JP5884611B2 - 電子装置 - Google Patents

電子装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5884611B2
JP5884611B2 JP2012089232A JP2012089232A JP5884611B2 JP 5884611 B2 JP5884611 B2 JP 5884611B2 JP 2012089232 A JP2012089232 A JP 2012089232A JP 2012089232 A JP2012089232 A JP 2012089232A JP 5884611 B2 JP5884611 B2 JP 5884611B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit board
printed circuit
layer
heat
insulating layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2012089232A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013219227A (ja
Inventor
岳史 石川
岳史 石川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP2012089232A priority Critical patent/JP5884611B2/ja
Publication of JP2013219227A publication Critical patent/JP2013219227A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5884611B2 publication Critical patent/JP5884611B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/4847Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/4901Structure
    • H01L2224/4903Connectors having different sizes, e.g. different diameters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1306Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]

Landscapes

  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

本発明は、プリント基板の一面に設けられた発熱部品の熱を、プリント基板を貫通する熱伝導経路を介してプリント基板の他面側にて放熱するようにした電子装置に関する。
一般に、この種の電子装置としては、一面と他面とが表裏の関係にある樹脂をベースとするプリント基板と、プリント基板の一面側に搭載された発熱部品と、発熱部品にて発生する熱をプリント基板の一面側から他面側へ伝導する熱伝導経路と、を備えたものが、提案されている(たとえば、特許文献1参照)。ここで、熱伝導経路は、プリント基板の一面から他面まで貫通するようにプリント基板に設けられたものであり、たとえば放熱ビア等よりなる。
これは、プリント基板を構成するエポキシ樹脂等の樹脂は熱伝導性が不十分であるため、プリント基板の構成樹脂よりも熱伝導性に優れたCu等の材料よりなる熱伝導経路を、プリント基板内に設けたものである。
この場合、従来では、プリント基板の他面側に露出する熱伝導経路の端部に対して、ヒートシンクや金属製筺体等の放熱部材を接触させることにより、発熱部品の熱を、熱伝導経路を介してプリント基板の他面側にて放熱するようにしている。
ここで、熱伝導経路は、通常Cu等の金属よりなる導電性のものであるため、発熱部品の電位が、熱伝導経路を介してプリント基板の他面側に露出するのを防止しつつ、熱伝導経路による放熱を行う必要がある。つまり、熱伝導経路を介して、発熱部品と放熱部材とが電気的に接続されることを防止する必要がある。
そのため、従来では、プリント基板の他面側に露出する熱伝導経路の端部と上記放熱部材との間に、熱伝導性且つ電気絶縁性を有する厚いシートを介在させた状態で、当該熱伝導経路の端部と上記放熱部材とを接触させるようにしている。
特開2006−73655号公報
しかしながら、上記従来の場合、熱伝導性且つ電気絶縁性を有する厚いシートを用いるため、当該シートの厚さ分、電子装置の体格の増大化を招いたり、当該シートを組み付けるための手間がかかったりする等の問題が生じる。
また、当該シートを用いずに、プリント基板を構成する樹脂によって、プリント基板の他面側に露出しようとする熱伝導経路の端部を封止することも考えられるが、このプリント基板のベースとなる樹脂では、熱伝導性が不十分であり、放熱性の低下を招く恐れがある。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、プリント基板の一面に設けた発熱部品の熱を、プリント基板を貫通する熱伝導経路を介してプリント基板の他面側にて放熱するようにした電子装置において、厚いシートを介在させることなく、プリント基板の他面側にて熱伝導経路と放熱部材とを接触させ、プリント基板の一面側の発熱部品の熱を、熱伝導経路を介して他面側から適切に放熱できるようにすることを目的とする。
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、一面(10a)と他面(10b)とが表裏の関係にある樹脂をベースとするプリント基板(10)と、プリント基板の一面側に搭載された発熱部品(20)と、プリント基板の一面から他面まで貫通するようにプリント基板に設けられ、発熱部品にて発生する熱をプリント基板の一面側から他面側へ伝導する熱伝導経路(30)と、を備え、
熱伝導経路の一部は、プリント基板のベースである樹脂とは異なる層であり当該樹脂よりも電気絶縁性且つ熱伝導性に優れた層であって、熱伝導経路との接合性を良好にする電極を有し、熱伝導経路を介した発熱部品の電位のプリント基板の他面側への露出を防止する絶縁層(36)を有して構成されていることを特徴とする。
それによれば、絶縁層の電気絶縁性によって、発熱部品の電位が熱伝導経路を介してプリント基板の他面側に露出するのを防止することができ、また、絶縁層の熱伝導性によって、発熱部品の熱はプリント基板の他面側に適切に伝導される。
このように、本発明によれば、厚いシートを介在させることなく、プリント基板の他面側にて熱伝導経路と放熱部材とを接触させ、プリント基板の一面側の発熱部品の熱を、熱伝導経路を介して他面側から適切に放熱することができる。
ここで、請求項2に記載の発明のように、プリント基板は、当該プリント基板の一面側から他面側に渡って複数の樹脂層(11〜15)が積層されてなる積層基板であり、熱伝導経路は、複数の樹脂層の全体を貫通しており、絶縁層は、熱伝導経路におけるプリント基板の一面側の端部(31)と他面側の端部(33)との間に介在設定されるように複数の樹脂層の層間に位置することにより、前記プリント基板の内部に設けられたものとされていることが好ましい。
このようにプリント基板を積層基板として、絶縁層を層間に位置させることで、絶縁層をプリント基板に内蔵させれば、絶縁層をプリント基板の一面および他面に露出させない構成とすることができる。
そのため、絶縁層が、プリント基板の一面側にて発熱部品に当接したり、プリント基板の他面側にて外部の放熱部材に当接したりすることがなくなり、当該当接による絶縁層へのダメージの発生を防止することができる。
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
本発明の第1実施形態にかかる電子装置の要部を示す概略断面図である。 本発明の第2実施形態にかかる電子装置の要部を示す概略断面図である。 上記第2実施形態にかかる絶縁層単体の拡大断面図である。 上記第2実施形態の他の例としての絶縁層単体の拡大断面図である。 本発明の第3実施形態にかかる第1の例としての電子装置の要部を示す概略断面図である。 上記第3実施形態にかかる第2の例としての電子装置の要部を示す概略断面図である。 本発明の第4実施形態にかかる電子装置の要部を示す概略断面図である。 本発明の第5実施形態にかかる第1の例としての電子装置の要部を示す概略断面図である。 上記第5実施形態にかかる第2の例としての電子装置の要部を示す概略断面図である。 本発明の第6実施形態にかかる電子装置を示す概略断面図である。 本発明の第7実施形態にかかる電子装置を示す概略断面図である。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
(第1実施形態)
本発明の第1実施形態にかかる電子装置S1について、図1を参照して述べる。この図1では、電子装置S1を、放熱部材K1に接触させた状態を示してある。このような電子装置S1は、たとえば自動車に搭載されるECU(電子制御装置)の構成要素などに適用される。
本実施形態の電子装置S1は、大きくは、一面10aと他面10bとが表裏の関係にある樹脂をベースとするプリント基板10と、プリント基板10の一面10a側に搭載された発熱部品20と、プリント基板10の一面10aから他面10bまで貫通するようにプリント基板10に設けられた熱伝導経路30と、を備えて構成されている。
プリント基板10は、当該プリント基板10の一面10a側から他面10b側に渡って複数の層11〜15が積層されてなる積層基板である。ここでは、これら複数の樹脂層11〜15は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂よりなる層である。
本実施形態では、図1に示されるように、複数の樹脂層11〜15は、基板10内部に位置するコア層11と、このコア層11の両面に積層されたビルドアップ層12〜15よりなる。
なお、ここでは、ビルドアップ層12〜15は、コア層11の各面に2枚ずつ積層されているが、このビルドアップ層12〜15の数は特に限定されるものではない。また、典型的には、ビルドアップ層12〜15の個々の層厚はコア層11よりも薄いものとされている。
ここでは、4枚のビルドアップ層11〜15は、プリント基板10の一面10a側から他面10b側に向かって、第1のビルドアップ層12、第2のビルドアップ層13、第3のビルドアップ層14、第4のビルドアップ層15としている。そして、第1のビルドアップ層12の外面、第4のビルドアップ層15の外面がそれぞれ、プリント基板10の一面10a、他面10bに相当する。
熱伝導経路30は、プリント基板10のうち発熱部品20に対応する部位、具体的にはプリント基板10における発熱部品20の搭載領域に設けられている。
この熱伝導経路30は、プリント基板10の一面10a、他面10bおよび各樹脂層11〜15の層間に設けられた熱伝導性の各層31、32、33、36と、各樹脂層11〜15を貫通し当該熱伝導性の各層31〜33、36を熱伝導可能に接続する各ビアホール34、35と、により構成されている。
まず、熱伝導経路30を構成する熱伝導性の各層31〜33、36について、プリント基板10の一面10a側から具体的に述べる。プリント基板10の一面10aすなわち第1のビルドアップ層12の外面には、一面側金属層31が設けられている。この一面側金属層31は、熱伝導経路30における当該一面10a側の端部に相当する。
そして、第1のビルドアップ層12と第2のビルドアップ層13との層間、第2のビルドアップ層13とコア層11との層間、コア層11と第3のビルドアップ層14との層間、第3のビルドアップ層14と第4のビルドアップ層15との層間には、それぞれ、層間金属層32、層間金属層32、層間金属層32、絶縁層36が設けられている。つまり、これら層間金属層32、絶縁層36はプリント基板10に内蔵されている。
そして、プリント基板10の他面10bすなわち第4のビルドアップ層15の外面には、他面側金属層33が設けられている。この他面側金属層33は、熱伝導経路30における当該他面10b側の端部に相当する。
ここで、各金属層31〜33は、この種のプリント基板に通常用いられるCuなどの熱伝導性および電気伝導性に優れた金属箔よりなる。具体的には、各金属層31〜33は、当該金属箔を樹脂層11〜15に貼り付け、これをエッチング等でパターニングすることにより形成されたものである。
また、熱伝導経路30の一部である上記絶縁層34は、プリント基板10のベースである樹脂よりも電気絶縁性且つ熱伝導性に優れた層である。本実施形態では、絶縁層36は、アルミナや窒化アルミ等のセラミック板よりなる。
このような絶縁層36は、予め所定形状に区画されたセラミック板を、ビルドアップ層14または15貼り付けて、両ビルドアップ層14、15に挟み込むことで形成される。そして、これら金属層31〜33、絶縁層36は、樹脂層11〜15における樹脂の接着力により固定されている。
次に、熱伝導経路30を構成する熱伝導性の各ビアホール34、35について、具体的に述べる。
第1のビルドアップ層12、第2のビルドアップ層13、コア層11、第3のビルドアップ層14、第4のビルドアップ層15にはそれぞれ、層厚方向に貫通するレーザビアホール35、レーザビアホール35、ブラインドビアホール34、レーザビアホール35、レーザビアホール35が設けられている。
これら各ビアホール34、35は、各樹脂層11〜15の両面に位置する導電性の層31〜33、36同士を熱伝導可能に接続するものである。逆に言えば、各樹脂層11〜15のビアホール34、35は、上記熱伝導性の各層31〜33、36を介して熱伝導可能に接続されている。
各レーザビアホール35は、各ビルドアップ層12〜15にレーザで貫通孔を開け、そこにCuメッキ等を充填することにより形成されたものである。また、ブラインドビアホール34は、コア層11の層厚方向を貫通する貫通孔の内壁に設けられたCuメッキ34aと、当該貫通孔に充填されたCuペースト、Agペースト、アルミナ等の熱伝導性材料34bとよりなる。
ここで、各ビアホール34、35の孔形状や数については、通常の孔開け方法で形成されるものであるならば、特に限定されない。また、金属層31〜33、絶縁層36については、これらに隣り合う各ビアホール34、35に熱伝導可能に接する平面サイズであればよく、平面形状は特に限定されない。
こうして、上記した熱伝導性の各層31〜33、36および各ビアホール34、35により、熱伝導経路30は、プリント基板10の一面10aと他面10bとの間にて複数の樹脂層11〜15全体を貫通する連続した経路として構成されている。そして、熱伝導経路30の端部である一面側金属層31、他面側金属層33は、それぞれプリント基板10の一面10a、他面10bにてプリント基板10より露出している。
そして、図1に示されるように、プリント基板10の一面10aにて、発熱部品20は、熱伝導経路30の一面側金属層31に対して、はんだ40を介して接合されている。この発熱部品20は、本実施形態では、たとえばMOSトランジスタやIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)等の図示しないパワー素子がモールド樹脂で封止されたパッケージである。
そして、発熱部品20は、当該パッケージの表面に露出する電極21を有し、この電極21にて、熱伝導経路30の一面側金属層31に対して、はんだ付けされている。これによって、発熱部品20と熱伝導経路30とは、熱的にも電気的にも接続された状態とされている。
また、図1に示されるように、プリント基板10の一面10aには、各搭載部品と電気的に接続される表面電極50が設けられている。また、プリント基板10の内部には、内部配線としての層間配線51が設けられ、この層間配線51はレーザビアホール52を介して表面電極50と電気的に接続されている。
この表面電極50および層間配線51は、上記した金属層31〜33と同様、Cu箔等の金属箔をエッチングによりパターニングすることによって形成されるものである。また、レーザビアホール52は、上記した熱伝導経路30のレーザビアホール35と同様のものである。
そして、発熱部品20は、この表面電極50に対しても、はんだ40を介して接合され電気的に接続されている。また、図1に示されるように、プリント基板10の一面10aには、発熱部品20以外の部品、ここでは制御素子60が搭載され、表面電極50に対し、はんだ40を介して接合されている。
この制御素子60は、たとえばマイコンなどの図示しないICチップをモールド樹脂で封止してなるパッケージであり、当該パッケージより突出するリード61を有する。そして、このリード61と表面電極50とをはんだ付けすることにより、制御素子60と表面電極50とが電気的に接続されている。
また、プリント基板10の表面や内部には、図1に示されるもの以外にも基板10における回路を構成する図示しない配線が設けられている。そして、熱伝導経路30の金属層31〜33は、これら図示しない配線と電気的に接続され、基板10における回路の一部として構成されている。
また、図1に示されるように、プリント基板10の他面10bにおいては、放熱部材K1が、熱伝導経路30の他面側金属層33に対して、直接あるいは放熱グリス等を介して間接的に接触するようになっている。このような放熱部材K1は、たとえばアルミニウム等よりなるケースや、ヒートシンクなどである。
こうして、本実施形態では、発熱部品20にて発生する熱が、熱伝導経路30を介して、プリント基板10の一面10a側から他面10b側へ伝導されるようになっている。そして、放熱部材K1を組み付けた構成においては、当該熱は、他面側金属層33から更に放熱部材K1に逃がされるようになっている。
ここで、本実施形態では、上記電気絶縁性且つ熱伝導性に優れた絶縁層36によって、発熱部品20の電位が熱伝導経路30を介してプリント基板10の他面10b側へ露出するのを防止している。
つまり、本実施形態では、第3のビルドアップ層14のレーザビアホール35と第4のビルドアップ層15のレーザビアホール35との間は、当該間に介在する絶縁層36によって電気的に絶縁されている。そのため、熱伝導経路30の他面側金属層33が当該他面10bにて放熱部材K1に接した状態においては、発熱部品20と放熱部材K1とは熱伝導可能ではあるが、電気的には接続されていない。
次に、本電子装置S1の製造方法について述べる。まず、プリント基板10の製造方法について述べるが、このプリント基板10は、典型的なビルドアップ積層基板の製造方法により形成されるものである。
まず、プレスやエッチングによって、コア層11の層厚方向に貫通する貫通孔を開け、この貫通孔の内壁にCuメッキ34aを形成する。次に、コア層11の両面にCu箔等よりなる金属箔を熱圧着等により貼り付け、当該貫通孔の両端の開口部を当該金属箔で塞ぐ。そして、この金属箔を層間金属層32の形状となるように、エッチングによってパターニングする。
このパターニングにより、コア層11の上記貫通孔に位置する上記金属箔を除去して、上記貫通孔の両端を開口させる。その後、ペースト印刷や粉末充填等の方法により、上記貫通孔に熱伝導材料34bを充填する。こうして、コア層11における層間金属層32およびブラインドビアホール34ができあがる。
次に、このコア層11の各面において、ビルドアップ層12〜15を1層ずつ積層していく。たとえば、まず、コア層11の一方の面上に、第2のビルドアップ層13を熱圧着等にて貼りつける。
次に、第2のビルドアップ層13の所望位置にレーザにより貫通孔を開け、その貫通孔にCuメッキによりCuを充填する。これにより、第2のビルドアップ層13のレーザビアホール32ができあがる。次に、第2のビルドアップ層13の外面にレーザビアホール32と接続される金属箔を貼り付け、この金属箔をエッチングでパターニングして層間金属層32とする。
次に、この第2のビルドアップ層13の外面に第1のビルドアップ層12を貼り付ける。そして、この貼り付けられた第1のビルドアップ層12に対しても、同様にしてレーザビアホール35、および、一面側金属層31を形成する。また、このビルドアップ層12、13の積層形成を、コア層11の他方の面側においても行うことにより、第3、第4のビルドアップ層14、15を積層する。
ここで、第3のビルドアップ層14については、レーザビアホール35の形成は上記同様であるが、絶縁層36の配置については、上述したようなセラミック板の挟み込みにより行う。こうして、コア層11の両面に、ビルドアップ層11〜15を1層ずつ積層していくことにより、プリント基板10ができあがる。
なお、プリント基板10における上記した回路を構成する図示しない配線については、樹脂層11〜15の積層過程において、上記の各金属層31〜33や各ビアホール34、35と同様に形成していけばよい。
その後は、プリント基板10の一面10a上に、上記発熱部品20および制御素子60をはんだ実装することにより、本実施形態の電子装置S1ができあがる。そして、この電子装置S1は、放熱部材K1としてのケースやヒートシンク等に組み付けられる。これにより、当該放熱部材K1と他面側金属層31とが接触した状態となり、放熱機能が適切に発揮されるようになっている。
ところで、本実施形態によれば、熱伝導経路30の一部を、プリント基板10のベースであるエポキシ等の樹脂よりも電気絶縁性且つ熱伝導性に優れたセラミック層よりなる絶縁層36として構成している。
そのため、本実施形態によれば、絶縁層36の電気絶縁性によって、発熱部品30の電位が熱伝導経路30を介してプリント基板10の他面10b側に露出するのを防止することができ、また、絶縁層36の熱伝導性によって、発熱部品20の熱はプリント基板10の他面10b側に適切に伝導される。
よって、本実施形態によれば、従来のような厚いシートを介在させることなく、プリント基板10の他面10b側にて熱伝導経路30と放熱部材K1とを接触させ、プリント基板10の一面10a側の発熱部品20の熱を、熱伝導経路30を介して他面10b側から適切に放熱することができる。
また、本実施形態では、プリント基板10は、当該プリント基板10の一面10a側から他面10b側に渡って複数の樹脂層11〜15が積層されてなる積層基板であり、熱伝導経路30は、複数の樹脂層11〜15の全体を貫通している。
そして、絶縁層36は、熱伝導経路30におけるプリント基板10の一面10a側の端部(ここでは一面側金属層31)と他面10b側の端部(ここでは他面側金属層33)との間に介在設定されるように複数の樹脂層11〜15の層間に位置している。これにより、絶縁層36は、プリント基板10より露出することなくプリント基板10の内部に設けられたものとされている。
このように本実施形態では、プリント基板10を積層基板として、絶縁層36を基板内部の層間に位置させることで、絶縁層36をプリント基板10に内蔵させたものとし、絶縁層36をプリント基板10の一面10aおよび他面10bに露出させない構成を実現している。そして、熱伝導経路30と放熱部材K1との接触は、他面側金属層33により行われている。
そのため、本実施形態によれば、絶縁層36が、プリント基板10の一面10a側にて発熱部品20に当接したり、プリント基板10の他面10b側にて外部の放熱部材K1に当接したりすることがなくなる。そして、当該当接による絶縁層36へのダメージの発生を防止できるという利点がある。
また、本実施形態では、熱伝導性材料34bが充填されてなるブラインドビアホール34が、複数の樹脂層11〜15のうちの基板内部に位置するコア層11に形成されている。そして、熱伝導経路30は、このブラインドビアホール34を含む構成とされている。そして、絶縁層36は、プリント基板10においてブラインドビアホール34よりもプリント基板の一面10a側または他面10b側に位置している。
それによれば、ブラインドビアホール34は熱伝導材料34bが充填されたものであるから、熱伝導経路30における熱伝導性の確保の点で好ましい。つまり、ブラインドビアホール34において、たとえば熱伝導材料34bを省略して貫通孔の内面のCuメッキ34aのみとした中空のホールとした場合でも、当該Cuメッキ34aによって、熱伝導は可能である。
しかしながら、本実施形態のように、熱伝導材料34bで充填されたブラインドビアホール34を用いた熱伝導経路30の方が、上記した中空のホールを用いた熱伝導経路に比べて、熱伝導性に優れることは明らかである。
また、本実施形態では、絶縁層36は、セラミックよりなる層であり、この絶縁層36は当該絶縁層36を構成するセラミックに対して、これに隣り合うレーザビアホール32が直接接触することにより、熱伝導可能な接続を実現している。
ここで、このセラミックよりなる絶縁層36においてレーザビアホール32と接触する面、ここでは、絶縁層36の両面には、更に図示しない電極を設けてもよい。この電極としては、たとえばCuペーストやAgペーストを焼成してなるものが採用される。そして、このような電極を介してレーザビアホール32と接触させることにより、レーザビアホール32とのCuメッキとの接合性を確保しやすいという利点がある。
(第2実施形態)
本発明の第2実施形態に係る電子装置S2について、図2、図3を参照して述べる。本実施形態は、上記第1実施形態に比べて、絶縁層36の構成が相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。
図2、3に示されるように、本実施形態では、絶縁層36は、電気絶縁性の無機材料よりなる無機材料層36cと、半導体よりなる半導体層36dとが積層されてなる多層構造のものとされている。
具体的には、図3に示されるように、絶縁層36は、酸化シリコンよりなる無機材料層36cの両面にシリコン半導体よりなる半導体層36dが積層されてなる。このような絶縁層36は、SOI(シリコン−オン−インシュレータ)基板のように各層を貼り合わせることにより形成される。
さらに、図3に示されるように、本実施形態の絶縁層36においては、各半導体層36dの外面に電極36eが設けられている。なお、図2では、この電極36eは省略してある。この電極36eは、半導体プロセスよりなるものでスパッタや蒸着によるアルミニウム膜やAuメッキ膜等より構成されている。
そして、この電極36eを介して、絶縁層36とレーザビアホール32とを接触させることにより、レーザビアホール32とのCuメッキとの接合性を確保しやくなるという利点がある。なお、本実施形態の絶縁層36においては、無機材料層36cと半導体層36dとは必要であるが、上記接合性が確保できるならば、この電極36eは省略された構成であってもよい。
そして、このような構成により、本実施形態の絶縁層36も全体として、上記第1実施形態のセラミックよりなる絶縁層36と同様、プリント基板10のベースである樹脂よりも電気絶縁性且つ熱伝導性に優れた層とされている。そして、この絶縁層36によって、熱伝導経路30を介した発熱部品20の電位のプリント基板10の他面10b側への露出が防止されるようになっている。
また、本実施形態の絶縁層36としては、図4に示されるものであってもよい。この図4に示される絶縁層36では、上記図3のものとは逆に、半導体層36dの両面に無機材料層36cが積層された多層構成とされている。このような構成は、シリコンよりなる半導体層36dの両面に、スパッタ等の成膜法、あるいは熱酸化等により、無機材料層36cを形成することにより、形成される。
また、この図4の例においても、絶縁層36の両側の最表面には、上記同様の電極36eが設けられており、レーザビアホール32とのCuメッキとの接合性を確保しやすいものとしている。なお、この場合も、上記接合性が確保できるならば、この電極36eは省略された構成であってもよい。
また、本第2実施形態の絶縁層36は、絶縁層36の単体構成が上記第1実施形態と相違するだけであるから、本第2実施形態の電子装置S2は、上記第1実施形態と同様の製造方法により製造できることはもちろんである。
(第3実施形態)
本発明の第3実施形態にかかる第1の例としての電子装置S3について、上記第1実施形態の電子装置S1との相違点を中心に、図5を参照して述べる。
上記第1実施形態の電子装置S1(上記図1参照)では、ブラインドビアホール34がコア層11に形成されており、絶縁層36は、プリント基板10においてブラインドビアホール34よりもプリント基板の一面10a側のみに位置していた。
これに対して、本実施形態の電子装置S3においては、図5に示されるように、絶縁層36は、プリント基板10におけるブラインドビアホール34よりもプリント基板の一面10a側だけでなく、さらにブラインドビアホール34よりもプリント基板10の他面10b側にも設けられている。
図5の例では、セラミックよりなる絶縁層36が、第3のビルドアップ層14と第4のビルドアップ層15との層間、および、第1のビルドアップ層12と第2のビルドアップ層13との層間にそれぞれ設けられている。つまり、これら2個の絶縁層36は、ともにプリント基板10に内蔵されており、プリント基板10の一面10aおよび他面10bに露出しない構成とされている。
本実施形態によれば、1個の熱伝導経路30について2個の絶縁層36を設けているから、絶縁層36が1個のみの場合に比べて、電気絶縁性に優れたものとなることが期待される。また、2個の絶縁層36がともにプリント基板10に内蔵されているので、上記した当接による絶縁層36へのダメージの発生防止が期待できる。
このような電子装置S3は、上記第1実施形態の電子装置S1における第1のビルドアップ層12と第2のビルドアップ層13との層間の層間金属層32を、絶縁層36に置き換えたものである。それゆえ、本電子装置S3は、上記第1実施形態の製造方法に準じて製造できることは、言うまでもない。
また、図6に示される本実施形態の第2の例としての電子装置S4では、図5の第1の例におけるセラミックよりなる絶縁層36を、上記図3に示される絶縁層36に代えたものである。
つまり、本第3実施形態においても、絶縁層36は、上記第2実施形態と同様、無機材料層36cと半導体層36dとが積層されたものであってもよい。なお、この図6の第2の例においても、絶縁層36として、上記図4に示される絶縁層36を用いてもよいことはもちろんである。
(第4実施形態)
本発明の第4実施形態にかかる電子装置S5について、上記第1実施形態の電子装置S1との相違点を中心に、図7を参照して述べる。
上記第1実施形態の電子装置S1(上記図1参照)では、積層基板としてのプリント基板10内部の層間に絶縁層36を位置させることで、絶縁層36をプリント基板10に内蔵させ、絶縁層36をプリント基板10の一面10aおよび他面10bに露出させない構成を実現していた。
この場合、外部の部材との当接による絶縁層36へのダメージの発生を防止できるという利点があったが、これに限定するものではなく、絶縁層36をプリント基板10の一面10aまたは他面10bに露出させた構成を採用してもよい。
図7に示される例では、セラミックよりなる絶縁層36をプリント基板10の他面10bに露出させている。このような構成を形成する場合、上記図1に示される構成において、第3のビルドアップ層14と第4のビルドアップ層15との間の絶縁層36、第4のビルドアップ層15の外面の他面側金属層33を、それぞれ層間金属層32、絶縁層36に置き換えてやればよい。
これにより、図7の例では、熱伝導経路30におけるプリント基板10の他面10b側の端部が絶縁層36として構成される。そして、この絶縁層36を放熱部材K1に接触させる構成となるため、熱伝導経路30を介した発熱部品20の電位のプリント基板10の他面10b側への露出が防止される。
なお、本第4実施形態においても、絶縁層36としては、上記第2実施形態と同様の無機材料層36cと半導体層36dとが積層されてなるものを採用できることは言うまでもない。
また、発熱部品20とプリント基板10との電気的接続が確保されるならば、絶縁層36をプリント基板10の一面10aにて露出させてもよい。この場合、当該一面10aに露出する絶縁層36と発熱部品20とを接触させるようにすればよい。さらには、絶縁層36を、プリント基板の一面10aと他面10bの両方にて露出させるように設けてもよいことは、もちろんである。
(第5実施形態)
本発明の第5実施形態にかかる第1の例としての電子装置S6ついて、上記第1実施形態の電子装置S1との相違点を中心に、図8を参照して述べる。
上記第1実施形態では、発熱部品20はモールドパッケージであったが、本第5実施形態のように、発熱部品20としてはパワー素子等のベアチップであってもよい。この場合、発熱部品20は表面電極50に対して、AlやAu等よりなるボンディングワイヤ22を介して電気的に接続されている。
また、図8の例では、絶縁層36はセラミックよりなるものであったが、図9に示される本第5実施形態にかかる第2の例としての電子装置S7のように、絶縁層36として上記第2実施形態のものを採用してもよい。
なお、上記図8、図9に示される本第5実施形態は、発熱部品20としてベアチップを採用しただけのものであるから、上記第1実施形態および第2実施形態以外の上記各実施形態とも組み合わせが可能であることはもちろんである。
(第6実施形態)
本発明の第6実施形態にかかる電子装置S8ついて、図10を参照して述べる。本電子装置S8は、プリント基板10の一面10aに、パワー素子等のベアチップよりなる発熱部品20、制御IC等よりなる制御素子60、チップ抵抗70といった各種の部品が搭載された混載タイプの電子装置である。
ここで、発熱部品20は、はんだ40を介して熱伝導経路30に接続されるとともに、Alよりなるボンディングワイヤ22を介して表面電極50と電気的に接続されている。また、制御素子60およびチップ抵抗70は、はんだ40やAuよりなるボンディングワイヤ22を介して表面電極50と電気的に接続されている。
そして、これら各搭載部品20、60、70およびボンディングワイヤ22は、プリント基板10の一面10aにて、モールド樹脂80により封止され、保護されている。このモールド樹脂80としては、たとえばエポキシ樹脂等のモールド材料が適用される。
このような混載タイプの電子装置S8においても、発熱部品20に対して、上記絶縁層36を含む熱伝導経路30を接続することにより、当該絶縁層36によって上記同様の効果が得られる。
(第7実施形態)
本発明の第7実施形態にかかる電子装置S9ついて、図11を参照して述べる。本電子装置S9は、上記図10に示される混載タイプの電子装置S8に対して、絶縁層36をプリント基板10の一面10a寄りの内部に位置させてプリント基板10に内蔵させたものである。
この場合、プリント基板10の一面10a寄りに内蔵された絶縁層36は、第1のビルドアップ層12と第2のビルドアップ層13との間に介在している。この絶縁層36は、第1実施形態のものでも、第2実施形態のものでもよいが、ここでは、第1実施形態と同様、セラミック板よりなる。
そして、この絶縁層36は、熱伝導経路30の外側(図11中の左方)まで延長されており、その延長部分におけるプリント基板10の一面10a側の面には、印刷等によって厚膜抵抗71が形成されている。この厚膜抵抗71は、上記図10におけるチップ抵抗70の代わりとなるものであり、プリント基板10の一面10aのうち厚膜抵抗71に対応する部位には、表面電極50が設けられている。
そして、この表面電極50と厚膜抵抗71とは、第1のビルドアップ層15に設けられたレーザビアホール52を介して、電気的に接続されている。また、厚膜抵抗71と接続されている表面電極50には、制御素子60からボンディングワイヤ22が接続されている。そして、これらレーザビアホール52、表面電極50およびワイヤ22により、厚膜抵抗71と制御素子60とは電気的に接続されている。
本第7実施形態の電子装置S9によれば、上記第6実施形態の電子装置S8におけるチップ抵抗70の搭載スペースが不要となるから、その分、プリント基板10の一面10aの面積を小さくすることができ、装置の小型化が期待できる。
(他の実施形態)
なお、上記各実施形態では、プリント基板10は、熱硬化性樹脂をベースとする積層基板、つまり熱硬化性樹脂よりなる複数の樹脂層11〜15が積層された積層基板であったが、プリント基板10としては、たとえば熱可塑性樹脂よりなる複数の樹脂層を積層してなる積層基板であってもよい。
このような熱可塑性樹脂の積層基板の場合には、たとえば、全樹脂層を貫通するように、Cu等よりなる柱状の金属ポストを、基板に埋め込み、この金属ポストを熱伝導経路30として構成する。
そして、プリント基板10の一面10a側に露出する金属ポストの端部に発熱部品20を接続し、一方、プリント基板10の他面10b側に露出する金属ポストの端部に上記絶縁層36を貼り付け、当該端部を絶縁層36で被覆すればよい。このようにすれば、上記同様、発熱部品20の電位のプリント基板の他面側への露出が、絶縁層36によって防止される。
また、プリント基板10としては、樹脂をベースとするものであるならば、単層基板であってもよい。この場合には、たとえば熱伝導経路30は、基板厚さ方向に貫通する貫通孔であって、内面にCuメッキ等が施された中空のスルーホールビアを採用すればよい。また、上記同様、このスルーホールビアの中空部に、更に熱伝導材料を充填し、このものを熱伝導経路30としてもよい。
また、上記図5および図6に示される第3実施形態の構成においては、1個の熱伝導経路30中に2個の絶縁層36を設けたが、プリント基板10における樹脂層11〜15の積層数等に応じて、3個以上の絶縁層36を設けてもよい。
また、上記図5および図6に示される構成においては、ブラインドビアホール34よりもプリント基板10の他面10b側の絶縁層36を層間金属層32に代えて、一面10a側の絶縁層36のみとしてもよい。
つまり、1個の熱伝導経路30について絶縁層36を1個のみ設ける場合には、ブラインドビアホール34よりもプリント基板10の一面10a側のみでもよいし、上記第1実施形態のようにブラインドビアホール34よりもプリント基板10の他面10b側のみでもよい。これについては、たとえばプリント基板10内部の配線の配置等を考慮して、1個の絶縁層36の位置を適宜選択すればよい。
また、1個の熱伝導経路30中に複数個の絶縁層36を設ける場合には、すべての絶縁層36が同じ構成である必要はなく、たとえば上記図1、上記図3、上記図4に示される各構成の絶縁層36が混在していてもよい。
また、このように複数個の絶縁層36を設ける場合、すべての絶縁層36がプリント基板10に内蔵された構成や、あるいは、すべての絶縁層36がプリント基板10の外面10a、10bにて露出する構成に限定するものではない。たとえば、複数個の絶縁層36のうち、或るものはプリント基板10に内蔵され、残りのものはプリント基板10の一面10aまたは他面10bに露出するようにしてもよい。
また、絶縁層36を無機材料層36cと半導体層36dとが積層されたものとする場合、上記第2実施形態に示した絶縁層36(上記図3および図4参照)に限定するものではなく、無機材料層36cと半導体層36dとの積層順や、積層数等は適宜変更が可能である。
また、上記した各実施形態同士の組み合わせ以外にも、上記各実施形態は、可能な範囲で適宜組み合わせてもよく、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。
10 プリント基板
10a プリント基板の一面
10b プリント基板の他面
11〜15 樹脂層
20 発熱部品
30 熱伝導経路
36 絶縁層

Claims (3)

  1. 一面(10a)と他面(10b)とが表裏の関係にある樹脂をベースとするプリント基板(10)と、
    前記プリント基板の一面側に搭載された発熱部品(20)と、
    前記プリント基板の一面から他面まで貫通するように前記プリント基板に設けられ、前記発熱部品にて発生する熱を前記プリント基板の一面側から他面側へ伝導する熱伝導経路(30)と、を備え、
    前記熱伝導経路の一部は、前記プリント基板のベースである前記樹脂とは異なる層であり当該樹脂よりも電気絶縁性且つ熱伝導性に優れた層であって、前記熱伝導経路との接合性を良好にする電極を有し、前記熱伝導経路を介した前記発熱部品の電位の前記プリント基板の他面側への露出を防止する絶縁層(36)を有して構成されていることを特徴とする電子装置。
  2. 前記プリント基板は、当該プリント基板の一面側から他面側に渡って複数の樹脂層(11〜15)が積層されてなる積層基板であり、
    前記熱伝導経路は、前記複数の樹脂層の全体を貫通しており、
    前記絶縁層は、前記熱伝導経路における前記プリント基板の一面側の端部(31)と他面側の端部(33)との間に介在設定されるように前記複数の樹脂層の層間に位置することにより、前記プリント基板の内部に設けられたものとされていることを特徴とする請求項1に記載の電子装置。
  3. 前記熱伝導経路は、前記複数の樹脂層のうちの基板内部に位置する層(11)に形成され、熱伝導性材料(34b)が充填されたブラインドビアホール(34)を含むものであり、
    前記絶縁層は、前記プリント基板において前記ブラインドビアホールよりも前記プリント基板の一面側または他面側に位置していることを特徴とする請求項2に記載の電子装置。
JP2012089232A 2012-04-10 2012-04-10 電子装置 Expired - Fee Related JP5884611B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012089232A JP5884611B2 (ja) 2012-04-10 2012-04-10 電子装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012089232A JP5884611B2 (ja) 2012-04-10 2012-04-10 電子装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013219227A JP2013219227A (ja) 2013-10-24
JP5884611B2 true JP5884611B2 (ja) 2016-03-15

Family

ID=49590994

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012089232A Expired - Fee Related JP5884611B2 (ja) 2012-04-10 2012-04-10 電子装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5884611B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015092524A (ja) * 2013-11-08 2015-05-14 日立金属株式会社 電子部品の放熱構造
JP2016171202A (ja) * 2015-03-12 2016-09-23 株式会社デンソー 電子装置
WO2018185805A1 (ja) * 2017-04-03 2018-10-11 三菱電機株式会社 スイッチング素子駆動ユニット

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4962228B2 (ja) * 2006-12-26 2012-06-27 株式会社ジェイテクト 多層回路基板およびモータ駆動回路基板
JP5387255B2 (ja) * 2009-09-14 2014-01-15 日本電気株式会社 半導体装置
JP2011091152A (ja) * 2009-10-21 2011-05-06 Daikin Industries Ltd パワーモジュール

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013219227A (ja) 2013-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5942951B2 (ja) 電子装置
KR950008241B1 (ko) 필름 캐리어 테이프 및 그것을 내장한 적층형 멀티칩 반도체 장치와 그의 제조방법
JP5515586B2 (ja) 配線基板およびその製造方法
JPWO2016080333A1 (ja) モジュール
JP2009522761A (ja) 集積電子構成部材ならびに集積電子構成部材に対する冷却装置
JP2006165534A (ja) 半導体装置
JP4862871B2 (ja) 半導体装置
JP2010080572A (ja) 電子装置
CN106255308B (zh) 印刷基板和电子装置
JP2014036085A (ja) プリント配線板、プリント回路板及びプリント回路板の製造方法
TW201513301A (zh) 功率模組
JP2010157663A (ja) 部品内蔵配線板、部品内蔵配線板の製造方法
JP5884611B2 (ja) 電子装置
JP5397012B2 (ja) 部品内蔵配線板、部品内蔵配線板の製造方法
JP2012209590A (ja) 電子部品搭載多層配線基板及びその製造方法
CN108353508A (zh) 基板及基板的制造方法
JP2010199505A (ja) 電子回路装置
JP6686467B2 (ja) 電子部品放熱構造
JP2002043510A (ja) 半導体パワーモジュールおよびその製造方法
JP6587796B2 (ja) 回路モジュール
JP6027626B2 (ja) 部品内蔵基板の製造方法
JP2014220429A (ja) 多層基板およびこれを用いた電子装置
JP5601430B2 (ja) 電子装置
JP2019096746A (ja) 電子装置
JP2000299564A5 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140620

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150323

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150331

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150514

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20151020

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20151208

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160112

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160125

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5884611

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees