JP5876408B2 - ナノワイヤの作製方法 - Google Patents
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Description
まず、Niの場合はアルゴンガスを120sccm、水素ガスを30sccmで供給した状態で、処理室内の圧力を4666.27Pa(35Torr)とし、また基板温度を900℃まで昇温した後、10sccmの条件でメタンガスを基板の表面に供給し、これを5分間継続した後降温し、Ni膜の上にグラフェンを成長させる。
はじめに、実施例1について図3A〜図3Eを用いて説明する。図3A〜図3Eは、本発明の実施の形態における実施例1のナノワイヤの作製方法を説明する各工程における状態を模式的に示す断面図である。
次に、実施例2について図4を用いて説明する。図4は、本発明の実施の形態における実施例2のナノワイヤの構成を示す斜視図である。
Claims (4)
- 鉄からなり加熱した基体の上に炭素化合物のガスを供給して前記基体の表面に炭素層を形成する炭素層形成工程と、
前記炭素層の表面に有機金属気相成長法により半導体のナノワイヤを形成するナノワイヤ形成工程と
を少なくとも備えることを特徴とするナノワイヤの作製方法。 - 請求項1記載のナノワイヤの作製方法において、
前記ナノワイヤを形成した後で前記基体を選択的に除去する基体除去工程を備えることを特徴とするナノワイヤの作製方法。 - 請求項1または2記載のナノワイヤの作製方法において、
前記ナノワイヤ形成工程の前に、前記炭素層の表面に、金属微粒子を配置する金属微粒子形成工程を備え、
前記ナノワイヤ形成工程では、前記金属微粒子を触媒とした有機金属気相成長法により前記ナノワイヤを形成することを特徴とするナノワイヤの作製方法。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載のナノワイヤの作製方法において、
前記ナノワイヤ形成工程では、第1導電型の第1ナノワイヤコアを形成し、前記第1ナノワイヤコアの周囲にアンドープの第2ナノワイヤシェル層を形成し、前記第2ナノワイヤシェル層の周囲に第2導電型の第3ナノワイヤシェル層を形成する
ことを特徴とするナノワイヤの作製方法。
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