JP5880578B2 - 発電装置 - Google Patents

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Description

本発明は、発電装置に関する。
近年、センサ機能及び無線機能を一体化した小型の無線センサを設置し、各無線センサをネットワーク化した無線センサシステムの開発が進められている。無線センサシステムでは、各無線センサのセンサ機能で検出した情報をデータセンタ等で収集する。また、無線センサには、設置環境も様々であるため、給電を行うことができない環境下でも無線センサが動作できるように、発電装置が内蔵されている。
また、無線センサシステムでは、例えば、モータ、エンジンやボイラー等の対象物に無線センサを設置する。そして、データセンタは、無線センサのセンサ機能で対象物の動作状況を計測し、その計測結果をネットワーク経由で収集する。
また、無線センサに内蔵される発電装置の発電方式は、無線センサの設置環境に応じて、例えば、太陽光発電、熱発電や振動発電等、様々である。また、発電装置としては、複数の発電方式を併用した発電装置も知られている。例えば、無線センサに内蔵されるものではないが、発電装置として、熱発電及び振動発電を併用する技術を採用した発電装置が知られている。
特開2009−240086号公報 特開2001−15823号公報
しかしながら、発電装置の発電方式として、熱発電及び振動発電を併用する場合、熱変換で発電する熱発電部、及び、振動変換で発電する振動発電部を熱源及び振動源となる対象物毎に設定されるため、発電装置自体が大型化してしまう。
一つの側面では、熱発電及び振動発電を併用できる小型の発電装置を提供することを目的とする。
開示の態様では、熱源及び振動源となる対象物に設置され、前記対象物から伝達された振動に応じて発電する振動変換素子と、前記対象物に設置され、前記対象物からの熱を伝導する熱伝導体とを有する。更に、開示の態様では、前記振動変換素子の前記対象物側の設置面と反対側の設置面に積層して設置され、前記熱伝導体の熱伝導で得た吸熱側の温度と放熱側の温度との内部温度差に応じて発電する熱電変換素子を有する。
開示の態様では、熱発電及び振動発電が併用できる小型の発電装置を提供する。
図1は、本実施例の無線センサシステムの一例を示す説明図である。 図2は、実施例1の発電装置の一例を示す断面図である。 図3は、実施例1の発電装置の一例を示す平面図である。 図4は、実施例1の発電装置で使用する高分子積層型圧電素子の一例を示す説明図である。 図5は、実施例1の発電装置で使用する熱電素子の発電量と第1の熱伝導体(Cu金属ウール)の厚さとの関係の一例を示す説明図である。 図6は、実施例1の発電装置で使用する高分子積層型圧電素子の発電量と対象物の振動周波数との関係の一例を示す説明図である。 図7は、実施例1の発電装置の振動比と対象物の振動周波数との関係の一例を示す説明図である。 図8は、実施例2の発電装置の一例を示す断面図である。 図9は、実施例2の発電装置の振動比と対象物の振動周波数との関係の一例を示す説明図である。 図10は、実施例3の発電装置の一例を示す断面図である。 図11は、実施例3の発電装置の一例を示す平面図である。 図12は、実施例3の発電装置で使用するムーニー型圧電素子の一例を示す説明図である。 図13は、実施例3の発電装置で使用する熱電素子の発電量と第1の熱伝導体(Cu金属ウール)の厚さとの関係の一例を示す説明図である。 図14は、実施例3の発電装置で使用するムーニー型圧電素子の発電量と振動周波数との関係の一例を示す説明図である。 図15は、実施例3の発電装置の振動比と対象物の振動周波数との関係の一例を示す説明図である。 図16は、実施例4の発電装置の一例を示す断面図である。 図17は、実施例4の発電装置の一例を示す平面図である。 図18は、実施例4の発電装置で使用するシンバル型圧電素子の一例を示す説明図である。
以下、図面に基づいて、本願の開示する発電装置の実施例を詳細に説明する。尚、本実施例により、開示技術が限定されるものではない。また、以下に示す各実施例は、矛盾を起こさない範囲で適宜組み合わせても良い。
図1は、本実施例の無線センサシステムの一例を示す説明図である。図1に示す無線センサシステム1は、複数の無線センサ2と、複数のゲートウェイ3と、管理端末4と、データセンタサーバ5とを有する。無線センサ2は、熱源及び振動源となる、例えば、エンジンやモータ等の対象物に設置される。無線センサ2は、例えば、対象物の動作状況を計測するものである。無線センサ2は、ゲートウェイ3と無線通信する。ゲートウェイ3は、無線通信エリア内に設置された複数の無線センサ2と無線通信すると共に、管理端末4と通信する。
管理端末4は、複数のゲートウェイ3及びネットワーク6と通信し、各無線センサ2の計測結果をゲートウェイ3経由で収集する、例えば、コンピュータ等の端末装置である。データセンタサーバ5は、ネットワーク6経由で管理端末4と通信し、各無線センサ2の計測結果を収集する。
無線センサ2は、センサ11と、無線部12と、マイクロコンピュータ(以下、単にマイコンと称する)13と、発電装置14と、電源制御部15と、蓄電部16とを有する。センサ11は、例えば、加速度や温度等の、対象物から各種情報を検出することで、対象物の動作状況等を計測する。無線部12は、ゲートウェイ3との無線通信を司るものである。マイコン13は、無線センサ2全体を制御する。マイコン13は、例えば、センサ11で検出した計測結果に信号処理や演算処理を施すものである。
発電装置14は、後述する熱発電及び振動発電を併用して発電する装置である。電源制御部15は、発電装置14で発電した電力を整流器で直流変換したり、DC/DCコンバータで昇圧したりして所定レベルで安定化させ、安定化させた電力を蓄電部16に蓄電する。更に、電源制御部15は、蓄電部16に蓄電された電力をセンサ11、無線部12及びマイコン13に供給する。
また、発電装置14は、無線センサ2が設置された対象物30の熱及び振動に応じて発電する。図2は、実施例1の発電装置14の一例を示す断面図である。図3は、実施例1の発電装置14の一例を示す平面図である。図2に示す発電装置14は、伝導板21と、圧電素子22と、第1の熱伝導体23と、第2の熱伝導体24と、熱電素子25と、放熱器26とを有する。伝導板21は、対象物30の表面に設置され、対象物30が発する熱を第1の熱伝導体23へ伝導すると共に、対象物30が発する振動を圧電素子22へ伝達する。
圧電素子22は、振動変換素子であって、伝達された振動に応じて発電する高分子積層型圧電素子22Aである。図4は、実施例1の高分子積層型圧電素子22Aの一例を示す説明図である。図4に示す高分子積層型圧電素子22Aは、高分子圧電材料層41と、電極層42と多数積層した積層型構造である。高分子圧電材料層41には、例えば、ポリビニリデンフロライド(PVDF)、フッ化ビニリデン共重合体や奇数ナイロンポリアミド系、シアン化ビニリデン系共重合体等の高分子材料を使用する。また、電極層42には、アルミニウム(Al)、銅(Cu)及びニッケル(Ni)等の導電性材料を使用する。
高分子積層型圧電素子22Aは、高分子圧電材料を使用するため、ヤング率が低く柔軟性がある。その結果、高分子積層型圧電素子22Aは、対象物30のY方向の振動変位に応じてY方向に伸縮することで発電する。
第1の熱伝導体23は、熱導電性の柔軟性部材で構成する。尚、第1の熱伝導体23は、例えば、CuやAl等の金属や、SiC(炭化珪素)及びAlN(窒化アルミニウム)等の高熱伝導性セラミック等の熱導電性材料と、合成樹脂等の柔軟性材料との複合体等を使用する。また、第1の熱伝導体23は、金属又はセラミック繊維の集合体、又は金属バネ等を使用しても良い。第1の熱伝導体23は、その中央部分を表裏に貫通する四角形状の収容孔51を有する。尚、第1の熱伝導体23は、伝導板21に設置される。そして、第1の熱伝導体23の収容孔51には、高分子積層型圧電素子22Aが収容される。そして、高分子積層型圧電素子22Aは、第1の熱伝導体23の収容孔51に収容された状態で、伝導板21に設置される。
第2の熱伝導体24は、熱導電性部材で構成する。第2の熱伝導体24は、第1の熱伝導体23の収容孔51の開口を閉塞するように第1の熱伝導体23及び高分子積層型圧電素子22A上に設置されることになる。
更に、熱電素子25は、熱電変換素子であって、対象物30からの熱と周辺環境の熱との熱電素子25内の温度差に応じて発電する。熱電素子25は、例えば、n型半導体及びp型半導体を交互に複数配置して直列に配線したπ型方式である。尚、熱電素子25は、π型方式に限定されるものではなく、他の方式であっても良い。また、熱電素子25の材料は、例えば、BiTe(ビスマス−テルル)等の重金属系の他に、MgSi等のシリサイド系、酸化物系、クラストレート系等の使用温度に応じて適宜選択するものとする。
また、熱電素子25の発電出力はPh、熱電素子25の周辺環境(外気)と対象物30との温度差はTex、熱電素子25内の温度差はTdである。また、放熱器26の熱抵抗はRout、熱電素子25の熱抵抗はRd、熱電素子25の吸熱側の熱抵抗はRin、熱電素子25の熱起電力はS、熱電素子25の電気抵抗はrである。そして、熱電素子25の発電出力Phは、Ph=1/(4r)×STdで算出できる。尚、Td=Tex×Rd/(Rin+Rd+Rout)である。熱電素子25は、第2の熱伝導体24の内、収容孔51内の圧電素子22と積層する部位に設置される。
更に、放熱器26は、熱電素子25の第2の熱伝導体24側の設置面と反対側の設置面に搭載され、熱電素子25に伝導された熱を放熱する。
また、放熱器26が搭載された熱電素子25及び、熱電素子25が設置された第2の熱伝導体24は、その自重で高分子積層型圧電素子22Aを対象物30側に押圧する。その結果、放熱器26及び熱電素子25は、高分子積層型圧電素子22Aの錘を設けなくても、高分子積層型圧電素子22Aの錘として作用する。
また、発電装置14の共振周波数は、対象物30の振動周波数よりも低く設定する。更に、高分子積層型圧電素子22Aの共振周波数は、熱電素子25の共振周波数よりも低く設定する。その結果、熱電素子25の振動が抑制できる。
発電装置14の高分子積層型圧電素子22Aは、対象物30で発する振動が伝達されると、振動に応じて発電する。また、発電装置14の熱電素子25には、対象物30で発した熱が伝導板21、第1の熱伝導体23及び第2の熱伝導体24を通じて伝導される。尚、熱電素子25は、高分子積層型圧電素子22A及び第2の熱伝導体24を通じても対象物30が発した熱が伝導される。そして、熱電素子25は、伝導された熱と周辺環境の熱との内部温度差に応じて発電する。
尚、金属の接触による熱電素子25の受熱側の熱抵抗は、周辺環境の熱伝達による放熱側の熱抵抗に比較して小さい。従って、対象物30と熱電素子25との間に圧電素子22及び第1の熱伝導体23を設置した場合、圧電素子22及び第1の熱伝導体23の挿入による熱電素子25への熱伝導の低下で熱電素子25の発電量が低下する。
図5は、実施例1の発電装置14の第1の熱伝導体23(Cu金属ウール)の厚さと熱電素子25の発電量との関係の一例を示す説明図である。尚、例えば、熱電素子25を15mm角、放熱器26を50mm角、Cu金属ウールの第1の熱伝導体23を50mm角、収容孔51を25mm角とする。第1の熱伝導体23の厚さは、第2の熱伝導体24との設置面と伝導板21との設置面との間の区間L1である。図5に示す通り、例えば、第1の熱伝導体23の厚さL1が10mmでも熱電素子25の発電量の低下は、第1の熱伝導体23の厚さL1が0mmの場合に比較して20%以下である。その結果、第1の熱伝導体23の収容孔51内に収容された圧電素子22の厚さL2が10mm以下の場合、熱電素子25の発電量の低下は20%以下となる。
図6は、実施例1の発電装置14で使用する高分子積層型圧電素子22Aの発電量と対象物30の振動周波数との関係の一例を示す説明図である。尚、高分子積層型圧電素子22Aは、例えば、高分子圧電材料41としてPVDF(ポリビニリデンフロライド)、電極層42としてAl、寸法25mm角、厚さL2を5mmとする。この場合、図5を参照すると、厚さL2が5mm相当の高分子積層型圧電素子22Aとした場合、熱電素子25の発電量の低下分は、例えば、15mWとなる。従って、図6に示す通り、熱電素子25の発電量の低下分が15mWの場合、対象物30の振動周波数が例えば300Hz以上であれば、圧電素子22Aで15mWを超える発電量が得られる。
また、前述した通り、発電装置14は、その共振周波数を対象物30の振動周波数よりも低く、高分子積層型圧電素子22Aの共振周波数を熱電素子25の共振周波数よりも低く設定することで、熱電素子25への振動を抑制できる。図7は、実施例1の発電装置14の振動比と対象物30の振動周波数との関係を示す説明図である。尚、振動比は、熱電素子25の振動と対象物30の振動との比である。高分子積層型圧電素子22Aの共振周波数は10Hzに設計してあるため、図7に示す通り、対象物30の振動周波数が100Hz以上の場合、熱電素子25の振動は、対象物30の振動の1/10以下となるため、その防振効果が大きい。
実施例1では、高分子積層型圧電素子22Aに熱電素子25が積層される構造であるため、高分子積層型圧電素子22A及び熱電素子25を対象物30上に個別に設置する場合に比較して設置スペースを削減できる。その結果、発電装置14の小型化は勿論のこと、発電装置14を内蔵した無線センサ2の小型化も図れる。
実施例1では、熱電素子25及び放熱器26が高分子積層型圧電素子22Aの錘として作用するため、高分子積層型圧電素子22Aのための錘を設ける必要がない。従って、高分子積層型圧電素子22A及び熱電素子25を個別に設置する場合に比較して、発電装置14の重量及び体積を削減できる。その結果、発電装置14の小型化は勿論のこと、発電装置14を内蔵した無線センサ2の小型化も図れる。
実施例1では、発電装置14の共振周波数が、対象物30の振動周波数よりも低く設定する。更に、高分子積層型圧電素子22Aの共振周波数が、熱電素子25の共振周波数よりも低く設定する。従って、対象物30から熱電素子25への振動の伝播が高分子積層型圧電素子22Aで吸収され、熱電素子25への振動の伝播が抑制できる。その結果、熱電素子25の信頼性を確保できる。
実施例1では、対象物30と熱電素子25との間に高分子積層型圧電素子22Aを設置したので、対象物30から熱電素子25への熱の流入が少なくなるが、熱電素子25から放熱器26を通じて空気への放出量も制限される。その結果、対象物30及び熱電素子25間の高分子積層型圧電素子22Aの挿入による熱電素子25の発電量の低下を抑制できる。
尚、上記実施例1では、第1の熱伝導体23の厚さL1を収容孔51に収容される高分子積層型圧電素子22Aの厚さL2以上にしたが、第1の熱伝導体23の厚さL1を高分子積層型圧電素子22Aの厚さL2未満にしても良い。そこで、この場合の実施の形態につき、実施例2として以下に説明する。
図8は、実施例2の発電装置の一例を示す断面図である。尚、実施例1の発電装置14と同一の構成には同一符号を付すことで、その重複する構成及び動作の説明については省略する。図8に示す発電装置14Aの第1の熱伝導体23Aの厚さL1Aは、高分子積層型圧電素子22Aの厚さL2未満とする。第2の熱伝導体24Aの厚さL3は、実施例1の第2の熱伝導体24Aの厚さに比較して厚くする。更に、第2の熱伝導体24Aは、第1の熱伝導体23A及び高分子積層型圧電素子22Aと対向する設置面側に収容孔52を備える。
第2の熱伝導体24Aは、第1の熱伝導体23Aに設置すると共に、第1の熱伝導体23Aの収容孔51Aに設置された高分子積層型圧電素子22Aの上面部分を収容孔52に収容する。その結果、第1の熱伝導体23Aの厚さL1Aは、実施例1の第1の熱伝導体23Aの厚さL1に比較して薄くなるため、第1の熱伝導体23Aを介して熱電素子25に伝達する熱量が大きくなる。その結果、熱電素子25の発電量も大きくなる。
また、第1の熱伝導体23Aの厚さL1Aは、実施例1の第1の熱伝導体23Aの厚さL1に比較して薄くなるため、発電装置14Aの共振周波数が高くなる。その結果、熱電素子25への防振を確保できる。図9は、実施例2の発電装置14Aで使用する振動比と対象物30の振動周波数との関係を示す説明図である。尚、振動比は、熱電素子25の振動と対象物30の振動との比である。高分子積層型圧電素子22Aの共振周波数は10Hzに設計してあるため、図9に示す通り、対象物30の振動周波数が100Hz以上の場合、熱電素子25の振動は、対象物30の振動の1/10以下となるため、その防振効果が大きい。
実施例2では、第2の熱伝導体24の厚さL3を厚くし、第1の熱伝導体23Aの厚さL1を薄くしたので、対象物30から熱電素子25に伝達する熱量が大きくなるため、熱電素子25の発電量も大きくなる。
また、上記実施例1では、圧電素子22として高分子積層型圧電素子22Aを採用したが、例えば、ムーニー型圧電素子を採用しても良い。この場合の実施の形態につき、実施例3として以下に説明する。
図10は、実施例3の発電装置の一例を示す断面図である。尚、実施例1の発電装置14と同一の構成には同一符号を付すことで、その重複する構成及び動作の説明については省略する。図11は、実施例3の発電装置14Bの一例を示す平面図である。図12は、実施例3の発電装置14Bで使用するムーニー型圧電素子22Bの一例を示す説明図である。
図10及び図11に示す発電装置14B内の第1の熱伝導体23は、その中央部分に表裏に貫通する円形状の収容孔51Bを有する。更に、収容孔51Bに収容される圧電素子22は、ムーニー型圧電素子22Bである。図12に示すムーニー型圧電素子22Bは、積層圧電セラミック素子43と、ドーム型の金属部品44とを有し、ドーム型の金属部品44で積層圧電セラミック素子43の表裏を挟む構造である。積層圧電セラミック素子43は、圧電セラミック層43Aと、電極層43Bとを複数積層した構造である。ムーニー型圧電素子22Bは、Y方向の応力による変位を縮小して積層圧電セラミック素子43の横方向の変位に変換する。その結果、積層圧電セラミック素子43の横方向の変位に変換することで、積層圧電セラミック素子43への大きな応力で大きな発電量が得られる。ムーニー型圧電素子22Bは、対象物30の振動による応力に応じて発電する。
図13は、実施例3の発電装置14Bの第1の熱伝導体23(Cu金属ウール)の厚さと熱電素子25の発電量との関係の一例を示す説明図である。尚、例えば、熱電素子25を15mm角、放熱器26を50mm角、Cu金属ウールの第1の熱伝導体23を50mm角、収容孔51Bを直径30mmとする。図13に示す通り、例えば、第1の熱伝導体23の厚さL1が10mmでも熱電素子25の発電量の低下は、第1の熱伝導体23の厚さL1が0mmの場合に比較して20%以下である。その結果、第1の熱伝導体23の収容孔51B内に収容されたムーニー型圧電素子22Bの厚さL2Aが10mm以下の場合、熱電素子25の発電量の低下は20%以下となる。
図14は、実施例3の発電装置14Bで使用するムーニー型圧電素子22Bの発電量と対象物30の振動周波数との関係の一例を示す説明図である。尚、ムーニー型圧電素子22Bは、例えば、直径30mm及び厚さ1mmのPZT系の圧電セラミック層43Aと、Pt系の電極層43Bとを積層した多層積層セラミック素子43を使用する。更に、ムーニー型圧電素子22Bは、直径30mm及び厚さ2mmのBe−Cu系金属のドーム型の金属部品44を使用する。この場合、図13を参照すると、厚さ5mm相当のムーニー型圧電素子22Bとした場合、熱電素子25の発電量の低下分は、例えば、15mWとなる。従って、図14に示す通り、熱電素子25の発電量の低下分が15mWとした場合、対象物30の振動周波数が例えば100Hz以上であれば、ムーニー型圧電素子22Bで15mWを超える発電量が得られる。
また、前述した通り、発電装置14Bは、その共振周波数を対象物30の振動周波数よりも低く、ムーニー型圧電素子22Bの共振周波数を熱電素子25の共振周波数よりも低く設定することで、熱電素子25への振動を抑制できる。図15は、実施例3の発電装置14Bの振動比と対象物30の振動周波数との関係を示す説明図である。尚、振動比は、熱電素子25の振動と対象物30の振動との比である。ムーニー型圧電素子22Bの共振周波数は10Hzに設計してあるため、図15に示す通り、対象物30の振動周波数が100Hz以上の場合、熱電素子25の振動は、対象物30の振動の1/10以下となるため、その防振効果が大きい。
実施例3では、ムーニー型圧電素子22Bに熱電素子25が積層される構造であるため、対象物30上の設置スペースを削減できる。その結果、発電装置14Bの小型化は勿論のこと、発電装置14Bを内蔵した無線センサ2の小型化も図れる。
実施例3では、熱電素子25及び放熱器26がムーニー型圧電素子22Bの錘として作用するため、ムーニー型圧電素子22Bのための錘を設ける必要がないため、発電装置14Bの重量及び体積を削減できる。その結果、発電装置14Bの小型化は勿論のこと、発電装置14Bを内蔵した無線センサ2の小型化も図れる。
実施例3では、発電装置14Bの共振周波数が、対象物30の振動周波数よりも低く設定する。更に、ムーニー型圧電素子22Bの共振周波数が、熱電素子25の共振周波数よりも低く設定する。従って、対象物30から熱電素子25への振動の伝播がムーニー型圧電素子22Bで吸収され、熱電素子25への振動の伝播が抑制できる。その結果、熱電素子25の信頼性を確保できる。
実施例3では、対象物30と熱電素子25との間にムーニー型圧電素子22Bを設置したので、対象物30から熱電素子25への熱の流入が少なくなるが、熱電素子25から放熱器26を通じて空気への放出量も制限される。その結果、対象物30及び熱電素子25間のムーニー型圧電素子22Bの挿入による熱電素子25の発電量の低下を抑制できる。
また、上記実施例1では、圧電素子22として高分子積層型圧電素子22Aを採用したが、例えば、シンバル型圧電素子を採用しても良い。この場合の実施の形態につき、実施例4として以下に説明する。
図16は、実施例4の発電装置の一例を示す断面図である。尚、実施例1の発電装置14と同一の構成には同一符号を付すことで、その重複する構成及び動作の説明については省略する。図17は、実施例4の発電装置14Cの一例を示す平面図である。図18は、実施例4の発電装置14Cで使用するシンバル型圧電素子22Cの一例を示す説明図である。
図16及び図17に示す発電装置14C内の第1の熱伝導体23は、その中央部分に表裏に貫通する円形状の収容孔51Cを有する。更に、収容孔51Cに収容される圧電素子22は、シンバル型圧電素子22Cである。図18に示すシンバル型圧電素子22Cは、積層圧電セラミック素子45と、シンバル型の金属部品46とを有し、シンバル型の金属部品46で積層圧電セラミック素子45の表裏を挟む構造である。積層圧電セラミック素子45は、圧電セラミック層45Aと、電極層45Bとを複数積層した構造である。シンバル型圧電素子22Cは、Y方向の応力による変位を縮小して積層圧電セラミック素子45の横方向の変位に変換する。その結果、積層圧電セラミック素子45の横方向の変位に変換することで、積層圧電セラミック素子45への大きな応力で大きな発電量が得られる。シンバル型圧電素子22Cは、対象物30の振動による応力に応じて発電する。
また、前述した通り、発電装置14Cは、その共振周波数を対象物30の振動周波数よりも低く、シンバル型圧電素子22Cの共振周波数を熱電素子25の共振周波数よりも低く設定することで、熱電素子25への振動を抑制できる。
実施例4では、シンバル型圧電素子22Cに熱電素子25が積層される構造であるため、設置スペースを削減できる。その結果、発電装置14Cの小型化は勿論のこと、発電装置14Cを内蔵した無線センサ2の小型化も図れる。
実施例4では、熱電素子25及び放熱器26がシンバル型圧電素子22Cの錘として作用するため、シンバル型圧電素子22Cのための錘を設ける必要がないため、発電装置14Cの重量及び体積を削減できる。その結果、発電装置14Cの小型化は勿論のこと、発電装置14Cを内蔵した無線センサ2の小型化も図れる。
実施例4では、発電装置14Cの共振周波数が、対象物30の振動周波数よりも低く設定する。更に、シンバル型圧電素子22Cの共振周波数が、熱電素子25の共振周波数よりも低く設定する。従って、対象物30から熱電素子25への振動の伝播がシンバル型圧電素子22Cで吸収され、熱電素子25への振動の伝播が抑制できる。その結果、熱電素子25の信頼性を確保できる。
実施例4では、対象物30と熱電素子25との間にシンバル型圧電素子22Cを設置したので、対象物30から熱電素子25への熱の流入が少なくなるが、熱電素子25から放熱器26を通じて空気への放出量も制限される。その結果、対象物30及び熱電素子25間のシンバル型圧電素子22Cの挿入による熱電素子25の発電量の低下を抑制できる。
また、上記実施例では、発電装置14(14A,14B,14C)を内蔵した無線センサ2を例に挙げて説明したが、無線センサに限定されるものではなく、対象物30の振動及び熱に応じて自律的に発電する発電装置を備えた装置に適用可能である。
14 発電装置
22 圧電素子
22A 高分子積層型圧電素子
22B ムーニー型圧電素子
22C シンバル型圧電素子
23 第1の熱伝導体
24 第2の熱伝導体
25 熱電素子
26 放熱器
30 対象物

Claims (7)

  1. 熱源及び振動源となる対象物に設置され、前記対象物から伝達された振動に応じて発電する振動変換素子と、
    前記対象物に設置され、前記対象物からの熱を伝導する熱伝導体と、
    前記振動変換素子の前記対象物側の設置面と反対側の設置面に積層して設置され、前記熱伝導体の熱伝導で得た吸熱側の温度と放熱側の温度との内部温度差に応じて発電する熱電変換素子とを有し、
    前記熱伝導体は、
    前記対象物に設置され、前記対象物からの熱を伝導する柔軟性部材を含む第1の熱伝導体と、
    前記第1の熱伝導体の前記対象物側の設置面と反対側の設置面に設置され、かつ、前記振動変換素子と前記熱電変換素子とが積層する間に設置され、前記第1の熱伝導体から前記熱電変換素子に熱を伝導する第2の熱伝導体と
    を有することを特徴とする発電装置。
  2. 当該装置本体の共振周波数は、
    前記対象物の振動周波数よりも低く設定したことを特徴とする請求項1に記載の発電装置。
  3. 前記振動変換素子の共振周波数は、
    前記熱電変換素子の共振周波数よりも低く設定したことを特徴とする請求項2に記載の発電装置。
  4. 前記熱電変換素子の前記振動変換素子側の設置面と反対側の設置面に設置され、前記熱電変換素子を放熱すると共に、前記熱電変換素子を介在して前記振動変換素子を前記対象物側に押圧する放熱器を有することを特徴とする請求項1に記載の発電装置。
  5. 熱源及び振動源となる対象物に設置され、前記対象物から伝達された振動に応じて発電する振動変換素子と、
    前記対象物に設置され、前記対象物からの熱を伝導する熱伝導体と、
    前記振動変換素子の前記対象物側の設置面と反対側の設置面に積層して設置され、前記熱伝導体の熱伝導で得た吸熱側の温度と放熱側の温度との内部温度差に応じて発電する熱電変換素子とを有し、
    当該装置本体の共振周波数は、
    前記対象物の振動周波数よりも低く設定したことを特徴とする発電装置。
  6. 前記振動変換素子の共振周波数は、
    前記熱電変換素子の共振周波数よりも低く設定したことを特徴とする請求項5に記載の発電装置。
  7. 熱源及び振動源となる対象物に設置され、前記対象物から伝達された振動に応じて発電する振動変換素子と、
    前記対象物に設置され、前記対象物からの熱を伝導する熱伝導体と、
    前記振動変換素子の前記対象物側の設置面と反対側の設置面に積層して設置され、前記熱伝導体の熱伝導で得た吸熱側の温度と放熱側の温度との内部温度差に応じて発電する熱電変換素子と、
    前記熱電変換素子の前記振動変換素子側の設置面と反対側の設置面に設置され、前記熱電変換素子を放熱すると共に、前記熱電変換素子を介在して前記振動変換素子を前記対象物側に押圧する放熱器と
    を有することを特徴とする発電装置。
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