性に優れた(耐熱性を有する)金属材料、たとえば、ステンレス鋼などが用いられる。本実施形態では、この金属電極41には、既製品であるステンレス鋼製の円筒パイプを軸方向に沿って2分割してなる金属部材が用いられており、このように既製品のパイプに簡単な加工を施して利用することにより、金属電極41の製造コストを大幅に削減することができる。
Here, as shown in the figure, the
そして、この金属電極41は、図3に示すように、その半円弧状の外周面を下向きにして固体誘電体42の内部に挿入・収容され、この状態で、固体誘電体42の上部の所定個所(図示例では、3か所)に穿設されたネジ穴42aからセラミックス製の固定ネジ44を装着することによって、固体誘電体42の内周面の下部領域に押圧・固定される。なお、本実施形態では、この金属電極41の内周面側、すなわち、固体誘電体42の管内は空間とされるが、この空間には、金属電極41が空気と触れないように耐熱性を備えた無機質のペースト(たとえば、常温効果ガラスやシリコーン)などを充填し、管内でコロナ放電が生じないように構成しておいてもよい。
As shown in FIG. 3, the
なお、特に図示しないが、固体誘電体42には、上述したネジ穴42a以外にも金属電極41と高周波電源とを接続するための電気配線を挿通する挿通孔が穿設されており、この挿通孔を介して金属電極41と高周波電源とが電気的に接続される。
Although not particularly illustrated, the
このように構成される電圧印加電極4(具体的には、金属電極41)の軸方向の長さ寸法は、プラズマ表面処理装置で処理する被処理体Wの幅寸法L1(図1参照)に応じて決定される。すなわち、金属電極41は、少なくとも被処理体Wの幅寸法L1よりも長くなるように設定され、後述する放電プラズマの噴出口52bから噴き出される放電プラズマが、コンベア2によって搬送される被処理体Wの幅方向全長にわたって噴き付けられるようになっている。
The length dimension in the axial direction of the voltage applying electrode 4 (specifically, the metal electrode 41) configured as described above is equal to the width dimension L1 (see FIG. 1) of the workpiece W to be processed by the plasma surface treatment apparatus. Will be decided accordingly. That is, the
これに対して、接地電極5は、上記電圧印加電極4の対向電極を構成する電極であって、電気的に接地された金属電極51と、電圧印加電極4との対向面を形成する対向面形成部52とを主要部として構成されている。
On the other hand, the
接地電極5を構成する金属電極51は、図2に示すように、装置カバー3の開放された下端部に装着されて、リアクタ部1の底板を兼ねるようになっており、装置カバー3の下端部に嵌合可能な略長方形状の金属製の部材で構成されている。本実施形態では、この金属電極51には、アルミニウム製の板材が用いられ、この板材を後述するように加工することで、金属電極51を構成している。
As shown in FIG. 2, the
金属電極51の上面には、対向面形成部52を装着するための装着溝51aが形成されている。この装着溝51は、図2および図4(a)に示すように、その中央部に下面に貫通する貫通穴が形成された溝であって、この装着溝51に対向面形成部52が嵌合・装着されるようになっている。なお、後述するように、対向面形成部52は、金属製の板材で構成されることから、金属電極51に装着されることによって金属電極51と対向面形成部52とが電気的に接続され、対向面形成部52が金属電極51とともに接地電極5の一部を構成するようになっている。
A mounting
対向面形成部52は、電圧印加電極4の外周面の軸方向全長にわたり、その一部領域(具体的には、下部領域)を収容するための部材であって、電圧印加電極4の下部領域を収容可能な凹状溝52aを有する金属製の部材で構成されている。具体的には、この対向面形成部52は、耐熱性および耐プラズマ性に優れた金属材料(たとえば、ステンレス鋼)で構成されており、この凹状溝52aの内周面が上記電圧印加電極4との電極対向面を構成するようになっている。
The facing
凹状溝52aは、上記電圧印加電極4の円筒状の外周面と対応する断面半円弧状の内周面を有する溝で構成され、この凹状溝52aの軸方向の長さ寸法(図4において紙面と直交する方向の長さ寸法)は電圧印加電極4の長さ寸法よりも長く設定されるとともに、その内径は、上記電圧印加電極4の外径よりもわずかに大きく設定され、凹状溝52aの内側に電圧印加電極4を落とし込むようにして収容できる構造とされている。なお、この凹状溝52aの両端は開放されていてもよいが、本実施形態ではその両端は閉塞するようにしている。すなわち、本実施形態では、この凹状溝52aの形成にあたり、金属製の板材の所定個所を半円柱状に陥没させて凹状溝52aを形成することで、凹状溝52aの両端を閉塞するようにしている。
The
そして、このようにして構成される凹状溝52aに電圧印加電極4を収容する際には、電圧印加電極4の外周面と凹状溝52aの内周面との間に一定間隔の放電空間10が形成されるように、凹状溝52aの両端部などの所定個所にスペーサ(図示せず)が配設される。なお、放電空間10のギャップ(間隔)L2はこのスペーサの厚みによって適宜設定され得るが、本実施形態ではこのギャップL2(図5参照)は1mm程度に設定される。
And when accommodating the
また、凹状溝52aの底部中央には、後述する放電プラズマの噴出口52bとなるスリット状の貫通穴が穿設されている。すなわち、電圧印加電極4と接地電極5との間の放電空間10で生成される放電プラズマはこの噴出口52bを通って放電空間10の外部(つまり、接地電極5の外部)に噴き出されるようになっている。ここで、この噴出口52の幅寸法L3(図5参照)は、たとえば、1〜3mm程度に設定される。なお、本実施形態では、この噴出口52bをスリット状の貫通穴で形成する場合を示したが、噴出口52bは複数の貫通穴で構成されていてもよい。たとえば、直径1mm程度の丸型の貫通穴を千鳥状に配列して噴出口52bを形成することも可能である。また、噴出口52bの長さ寸法は、少なくとも被処理体Wの幅寸法L1と同寸以上に設定される。
In addition, a slit-like through hole serving as a discharge
なお、図において51cは金属電極51を冷却する冷却水の導入孔を示しており、図示しない冷却液の供給源から供給される冷却水がこの導入孔51cを通ることで金属電極51が冷却されるようになっている。
In the figure,
ガス導入部6は、ガスの供給源から供給される処理ガスを放電空間10に均一に導入するための空間を形成するものであって、上記凹状溝52aの外周をとり囲むようにして金属電極51の上面に配設され、処理ガスの導入孔61から導入される処理ガスがガス導入部6内に充満することで、上記放電空間10に処理ガスが均一に導入されるようになっている。
The
しかして、このように構成されるリアクタ部1は、コンベア2の搬送方向Xと直交する向きに搬送路を横断して配置され、放電プラズマの噴出口52b(つまり、金属電極51の下面)がコンベア2によって搬送される被処理体Wと対面するようになっている。
Thus, the
そして、ガス導入部6に処理ガスを導入した状態で、高周波電源からの高周波電力を電圧印加電極4に印加することにより、放電空間10内に導入された処理ガスがプラズマ化され、処理ガスの導入に伴う圧力によって噴出口52bから押し出されるように噴き出され、コンベア2上を搬送される被処理体Wの表面に噴き付けられ、被処理体Wの表面処理が行われる。
Then, by applying the high frequency power from the high frequency power source to the
このように、本発明に係るプラズマ表面処理装置によれば、電圧印加電極4の金属電極51が断面半円弧状の金属板という単純な形状で構成されるので、電圧印加電極5の製造コストを安価に抑えることができる。しかも、接地電極5は、リアクタ部1の底板に兼用されるので、少ない部品点数でリアクタ部1を構成することができ、この点でもリアクタ部1の製造コストを抑制することができる。
Thus, according to the plasma surface treatment apparatus according to the present invention, the
次に、本発明に係るプラズマ表面処理装置の実験例を図6、図7に基づいて説明する。
これらの図に示す実験例は、図9に示す構造のプラズマ表面処理装置(従来品)と本発明に係るプラズマ表面処理装置(本製品)とで、被処理体Wの表面処理(ぬれ性改善)の効果を比べた実験結果である。なお、これらの実験例では、被処理体Wとして、松浪硝子工業株式会社製のカバーガラス(表面処理前の接触角53°)を用いている。また、処理ガスには、窒素(N2)ガスと空気(CDA)の混合ガスを用い、リアクタ部1には電圧印加電極4の幅寸法が730mmのものを使用している。
Next, an experimental example of the plasma surface treatment apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS.
The experimental examples shown in these figures are the surface treatment (wetability improvement) of the workpiece W using the plasma surface treatment apparatus (conventional product) having the structure shown in FIG. 9 and the plasma surface treatment apparatus (this product) according to the present invention. This is an experimental result comparing the effects of). In these experimental examples, the cover glass (contact angle 53 ° before the surface treatment) manufactured by Matsunami Glass Industry Co., Ltd. is used as the workpiece W. In addition, a mixed gas of nitrogen (N 2 ) gas and air (CDA) is used as the processing gas, and the
図6(a)は、被処理体Wの搬送速度による性能を比較したもので、この図に示すように、従来品では表面処理後の接触角を10°以下にするには1分当たりの搬送速度を5m以下にして表面処理を行う必要があるが、本製品では1分当たりの搬送速度を8mにしても表面処理後の接触角は3°近傍と高い数値を示した。このことから、本製品は従来品に比して処理効率が向上していることがわかる。 FIG. 6A is a comparison of performance depending on the conveyance speed of the workpiece W. As shown in this figure, in the conventional product, the contact angle after surface treatment is 10 ° or less per minute. The surface treatment needs to be performed at a conveyance speed of 5 m or less. However, the contact angle after the surface treatment was a high value of around 3 ° even when the conveyance speed per minute was 8 m. From this, it can be seen that the processing efficiency of this product is improved compared to the conventional product.
図6(b)は、処理ガス中の窒素ガスの流量を変化させたときの処理性能(被処理体Wの搬送速度は5m/分に固定)を比較したもので、この図に示すように、従来品では窒素ガスの流量を減らすとそれに伴って処理性能が大幅に低下する(たとえば、窒素ガスの流量を150NL/分にすると接触角が18°近くになる)のに対し、本製品では窒素ガスの流量を減らしても処理性能はわずかに低下する程度で高い処理性能を示している(たとえば、窒素ガスの流量を150NL/分にしても接触角は6°未満を維持している)。このことから、本製品では表面処理効果を損ねることなく処理ガス中の窒素ガスの使用量を削減できることがわかる。 FIG. 6B is a comparison of processing performance when the flow rate of nitrogen gas in the processing gas is changed (the conveyance speed of the workpiece W is fixed at 5 m / min). As shown in FIG. In the conventional product, when the flow rate of nitrogen gas is reduced, the processing performance is greatly reduced (for example, when the flow rate of nitrogen gas is 150 NL / min, the contact angle is close to 18 °), whereas in this product, Even if the flow rate of nitrogen gas is decreased, the processing performance is slightly reduced, and the processing performance is high (for example, the contact angle is maintained below 6 ° even if the flow rate of nitrogen gas is 150 NL / min). . From this, it can be seen that this product can reduce the amount of nitrogen gas used in the processing gas without impairing the surface treatment effect.
図7(a)は、処理ガス中の空気(CDA)の流量を変化させたときの処理性能(被処理体Wの搬送速度は5m/分に固定)を比較したもので、この図に示すように、従来品ではCDAの流量を1NL/分程度にしたときに処理性能が最大(図示例では、接触角が8°弱)となるのに対して、本製品ではCDAの流量を11NL/分としたときに処理性能が最大(図示例では、接触角3°付近)となる。このことから、本製品は処理ガス中の空気の量を増やしても高い処理性能が得られることがわかる。 FIG. 7A shows a comparison of processing performance (the conveyance speed of the workpiece W is fixed at 5 m / min) when the flow rate of air (CDA) in the processing gas is changed, and is shown in this figure. Thus, in the conventional product, the processing performance is maximized when the CDA flow rate is about 1 NL / min (in the illustrated example, the contact angle is less than 8 °), whereas in this product, the CDA flow rate is 11 NL / min. When the minute is set, the processing performance is maximized (in the illustrated example, the contact angle is around 3 °). This shows that this product can achieve high processing performance even if the amount of air in the processing gas is increased.
なお、図7(b)は、処理ガス中の空気(CDA)の流量を変化させたときのオゾン(O3)の濃度(具体的には、噴出口52b直下のオゾン濃度)を比較したもので、この図に示すように、本製品は従来品に比して噴出口52bから噴出されるオゾン濃度が全体的に低くなっている。このことから、オゾンとして検出される濃度が少なくなった分、より多くの酸素ラジカルが生成されていると推測される。そして、この酸素ラジカルの増加により本製品は処理性能が向上したと推測される。
FIG. 7B shows a comparison of ozone (O 3 ) concentration (specifically, ozone concentration immediately below the
このように、本発明に係るプラズマ表面処理装置は、リアクタ部1の製造コストを削減できるだけでなく、被処理体Wの表面処理効果の向上を図りつつ、窒素(N2)ガスの使用量を抑制することができるので、高性能で、かつ、ランニングコストの低いプラズマ表面処理装置を提供することができる。
As described above, the plasma surface treatment apparatus according to the present invention not only reduces the manufacturing cost of the
なお、上述した実施形態はあくまでも本発明の好適な実施態様を示すものであって、本発明はこれらに限定されることなくその範囲内で種々の設計変更が可能である。 Note that the above-described embodiments merely show preferred embodiments of the present invention, and the present invention is not limited to these, and various design changes can be made within the scope thereof.
たとえば、上述した実施形態では、接地電極5を金属電極51と対向面形成部52とで構成した場合を示したが、図4(b)に示すように、金属電極51だけで接地電極5を構成することも可能である。なお、その場合、金属電極51において電圧印加電極4と対面する電極対向面には硬質アルマイト加工を施すなど、耐プラズマ性の向上を図っておくことが好ましい。
For example, in the above-described embodiment, the case where the
また、上述した実施形態では、電圧印加電極4の金属電極41として、断面が半円弧状の金属製パイプを用いた場合を示したが、金属電極41は、固体誘電体42の内周面に嵌合可能な形状(具体的には、接地電極5の凹状溝52aと対向する少なくとも半円弧状の外周面を備えた形状)であれば、たとえば、図8(a)に示すように、断面が円筒状の金属製パイプを用いたり、あるいは、図8(b)に示すように、半円弧状の外周面を有する柱状の金属部材を用いることができる。なお、金属電極41は、固体誘電体42内において接地電極5と対向する面を有していればよいので、図5に示すように、固体誘電体42の内径よりも外径が小さいものを用いることができるのは勿論のこと、固体誘電体42の内径と同寸の外径のものを用いて、金属電極41を固体誘電体42内に密着状に収容させることも可能である。また、金属電極41として図8(b)のような柱状の金属部材を用いる場合、その製作コストを削減するために、冷却水の導通孔は設けずに省略される。
In the above-described embodiment, the case where a metal pipe having a semicircular cross section is used as the
また、上述した実施形態では、電圧印加電極4の固体誘電体42として中空円筒状のセラミックス製パイプを用いた場合を示したが、固体誘電体42は、少なくとも金属電極41において接地電極5と対向する半円弧状の外周面を被覆する構造であればよく、セラミックス製のパイプに代えて、金属電極41の表面(たとえば、金属電極41の全面)に誘電体材料を溶射する構成を採用することができる。たとえば、セラミックス溶射により10μ〜700μ程度の厚さの誘電体層を形成させてこれを固体誘電体とすることも可能である。
In the above-described embodiment, a case where a hollow cylindrical ceramic pipe is used as the
また、上述した実施形態では、接地電極5の金属電極51に冷却水の導入孔51cを設けた場合を示したが、この導入孔51cは省略することも可能である。
In the above-described embodiment, the case where the cooling
また、上述した実施形態では、電圧印加電極4の固体誘電体42として、セラミックス製の中空円筒パイプを用いた場合を示したが、金属電極41を挿入する固体誘電体の材質としてはセラミックスに限らず、ガラスなど他の材質の固体誘電体を用いることも可能である。したがって、たとえば、一体成型されたガラス製の中空円筒パイプの内部に金属電極41を挿入するように構成することもできる。
In the above-described embodiment, the case where a ceramic hollow cylindrical pipe is used as the
また、上述した実施形態では、プラズマ表面処理の対象である被処理体Wがガラスなどの基板である場合を示したが、本発明のプラズマ表面処理装置における表面処理の対象は、基板状のものに限られず、たとえばフィルム、布地など様々なものを被処理体Wとして表面処理を行うことができる。 Further, in the above-described embodiment, the case where the object to be processed W that is an object of plasma surface treatment is a substrate such as glass, but the object of surface treatment in the plasma surface treatment apparatus of the present invention is a substrate-like one. However, the surface treatment can be performed by using various objects such as films and fabrics as the object to be treated W.
さらに、上述した実施形態では、電圧印加電極4の固体誘電体42として一体成形された中空の円筒パイプを用いが、たとえば、縦割りに2分割された円筒パイプを接合して筒状の固体誘電体を形成したもので代用することもできる。ただし、この場合、接合部を介した放電のおそれがあるため、金属電極41において放電を行う部分は当該接合部からできるだけ遠ざかるように構成しておくのが望ましい。
Further, in the above-described embodiment, a hollow cylindrical pipe integrally formed as the
1 リアクタ部
2 コンベア
3 装置カバー
4 電圧印加電極
41 電圧印加電極の金属電極
42 電圧印加電極の固体誘電体
5 接地電極
51 接地電極の金属電極
52 対向面形成部
52b 噴出口
10 放電空間
W 被処理体
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記電圧印加電極は、断面が半円弧状を呈し、かつ、水冷用の冷却水の導入孔のない金属電極と、この金属電極の半円弧状の外周面を被覆する円筒状の固体誘電体とで構成され、前記電圧印加電極の金属電極がその半円弧状の外周面を下向きにして前記円筒状の固体誘電体の内部に収容され、
前記接地電極は、前記電圧印加電極の半円弧状の外周面を収容可能な凹状溝を有し、この凹状溝の内周面が前記電圧印加電極との電極対向面を形成する構造の金属電極で構成され、かつ、この凹状溝の底部に前記電圧印加電極の軸方向に沿って前記放電プラズマの噴出口が形成されるとともに、前記凹状溝が形成される面と反対側の面が前記被処理体と対面するように配置され、前記接地電極が前記リアクタ部の底板を兼ねる
ことを特徴とするプラズマ表面処理装置。 Under a pressure near atmospheric pressure, a discharge plasma obtained by applying a high-frequency electric field while introducing a processing gas between the voltage application electrode and the ground electrode is guided to an object to be processed disposed outside the discharge space. A plasma surface treatment apparatus for performing a surface treatment of the object to be treated , wherein the voltage application electrode and the ground electrode and a gas introduction for introducing a treatment gas between the electrodes into a box-shaped device cover whose bottom is opened And forming the reactor part by accommodating the
The voltage application electrode in cross section exhibits a semi-circular arc, and a metal electrode without introducing hole of the cooling water for water cooling, a cylindrical solid dielectric that covers the outer peripheral surface of the semi-circular metal electrode The metal electrode of the voltage application electrode is accommodated inside the cylindrical solid dielectric with the semicircular arc-shaped outer peripheral surface facing downward,
The ground electrode has a concave groove capable of accommodating the semicircular arc-shaped outer peripheral surface of the voltage application electrode, and a metal electrode having a structure in which an inner peripheral surface of the concave groove forms an electrode facing surface with the voltage application electrode in the configuration, and the ejection port of the discharge plasma along the axial direction of the voltage application electrode on the bottom of the concave groove is formed Rutotomoni, the surface opposite to the surface on which the concave grooves are formed the object A plasma surface processing apparatus, wherein the plasma surface processing apparatus is disposed so as to face a processing body, and the ground electrode also serves as a bottom plate of the reactor section .
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013097342A JP5911178B2 (en) | 2013-05-07 | 2013-05-07 | Plasma surface treatment equipment |
TW102141237A TWI602474B (en) | 2013-05-07 | 2013-11-13 | Plasma surface processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013097342A JP5911178B2 (en) | 2013-05-07 | 2013-05-07 | Plasma surface treatment equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014220056A JP2014220056A (en) | 2014-11-20 |
JP5911178B2 true JP5911178B2 (en) | 2016-04-27 |
Family
ID=51938347
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013097342A Active JP5911178B2 (en) | 2013-05-07 | 2013-05-07 | Plasma surface treatment equipment |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5911178B2 (en) |
TW (1) | TWI602474B (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018179344A1 (en) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 株式会社イーツーラボ | Plasma surface treatment method and plasma surface treatment apparatus |
CN111150858A (en) * | 2020-03-12 | 2020-05-15 | 晋江纳创新环境技术有限公司 | High-pressure sterilization self-cleaning device for metal keys |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3994596B2 (en) * | 1999-10-01 | 2007-10-24 | 松下電工株式会社 | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
JP4011401B2 (en) * | 2002-05-20 | 2007-11-21 | 株式会社神戸製鋼所 | Ion source |
FR2855322B1 (en) * | 2003-05-21 | 2005-07-01 | Air Liquide | DEVICE FOR TREATING SURFACE BY AREA OF AN ARTICLE |
JP3955835B2 (en) * | 2003-07-01 | 2007-08-08 | 株式会社イー・スクエア | Plasma surface treatment apparatus and treatment method thereof |
JP4398330B2 (en) * | 2004-09-02 | 2010-01-13 | 株式会社イー・スクエア | Plasma surface treatment equipment |
JP2009505342A (en) * | 2005-08-11 | 2009-02-05 | フラウンホッファー−ゲゼルシャフト ツァ フェルダールング デァ アンゲヴァンテン フォアシュンク エー.ファオ | Plasma generating apparatus and plasma generating method |
JP5075476B2 (en) * | 2006-05-24 | 2012-11-21 | 株式会社東芝 | Airflow generating apparatus and airflow generating method |
JP5300211B2 (en) * | 2007-05-28 | 2013-09-25 | 株式会社東芝 | Pipe flow control method, pipe element, fluid device, and fluid device system |
JP2009152081A (en) * | 2007-12-20 | 2009-07-09 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Plasma processing device and plasma processing method |
JP2010108665A (en) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Sekisui Chem Co Ltd | Plasma processing device |
TWI384087B (en) * | 2008-12-24 | 2013-02-01 | Ind Tech Res Inst | Atmospheric plasma system and method for fabricating material layer thereby |
JP5340031B2 (en) * | 2009-05-21 | 2013-11-13 | 三菱電機株式会社 | Active particle generator |
JP5940239B2 (en) * | 2009-11-02 | 2016-06-29 | 株式会社イー・スクエア | Plasma surface treatment apparatus and manufacturing method thereof |
CN201986252U (en) * | 2011-01-21 | 2011-09-21 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | Atmosphere low-temperature plasma electric brush generating device and array combination thereof |
CN102811545A (en) * | 2011-05-31 | 2012-12-05 | 株式会社Biemt | Atmospheric-pressure plasma generation device |
-
2013
- 2013-05-07 JP JP2013097342A patent/JP5911178B2/en active Active
- 2013-11-13 TW TW102141237A patent/TWI602474B/en active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014220056A (en) | 2014-11-20 |
TWI602474B (en) | 2017-10-11 |
TW201444420A (en) | 2014-11-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
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