JP5881927B2 - 半導体封止用接着剤、半導体封止用フィルム状接着剤、半導体装置の製造方法、および半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体封止用接着剤、半導体封止用フィルム状接着剤、半導体装置の製造方法、および半導体装置に関する。

これまで、半導体装置の製造方法としては、半導体チップと基板を接続するには金ワイヤ等の金属細線を用いるワイヤーボンディング方式が広く適用されてきた。一方近年、半導体装置に対する小型化、薄型化、高機能化の要求に対応するため、半導体チップにバンプと呼ばれる導電性突起を形成し、基板電極と直接接続するフリップチップ接続方式が広まりつつある。

フリップチップ接続方式としては、はんだやスズ等を用いて金属接合させる方法、超音波振動を印加して金属接合させる方法、樹脂の収縮力によって機械的接触を保持する方法などが知られているが、接続部の信頼性の観点から、はんだやスズを用いて金属接合させる方法が一般的である。

中でも、近年特に小型化、高機能化が進展している液晶表示モジュールにおいて、スズめっき配線を形成したポリイミド基板上に金バンプを形成した液晶駆動用半導体チップを、金−スズ共晶による金属接合によって搭載したＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）と呼ばれる半導体装置が用いられている。

ＣＯＦでは金−スズ共晶を形成するために、接続部を共晶温度である２７８℃以上にする必要がある。さらに、生産性向上の観点から、接続時間は短時間、例えば５秒以下とすることが求められている。そこで、短時間で共晶温度以上に加熱するために、製造装置の設定温度は３００〜４５０℃の高温とする必要がある。

ＣＯＦでは接続部を外部環境から保護し、外部応力が接続部に集中しないようにするためおよび狭ピッチ配線間の絶縁信頼性を確保するために、半導体チップと基板の間の空隙を樹脂で封止充てんする必要がある（特許文献１参照）。現行の封止充てん方法としては、半導体チップと基板を接続した後に、液状樹脂を毛細管現象によって注入して硬化させる方法が一般的であるが、狭ピッチ接続化に伴うチップ−基板間空隙の減少によって注入に長時間を要し、生産性が低下することが懸念されている。

この懸念を解決する方法としては、チップまたは基板に、接着剤を供給した後、チップと基板とを接続する方法が考えられる。

特開２００６−１８８５７３号公報

しかしながら、この方法でＣＯＦの接続を行った場合には、接続の際の３００℃以上の高温により接着剤の揮発成分等が発泡して、ボイドと呼ばれる気泡が発生する傾向にある。ボイドは、狭ピッチ配線間の絶縁信頼性を低下させる原因となることから、ボイドの抑制が課題となっている。

そこで本発明は、上記課題を解決するために、３００℃以上の高温で接続を行った場合であってもボイドの発生を抑制でき、かつ製造される半導体が優れた接続信頼性（低接続抵抗、高絶縁信頼性）を有する半導体封止用接着剤、並びにそれを用いた半導体封止用フィルム状接着剤、半導体装置の製造方法、および半導体装置を提供することを目的とする。

上記事情に鑑み本発明は、（ａ）エポキシ樹脂、および（ｂ）エポキシ樹脂と反応する有機酸と硬化促進剤とから形成される化合物を含有する半導体封止用接着剤を提供する。

かかる半導体封止用接着剤によれば、３００℃以上の高温で接続を行った場合であってもボイドの発生を抑制でき、かつ製造される半導体が優れた接続信頼性を有する。本発明の半導体封止用接着剤により、このような効果が得られる理由は必ずしも明らかでないが、本発明者らは次のように考えている。

すなわち、（ｂ）エポキシ樹脂と反応する有機酸と硬化促進剤とから形成される化合物を含む接着剤は、通常の硬化促進剤を含む接着剤と比較して、粘度が低い（有機酸と硬化促進剤から形成されている化合物は有機酸を含まない硬化促進剤と比較して融点が高い）。このため、半導体装置の初期導通確保、狭ピッチ配線間の埋め込み性等について良好な結果が得られる。
また、（ｂ）エポキシ樹脂と反応する有機酸と硬化促進剤とから形成される化合物は、バンプと配線との接続の際に、短時間で活性領域に達するため、即硬化性を発揮して増粘し、スプリングバック等のボイド発生原因が解消される。
さらに、接続の際には、（ｂ）エポキシ樹脂と反応する有機酸と硬化促進剤とから形成される化合物から有機酸が遊離し、金属（配線やバンプ等）を溶かしたり、導電性物質を形成したり、熱により分解されることにより、耐ＨＡＳＴ性が低下するおそれがある。これに対して、エポキシ樹脂と反応する有機酸を用いると、有機酸が系中のエポキシ樹脂と反応し反応系に取り込まれるために、耐ＨＡＳＴ性の低下の問題を解消することができる、と本発明者らは考えている。

本発明の半導体封止用接着剤は、（ｃ）重量平均分子量１００００以上の高分子成分をさらに含有することが好ましい。

（ｃ）重量平均分子量１００００以上の高分子成分は（ｄ）ポリイミド樹脂を含むことが好ましく、（ｄ）ポリイミド樹脂は重量平均分子量が３００００以上であり、かつガラス転移温度１００℃以下であることが好ましい。

（ａ）エポキシ樹脂は、１気圧、２５℃（室温）で固形であることが好ましい。室温で固形であるエポキシ樹脂を用いると、高温加熱時におけるエポキシ樹脂の分解による揮発成分（ボイド）の発生を防止することができる。また、同様の理由により、（ｂ）エポキシ樹脂と反応する有機酸と硬化促進剤とから形成される化合物は、１気圧、２５℃で固形であることが好ましい。

（ｂ）エポキシ樹脂と反応する有機酸と硬化促進剤とから形成される化合物の融点は１２０℃以上であることが好ましい。

また、（ｂ）エポキシ樹脂と反応する有機酸と硬化促進剤とから形成される化合物の活性領域が１２０℃以上であることが好ましい。
なお、「活性領域」とは、エポキシ樹脂と硬化促進剤を混ぜ合わせ、昇温した時の発熱ピーク温度（最も発熱量が高い温度）をいい、例えば示差走査熱量計（PERKIN-ELMER社製、DSC7、昇温速度：１０℃／分）によって測定することができる。

上記有機酸はカルボキシル基を有する酸であることが好ましく、トリメリット酸であることがより好ましい。

上記硬化促進剤はイミダゾール類であることが好ましい。

本発明の半導体封止用接着剤は、３５０℃以上での溶融粘度が２５０Ｐａ・ｓ以下であり、かつ３５０℃で５秒以上圧着した際のボイド発生率が５％以下であることが好ましい。

本発明の半導体封止用フィルム状接着剤は、上記本発明の半導体封止用接着剤をフィルム状に形成してなる。かかる半導体封止用フィルム状接着剤によれば、本発明の半導体封止用接着剤を用いているので、３００℃以上の高温で接続を行った場合であってもボイドの発生を抑制でき、かつ製造される半導体が優れた接続信頼性を有する。

本発明の半導体装置の製造方法は、バンプを有する半導体チップと金属配線を有する基板とを備える半導体装置の製造方法であって、半導体チップと基板とを、上記本発明の半導体封止用接着剤又は半導体封止用フィルム状接着剤を介してバンプと金属配線とが互いに対向するように配置し、半導体チップと基板とを対向する方向に加圧するとともに加熱して半導体封止用接着剤又は半導体封止用フィルム状接着剤を硬化させ、バンプと金属配線とを電気的に接続する接続工程を有する。上記接続工程では、半導体チップと基板とを対向する方向に加圧するとともに３００℃以上に加熱して、金を含有するバンプとスズめっき層を有する金属配線との間に金−スズ共晶を形成し、バンプと金属配線とを電気的に接続することが好ましい。
かかる半導体装置の製造方法によれば、本発明の半導体封止用フィルム状接着剤を用いているので、優れた接続信頼性を有する半導体装置を製造することができる。

本発明の半導体装置は、上記本発明の製造方法によって製造される。かかる半導体装置は、本発明の製造方法により製造されているので、優れた接続信頼性を有する。

本発明によれば、３００℃以上の高温で接続を行った場合であってもボイドの発生を抑制でき、かつ製造される半導体が優れた接続信頼性を有する半導体封止用接着剤、並びにそれを用いた半導体封止用フィルム状接着剤、半導体装置の製造方法、および半導体装置を提供することができる。

以下、本発明について詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。

本発明の半導体封止用接着剤は、（ａ）エポキシ樹脂、および（ｂ）エポキシ樹脂と反応する有機酸と硬化促進剤とから形成される化合物を含有する。さらに本発明の半導体封止用接着剤は、（ｃ）重量平均分子量１００００以上の高分子成分、より好適には（ｄ）ポリイミド樹脂を含有することが好ましい。以下、各成分について説明する。

（ａ）エポキシ樹脂
（ａ）エポキシ樹脂は、分子内に２個以上のエポキシ基を有するものであれば特に制限はなく、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ナフタレン型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、フェノールアラルキル型、ビフェニル型、トリフェニルメタン型、ジシクロペンタジエン型、各種多官能エポキシ樹脂等を使用することができる。これらは１種を単独で、または２種以上を混合して使用することができる。
なお、例えば、ビスフェノールＡ型やビスフェノールＦ型の液状エポキシ樹脂は１％熱重量減少温度が２５０℃以下であるため、高温加熱時に分解して揮発成分が発生する恐れがあることから、室温で固形のエポキシ樹脂を用いることが望ましい。

（ｂ）エポキシ樹脂と反応する有機酸と硬化促進剤とから形成される化合物
（ｂ）エポキシ樹脂と反応する有機酸と硬化促進剤とから形成される化合物としては、例えば、エポキシ樹脂と反応する有機酸と硬化促進剤との塩や、エポキシ樹脂と反応する有機酸と硬化促進剤との付加体が挙げられる。（ｂ）エポキシ樹脂と反応する有機酸と硬化促進剤とから形成される化合物は、半導体封止用接着剤の組成に応じて、３５０℃以上での溶融粘度が２５０Ｐａ・ｓ以下となり、かつ３５０℃で５秒以上圧着した際のボイド発生率が５％以下となるように選定すればより望ましい。

有機酸は、エポキシ樹脂と反応するものであればよく、例えば、カルボキシル基を有する酸、フェノール、エノール、アルコール、チオール、スルフォン酸等を使用することができる。中でも、特にエポキシ樹脂と反応しやすく、耐ＨＡＳＴ性低下への影響が低いという点で、カルボキシル基を有する酸が好ましく、複数のカルボキシル基を有する酸がより好ましく、トリメリット酸が特に好ましい。

硬化促進剤は、有機酸と塩や付加体を形成するものであればよく、例えば、ホスフィン類やイミダゾール類、トリアジン類を使用することができる。
イミダゾール類としては、例えば、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−メチルイミダゾールが挙げられる。

（ｂ）エポキシ樹脂と反応する有機酸と硬化促進剤とから形成される化合物の具体例としては、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウム トリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウム トリメリテイト等の塩が挙げられる。また、エポキシ樹脂とイミダゾール類の付加体と有機酸との塩や付加体を用いることもできる。これらの中で、硬化性や保存安定性、有機酸がエポキシ樹脂と反応しやすいという点から、イミダゾール類とトリメリット酸との塩である、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウム トリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウム トリメリテイトが好ましい。これらは１種を単独で、または２種以上を混合して使用することができる。
また、これらをマイクロカプセル化して潜在性を高めたものを用いてもよい。

半導体封止用接着剤における（ｂ）エポキシ樹脂と反応する有機酸と硬化促進剤とから形成される化合物の配合量は、（ａ）エポキシ樹脂１００重量部に対して、好ましくは０．１〜１０重量部であり、より好ましくは０．１〜７重量部であり、さらに好ましくは０．１〜５重量部である。（ｂ）成分の配合量が０．１重量部未満では、硬化性が低下するおそれがあり、１０重量部を超える場合には、金−スズ共晶による接続部が形成される前に硬化してしまい、接続不良が発生するおそれがある。

（ｃ）重量平均分子量１００００以上の高分子成分
（ｃ）重量平均分子量１００００以上の高分子成分としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカルボジイミド樹脂、フェノール樹脂、シアネートエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂、アクリルゴム等が挙げられる。これらの中で、耐熱性およびフィルム形成性に優れる点から、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シアネートエステル樹脂、ポリカルボジイミド樹脂、アクリルゴム等が好ましく、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリルゴムがより好ましい。また、粘度や硬化物の物性を高度に制御する点からは、フェノール樹脂も好ましい。これらの高分子成分は１種を単独で、または２種以上を混合、もしくは共重合させたものを使用することができる。

（ｄ）ポリイミド樹脂
（ｄ）ポリイミド樹脂は、例えば、テトラカルボン酸二無水物とジアミンを公知の方法で縮合反応させて得ることができる。すなわち、有機溶媒中で、テトラカルボン酸二無水物とジアミンを等モルまたはほぼ等モル用い（各成分の添加順序は任意）、反応温度８０℃以下、好ましくは０〜６０℃で付加反応させる。反応が進行するにつれ反応液の粘度が徐々に上昇し、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸が生成する。なお、フィルム状接着剤の諸特性の低下を抑えるため、上記の酸二無水物は無水酢酸で再結晶精製処理されることが好ましい。

上記のポリアミド酸は、５０〜８０℃の温度で加熱して解重合させることによって、その分子量を調整することもできる。

ポリイミド樹脂は、上記反応物（ポリアミド酸）を脱水閉環させて得ることができる。脱水閉環は、加熱処理する熱閉環法と、脱水剤を使用する化学閉環法で行うことができる。

ポリイミド樹脂の原料として用いられるテトラカルボン酸二無水物としては特に制限は無く、例えば、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ベンゼン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、３，４，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，２’，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，６−ジクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，７−ジクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−テトラクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン−１，８，９，１０−テトラカルボン酸二無水物、ピラジン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、チオフェン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，４，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，２’，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジメチルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メチルフェニルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジフェニルシラン二無水物、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシフェニルジメチルシリル）ベンゼン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３−テトラメチルジシクロヘキサン二無水物、ｐ−フェニレンビス（トリメリテート無水物）、エチレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物、デカヒドロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、４，８−ジメチル−１，２，３，５，６，７−ヘキサヒドロナフタレン−１，２，５，６−テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、ビス（エキソ−ビシクロ〔２，２，１〕ヘプタン−２，３−ジカルボン酸二無水物、ビシクロ−〔２，２，２〕−オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２、−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシフェニル）フェニル〕プロパン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２、−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシフェニル）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン二無水物、４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフィド二無水物、１，４−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル）ベンゼンビス（トリメリット酸無水物）、１，３−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル）ベンゼンビス（トリメリット酸無水物）、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフリル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸二無水物、テトラヒドロフラン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、下記一般式（Ｉ）で表されるテトラカルボン酸二無水物（一般式（Ｉ）中、ｎは２〜２０の整数を示す）、

下記式（ＩＩ）で表されるテトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。

上記一般式（Ｉ）で表されるテトラカルボン酸二無水物としては、例えば、無水トリメリット酸モノクロライドおよび対応するジオールから合成することができ、具体的には１，２−（エチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，３−（トリメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，４−（テトラメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，５−（ペンタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，６−（ヘキサメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，７−（ヘプタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，８−（オクタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，９−（ノナメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１０−（デカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１２−（ドデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１６−（ヘキサデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１８−（オクタデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）等が挙げられる。中でも、優れた耐湿信頼性を付与できる点で上記式（ＩＩ）で表されるテトラカルボン酸二無水物が好ましい。これらテトラカルボン酸二無水物は１種を単独でまたは二種類以上を混合して使用することができる。

また、上記式（ＩＩ）で表されるテトラカルボン酸二無水物の含有量は、全テトラカルボン酸二無水物に対して４０モル％以上であると好ましく、５０モル％以上であるとより好ましく、７０モル％以上であると極めて好ましい。４０モル％未満であると、上記式（ＩＩ）で表されるテトラカルボン酸二無水物を使用したことによる耐湿信頼性の効果を充分に確保することができない。

上記ポリイミド樹脂の原料として用いられるジアミンとしては特に制限はなく、例えば、ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、ビス（４−アミノ−３，５−ジメチルフェニル）メタン、ビス（４−アミノ−３，５−ジイソプロピルフェニル）メタン、３，３’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，４’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、４，４’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，３’−ジアミノジフェニルスルフォン、３，４’−ジアミノジフェニルスルフォン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフォン、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルケトン、３，４’−ジアミノジフェニルケトン、４，４’−ジアミノジフェニルケトン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）プロパン、２，２’−（３，４’−ジアミノジフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−（３，４’−ジアミノジフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、３，３’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、３，４’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、４，４’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルフィド、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルフィド、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルフォン、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルフォン、３，５−ジアミノ安息香酸等の芳香族ジアミン、１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン、下記一般式（ＩＩＩ）で表される脂肪族エーテルジアミン（一般式（ＩＩＩ）中、Ｑ^１、Ｑ^２およびＱ^３は各々独立に炭素数１〜１０のアルキレン基を示しｍは２〜８０の整数を示す）、

下記一般式（ＩＶ）で表される脂肪族ジアミン（式中、ｎは５〜２０の整数を示す）、

下記一般式（Ｖ）で表されるシロキサンジアミン（式中、Ｑ^４およびＱ^９は各々独立に炭素数１〜５のアルキレン基または置換基を有してもよいフェニレン基を示し、Ｑ^５、Ｑ^６、Ｑ^７、およびＱ^８は各々独立に炭素数１〜５のアルキル基、フェニル基またはフェノキシ基を示し、ｐは１〜５の整数を示す）

等が挙げられる。中でも低応力性、ラミネート性、接着性を付与できる点で、上記一般式（ＩＩＩ）、または（ＩＶ）で表されるジアミンが好ましい。また、低吸水性、低吸湿性を付与できる点で、上記一般式（Ｖ）で表されるジアミンが好ましい。これらのジアミンは１種を単独で、または２種以上を混合して使用することができる。この場合、上記一般式（ＩＩＩ）で表される脂肪族エーテルジアミンが全ジアミンの１〜５０モル％、上記一般式（ＩＶ）で表される脂肪族ジアミンが全ジアミンの２０〜８０モル％、および上記一般式（Ｖ）で表されるシロキサンジアミンが全ジアミンの２０〜８０モル％であることが好ましい。上記モル％の範囲外であると、ラミネート性および低吸水性の付与の効果が小さくなる傾向にある。

また、上記一般式（ＩＩＩ）で表される脂肪族エーテルジアミンとしては、具体的には、

等がある。中でも、低温ラミネート性と有機レジスト付き基板に対する良好な接着性を確保できる点で、下記一般式（ＶＩ）で表される脂肪族エーテルジアミン（式中、ｍは２〜８０の整数を示す）が特に好ましい。

上記一般式（ＶＩ）で表される脂肪族エーテルジアミンとしては、例えば、サン テクノケミカル株式会社製 ジェファーミン Ｄ−２３０，Ｄ−４００，Ｄ−２０００，Ｄ−４０００，ＥＤ−６００，ＥＤ−９００，ＥＤ−２００１，ＥＤＲ−１４８，ＢＡＳ製ポリエーテルアミンＤ−２３０，Ｄ−４００，Ｄ−２０００等のポリオキシアルキレンジアミン等の脂肪族エーテルジアミンを用いることができる。

また、上記一般式（ＩＶ）で表される脂肪族ジアミンとしては、例えば、１，２−ジアミノエタン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、１，５−ジアミノペンタン、１，６−ジアミノヘキサン、１，７−ジアミノヘプタン、１，８−ジアミノオクタン、１，９−ジアミノノナン、１，１０−ジアミノデカン、１，１１−ジアミノウンデカン、１，１２−ジアミノドデカン、１，２−ジアミノシクロヘキサン等が挙げられ、中でも１，９−ジアミノノナン、１，１０−ジアミノデカン、１，１１−ジアミノウンデカン、１，１２−ジアミノドデカンが好ましい。

また、上記一般式（Ｖ）で表されるシロキサンジアミンとしては、例えば、前記一般式（Ｖ）中、＜ｐが１のとき＞、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（４−アミノフェニル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラフェノキシ−１，３−ビス（４−アミノエチル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラフェニル−１，３−ビス（２−アミノエチル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラフェニル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（２−アミノエチル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（３−アミノブチル）ジシロキサン、１，３−ジメチル−１，３−ジメトキシ−１，３−ビス（４−アミノブチル）ジシロキサン等があり、＜ｐが２のとき＞、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチル−１，５−ビス（４−アミノフェニル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラフェニル−３，３−ジメチル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラフェニル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（４−アミノブチル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラフェニル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（５−アミノペンチル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（２−アミノエチル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（４−アミノブチル）トリシロキサン、１，１，５，５−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（５−アミノペンチル）トリシロキサン、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン、１，１，３，３，５，５−ヘキサエチル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン、１，１，３，３，５，５−ヘキサプロピル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン等がある。
上述のポリイミド樹脂は１種を単独で、または必要に応じて２種以上を混合（ブレンド）しても使用することができる。

（ｄ）ポリイミド樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、基板やチップへの貼付性の観点から、１００℃以下であることが望ましく、より望ましくは７５℃以下である。１００℃を超えて高い場合には、半導体チップに形成されたバンプや基板に形成された電極や配線パターンなどの凹凸を埋め込むことができず、気泡が残存して、ボイドの原因となる。
なお、上記のＴｇは、ＤＳＣ（示差走査熱分析、パーキンエルマー社製ＤＳＣ−７型）を用いて、サンプル量１０ｍｇ、昇温速度５℃／ｍｉｎ、測定雰囲気：空気、の条件で測定したときのＴｇである。

（ｄ）ポリイミドの重量平均分子量は単独で良好なフィルム形成性を示すために、ポリスチレン換算で３００００以上であると好ましく、４００００以上であるとより好ましく、５００００以上であるとさらに好ましい。（ｄ）ポリイミドの重量平均分子量が３００００より小さい場合にはフィルム形成性が低下する恐れがある。なお、上記の重量平均分子量とは、高速液体クロマトグラフィー（株式会社島津製作所製Ｃ−Ｒ４Ａ）を用いて、ポリスチレン換算で測定したときの重量平均分子量を示す。

半導体封止用接着剤における（ｄ）ポリイミド樹脂の含有量は特に制限されないが、（ｄ）ポリイミド樹脂１００重量部に対して、（ａ）エポキシ樹脂の含有量が１〜４００重量部であると好ましく、１０〜４００重量部であるとより好ましく、１０〜３００重量部であるとさらに好ましい。（ａ）エポキシ樹脂の含有量が１重量部未満であると、硬化性が低下し、接着力が低下するおそれがあり、４００重量部を超えて大きいとフィルム形成性が低下するおそれがある。

本発明の半導体封止用接着剤は、粘度や硬化物の物性を高度に制御する点から、フェノール樹脂を硬化剤として含有してもよい。フェノール樹脂は、分子内に２個以上のフェノール性水酸基を有するものであれば特に制限はなく、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールナフトールホルムアルデヒド重縮合物、トリフェニルメタン型多官能フェノール樹脂、各種多官能フェノール樹脂などを使用することができる。これらは１種を単独で、または２種以上を混合して使用することができる。

フェノール樹脂を配合する場合のフェノール樹脂と（ａ）エポキシ樹脂の当量比（フェノール樹脂／エポキシ樹脂）は、硬化性や接着性、保存安定性などの観点から０．３〜１．５であると好ましく、０．４〜１．２であるとより好ましく、０．５〜１．０であるとさらに好ましい。当量比が０．３未満であると、硬化性が低下し、接着力が低下するおそれがあり、１．５を超えると、未反応のフェノール性水酸基が過剰に残存し、吸水率が高くなり、絶縁信頼性が低下するおそれがある。

本実施形態の半導体封止用接着剤には、粘度や硬化物の物性を制御するためにフィラーを配合してもよい。フィラーとしては、絶縁性無機フィラーやウィスカー、樹脂フィラーを用いることができる。絶縁性無機フィラーとしては、例えば、ガラス、シリカ、アルミナ、酸化チタン、カーボンブラック、マイカ、窒化ホウ素等が挙げられ、その中でも、シリカ、アルミナ、酸化チタン、窒化ホウ素等が好ましく、シリカ、アルミナ、窒化ホウ素がより好ましい。ウィスカーとしてはホウ酸アルミニウム、チタン酸アルミニウム、酸化亜鉛、珪酸カルシウム、硫酸マグネシウム、窒化ホウ素等が挙げられる。樹脂フィラーとしては、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂などを用いることができる。これらのフィラーおよびウィスカーは１種を単独で、または２種以上を混合して使用することができる。フィラーの形状、粒径、および配合量については、特に制限されない。

さらに、本実施形態の半導体封止用接着剤には、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、レベリング剤、酸化防止剤、イオントラップ剤を配合してもよい。これらは１種を単独で、または２種以上を混合して使用することができる。配合量については、各添加剤の効果が発現するように調整すればよい。

本実施形態の半導体封止用接着剤におけるボイド発生率は、好ましくは５％以下であり、より好ましくは３％であり、さらに望ましくは１％以下である。ボイド発生率が５％を超えて大きいと、狭ピッチ配線間にボイドが残存し、絶縁信頼性が低下するおそれがある。なお、ボイド発生率は、実施例に記載の方法等により測定することができる。

上述の半導体封止用接着剤は、ＣＯＦの製造に好適に用いることができる。

本実施形態の半導体封止用接着剤（半導体封止用フィルム状接着剤）の作製方法を以下に示す。
上述の成分を有機溶媒中に加え、攪拌混合、混錬などにより、溶解または分散させて、樹脂ワニスを調製する。その後、離型処理を施した基材フィルム上に、樹脂ワニスをナイフコーター、ロールコーターやアプリケーターを用いて塗布した後、加熱により有機溶媒を除去して、基材フィルム上にフィルム状接着剤を形成する。
なお、樹脂ワニスの調製の際には、（ｄ）ポリイミド樹脂の合成の際に用いた有機溶媒を除去することなく用い、これに他の成分を加えて樹脂ワニスを調製してもよい。

樹脂ワニスの調製に用いる有機溶媒としては、各成分を均一に溶解または分散し得る特性を有するものが好ましく、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トルエン、ベンゼン、キシレン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブ、ジオキサン、シクロヘキサノン、酢酸エチル等が挙げられる。これらの有機溶媒は、１種を単独で、または２種類以上を混合して使用することができる。樹脂ワニス調製の際の混合や混錬等は、攪拌機、らいかい機、３本ロール、ボールミル、ホモディスパー等を用いて行うことができる。

また、基材フィルムとしては、有機溶媒を揮発させる際の加熱条件に耐え得る耐熱性を有するものであれば特に制限はなく、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、メチルペンテンフィルム等が例示できる。基材フィルムは、これらのフィルムからなる単層のものに限られず、２種以上の材料からなる多層フィルムであってもよい。

さらに、塗布後の樹脂ワニスから有機溶媒を揮発させる際の条件は、有機溶媒が十分に揮発する条件とすることが好ましく、具体的には、５０〜２００℃、０．１〜９０分間の加熱を行うことが好ましい。

本実施形態の半導体装置の製造方法を以下に示す。
本実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体チップと、金属配線を有する基板とを、上述の半導体封止用フィルム状接着剤を介して３００℃以上の温度で接続する接続工程を有する。

半導体チップに形成されているバンプの材質としては、例えば、金、低融点はんだ、高融点はんだ、ニッケル、スズ等が挙げられる。中でもＣＯＦに適用する場合には、金が好適である。

基板の材質としては、例えば、セラミック等の無機物や、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂等の有機物が挙げられる。中でも、ＣＯＦに適用する場合には、ポリイミド樹脂が好適である。

基板の配線を形成する材質としては、例えば、銅、アルミ、銀、金、ニッケルなどが挙げられる。配線は、エッチングまたはパターンめっきによって形成される。また配線の表面は、金、ニッケル、スズ等でめっき処理されていてもよい。中でも、ＣＯＦに適用する場合には、表面がスズめっきされた銅配線が好適である。

半導体封止用フィルム状接着剤は、所定の大きさに切り出した後、基板に貼り付けて用いてもよいし、半導体ウエハのバンプ形成面に貼り付けた後、ダイシングして個片化することによって、半導体封止用フィルム状接着剤が貼り付いた半導体チップを作製してもよい。フィルム状接着剤の面積や厚みは、半導体チップサイズやバンプ高さなどによって適宜設定される。
半導体封止用フィルム状接着剤を基板または半導体チップに貼り付けた後、基板の配線パターンと半導体チップのバンプを位置合わせし、３００〜４５０℃の温度で０．５〜５秒間加圧する。これにより、基板と半導体チップとが接続されるとともに、半導体チップと基板との間の空隙が接着剤で封止充填される。

接続荷重は、バンプ数等に依存するが、バンプの高さばらつき吸収や、バンプ変形量の制御を考慮して設定される。半導体チップと基板を接続した後、オーブン中等で加熱処理を行ってもよい。

上記製造方法により製造される半導体装置は、例えば液晶表示モジュール等に好適に用いることができる。

以下、実施例を用いて本発明を具体的に説明するが、本発明は実施例によって制限されるものではない。

（ポリイミド樹脂の合成）
温度計、攪拌機および塩化カルシウム管を備えた３００ｍｌフラスコに、１，１２−ジアミノドデカン２．１０ｇ（０．０３５モル）、ポリエーテルジアミン（ＢＡＳＦ製、ＥＤ２０００〈重量平均分子量：１９２３〉）１７．３１ｇ（０．０３モル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン（信越化学工業株式社製、ＬＰ−７１００）２．６１ｇ（０．０３５モル）およびＮ−メチル−２−ピロリドン（関東化学株式会社製）１５０ｇを仕込み攪拌した。ジアミンの溶解後、フラスコを氷浴中で冷却しながら、無水酢酸で再結晶精製した４，４’−（４，４’−イソプロピリデンジフェノキシ）ビス（フタル酸二無水物）（ＡＬＤＲＩＣＨ製、ＢＰＡＤＡ）１５．６２ｇ（０．１０モル）を少量ずつ添加した。室温（２５℃）で８時間反応させたのち、キシレン１００ｇを加え、窒素ガスを吹き込みながら１８０℃で加熱し、水と共にキシレンを共沸除去し、ポリイミド樹脂（Ｔｇ：２２℃，重量平均分子量：４７０００，ＳＰ値：１０．２、以下、「合成ポリイミド」という。）を得た。

（フィルム状接着剤の作製方法）
ガラス製スクリュー管２０ｍｌに上述の合成ポリイミド１．６２ｇ、およびエポキシ樹脂ＹＤＣＮ−７０２；０．１８ｇ、ＶＧ３１０１Ｌ；０．１８ｇ、シリカフィラーＲ９７２；０．１１ｇ、窒化ホウ素ＨＰＰ１−ＨＪ；０．７０ｇ、硬化促進剤０．００３６ｇ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（関東化学株式会社製）４．４ｇを仕込み、撹拌・脱泡装置ＡＲ−２５０（株式会社シンキー製）で撹拌した。脱泡後、塗工機ＰＩ１２１０ＦＩＬＭＣＯＡＴＥＲ（テスター産業株式会社製）で塗工し、クリーンオーブン（エスペツク株式会社製）で乾燥し（８０℃／３０分と１２０℃／３０分）、フィルム状接着剤を得た。

（実施例１，２および比較例１〜４）
使用した材料の組成を表１に示したように変更したことを除いては、上記のフィルム状接着剤の作製方法と同様にして、フィルム状接着剤を作製した。

実施例および比較例で使用した化合物を以下に示す。
（ａ）エポキシ樹脂
・クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（東都化成株式会社製、ＹＤＣＮ−７０２）
・多官能特殊エポキシ樹脂（株式会社プリンテック、ＶＧ３１０１Ｌ）
（ｂ）エポキシ樹脂と反応する有機酸と硬化促進剤とから形成される化合物
・１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウム トリメリテイト（四国化成工業株式会社製、２ＰＺ−ＣＮＳ）
・１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウム トリメリテイト（四国化成工業株式会社製、Ｃ１１Ｚ−ＣＮＳ）
（ｂ’）硬化促進剤
・１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール（四国化成工業株式会社製、２ＰＺ−ＣＮ）
・２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（四国化成工業株式会社製、２ＭＺＡ−ＰＷ）
（ｂ”）有機酸と硬化促進剤との付加体
・２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン イソシアヌル酸付加体（四国化成工業株式会社製、２ＭＡＯＫ−ＰＷ）
（ｄ）ポリイミド樹脂
・上述の合成ポリイミド
（ｅ）その他の成分
フェノール樹脂：
クレゾールナフトールホルムアルデヒド重縮合物（日本化薬株式会社製、カヤハードＮＨＮ）
フィラー：
窒化ホウ素（水島合金鉄株式会社製、ＨＰＰ１−ＨＪ〈平均粒子径：１．０μｍ、最大粒子径：５．１μｍ〉）
シリカフィラー（日本アエロジル株式会社製、Ｒ９７２〈平均粒径２０ｎｍ〉）

（フィルム状接着剤の評価）
実施例１，２および比較例１〜４で得られたフィルム状接着剤について、以下に記載の方法で、粘度、ボイド発生率、接続抵抗、耐ＨＡＳＴ性を測定した。その結果を表１に示す。

（１）粘度の測定
図１に示すガラスチップ１、フィルム状接着剤２、カバーガラス３がこの順で積層された試料Ａを作製した。具体的には、作製したフィルム状接着剤を切り抜き（直径６ｍｍ、厚み約０．１ｍｍ）、ガラスチップ（１５ｍｍ×１５ｍｍ×厚み０．７ｍｍ）上に貼付し、カバーガラス（１８ｍｍ×１８ｍｍ×厚み０．１２〜０．１７ｍｍ）を被せ、試料Ａを作製した。この試料ＡをＦＣＢ３（フリップチップボンダー、松下電器産業株式会社製）で圧着し（圧着条件：３５０℃、０．５秒、１ＭＰａ）、圧着前後のフィルム状接着剤の体積変化を測定した。粘度は平行板プラストメータ法により体積変化から下記の式により算出した。

なお、実施例１、比較例２〜４のフィルム状接着剤については、圧着時間をそれぞれ０．５、１、５秒に変更した場合の粘度の変化を測定した。その結果を表２に示す。

（２）ボイド発生率の測定
図２に示すガラスチップ１、フィルム状接着剤２、金バンプ５付チップ４がこの順で積層された試料Ｂを作製した。具体的には、作製したフィルム状接着剤を切り抜き（５ｍｍ×５ｍｍ×厚み０．０３ｍｍ）、ガラスチップ（１５ｍｍ×１５ｍｍ×厚み０．７ｍｍ）上に貼付し、金バンプ付チップ（１）（４．２６ｍｍ×４．２６ｍｍ×厚み０．２７ｍｍ、バンプ高さ０．０２ｍｍ）を被せ、試料Ｂを作製した。試料ＢをＦＣＢ３（フリップチップボンダー）で圧着し（圧着条件：ヘッド温度３５０℃、ステージ温度１００℃、５秒、１ＭＰａ）、圧着前後のボイド発生率を測定した。ボイド発生率は、上記の金バンプ付チップ（１）面積あたりの加圧後の発生ボイド面積の比率で算出した。

（３）半導体装置の製造（接続抵抗の評価）
作製したフィルム状接着剤を切り抜き（２．５ｍｍ×１５．５ｍｍ×厚み０．０３ｍｍ）、ポリイミド基板（ポリイミド基材：３８μｍ厚、銅配線：８μｍ厚、配線スズめっき：０．２μｍ厚、株式会社日立超ＬＳＩシステムズ製、ＪＫＩＴ ＣＯＦ ＴＥＧ＿３０−Ｂ）上に貼付し、金バンプ付きチップ（２）（チップサイズ１．６ｍｍ×１５．１ｍｍ×厚み０．４ｍｍ、バンプサイズ：２０μｍ×１００μｍ×高さ１５μｍ、バンプ数７２６、株式会社日立超ＬＳＩシステムズ製、ＪＴＥＧ ＰＨＡＳＥ６＿３０）をＦＣＢ３で実装した（実装条件：ヘッド温度３５０℃、ステージ温度１００℃、１秒、５０Ｎ）。
図３は、製造された半導体装置の全体を示す写真であり、図４は、半導体装置の断面を示す写真である。図中、符号６、７、８、９は、それぞれ、ポリイミド基板、チップ（２）、スズめっき銅配線、金バンプ（２）を示す。
上記ポリイミド基板と金バンプ付きチップ（２）（デイジーチェーン接続）をＦＣＢ３で実装した半導体装置（フィルム状接着剤なし）は接続抵抗値が１６０（Ω）前後であったことから、接続抵抗値が２００（Ω）未満である場合を「○」、２００（Ω）以上である場合を「×」として評価した。

（４）絶縁信頼性試験（ＨＡＳＴ試験：Ｈｉｇｈｌｙ Ａｃｃｅｌｅｒａｔｅｄ Ｓｔｏｒａｇｅ Ｔｅｓｔ）
図５に示すくし型にスズめっき銅配線１０が形成されたポリイミド基板１１上に、フィルム状接着剤が積層された試料Ｃを作製した。具体的には、作製したフィルム状接着剤（厚み：３０μｍ）をポリイミドフィルム上にスズめっきされた銅配線を形成したくし型電極評価ＴＥＧ（３０μｍピッチ）に貼付し、クリーンオーブン（エスペツク株式会社製）でキュア（１８０℃、１時間）して、試料Ｃを作製した。キュア後、試料Ｃを取り出し、加速寿命試験装置（株式会社平山製作所、ＰＬ−４２２Ｒ８、条件：１１０℃、８５％、１００時間）に設置し、絶縁抵抗を測定した。
測定中、絶縁抵抗が１０^７Ω以上である場合を「○」、１０^７Ω以下である場合を「×」として評価した。

実施例１の（ｂ）成分（硬化促進剤）は、比較例２の硬化促進剤と、エポキシ樹脂と反応する有機酸との塩であり、比較例３の硬化促進剤は、比較例４の硬化促進剤に、エポキシ樹脂と反応しない有機酸が付加しているものである。
実施例１〜２では（ｂ）成分を添加したことで、ボイド発生率が比較例１に比べ激減している。有機酸と硬化促進剤とから形成される化合物を用いた実施例１〜２、比較例３、硬化促進剤を用いていない比較例１は粘度が２５０Ｐａ・ｓ以下であり、接続抵抗が十分に低く、導通が確保できている。

表２より、実施例１と比較例２とを比較すると、実施例１のフィルム状接着剤は、溶媒乾燥（８０℃／３０分と１２０℃／３０分）後も、増粘が十分に小さいことが明らかである。また、硬化促進剤を用いない場合（比較例１）と比較して、実施例１，２のフィルム状接着剤では、ボイド発生率が激減していることから、実施例１、２の（ｂ）成分は１２０℃以上でも活性を示していることが明らかである。また、実施例１〜２のフィルム状接着剤は、比較例３と比較して、良好な耐ＨＡＳＴ性を有することが明らかである。

粘度の測定に用いる試料Ａの模式断面図である。 ボイド発生率の測定に用いる試料Ｂの模式断面図である。 半導体装置の製造で製造された半導体装置の全体を示す写真である。 半導体装置の製造で製造された半導体装置の断面を示す写真である。 絶縁信頼性試験に用いる試料Ｃの概観を示す写真である。

符号の説明

１…ガラスチップ、２…フィルム状接着剤、３…カバーガラス、４…チップ（１）、５…金バンプ（１）、６…ポリイミド基板、７…チップ（２）、８…スズめっき銅配線、９…金バンプ（２）、１０…スズめっき銅配線、１１…ポリイミド基板およびフィルム状接着剤。

Claims (12)

1. （ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）エポキシ樹脂と反応する有機酸と硬化促進剤とから形成される化合物、及び、（ｃ）重量平均分子量１００００以上の高分子成分を含有する半導体封止用接着剤であって、
   （ｃ）重量平均分子量１００００以上の高分子成分が（ｄ）ポリイミド樹脂を含み、
   （ｄ）ポリイミド樹脂のガラス転移温度が１００℃以下である、半導体封止用接着剤をフィルム状に形成してなる、半導体封止用フィルム状接着剤。
2. （ｄ）ポリイミド樹脂の重量平均分子量が３００００以上である、請求項１に記載の半導体封止用フィルム状接着剤。
3. （ａ）エポキシ樹脂が１気圧、２５℃で固形である、請求項１又は２に記載の半導体封止用フィルム状接着剤。
4. （ｂ）エポキシ樹脂と反応する有機酸と硬化促進剤とから形成される化合物が１気圧、２５℃で固形である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体封止用フィルム状接着剤。
5. （ｂ）エポキシ樹脂と反応する有機酸と硬化促進剤とから形成される化合物の融点が１２０℃以上である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体封止用フィルム状接着剤。
6. （ｂ）エポキシ樹脂と反応する有機酸と硬化促進剤とから形成される化合物の活性領域が１２０℃以上である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体封止用フィルム状接着剤。
7. 前記有機酸がカルボキシル基を有する酸である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体封止用フィルム状接着剤。
8. 前記硬化促進剤がイミダゾール類である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体封止用フィルム状接着剤。
9. 前記有機酸がトリメリット酸である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体封止用フィルム状接着剤。
10. ３５０℃以上での溶融粘度が２５０Ｐａ・ｓ以下であり、かつ３５０℃で５秒以上圧着した際のボイド発生率が５％以下である、請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体封止用フィルム状接着剤。
11. バンプを有する半導体チップと金属配線を有する基板とを備える半導体装置の製造方法であって、
    前記半導体チップと前記基板とを、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の半導体封止用フィルム状接着剤を介して前記バンプと前記金属配線とが互いに対向するように配置し、
    前記半導体チップと前記基板とを対向する方向に加圧するとともに加熱して前記半導体封止用フィルム状接着剤を硬化させ、前記バンプと前記金属配線とを電気的に接続する接続工程を有する製造方法。
12. 前記接続工程では、前記半導体チップと前記基板とを対向する方向に加圧するとともに３００℃以上に加熱して、金を含有する前記バンプとスズめっき層を有する前記金属配線との間に金−スズ共晶を形成し、前記バンプと前記金属配線とを電気的に接続する請求項１１記載の製造方法。