JP5909203B2 - 多結晶シリコン製造用反応炉および多結晶シリコンの製造方法 - Google Patents
多結晶シリコン製造用反応炉および多結晶シリコンの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5909203B2 JP5909203B2 JP2013034637A JP2013034637A JP5909203B2 JP 5909203 B2 JP5909203 B2 JP 5909203B2 JP 2013034637 A JP2013034637 A JP 2013034637A JP 2013034637 A JP2013034637 A JP 2013034637A JP 5909203 B2 JP5909203 B2 JP 5909203B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bell jar
- refrigerant
- polycrystalline silicon
- refrigerant flow
- end plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Description
図6に図示した構造の反応炉(ベルジャの内容積3m3)を用意した。冷媒流路は、仕切り板の配置により、直胴部における流速方向に垂直な断面積が98cm2、鏡板部における流速方向に垂直な断面積が22cm2とした。また、ジャケットは、水を循環させた際、水温が130℃程度まで上昇しても良い耐圧構造とした。
図3を用いて説明した実験結果(表1)を比較例1とした。なお、ベルジャの内容積は3m3であり、冷媒流路は、直胴部と鏡板部の何れにおいても、流速方向に垂直な断面積が98cm2である。また、実施例1と同様の条件により、ベルジャの中央部付近が120〜140℃程度になるよう、冷媒である水を循環させながら、多結晶シリコンの製造工程を実施した。また、冷媒のジャケット入口での温度も実施例1と同様90℃に管理した。
図7に図示した構造の反応炉(ベルジャの内容積3m3)を用意した。冷媒流路は、直胴部と鏡板部の何れにおいても、流速方向に垂直な断面積が22cm2である。また、実施例1と同様の条件により、ベルジャの中央部付近が120〜140℃程度になるよう、冷媒である水を循環させながら、多結晶シリコンの製造工程を実施した。また、冷媒のジャケット入口での温度も実施例1と同様90℃に管理した。
11 ジャケット
12 ベースプレート
13 冷媒導入口
14 冷媒排出口
15 仕切り板
16 冷媒流路
17 多結晶シリコン
Claims (2)
- シーメンス法により多結晶シリコンを製造するための反応炉であって、
前記反応炉を構成するベルジャに、該ベルジャの壁面を冷却するための冷媒流路が設けられており、
該冷媒流路は、前記ベルジャの外壁とジャケットの内壁との間に仕切り板で区画された螺旋状の冷媒流路であって、冷媒がベルジャ直胴部の下部から流入し螺旋状冷媒流路に沿ってベルジャ上部の鏡板部を順次経由してベルジャ頂部から流出するように形成されており、
前記冷媒流路は、ベルジャ上部の鏡板部における冷媒流速がベルジャ直胴部における冷媒流速よりも高くなるように、該冷媒流路の冷媒の流れに垂直な断面を通過する単位時間当たりの冷媒量(V/t)を該断面の面積(S)で除した値(V/(S・t))が、前記ベルジャ上部の鏡板部において前記ベルジャ直胴部よりも大きく構成されている、多結晶シリコン製造用反応炉。 - 請求項1に記載の多結晶シリコン製造用反応炉を用い、前記ベルジャ上部の鏡板部における冷媒流速を、前記ベルジャ直胴部における冷媒流速よりも高く設定した条件で多結晶シリコンの析出反応を行う、多結晶シリコンの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013034637A JP5909203B2 (ja) | 2013-02-25 | 2013-02-25 | 多結晶シリコン製造用反応炉および多結晶シリコンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013034637A JP5909203B2 (ja) | 2013-02-25 | 2013-02-25 | 多結晶シリコン製造用反応炉および多結晶シリコンの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014162674A JP2014162674A (ja) | 2014-09-08 |
JP5909203B2 true JP5909203B2 (ja) | 2016-04-26 |
Family
ID=51613621
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013034637A Active JP5909203B2 (ja) | 2013-02-25 | 2013-02-25 | 多結晶シリコン製造用反応炉および多結晶シリコンの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5909203B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01110230U (ja) * | 1988-01-21 | 1989-07-25 | ||
JP3603784B2 (ja) * | 2000-12-14 | 2004-12-22 | 日産自動車株式会社 | 回転電機 |
JP5655429B2 (ja) * | 2009-08-28 | 2015-01-21 | 三菱マテリアル株式会社 | 多結晶シリコンの製造方法、製造装置及び多結晶シリコン |
JP5308288B2 (ja) * | 2009-09-14 | 2013-10-09 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン製造用反応炉、多結晶シリコン製造システム、および多結晶シリコンの製造方法 |
US9315895B2 (en) * | 2010-05-10 | 2016-04-19 | Mitsubishi Materials Corporation | Apparatus for producing polycrystalline silicon |
-
2013
- 2013-02-25 JP JP2013034637A patent/JP5909203B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014162674A (ja) | 2014-09-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5648575B2 (ja) | 多結晶シリコン製造装置 | |
JP5719282B2 (ja) | 多結晶シリコンの製造方法 | |
KR101678265B1 (ko) | 다결정 실리콘 제조 장치 및 다결정 실리콘의 제조 방법 | |
JP5699060B2 (ja) | 多結晶シリコンの製造方法 | |
US10858258B2 (en) | Reaction furnace for producing polycrystalline silicon, apparatus for producing polycrystalline silicon, method for producing polycrystalline silicon, and polycrystalline silicon rod or polycrystalline silicon ingot | |
JP6370232B2 (ja) | 多結晶シリコンロッドの製造方法 | |
JP5579634B2 (ja) | 多結晶シリコン製造用反応炉および多結晶シリコンの製造方法 | |
JP5909203B2 (ja) | 多結晶シリコン製造用反応炉および多結晶シリコンの製造方法 | |
JP5917359B2 (ja) | 多結晶シリコン製造用原料ガスの供給方法および多結晶シリコン | |
CN216738629U (zh) | 一种单晶硅棒生产用水冷屏 | |
JP2016510305A (ja) | 多結晶シリコンの堆積法 | |
JP5859626B2 (ja) | 多結晶シリコン製造装置および多結晶シリコンの製造方法 | |
JP5398696B2 (ja) | ウェットエッチング装置 | |
JP2013082614A (ja) | 多結晶シリコンを析出させるための装置及び方法 | |
KR20130138026A (ko) | 폴리실리콘 제조용 자켓 어셈블리 | |
JP2017190283A (ja) | 多結晶シリコン製造装置及び製造方法 | |
KR20140008484A (ko) | 실리콘의 정련 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150224 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160105 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160209 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160301 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160325 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Ref document number: 5909203 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |