JP5908671B2 - 有機発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、有機発光表示装置及びその製造方法に関し、特に、画素定義膜と画素電極との間のエッジ不良を防止できる有機発光表示装置及びその製造方法に関する。
通常、平板表示装置は、発光型と受光型とに大別されうる。発光型としては、平板負極線管と、プラズマディスプレイパネル(ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ)と、電界発光素子と、発光ダイオード(ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ)と、がある。受光型としては、液晶ディスプレイ(ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ)が挙げられる。この中で、電界発光素子は、視野角が広く、コントラストが良好であるだけでなく、応答速度が速いという長所を有し、次世代表示素子として注目されている。かかる電子発光素子は、発光層を形成する物質によって、無機電界発光素子と有機電界発光素子とに区分される。
この中で、有機電界発光素子を用いたディスプレイは、蛍光性有機化合物を電気的に励起させて発光させる自発光型ディスプレイであって、低い電圧で駆動可能であり、薄型化が容易であり、広視野角、速い応答速度など、液晶ディスプレイにおいて問題点として指摘されることを解決できる次世代ディスプレイとして注目されている。
有機電界発光素子は、アノード電極とカソード電極との間に有機物からなる発光層を備えている。有機電界発光素子は、これらの電極に正極及び負極電圧がそれぞれ印加されることによって、アノード電極から注入された正孔(ｈｏｌｅ）が正孔輸送層を経由して発光層に移動し、電子は、カソード電極から電子輸送層を経由して発光層に移動し、発光層で電子と正孔とが再結合して励起子を生成する。
この励起子が励起状態から基底状態に変化するにつれて、発光層の蛍光性分子が発光することによって、画像が形成される。フルカラー型有機電界発光素子の場合には、赤(Ｒ)、緑(Ｇ)、青(Ｂ)の三色を発光する画素を備えることによって、フルカラー表示が実現される。
このような有機電界発光素子において、アノード電極の両端部には、画素定義膜が形成される。そして、この画素定義膜に所定の開口を形成した後、開口が形成されることによって外部に露出されたアノード電極の上部に発光層及びカソード電極が順次形成される。
本発明が解決しようとする課題は、画素定義膜と画素電極との間のエッジ不良を防止できる有機発光表示装置及びその製造方法を提供することである。
上記課題を解決するために、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置は、基板と、基板上に配され、相互に断線された第１パターン部及び第２パターン部を有する画素電極と、上記基板上に配され、上記画素電極を露出させる画素定義部と、上記画素電極上に配され、光を発生させる中間層と、上記中間層及び上記画素定義膜上に配される対向電極と、を備える。
上記実施形態において、上記第１パターン部と上記第２パターン部とは、相互に離隔されて断線されうる。
上記実施形態において、上記第２パターン部は、上記第１パターン部の外郭に配されうる。
上記実施形態において、上記第２パターン部は、上記第１パターン部と離隔され、上記第１パターン部を取り囲むように配されうる。
上記実施形態において、上記第２パターン部は、上記第１パターン部のコーナーに配され、上記第１パターン部と離隔されうる。
上記実施形態において、上記第２パターン部は、上記第１パターン部の互いに対向する辺に配され、上記第１パターン部と離隔されうる。
上記実施形態において、上記第１パターン部上に位置する上記中間層は発光し、上記第２パターン部上に位置する上記中間層は発光しなくてもよい。
上記実施形態において、上記中間層は、インクジェット方式で形成されうる。
上記実施形態において、上記基板と上記画素電極との間に配され、上記画素電極と電気的に連結される画素回路部と、上記画素回路部と上記画素電極との間に配される絶縁層と、をさらに備えうる。
上記実施形態において、上記画素回路部は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）でありうる。
上記実施形態において、上記画素回路部は、上記画素定義膜に対応するように上記基板上に配されうる。
上記実施形態において、上記画素回路部は、上記画素電極に対応するように上記基板上に配されうる。
また、本発明の別の実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法は、基板上に画素電極を形成する工程と、上記画素電極を相互に断線された第１パターン部と第２パターン部とに分離する工程と、上記画素電極の一部を露出させるように、画素定義膜を形成する工程と、上記画素電極上に中間層を形成する工程と、上記画素定義膜及び上記画素電極上に対向電極を形成する工程と、を含みうる。
上記実施形態において、上記第１パターン部と上記第２パターン部とは、フォト工程によって形成されうる。
上記実施形態において、上記第１パターン部と上記第２パターン部とは、相互に離隔されて断線されうる。
上記実施形態において、上記第２パターン部は、上記第１パターン部の外郭に配されうる。
上記実施形態において、上記第２パターン部は、上記第１パターン部と離隔され、上記第１パターン部を取り囲むように配されうる。
上記実施形態において、上記第２パターン部は、上記第１パターン部のコーナーに配され、上記第１パターン部と離隔されうる。
上記実施形態において、上記第２パターン部は、上記第１パターン部の互いに対向する辺に配され、上記第１パターン部と離隔されうる。
上記実施形態において、上記第１パターン部上に位置する上記中間層は発光し、上記第２パターン部上に位置する上記中間層は発光しなくてもよい。
上記実施形態において、上記中間層は、インクジェット方式で形成されうる。
上記実施形態において、上記画素電極の形成前に、上記基板上に画素回路部を形成する工程と、上記画素回路部を覆うように絶縁層を形成する工程と、上記画素回路部の一部が露出されるように、上記絶縁層にコンタクトホールを形成する工程と、をさらに含み、上記画素電極は、上記コンタクトホールを通じて上記画素回路部と電気的に連結されうる。
上記実施形態において、上記画素回路部は、ＴＦＴでありうる。
上記実施形態において、上記画素回路部は、上記画素定義膜に対応するように上記基板上に配されうる。
上記実施形態において、上記画素回路部は、上記画素電極に対応するように上記基板上に配されうる。
以上説明したように本発明によれば、画素電極と画素定義膜との境界部で発生するエッジ不良を防止することができる。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
図１は、本発明の一実施形態に係る画素回路部１０を示した断面図である。図１を参照すると、本発明の一実施形態に係る画素回路部１０は、薄膜トランジスタ(Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ)でありうる。ＴＦＴは、基板２０上に備えられうる。基板２０には、ガラス材の基板またはプラスチック材の基板が用いられうる。
基板２０上にはバッファ層２１が形成され、バッファ層２１上には半導体素材で形成された活性層２２が設けられ、この活性層２２を覆うようにゲート絶縁膜２３が形成される。ゲート絶縁膜２３の上部にはゲート電極２４が形成され、ゲート電極２４を覆うように層間絶縁膜２５が形成され、層間絶縁膜２５の上部にソース／ドレイン電極２６，２７が形成される。ソース／ドレイン電極２６，２７は、ゲート絶縁膜２３及び層間絶縁膜２５に形成されたコンタクトホール２８によって活性層２２のソース／ドレイン領域２２ｂ，２２ｃにそれぞれ接触する。
基板２０上に設けられる活性層２２は、無機半導体または有機半導体から選択されて形成されうるものであって、ソース／ドレイン領域２２ｂ，２２ｃにｎ型またはｐ型の不純物がドーピングされており、これらのソース領域及びドレイン領域を連結するチャネル領域２２ａを備える。
活性層２２を形成する無機半導体は、ＣｄＳ、ＧａＳ、ＺｎＳ、ＣｄＳｅ、ＣａＳｅ、ＺｎＳｅ、ＣｄＴｅ、ＳｉＣ、及びＳｉを含みうる。
そして、活性層２２を形成する有機半導体には、高分子系材料として、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリパラフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリパラフェニレン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、ポリチオフェンビニレン及びその誘導体、ポリチオフェン−ヘテロ環芳香族共重合体及びその誘導体が含まれうる。また、低分子系材料として、ペンタセン、テトラセン、ナフタレンのオリゴアセン及びこれらの誘導体、アルファ(α)−６−チオフェン、アルファ(α)−５−チオフェンのオリゴチオフェン及びこれらの誘導体、金属を含有するかまたは含有していないフタロシアニン及びこれらの誘導体、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ：Ｐｙｒｏｍｅｌｌｉｔｉｃ Ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ）またはピロメリット酸ジイミド及びこれらの誘導体、ぺリレンテトラカルボン酸二無水物（ＰＴＣＤＡ：Ｐｅｒｙｌｅｎｅ Ｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ Ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ）またはぺリレンテトラカルボン酸ジイミド及びこれらの誘導体が含まれうる。
活性層２２は、ゲート絶縁膜２３に覆われ、ゲート絶縁膜２３の上部にゲート電極２４が形成される。ゲート電極２４は、ＭｏＷ、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｌ／Ｃｕなどの導電性金属膜で形成されうるが、必ずしもこれらに限定されず、導電性ポリマーなど多様な導電性物質がゲート電極２４に用いられうる。ゲート電極２４は、活性層２２のチャネル領域に対応する領域をカバーするように形成される。
図２は、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置１００の平面図である。図２を参照すると、有機発光表示装置１００は、画素領域３０と、画素領域３０のエッジにある回路領域４０とで構成される。
画素領域３０は、複数の画素を備え、各画素は、所定の画像を具現するように発光する発光部を備える。本発明の一実施形態によれば、発光部は、有機電界発光素子をそれぞれ備えた複数の副画素で形成されている。有機発光表示装置１００がフルカラー有機発光表示装置である場合には、赤色(Ｒ)、緑色(Ｇ)及び青色(Ｂ）の副画素が、ライン状、モザイク状、または格子状など多様なパターンで配列されて画素を構成する。なお、有機発光表示装置１００は、フルカラー平板表示装置ではなくモノカラー平板表示装置であってもよい。
また、回路領域４０は、画素領域３０に入力される画像信号を制御する。
このような有機発光表示装置において、画素領域３０と回路領域４０とには、それぞれ少なくとも一つ以上のＴＦＴが設置されうる。
画素領域３０に設置されるＴＦＴとしては、ゲートラインの信号によって発光素子にデータ信号を伝達し、その動作を制御するスイッチング用ＴＦＴや、データ信号によって有機電界発光素子に所定の電流が流れるように駆動させる駆動用ＴＦＴなど、画素部ＴＦＴがある。そして、回路領域４０に設置されるＴＦＴには、所定の回路を具現するように備えられた回路部ＴＦＴがある。
もちろん、このようなＴＦＴの数及び配置は、ディスプレイの特性及び駆動方法によって多様な数が存在し、その配置方法も、多様に存在しうる。
図３は、図２の有機発光表示装置のうち、一の副画素を示した平面図であり、図４は、図３の副画素のＩ−Ｉ線断面図であり、図５は、図３の副画素のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
図３〜図５を参照すると、ガラス材またはプラスチック材の基板１０１上にバッファ層５１が形成されており、この上に画素回路部５０と、有機電界発光素子（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）とが形成されうる。画素回路部５０は、トップゲート、ボトムゲートなど多様な形態のＴＦＴでありうる。
基板１０１のバッファ層５１上に所定のパターンの活性層５２が設けられる。活性層５２の上部にはゲート絶縁膜５３が備えられ、ゲート絶縁膜５３の上部の所定の領域にはゲート電極５４が形成される。ゲート電極５４は、ＴＦＴのオン／オフ信号を印加するゲートライン(図示せず)と連結されている。ゲート電極５４の上部には層間絶縁膜５５が形成され、ソース／ドレイン電極５６，５７がそれぞれコンタクトホール５６ａ，５７ａを通じて活性層５２のソース／ドレイン領域５２ｂ，５２ｃに接するように形成される。ソース／ドレイン電極５６，５７の上部には絶縁層が形成されうる。絶縁層は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘからなるパッシベーション膜５８と、パッシベーション膜５８の上部のアクリル、ポリイミド、ＢＣＢ(Ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ)などの有機物質からなる平坦化膜５９とでありうる。
そして、平坦化膜５９の上部にＯＬＥＤのアノード電極となる画素電極１６１が形成され、これを覆うように画素定義膜１６０が形成される。画素定義膜１６０は、有機物で形成されうる。画素回路部５０は、画素定義膜１６０に対応する基板１０１上に形成されうる。
画素定義膜１６０に所定の開口を形成した後、画素定義膜１６０の端部、及び開口が形成されることによって外部に露出された画素電極１６１の上部に、中間層１６２を形成する。ここで、中間層１６２は、発光層を備える。なお、本発明は、必ずしもこのような構造に限定されず、多様な有機発光表示装置の構造がそのまま適用されうる。
ＯＬＥＤは、電流の流れによって赤、緑、青色の光を発光して所定の画像情報を表示するものであって、ＴＦＴのドレイン電極５７に連結され、これからプラス(＋)電源を供給される画素電極１６１と、全体画素を覆うように備えられ、マイナス(−)電源を供給する対向電極１６３と、これらの画素電極１６１と対向電極１６３との間に配されて発光する中間層１６２と、で構成される。
画素電極１６１と対向電極１６３とは、中間層１６２によって相互に絶縁されており、中間層１６２に異なる極性の電圧を加えて中間層１６２から発光させる。
ここで、中間層１６２には、低分子または高分子の有機層が用いられうるが、低分子有機層を用いる場合、ホール注入層(ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ)、ホール輸送層(ＨＴＬ：Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ)、発光層(ＥＭＬ：Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｌａｙｅｒ)、電子輸送層(ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ)、電子注入層(ＥＩＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ)が単一あるいは複合の構造で積層されて形成され、使用可能な有機材料も、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ)、Ｎ，Ｎ−ジ(ナフタレン−１−イル)−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−ベンジジン(ＮＰＢ)、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム(Ａｌｑ３)を始めとして、多様に適用可能である。これらの低分子有機膜は、真空蒸着の方法で形成されうる。
一方、高分子有機層を用いる場合、中間層１６２は、ホール輸送層(ＨＴＬ)及び発光層(ＥＭＬ)が備えられた構造を有し、この時、ホール輸送層にＰＥＤＯＴ（Ｐｏｌｙ(３，４−Ｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ)）を使用し、発光層にＰＰＶ(Ｐｏｌｙ−Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ Ｖｉｎｙｌｅｎｅ)系及びポリフルオレン系など、高分子有機物質を使用し、これをスクリーン印刷やインクジェット印刷方法で形成しうる。
なお、中間層１６２は、必ずしも上記の構成には限定されず、多様な実施形態が適用されうる。
中間層１６２は、インクジェット方式で形成されうる。また、中間層１６２は、スピンコーティング法で形成されてもよい。
画素電極１６１は、アノード電極として機能し、対向電極１６３は、カソード電極として機能するが、もちろん、これらの画素電極１６１及び対向電極１６３の極性は、逆であってもよい。
画素電極１６１は、透明電極または反射型電極で実現されうるが、透明電極として実現される場合には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３が用いられ、反射型電極として実現される場合には、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、及びこれらの化合物で反射膜を形成した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３が形成されうる。
また、画素電極１６１は、相互に断線された第１パターン部１６１ａと第２パターン部１６１ｂとで形成されうる。第１パターン部１６１ａと第２パターン部１６１ｂとの間には、間隔ｇが存在し、間隔ｇによって、第１パターン部１６１ａと第２パターン部１６１ｂとは、相互に電気的に断線される。図３に示したように、第２パターン部１６１ｂは、第１パターン部１６１ａの外郭に配され、第１パターン部１６１ａを取り囲むように配されうる。図３には、間隔ｇの形状が“□”状であるが、本発明は、これに限定されず、間隔ｇが“○”状である場合のように、第２パターン部１６１ｂが第１パターン部１６１ａを取り囲む多様な形態が可能である。
第１パターン部１６１ａと第２パターン部１６１ｂとは、フォト工程によって形成されうる。例えば、平坦化膜５９上に画素電極１６１が形成される金属層を蒸着し、フォト工程によって第１パターン部１６１ａと第２パターン部１６１ｂとがパターニングされうる。
第１パターン部１６１ａは、コンタクトホール５９ａを通じて画素回路部５０と連結される。すなわち、第１パターン部１６１ａは、画素回路部５０であるＴＦＴのドレイン電極５７に連結され、これからプラス(＋)電源を供給される。しかし、第２パターン部１６１ｂは、第１パターン部１６１ａと断線されているので、電源を供給されない。したがって、第１パターン部１６１ａ上に配された中間層１６２では発光するが、第２パターン部１６１ｂ上に配された中間層１６２では発光しない。より詳細には、中間層１６２は、画素電極１６１、すなわち第１パターン部１６１ａ及び第２パターン部１６１ｂ上に配されうる。しかし、第１パターン部１６１ａと第２パターン部１６１ｂとは、相互に断線されており、第１パターン部１６１ａのみに電源が供給されるので、第１パターン部１６１ａ上に配された中間層１６２からは発光し、第２パターン部１６１ｂ上に配された中間層１６２からは発光しない。
発光層を備える中間層１６２は、画素定義膜１６０によって露出された画素電極１６１上に形成される。画素定義膜１６０と画素電極１６１との表面エネルギー差によって、画素定義膜１６０と画素電極１６１との境界部Ａでは、中間層１６２が画素電極１６１の中央部に配される中間層１６２よりも薄く形成されるか、または形成されない。このように、中間層１６２が上記境界部Ａで薄く形成されるかまたは形成されないことによって、境界部Ａでの発光が弱いか、または発光しないエッジ不良が発生する。本発明の一実施形態は、画素電極１６１の外郭部、すなわち、画素定義膜１６０に隣接した第２パターン部１６１ｂを、画素電極１６１の中央部に配された第１パターン部１６１ａと断線させて、上記のようなエッジ不良を防止しうる。第１パターン部１６１ａは、上記境界部Ａのように、画素定義膜１６０との表面エネルギー差が発生しないので、第１パターン部１６１ａ上に配される中間層１６２の厚さは一定に形成され、したがって、副画素で均一な輝度の発光がなされうる。
一方、対向電極１６３も、透明電極または反射型電極として実現されうるが、透明電極として実現される場合は、対向電極１６３がカソード電極として用いられるので、仕事関数の小さい金属、例えばＬｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ、及びこれらの化合物が中間層１６２の方向に向くように蒸着した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３などの透明電極形成用物質で補助電極層やバス電極ラインが形成されうる。一方、反射型電極として実現される時には、上記Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ、及びこれらの化合物を全面蒸着して形成されうる。
図６〜図９は、本発明の他の変形例を示す平面図である。
図６〜図９には、第２パターン部１６１ｂが第１パターン部１６１ａの外郭部に形成される変形例が示されている。
図６を参照すると、第２パターン部１６１ｂと第１パターン部１６１ａとの間には、“コ”の字状の間隔が形成される。
図７を参照すると、第２パターン部１６１ｂは、画素電極１６１のコーナーに配され、第２パターン部１６１ｂと第１パターン部１６１ａとの間に間隔ｇが存在する。
図８及び図９を参照すると、第２パターン部１６１ｂは、画素電極１６１の相互に対向する辺に配されうる。例えば、図８のように、第２パターン部１６１ｂが第１パターン部１６１ａの左右の辺で間隔ｇに離隔されて配されてもよく、図９のように、第２パターン部１６１ｂが第１パターン部１６１ａの上下の辺で間隔ｇに離隔されて配されうる。
図１０は、本発明のさらに他の実施形態による有機発光表示装置を示す平面図であり、図１１は、図１０の副画素のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。
図１０及び図１１に示された本発明のさらに他の実施形態による有機発光表示装置は、図３に示された有機発光表示装置と画素回路部５０との位置が異なる。すなわち、図１０及び図１１を参照すれば、画素回路部５０は、画素電極１６１に対応するように、基板１０１上に配される。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
本発明は、表示装置関連の技術分野に好適に適用可能である。
２０，１０１ 基板
２１，５１ バッファ層
２２，５２ 活性層
２３，５３ ゲート絶縁膜
２４，５４ ゲート電極
２５，５５ 層間絶縁膜
２６，５６ ソース電極
２７，５７ ドレイン電極
５８ パッシベーション膜
５９ 平坦化膜
６０，１６０ 画素定義膜
６１，１６１ 画素電極
６２，１６２ 中間層
６３，１６３ 対向電極
１００ 有機発光表示装置
１６１ａ，１６１ｂ 第１及び第２パターン部
２１，５１ バッファ層
２２，５２ 活性層
２３，５３ ゲート絶縁膜
２４，５４ ゲート電極
２５，５５ 層間絶縁膜
２６，５６ ソース電極
２７，５７ ドレイン電極
５８ パッシベーション膜
５９ 平坦化膜
６０，１６０ 画素定義膜
６１，１６１ 画素電極
６２，１６２ 中間層
６３，１６３ 対向電極
１００ 有機発光表示装置
１６１ａ，１６１ｂ 第１及び第２パターン部
Claims (16)
- 基板と、
前記基板上に配され、相互に離隔されて断線された第１パターン部と第２パターン部とを有する画素電極と、
前記基板上に配され、前記画素電極の少なくとも前記第１パターン部の全域を露出させる画素定義膜と、
前記画素電極上に配され、光を発生させる中間層と、
前記中間層及び前記画素定義膜上に配される対向電極と、
前記基板と前記画素電極との間に配され、前記画素電極と電気的に連結される画素回路部と、を備え、
前記第２パターン部は、前記第１パターン部を取り囲むように配され、
前記画素回路部は、前記第１パターン部及び前記第２パターン部のうち、前記第１パターン部とのみ電気的に連結され、
前記第１パターン部上に位置する前記中間層は発光し、前記第２パターン部上に位置する前記中間層は発光しない、
ことを特徴とする有機発光表示装置。 - 前記第２パターン部は、多角形形状を有する前記第１パターン部のコーナーに配されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
- 前記第２パターン部は、多角形形状を有する前記第１パターン部の互いに対向する辺に配されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
- 前記画素回路部と前記画素電極との間に配される絶縁層、をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
- 前記画素回路部は、薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
- 前記画素回路部は、前記画素定義膜に対応するように前記基板上に配されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
- 前記画素回路部は、前記画素電極に対応するように前記基板上に配されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
- 基板上に画素回路部を形成する工程と、
前記基板上に画素電極を形成する工程と、
前記画素電極を相互に離隔されて断線された第１パターン部と第２パターン部とに分離する工程と、
前記画素電極の少なくとも前記第１パターン部の全域を露出させるように、画素定義膜を形成する工程と、
前記画素電極上に中間層を形成する工程と、
前記画素定義膜及び前記画素電極上に対向電極を形成する工程と、を含み、
前記第２パターン部は、前記第１パターン部を取り囲むように配され、
前記画素回路部は、前記第１パターン部及び前記第２パターン部のうち、前記第１パターン部とのみ電気的に連結され、
前記第１パターン部上に位置する前記中間層は発光し、前記第２パターン部上に位置する前記中間層は発光しない、
ことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。 - 前記第１パターン部と前記第２パターン部とは、フォト工程によって形成されることを特徴とする請求項８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記第２パターン部は、多角形形状を有する前記第１パターン部のコーナーに配されることを特徴とする請求項８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記第２パターン部は、多角形形状を有する前記第１パターン部の互いに対向する辺に配されることを特徴とする請求項８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記中間層は、インクジェット方式で形成されることを特徴とする請求項８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記画素電極の形成前であって前記画素回路部の形成後に、
前記画素回路部を覆うように、絶縁層を形成する工程と、
前記画素回路部の一部が露出されるように、前記絶縁層にコンタクトホールを形成する工程と、をさらに含み、
前記画素電極は、前記コンタクトホールを通じて前記画素回路部と電気的に連結されることを特徴とする請求項８に記載の有機発光表示装置の製造方法。 - 前記画素回路部は、薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記画素回路部は、前記画素定義膜に対応するように前記基板上に配されることを特徴とする請求項８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記画素回路部は、前記画素電極に対応するように前記基板上に配されることを特徴とする請求項８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
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