JP5893252B2 - 微細構造体の製造方法 - Google Patents
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Description
前記第2の絶縁層は、前記オルガノポリシロキサンの前駆体を気化させ、気相にて加水分解と重縮合によって形成されることを特徴とする。
(2)前記凹部の少なくとも側壁及び底部に、下記の化学式(1)および化学式(2)
(4)前記シード層を形成した前記凹部に電気めっきにより金属を充填してめっき層を形成する第4工程。
まず、図1(a)に示す様に、シリコン2をエッチングして形成された凹部3および凸部12のうち前記凸部12の少なくとも頂上部4に第1の絶縁層5が設けられた基板1を用意する第1工程について説明する。
次に、図1(b)に示す様に、前記凹部3の少なくとも側壁6及び底部7に、下記の化学式(1)および化学式(2)
次に、図1(c)に示す様に、前記第2の絶縁層8を形成した前記凹部3の底部7に金属を有するシード層10を形成する第3工程について説明する。
次に、図1(d)に示す様に、前記シード層10を形成した前記凹部3に電気めっきにより金属を充填してめっき層9を形成する第4工程について説明する。
図2は、本発明の実施例1の微細構造体の製造方法を示す工程図である。本実施例は図2を用いて説明する。本実施例では両面ミラーの直径が100mm(4インチ)で厚さ525μmのシリコンウエハを用いる(図2(a))。第1の絶縁層5としてSiO2を用い、1050℃で4時間のウェット熱酸化によって、シリコンウエハの表裏にそれぞれ1.0μm程度のSiO2層を形成した(図2(b))。
本比較例では、シリコンの凸部の頂上部に第1の絶縁層が設けられていないこと以外は実施例1と同様な高さ約65μmで2μmφのシリコンの格子が4μmピッチで配置されたシリコンの構造体を基板として用いた。実施例1と同様にモノメチルポリシロキサンからなる第2の絶縁を形成した。電子ビーム蒸着装置にてシード層のクロム、金の順番でそれぞれ約7.5nm、約50nm成膜した。これによりシリコンの凹部の底部に第2の絶縁を介してシード層が形成された。
本比較例では、凹部の側壁及び底部にモノメチルポリシロキサンからなる第2の絶縁層を形成しなかったこと以外は、実施例1と同様に金のめっきを行った。めっき開始から4時間後に停止し、断面を確認したところ、凹部の側壁からめっきが析出しておりボイドが確認された。
図3は、本発明の実施例2の微細構造体の製造方法を示す工程図である。本実施例は図3を用いて説明する。本実施例では両面ミラーの両面ミラーの直径が100mm(4インチ)で厚さ525μmのシリコンのウエハを用いる。シリコンウエハ上に200nm厚のCr膜を電子ビーム蒸着法で成膜する。その上にポジ型レジストを塗布し、半導体フォトリソグラフィにて2μmφのパターンが4μmのピッチで2次元状に配置されたレジストパターンを形成する。その後、露出したCrをCrエッチング水溶液にてエッチングし、シリコン表面を露出させる。
図1に示す製造方法で行った。本実施例では両面ミラーの直径が100mm(4インチ)で厚さ525μmのシリコンウエハを用いる。第1の絶縁層5としてフォトレジストを用い、シリコンウエハ上に半導体フォトリソグラフィにて2μmφのパターンが4μmのピッチで2次元状に配置された高さ7μmのレジストパターンを形成する。
次に、X線タルボ干渉法を用いた撮像装置について図4を用いて説明する。図4は、前述の実施形態または実施例で製造した微細構造体をX線吸収格子として用いた撮像装置の構成図である。
2 シリコン
3 凹部
4 頂上部
5 第1の絶縁層
6 側壁
7 底部
8 第2の絶縁層
9 めっき層
10 シード層
11 微細構造体
12 凸部
Claims (5)
- 微細構造体の製造方法であって、シリコンをエッチングして形成された凹部および凸部のうち前記凸部の少なくとも頂上部に第1の絶縁層が設けられた基板を用意する工程と、前記凹部の少なくとも側壁及び底部に、下記の化学式(1)および化学式(2)
(R1、R2、R3は、互いに同じかまたは異なるアルキル基を表す。)で表される基の少なくとも1つを含むオルガノポリシロキサンを有する第2の絶縁層を形成する工程と、前記第2の絶縁層を形成した前記凹部の底部に金属を有するシード層を形成する工程と、前記シード層を形成した前記凹部に電気めっきにより金属を充填してめっき層を形成する工程と、を有し、
前記第2の絶縁層は、前記オルガノポリシロキサンの前駆体を気相にて加水分解と重縮合することによって形成されることを特徴とする微細構造体の製造方法。 - 前記オルガノポリシロキサンの前駆体がシランカップリング剤であることを特徴とする請求項1に記載の微細構造体の製造方法。
- 前記第1の絶縁層がSiO2であることを特徴とする請求項1又は2に記載の微細構造体の製造方法。
- 前記めっき層の金属が金もしくは金の合金であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の微細構造体の製造方法。
- 前記凹部のアスペクト比(高さh/横幅w)が5以上である請求項1乃至4のいずれかの項に記載の微細構造体の製造方法。
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