JP5867696B2 - セキュリティ媒体及びそれを用いたプラスチックカード、真贋判定方法 - Google Patents
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Description
マイクロレンズが第1のピッチ(p)で配列されたマイクロレンズアレイと、
前記マイクロレンズの焦点位置に配置された3次元微細構造物が、前記第1のピッチ(p)とは異なる第2のピッチ(w)で配列された3次元微細構造物アレイと、を備え、
前記3次元微細構造物アレイは、2枚のプラスチックシートで挟持一体化され、
前記マイクロレンズアレイは、観察側の前記プラスチックシートに形成され、
前記3次元微細構造物に対するピッチ差(w−p)の比率をA[%]とすると、
w>pの場合には、
100w/(2000+w)≧A>0
を満たすように、wを設定し、
w<pの場合には、
100w/(2000−w)≧A>0
を満たすように、wを設定することを特徴とする。
前記3次元微細構造物の観察側もしくは観察側とは反対側に、反射層が設けられていることを特徴とする。
マイクロミラーレンズが第1のピッチ(p)で配列されたマイクロミラーレンズアレイと、
前記マイクロミラーレンズの焦点位置に配置された3次元微細構造物が、前記第1のピッチ(p)とは異なる第2のピッチ(w)で配列された3次元微細構造物アレイと、を備え、
前記マイクロミラーレンズアレイは、2枚のプラスチックシートで挟持一体化され、
前記3次元微細構造物アレイは、観察側の前記プラスチックシートに形成され、
前記3次元微細構造物に対するピッチ差(w−p)の比率をA[%]とすると、
w>pの場合には、
100w/(2000+w)≧A>0
を満たすように、wを設定し、
w<pの場合には、
100w/(2000−w)≧A>0
を満たすように、wを設定することを特徴とする。
前記マイクロミラーレンズの観察側もしくは観察側とは反対側に、反射層が設けられていることを特徴とする。
3次元微細構造物1の形状は、任意な形状とすることができるが、後ほど説明する拡大率の関係を分かりやすくするため、直径hで円形の外形を有するものとしている。
ことで実像を形成、すなわち、セキュリティ媒体に対して観察者側に像が形成される。これはいわゆるモアレ効果を利用したものであって、観察者は拡大された3次元微細構造物1を浮いた状態で観察することが可能となる。
w(L+d)=p/L ・・・(1−1)
(1−1)式を変形すると、
L=dp/(w−p) ・・・(1−2)
H=Lh/d ・・・(1−3)
(1−3)式を変形すると、
L=Hd/h ・・・(1−4)
α=H/h=p/(w−p)・・・(1−5)
1の略焦点位置に配置される。略焦点位置とは、観察者が拡大された3次元微細構造物1を視認できる範囲の位置を意味するものであって、正確な焦点距離に対し約30%範囲以内の位置のことをいう。隣接するマイクロレンズ2間のピッチをp、隣接する3次元微細構造物1間のピッチをw、3次元微細構造物1の直径をh、マイクロレンズ2の曲率半径の中心位置から3次元微細構造物1までの距離をd、3次元微細構造物1から実像までの距離をLとする。
w/L=p/(L+d) ・・・(2−1)
(2−1)式を変形すると、
L=dw/(p−w) ・・・(2−2)
d/h=(d+L)/H ・・・(2−3)
(2−3)式を変形すると、
L=d(H/h−1) ・・・(2−4)
α=H/h=p/(p−w)・・・(2−5)
い場合(p>w)の構成となっている。図8には、マイクロミラーレンズ3によって形成されるミラー面と、3次元微細構造物1、並びに観察される実像が模式的に示されている。
w/L=p/(L+d) ・・・(3−1)
(2−1)式を変形すると、
L=dw/(p−w) ・・・(3−2)
d/h=(d+L)/H ・・・(3−3)
(2−3)式を変形すると、
L=d(H/h−1) ・・・(3−4)
α=H/h=p/(p−w)・・・(3−5)
w/L=p/(L−d) ・・・(4−1)
(1−1)式を変形すると、
L=dw(w−p) ・・・(4−2)
h/d=H/(L−d) ・・・(4−3)
(4−3)式を変形すると、
L=d(H/h+1) ・・・(4−4)
α=H/h=p/(p−w) ・・・(4−5)
3次元微細構造物1のピッチwに対するピッチ差(w−p)の比率をA[%]とすると
、
3次元微細構造物1のピッチwに対するマイクロレンズ2のピッチpとのピッチ差は、
w−p=w×A/100 ・・・(5−1)
で表すことができる。このピッチ差を用いてマイクロレンズ2のピッチpは、
p=w(1−A/100) ・・・(5−2)
と表すことができる。
β=w×α=w(p/w−p) ・・・(5−3)
β=w(p/w−p)≧2000 ・・・(5−3)’
の関係が必要となる。(5−3)’式に(5−2)式を代入すると、
100w/(2000+w)≧A ・・・(5−3)’’
なる関係が得られ、3次元微細構造物1に対するピッチ差(w−p)の比率Aは、3次元微細構造物1のピッチwに依存することが分かる。
3次元微細構造物1に対するピッチ差(w−p)の比率をA[%]とすると、
3次元微細構造物1に対するマイクロレンズ2のピッチ差は、
p−w=w×A/100 ・・・(6−1)
で表すことができる。このピッチ差を用いてマイクロレンズ2のピッチpは、
p=w(1+A/100) ・・・(6−2)
と表すことができる。
β=w×α=w(p/p−w) ・・・(6−3)
β=w(p/p−w)≧2000 ・・・(6−3)’
の関係が必要となる。(6−3)’式に(6−2)式を代入すると、
100w/(2000−w)≧A ・・・(6−3)’’
なる関係が得られ、3次元微細構造物1に対するピッチ差(p−w)の比率Aは、ケース1の場合と同様、3次元微細構造物1のピッチwに依存することが分かる。
図12には、セキュリティ媒体(タイプA)の製造過程及びその構成が示されている。図12(a)はセキュリティ媒体の製造過程を、また、図12(b)はセキュリティ媒体の構成(図1におけるA−A’間のZX平面での断面図)が示されている。なお、図1において実際に利用可能なセキュリティカード4を構成する場合、図12に図示した以外の層が設けられる場合がある。
mに打ち抜き、3次元微細構造物シート10が作製される。
図13には、図12と同様の製造方法で作成されたセキュリティ媒体(タイプA)について、その製造過程(a)と、構成(b)が示されている。ただし、本実施形態は、3次元微細構造物シート10の向きが異なっている。このような構成では、3次元微細構造物シートを形成する基材11、UV硬化樹脂12は、3次元微細構造物1を観察できるよう透明であることが必要となる。
図14には、セキュリティ媒体(タイプB)の製造過程及びその構成が示されている。図14(a)〜(c)はセキュリティ媒体の製造過程を、また、図14(d)はセキュリティ媒体の構成(図1におけるA−A’間のZX平面での断面図)が示されている。なお、図1において実際に利用可能なセキュリティカード4を構成する場合、図14に図示した以外の層が設けられる場合がある。
図15には、図14と同様の製造方法で作成されたセキュリティ媒体(タイプB)について、その製造過程(a)〜(c)と、構成(d)が示されている。ただし、本実施形態は、マイクロミラーレンズシート20の向きが異なっている。このような構成では、3次元微細構造物シートを形成する基材21、UV硬化樹脂22は、マイクロミラーレンズ3に対して光を透過できるよう透明であることが必要となる。
2…マイクロレンズ
3…マイクロミラーレンズ
4…セキュリティカード
5…セキュリティ媒体
10…3次元微細構造物シート
11…基材
12…UV硬化樹脂
13…反射層
20…マイクロミラーレンズシート
21…基材
22…UV硬化樹脂
23…反射層
31、32…プラスチックシート
50…金型(基台)
51…金型
52…マイクロレンズ賦形部
53…3次元微細構造物賦形部
54…複製版
55…青板ガラス
56…UV硬化樹脂
Claims (6)
- マイクロレンズが第1のピッチ(p)で配列されたマイクロレンズアレイと、
前記マイクロレンズの焦点位置に配置された3次元微細構造物が、前記第1のピッチ(p)とは異なる第2のピッチ(w)で配列された3次元微細構造物アレイと、を備え、
前記3次元微細構造物アレイは、2枚のプラスチックシートで挟持一体化され、
前記マイクロレンズアレイは、観察側の前記プラスチックシートに形成され、
前記3次元微細構造物に対するピッチ差(w−p)の比率をA[%]とすると、
w>pの場合には、
100w/(2000+w)≧A>0
を満たすように、wを設定し、
w<pの場合には、
100w/(2000−w)≧A>0
を満たすように、wを設定することを特徴とする
セキュリティ媒体。 - 前記3次元微細構造物の観察側もしくは観察側とは反対側に、反射層が設けられていることを特徴とする
請求項1に記載のセキュリティ媒体。 - マイクロミラーレンズが第1のピッチ(p)で配列されたマイクロミラーレンズアレイと、
前記マイクロミラーレンズの焦点位置に配置された3次元微細構造物が、前記第1のピッチ(p)とは異なる第2のピッチ(w)で配列された3次元微細構造物アレイと、を備え、
前記マイクロミラーレンズアレイは、2枚のプラスチックシートで挟持一体化され、
前記3次元微細構造物アレイは、観察側の前記プラスチックシートに形成され、
前記3次元微細構造物に対するピッチ差(w−p)の比率をA[%]とすると、
w>pの場合には、
100w/(2000+w)≧A>0
を満たすように、wを設定し、
w<pの場合には、
100w/(2000−w)≧A>0
を満たすように、wを設定することを特徴とする
セキュリティ媒体。 - 前記マイクロミラーレンズの観察側もしくは観察側とは反対側に、反射層が設けられていることを特徴とする
請求項3に記載のセキュリティ媒体。 - 請求項1から請求項4の何れか1項に記載のセキュリティ媒体を用いたことを特徴とする
プラスチックカード。 - 請求項1から請求項4の何れか1項に記載のセキュリティ媒体を用いて真贋判定を行うことを特徴とする
真贋判定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2011239113A JP5867696B2 (ja) | 2011-10-31 | 2011-10-31 | セキュリティ媒体及びそれを用いたプラスチックカード、真贋判定方法 |
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JP2011239113A JP5867696B2 (ja) | 2011-10-31 | 2011-10-31 | セキュリティ媒体及びそれを用いたプラスチックカード、真贋判定方法 |
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JP2013095033A JP2013095033A (ja) | 2013-05-20 |
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ID=48617503
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JP2011239113A Active JP5867696B2 (ja) | 2011-10-31 | 2011-10-31 | セキュリティ媒体及びそれを用いたプラスチックカード、真贋判定方法 |
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Cited By (1)
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JP7121849B2 (ja) | 2018-01-05 | 2022-08-18 | アーシェル ラボラトリーズ,インク. | スライス装置用ナイフアセンブリおよびこれを備えた装置 |
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JP2004142292A (ja) * | 2002-10-25 | 2004-05-20 | Pioneer Electronic Corp | 電子ステンドグラス |
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2011
- 2011-10-31 JP JP2011239113A patent/JP5867696B2/ja active Active
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