JP5867696B2 - Security medium, plastic card using the same, and authentication method - Google Patents
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Description
本発明は、真贋判定を可能とするセキュリティ媒体、特に、直接目視することでは判別不可能な３次元微細構造物を有するセキュリティ媒体、並びに、その真贋判定方法に関する。 The present invention relates to a security medium capable of determining authenticity, in particular, a security medium having a three-dimensional fine structure that cannot be discriminated by direct visual observation, and an authenticity determining method thereof.
金券やＩＤ証など、偽造防止を必要とされている媒体において、特殊な装置を必要とすることなく簡易に真贋判定出来ることが求められている一方で、偽造が困難なハイセキュリティ性が求められている。 For media that require anti-counterfeiting, such as vouchers and ID certificates, it is required to be able to easily determine the authenticity without requiring a special device, while high security is required that makes it difficult to forge. ing.
従来、パールインキやホログラムなど容易に目視判断出来る偽造防止画像形成物や、印刷物の中に２次元の潜像図柄を組込みマイクロレンズによって潜像を発現させて真贋判定可能な偽造防止画像形成物が知られている。また３次元形状を持つ構造物のシートの上にマイクロレンズシートを接着層で接着し、モアレの効果で拡大像を発現させるものも知られている。 Conventionally, there are anti-counterfeit image formations such as pearl ink and holograms that can be easily visually judged, and anti-counterfeit image formations that can authenticate authenticity by embedding a two-dimensional latent image pattern in the printed matter and expressing the latent image with a microlens Are known. In addition, there is also known a technique in which a microlens sheet is adhered on a sheet of a structure having a three-dimensional shape with an adhesive layer, and an enlarged image is expressed by the moire effect.
特許文献１には、回折構造からなる表示パターンの上側にブレーズド型もしくはバイナリ型のホログラムレンズを重ね合わせることで生じるモアレ効果によって合成像を表示する表示体が開示されている。 Patent Document 1 discloses a display body that displays a composite image by a moire effect generated by superimposing a blazed or binary hologram lens on a display pattern having a diffractive structure.
特許文献２には、マイクロレンズと顕微鏡レベル構造体を組み合わせ、顕微鏡レベル構造体をモアレ効果で拡大させて見るセキュリティ媒体が開示されている。
特許文献１に記載の回折構造からなる表示パターンを形成する凹凸の深さは、光の波長程度の数百ｎｍ程度である。このような表示パターンは、観察者に対して表示パターンの凹凸を積極的に観察させるものとは異なり、回折像が浮いたり沈んだりして観察される。また、表示パターンと観察用のレンズ群は、表面に露出している、もしくは、粘着層で接着されているだけであるため、これらをそのまま複製する、あるいは、溶剤などを用いて取り出して複製することは比較的容易な構造となっている。 The depth of the unevenness that forms the display pattern having the diffractive structure described in Patent Document 1 is about several hundreds of nanometers, which is about the wavelength of light. Such a display pattern is observed with a diffraction image floating or sinking, unlike the case where the observer actively observes the unevenness of the display pattern. Further, since the display pattern and the observation lens group are exposed on the surface or only adhered with an adhesive layer, they are duplicated as they are, or taken out using a solvent or the like and duplicated. This is a relatively easy structure.
また、特許文献２に記載の顕微鏡レベル構造体は、エンボスされた立体構造ではあるものの、マイクロレンズの層と顕微鏡レベル構造体の層とは接着層を介して接着されたものであって、溶剤などを用いて接着層を剥がし顕微鏡レベル構造体の構成を解析して複製することは容易な構造となっている。
Further, although the microscope level structure described in
本発明は、マイクロレンズあるいはマイクロミラーレンズを利用して、観察者に３次元立体構造物を拡大表示するセキュリティ媒体において、マイクロレンズあるいはマイクロミラーレンズ、もしくは、３次元立体構造物の一方を取り出し困難な構成とし、偽造あるいは改ざんを防止することのできるセキュリティ媒体を提供することを目的とするものである。 According to the present invention, in a security medium for enlarging and displaying a three-dimensional structure to an observer using a microlens or a micromirror lens, it is difficult to take out one of the microlens, the micromirror lens, or the three-dimensional structure. An object of the present invention is to provide a security medium capable of preventing forgery or tampering.
そのため本発明に係るセキュリティ媒体は、
マイクロレンズが第１のピッチ（ｐ）で配列されたマイクロレンズアレイと、
前記マイクロレンズの焦点位置に配置された３次元微細構造物が、前記第１のピッチ（ｐ）とは異なる第２のピッチ（ｗ）で配列された３次元微細構造物アレイと、を備え、
前記３次元微細構造物アレイは、２枚のプラスチックシートで挟持一体化され、
前記マイクロレンズアレイは、観察側の前記プラスチックシートに形成され、
前記３次元微細構造物に対するピッチ差（ｗ−ｐ）の比率をＡ［％］とすると、
ｗ＞ｐの場合には、
１００ｗ／（２０００＋ｗ）≧Ａ＞０
を満たすように、ｗを設定し、
ｗ＜ｐの場合には、
１００ｗ／（２０００−ｗ）≧Ａ＞０
を満たすように、ｗを設定することを特徴とする。
Therefore, the security medium according to the present invention is:
A microlens array in which microlenses are arranged at a first pitch (p) ;
A three-dimensional microstructure array arranged at a second pitch (w) different from the first pitch (p) , the three-dimensional microstructure arranged at the focal position of the microlens,
The three-dimensional microstructure array is sandwiched and integrated by two plastic sheets,
The microlens array is formed on the observation side plastic sheet ,
When the ratio of the pitch difference (w−p) to the three-dimensional microstructure is A [%],
If w> p,
100 w / (2000 + w) ≧ A> 0
Set w to satisfy
If w <p,
100w / (2000-w) ≧ A> 0
W is set so as to satisfy the above condition .
さらに本発明に係るセキュリティ媒体は、
前記３次元微細構造物の観察側もしくは観察側とは反対側に、反射層が設けられていることを特徴とする。
Furthermore, the security medium according to the present invention is:
A reflection layer is provided on the observation side or the observation side of the three-dimensional microstructure.
また本発明に係るセキュリティ媒体は、
マイクロミラーレンズが第１のピッチ（ｐ）で配列されたマイクロミラーレンズアレイと、
前記マイクロミラーレンズの焦点位置に配置された３次元微細構造物が、前記第１のピッチ（ｐ）とは異なる第２のピッチ（ｗ）で配列された３次元微細構造物アレイと、を備え、
前記マイクロミラーレンズアレイは、２枚のプラスチックシートで挟持一体化され、
前記３次元微細構造物アレイは、観察側の前記プラスチックシートに形成され、
前記３次元微細構造物に対するピッチ差（ｗ−ｐ）の比率をＡ［％］とすると、
ｗ＞ｐの場合には、
１００ｗ／（２０００＋ｗ）≧Ａ＞０
を満たすように、ｗを設定し、
ｗ＜ｐの場合には、
１００ｗ／（２０００−ｗ）≧Ａ＞０
を満たすように、ｗを設定することを特徴とする。
Also, the security medium according to the present invention is:
A micromirror lens array in which micromirror lenses are arranged at a first pitch (p) ;
A three-dimensional microstructure array arranged at a second pitch (w) different from the first pitch (p) , the three-dimensional microstructure arranged at the focal position of the micromirror lens; ,
The micromirror lens array is sandwiched and integrated between two plastic sheets,
The three-dimensional microstructure array is formed on the observation side plastic sheet ,
When the ratio of the pitch difference (w−p) to the three-dimensional microstructure is A [%],
If w> p,
100 w / (2000 + w) ≧ A> 0
Set w to satisfy
If w <p,
100w / (2000-w) ≧ A> 0
W is set so as to satisfy the above condition .
また本発明に係るセキュリティ媒体は、
前記マイクロミラーレンズの観察側もしくは観察側とは反対側に、反射層が設けられていることを特徴とする。
Also, the security medium according to the present invention is:
A reflection layer is provided on the observation side or the observation side of the micromirror lens.
さらに本発明に係るプラスチックカードは、前記の何れかに記載のセキュリティ媒体を用いたことを特徴とする。 Furthermore, the plastic card according to the present invention is characterized by using any of the security media described above.
また本発明に係る真贋判定方法は、前述した何れか１つのセキュリティ媒体を用いて真贋判定を行うことを特徴とする。 The authenticity determination method according to the present invention is characterized in that authenticity determination is performed using any one of the security media described above.
本発明によれば、マイクロレンズアレイと３次元微細構造物を重ねることでルーペや顕微鏡などの治具を用いなくても目視による真贋判定が可能となる。また、真贋判定の観察対象として３次元微細構造物を採用したことで、従来の２次元（平面上）に印刷された画像を利用した真贋判定とは異なり、拡大観察される像を模写するだけでは３次元微細構造物を複製することはできず、偽造が困難な構成となっている。 According to the present invention, it is possible to determine the authenticity by visual observation without using a jig such as a magnifying glass or a microscope by superimposing the microlens array and the three-dimensional fine structure. In addition, by adopting a three-dimensional fine structure as the object of observation for authenticity determination, unlike the conventional authenticity determination using an image printed in two dimensions (on a plane), only the image to be magnified is copied. In this case, the three-dimensional microstructure cannot be duplicated and is difficult to forge.
さらに、マイクロレンズあるいはマイクロミラーレンズと、３次元微細構造物のどちらか一方が、２枚のプラスチックシートの間に挟持一体化されていることで、それらを取り出して解析、複製することも困難な構造となっている。したがって、偽造、改ざん防止の効果に優れたセキュリティ媒体を提供することが可能とされている。 Furthermore, since one of the microlens or micromirror lens and the three-dimensional fine structure is sandwiched and integrated between two plastic sheets, it is difficult to take out, analyze and duplicate them. It has a structure. Therefore, it is possible to provide a security medium excellent in the effect of preventing forgery and tampering.
本発明に係るセキュリティ媒体の実施形態について図を用いて詳細に説明する。図１は、本発明の実施形態に係るセキュリティ媒体を有するセキュリティカードを示す斜視図である。セキュリティ媒体は、クレジットカードやＩＤ証、紙幣、金券、有価証券など真贋判定が必要とされる各種カード、紙類などに形成される媒体であって、容易に偽造されないことが必要とされる。 An embodiment of a security medium according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing a security card having a security medium according to an embodiment of the present invention. The security medium is a medium formed on various cards such as credit cards, ID certificates, banknotes, cash vouchers, and securities that require authenticity determination, paper, and the like, and is not required to be easily counterfeited.
図１に示すセキュリティ媒体５は、クレジットカードのようなセキュリティカード４に設けられた例であって、セキュリティカード４の一部に所定の像が目視可能に形成されている。セキュリティカード４を使用もしくは認証する者は、セキュリティ媒体５に予め定められている像が表示されていることをもって真のセキュリティカード４であることを認証する。以後の説明では、図１に示すように、セキュリティカード４の板面をＸＹ平面にとり、ＸＹ平面に垂直かつ使用者が観察する方向をＺ軸の正の方向にとって説明する。
The security medium 5 shown in FIG. 1 is an example provided on a
図２は、本発明の実施形態に係るセキュリティ媒体（タイプＡ）の構成を示す模式図であって、セキュリティ媒体の一部を拡大した斜視図となっている。本実施形態のセキュリティ媒体５は、ＸＹ平面と平行な面上に配列された３次元微細構造物１と、ＸＹ平面と平行な面上に配列されたマイクロレンズ２によって、拡大された３次元微細構造物１の実像もしくは虚像を観察者に観察させる。これは隣接する３次元微細構造物１間の間隔（ピッチｗ）と隣接するマイクロレンズ２の間隔（ピッチｐ）の間にわずかなピッチ差を設け、ピッチ差によって発生するモアレ効果を利用したものとなっている。
FIG. 2 is a schematic view showing the configuration of the security medium (type A) according to the embodiment of the present invention, and is a perspective view in which a part of the security medium is enlarged. The security medium 5 of the present embodiment is an enlarged three-dimensional microscopic structure by a three-dimensional microstructure 1 arranged on a plane parallel to the XY plane and a
図３には、図２に記載する３次元微細構造物１のＸＹ平面と平行な面における配列（３次元微細構造物アレイ）、マイクロレンズ２のＸＹ平面と平行な面における配列（マイクロレンズアレイ）が、それぞれ図３（ａ）、（ｂ）に示されている。本実施形態の３次元微細構造物１、マイクロレンズ２の配列は、どちらも格子状に配列されたものとなっている。図３（ａ）に示されるように隣接する３次元微細構造物１はＸ軸方向にピッチｗ、Ｙ軸方向にピッチｚを有して配列されている。ピッチｗとピッチｚを等距離としてもよい。
３次元微細構造物１の形状は、任意な形状とすることができるが、後ほど説明する拡大率の関係を分かりやすくするため、直径ｈで円形の外形を有するものとしている。
FIG. 3 shows an arrangement in a plane parallel to the XY plane of the three-dimensional microstructure 1 shown in FIG. 2 (three-dimensional microstructure array), and an arrangement in a plane parallel to the XY plane of the microlens 2 (microlens array). ) Are shown in FIGS. 3 (a) and 3 (b), respectively. In the present embodiment, the three-dimensional microstructure 1 and the
The shape of the three-dimensional microstructure 1 can be an arbitrary shape, but has a circular outer shape with a diameter h for easy understanding of the relationship of the enlargement ratio described later.
一方、図３（ｂ）に示されるようにマイクロレンズ２は、３次元微細構造物１と同様に格子状に配列されている。そして隣接するマイクロレンズ２は、Ｘ軸方向にピッチｐ、Ｙ軸方向にピッチｑを有して配列されている。ただし、このピッチｐは３次元微細構造物１のピッチｗに対して僅かな差（ピッチ差）を有したものとなっている。このピッチｐとピッチｑも等距離としてもよい。なお、マイクロレンズ２のピッチｑについても、３次元微細構造物１のピッチｚと僅かな差（ピッチ差）を有して配列されている。
On the other hand, as shown in FIG. 3B, the
マイクロレンズ２の大きさは、数十〜数百μｍ程度の大きさに形成される。一方、マイクロレンズ２によって拡大される３次元微細構造物１は、マイクロレンズ２の大きさよりも小さく形成されることとなる。３次元微細構造物１は、秘匿性の都合上、直接目視したときに視認できない程度の大きさとすることが好ましい。
The
３次元微細構造物１とマイクロレンズ２の配列は、図３のような格子状配列に限らず、例えば、図４のような配列であってもよい。図４の例は、３次元微細構造物１、マイクロレンズ２が亀甲状に配列された例である。図４（ａ）に示されるように、Ｘ軸方向に隣接する３次元微細構造物１は、ピッチｗを有して配列される。そして、斜め方向に隣接する３次元微細構造物１に対してもピッチｗを有して配列されている。マイクロレンズ２も同様であって、図４（ｂ）に示されるようにＸ軸方向、斜め方向に隣接するマイクロレンズ２間はピッチｐを有して配列されている。本実施形態のセキュリティ媒体は、モアレ効果を利用することで複数の３次元微細構造物１の拡大表示像を重ねて観察者に提示することとしている。そのため、単位面積あたりに配置された３次元微細構造物１やマイクロレンズ２が多いほど、表示像を鮮明なものとすることが可能となる。
The arrangement of the three-dimensional microstructure 1 and the
では、図２に示した構成のセキュリティ媒体（タイプＡ）について、その表示原理を図５を用いて説明する。ここではＸ軸方向に隣接する３次元微細構造物１による表示原理を説明するが、Ｙ軸方向、あるいは、斜め方向に隣接する３次元微細構造物１に対しても同様の表示原理を利用することで、表示像をより鮮明なものとすることが可能となる。 The display principle of the security medium (type A) having the configuration shown in FIG. 2 will be described with reference to FIG. Here, the display principle by the three-dimensional microstructure 1 adjacent in the X-axis direction will be described, but the same display principle is also used for the three-dimensional microstructure 1 adjacent in the Y-axis direction or oblique direction. As a result, the display image can be made clearer.
タイプＡのセキュリティ媒体は、観察者側に近い側にマイクロレンズ２のレンズ面が配置され、観察者から遠い側に３次元微細構造物１が配置されたレイアウトとされている。図５には、マイクロレンズ２によって形成されるレンズ面と、３次元微細構造物１、並びに観察される実像が模式的に示されている。
The type A security medium has a layout in which the lens surface of the
３次元微細構造物１は、Ｚ軸方向すなわち観察者の観察方向において、マイクロレンズ１の略焦点位置に配置される。略焦点位置とは、観察者が拡大された３次元微細構造物１を視認できる範囲の位置を意味するものであって、正確な焦点距離に対し約３０％範囲以内の位置のことをいう。隣接するマイクロレンズ２間のピッチをｐ、隣接する３次元微細構造物１間のピッチをｗ、３次元微細構造物１の直径をｈ、マイクロレンズ２の曲率半径の中心位置から３次元微細構造物１までの距離をｄ、３次元微細構造物１の実像とマイクロレンズ２の曲率半径の中心位置までの距離をＬとする。なお、図はＺＸ平面内での主光線の様子を示したものとなっているが、拡大の様子を分かりやすくするため、３次元微細構造物１とその実像についてはＸＹ平面の様子を示したものとしている。
The three-dimensional microstructure 1 is arranged at a substantially focal position of the microlens 1 in the Z-axis direction, that is, the observer's observation direction. The substantially focal position means a position in a range where the observer can visually recognize the enlarged three-dimensional microstructure 1 and means a position within a range of about 30% with respect to an accurate focal length. The pitch between
図５のセキュリティ媒体の構成は、マイクロレンズ２のピッチｐよりも３次元微細構造物１のピッチｗが大きい場合（ｗ＞ｐ）の構成となっている。この場合、３次元微細構造物１は、マイクロレンズ２によって拡大像を形成する。所定の距離Ｌの位置では、ピッチ差（ｗ−ｐ）を起因として、隣接する拡大像が同じ位置あるいは略同じ位置に重なり合う
ことで実像を形成、すなわち、セキュリティ媒体に対して観察者側に像が形成される。これはいわゆるモアレ効果を利用したものであって、観察者は拡大された３次元微細構造物１を浮いた状態で観察することが可能となる。
The configuration of the security medium in FIG. 5 is a configuration when the pitch w of the three-dimensional microstructure 1 is larger than the pitch p of the microlenses 2 (w> p). In this case, the three-dimensional microstructure 1 forms an enlarged image by the
このように拡大して観察される３次元微細構造物１の拡大率について検証しておく。図５において幾何学上の相似関係から（１−１）式を導くことができる。
ｗ（Ｌ＋ｄ）＝ｐ／Ｌ ・・・（１−１）
（１−１）式を変形すると、
Ｌ＝ｄｐ／（ｗ−ｐ） ・・・（１−２）
The enlargement rate of the three-dimensional microstructure 1 observed in this way is verified. In FIG. 5, the equation (1-1) can be derived from the geometric similarity.
w (L + d) = p / L (1-1)
When formula (1-1) is transformed,
L = dp / (w−p) (1-2)
同様に、幾何学上の相似関係から（１−３）式を導くことができる。
Ｈ＝Ｌｈ／ｄ ・・・（１−３）
（１−３）式を変形すると、
Ｌ＝Ｈｄ／ｈ ・・・（１−４）
Similarly, the expression (1-3) can be derived from the geometric similarity.
H = Lh / d (1-3)
When the equation (1-3) is transformed,
L = Hd / h (1-4)
（１−２）式と（１−４）式から、観察される３次元微細構造物１の拡大率αは（１−５）式にて表すことができる。
α＝Ｈ／ｈ＝ｐ／（ｗ−ｐ）・・・（１−５）
From the formulas (1-2) and (1-4), the magnification α of the observed three-dimensional microstructure 1 can be expressed by the formula (1-5).
α = H / h = p / (w−p) (1-5)
以下に、図５のセキュリティ媒体について、拡大率αと観察される象の大きさＣの数値実施例を記載しておく。何れの場合も３次元微細構造物１の大きさｈ（直径）を９０μｍ、３次元微細構造物のピッチｗを９８．９μｍに固定している。
表１から分かるようにピッチ差が小さくなるほど、拡大率α、観察像の大きさは共に大きくなることが分かる。また、１μｍのピッチ差が拡大率に大きく影響を及ぼすこともみてとれる。３次元微細構造物１とマイクロレンズ２とのピッチ差を精密に異ならせて製造することは難しいため、その複製を困難な状態とし、容易に偽造や改ざんを行うことを防止することが可能となる。
As can be seen from Table 1, the smaller the pitch difference, the larger the enlargement ratio α and the size of the observation image. It can also be seen that a pitch difference of 1 μm greatly affects the enlargement ratio. Since it is difficult to manufacture the three-dimensional fine structure 1 and the
図６は、図５と同様、観察者側にマイクロレンズ２が配置されているセキュリティ媒体（タイプＡ）であって、３次元微細構造物１のピッチｗよりもマイクロレンズ２のピッチｐが大きい場合（ｐ＞ｗ）の構成となっている。図６には、マイクロレンズ２によって形成されるレンズ面と、３次元微細構造物１、並びに観察される虚像が模式的に示されている。
FIG. 6 shows a security medium (type A) in which the
３次元微細構造物１は、Ｚ軸方向すなわち観察者の観察方向において、マイクロレンズ
１の略焦点位置に配置される。略焦点位置とは、観察者が拡大された３次元微細構造物１を視認できる範囲の位置を意味するものであって、正確な焦点距離に対し約３０％範囲以内の位置のことをいう。隣接するマイクロレンズ２間のピッチをｐ、隣接する３次元微細構造物１間のピッチをｗ、３次元微細構造物１の直径をｈ、マイクロレンズ２の曲率半径の中心位置から３次元微細構造物１までの距離をｄ、３次元微細構造物１から実像までの距離をＬとする。
The three-dimensional microstructure 1 is arranged at a substantially focal position of the microlens 1 in the Z-axis direction, that is, the observer's observation direction. The substantially focal position means a position in a range where the observer can visually recognize the enlarged three-dimensional microstructure 1 and means a position within a range of about 30% with respect to an accurate focal length. The pitch between
この場合、３次元微細構造物１は、マイクロレンズ２によって拡大像を形成する。このとき所定の距離Ｌの位置では、ピッチ差（ｐ−ｗ）を起因として、隣接する拡大像が同じ位置あるいは略同じ位置に重なり合うことで虚像を形成する。すなわち、セキュリティ媒体に対して観察者と反対側に像を形成する。観察者は拡大された３次元微細構造物１を沈んだ状態で観察することが可能となる。
In this case, the three-dimensional microstructure 1 forms an enlarged image by the
このように拡大して観察される３次元微細構造物１の拡大率について検証しておく。図６において幾何学上の相似関係から（２−１）式を導くことができる。
ｗ／Ｌ＝ｐ／（Ｌ＋ｄ） ・・・（２−１）
（２−１）式を変形すると、
Ｌ＝ｄｗ／（ｐ−ｗ） ・・・（２−２）
The enlargement rate of the three-dimensional microstructure 1 observed in this way is verified. In FIG. 6, the equation (2-1) can be derived from the geometric similarity.
w / L = p / (L + d) (2-1)
When the equation (2-1) is transformed,
L = dw / (p−w) (2-2)
同様に、幾何学上の相似関係から（２−３）式を導くことができる。
ｄ／ｈ＝（ｄ＋Ｌ）／Ｈ ・・・（２−３）
（２−３）式を変形すると、
Ｌ＝ｄ（Ｈ／ｈ−１） ・・・（２−４）
Similarly, equation (2-3) can be derived from the geometric similarity.
d / h = (d + L) / H (2-3)
When the equation (2-3) is transformed,
L = d (H / h-1) (2-4)
（２−２）式と（２−４）式から、観察される３次元微細構造物１の拡大率αは（２−５）式にて表すことができる。
α＝Ｈ／ｈ＝ｐ／（ｐ−ｗ）・・・（２−５）
From the formulas (2-2) and (2-4), the magnification α of the observed three-dimensional microstructure 1 can be expressed by the formula (2-5).
α = H / h = p / (p−w) (2-5)
図２に示されるようなタイプＡのセキュリティ媒体では、観察者側に配列されたマイクロレンズ２を介して、観察側に対して反対側（観察者側からみて遠い側）に配列された３次元微細構造物の実像あるいは虚像を拡大観察することが可能とされている。本実施形態のセキュリティ媒体は、このような構成（タイプＡ）のみならず、次のような構成（タイプＢ）を採用することもできる。
In the type A security medium as shown in FIG. 2, the three-dimensional array is arranged on the opposite side (the side far from the observer side) through the
図７は、本発明の実施形態に係るセキュリティ媒体（タイプＢ）の構成を示す模式図であって、セキュリティ媒体の一部を拡大した斜視図となっている。本実施形態のセキュリティ媒体５は、ＸＹ平面上に配列された３次元微細構造物１と、ＸＹ平面上に配列されたマイクロミラーレンズ３によって、拡大された３次元微細構造物１の実像もしくは虚像を観察者に観察させることを可能としている。
FIG. 7 is a schematic diagram showing the configuration of the security medium (type B) according to the embodiment of the present invention, and is a perspective view in which a part of the security medium is enlarged. The security medium 5 of the present embodiment includes a real image or a virtual image of the three-dimensional fine structure 1 enlarged by the three-dimensional fine structure 1 arranged on the XY plane and the
３次元微細構造物１の配列（３次元微細構造物アレイ）、マイクロミラーレンズ３の配列（マイクロミラーレンズアレイ）は、図７、図３に示すように格子状あるいは図４で説明したように亀甲状にて配置される。本実施形態の３次元微細構造物１並びにそれが配置されたシートは透明部材によって構成されている。一方、マイクロミラーレンズ３は、Ｚ軸負の方向に凹面を向けた反射面を有し、観察方向（Ｚ軸負側から正側に向かう方向）から入射する光を反射させる。マイクロミラーレンズ３で反射された光は、３次元微細構造物１を透過し、観察者に対して３次元微細構造物１の実像もしくは虚像を拡大表示する。
The arrangement of the three-dimensional microstructure 1 (three-dimensional microstructure array) and the arrangement of the micromirror lens 3 (micromirror lens array) are as shown in FIG. 7 and FIG. It is arranged in a turtle shell shape. The three-dimensional microstructure 1 of this embodiment and the sheet on which it is arranged are constituted by a transparent member. On the other hand, the
図８は、観察者側に３次元微細構造物１が配置されたセキュリティ媒体（タイプＢ）であって、３次元微細構造物１のピッチｗよりもマイクロミラーレンズ３のピッチｐが大き
い場合（ｐ＞ｗ）の構成となっている。図８には、マイクロミラーレンズ３によって形成されるミラー面と、３次元微細構造物１、並びに観察される実像が模式的に示されている。
FIG. 8 shows a security medium (type B) in which the three-dimensional microstructure 1 is arranged on the viewer side, and the pitch p of the
３次元微細構造物１は、Ｚ軸上すなわち観察者の観察方向において、マイクロミラーレンズ３の略焦点位置に配置される。略焦点位置とは、観察者が拡大された３次元微細構造物１を視認できる範囲の位置を意味するものであって、正確な焦点距離に対し約３０％範囲以内の位置のことをいう。隣接するマイクロミラーレンズ３間のピッチをｐ、隣接する３次元微細構造物１間のピッチをｗ、３次元微細構造物１の直径をｈ、マイクロミラーレンズ３の曲率半径の中心位置から３次元微細構造物１までの距離をｄ、３次元微細構造物１からその実像までの距離をＬとする。
The three-dimensional microstructure 1 is arranged at a substantially focal position of the
この場合、マイクロミラーレンズ３から射出される反射光は、３次元微細構造物１を透過して拡大像を形成する。このとき所定の距離Ｌの位置では、ピッチ差（ｐ−ｗ）を起因として、隣接する拡大像が同じ位置あるいは略同じ位置に重なり合うことで実像を形成する。これもタイプＡのセキュリティ媒体と同様、モアレ効果を利用したものであって、観察者は、拡大された３次元微細構造物１を浮いた状態で観察することが可能となる。
In this case, the reflected light emitted from the
このように拡大して観察される３次元微細構造物１の拡大率について検証しておく。図８において幾何学上の相似関係から（３−１）式を導くことができる。
ｗ／Ｌ＝ｐ／（Ｌ＋ｄ） ・・・（３−１）
（２−１）式を変形すると、
Ｌ＝ｄｗ／（ｐ−ｗ） ・・・（３−２）
The enlargement rate of the three-dimensional microstructure 1 observed in this way is verified. In FIG. 8, the equation (3-1) can be derived from the geometric similarity.
w / L = p / (L + d) (3-1)
When the equation (2-1) is transformed,
L = dw / (p−w) (3-2)
同様に、幾何学上の相似関係から（３−３）式を導くことができる。
ｄ／ｈ＝（ｄ＋Ｌ）／Ｈ ・・・（３−３）
（２−３）式を変形すると、
Ｌ＝ｄ（Ｈ／ｈ−１） ・・・（３−４）
Similarly, the expression (3-3) can be derived from the geometric similarity.
d / h = (d + L) / H (3-3)
When the equation (2-3) is transformed,
L = d (H / h-1) (3-4)
（３−２）式と（３−４）式から、観察される３次元微細構造物１の拡大率αは（３−５）式にて表すことができる。
α＝Ｈ／ｈ＝ｐ／（ｐ−ｗ）・・・（３−５）
From the expressions (3-2) and (3-4), the magnification α of the observed three-dimensional microstructure 1 can be expressed by the expression (3-5).
α = H / h = p / (p−w) (3-5)
一方、図９は、図８と同様、観察者側に３次元微細構造物１が配置されているセキュリティ媒体（タイプＢ）であって、マイクロミラーレンズ３のピッチｐよりも３次元微細構造物１のピッチｗが大きい場合（ｗ＞ｐ）の構成となっている。図９には、マイクロミラーレンズ３によって形成されるミラー面と、３次元微細構造物１、並びに観察される虚像が模式的に示されている。
On the other hand, FIG. 9 shows a security medium (type B) in which the three-dimensional fine structure 1 is arranged on the viewer side as in FIG. 8, and the three-dimensional fine structure is larger than the pitch p of the
３次元微細構造物１は、Ｚ軸上すなわち観察者の観察方向において、マイクロミラーレンズ３の略焦点位置に配置される。隣接するマイクロミラーレンズミラー３間のピッチをｐ、隣接する３次元微細構造物１間のピッチをｗ、３次元微細構造物１の直径をｈ、マイクロミラーレンズミラー３の曲率半径の中心位置から３次元微細構造物１までの距離をｄ、３次元微細構造物１からその虚像までの距離をＬとする。
The three-dimensional microstructure 1 is arranged at a substantially focal position of the
この場合、マイクロミラーレンズ３から射出された反射光は、３次元微細構造物１を透過して拡大像を形成する。所定の距離Ｌの位置では、ピッチ差（ｗ−ｐ）を起因として、隣接する拡大像が同じ位置あるいは略同じ位置に重なり合うことで虚像を形成する。観察者は拡大された３次元微細構造物１を沈んだ状態で観察することが可能となる。
In this case, the reflected light emitted from the
このように拡大して観察される３次元微細構造物１の拡大率について検証しておく。図９において幾何学上の相似関係から（４−１）式を導くことができる。
ｗ／Ｌ＝ｐ／（Ｌ−ｄ） ・・・（４−１）
（１−１）式を変形すると、
Ｌ＝ｄｗ（ｗ−ｐ） ・・・（４−２）
The enlargement rate of the three-dimensional microstructure 1 observed in this way is verified. In FIG. 9, the equation (4-1) can be derived from the geometric similarity.
w / L = p / (L−d) (4-1)
When formula (1-1) is transformed,
L = dw (w−p) (4-2)
同様に、幾何学上の相似関係から（４−３）式を導くことができる。
h／ｄ＝Ｈ／（Ｌ−ｄ） ・・・（４−３）
（４−３）式を変形すると、
Ｌ＝ｄ（Ｈ／ｈ＋１） ・・・（４−４）
Similarly, equation (4-3) can be derived from the geometric similarity.
h / d = H / (L−d) (4-3)
When the equation (4-3) is transformed,
L = d (H / h + 1) (4-4)
（４−２）式と（４−４）式から、観察される３次元微細構造物１の拡大率αは（４−５）式にて表すことができる。
α＝Ｈ／ｈ＝ｐ／（ｐ−ｗ） ・・・（４−５）
From the expressions (4-2) and (4-4), the magnification α of the observed three-dimensional microstructure 1 can be expressed by the expression (4-5).
α = H / h = p / (p−w) (4-5)
タイプＡ、タイプＢのセキュリティ媒体それぞれについて、ｗ＞ｐの場合と、ｗ＜ｐの場合の拡大率について検討したが、次にｗ＞ｐの場合（ケース１）、ｗ＜ｐの場合（ケース２）のそれぞれについて、３次元微細構造物のピッチｗの好適とされる範囲について検討する。ここではマイクロレンズ２を使用したタイプＡについて検討するが、マイクロミラーレンズ３を用いたタイプＢについても同様である。
For each of the type A and type B security media, we examined the enlargement ratio when w> p and when w <p. Next, when w> p (case 1), when w <p (case) For each of 2), the preferred range of the pitch w of the three-dimensional microstructure will be examined. Here, type A using the
まず、ｗ＞ｐの場合（ケース１）について３次元微細構造物１のピッチｗの上限、下限について説明する。
３次元微細構造物１のピッチwに対するピッチ差（ｗ−ｐ）の比率をＡ［％］とすると
、
３次元微細構造物１のピッチwに対するマイクロレンズ２のピッチpとのピッチ差は、
ｗ−ｐ＝ｗ×Ａ／１００ ・・・（５−１）
で表すことができる。このピッチ差を用いてマイクロレンズ２のピッチｐは、
ｐ＝ｗ（１−Ａ／１００） ・・・（５−２）
と表すことができる。
First, an upper limit and a lower limit of the pitch w of the three-dimensional microstructure 1 will be described in the case of w> p (case 1).
When the ratio of the pitch difference (w−p) to the pitch w of the three-dimensional microstructure 1 is A [%],
The pitch difference between the pitch w of the
w−p = w × A / 100 (5-1)
Can be expressed as Using this pitch difference, the pitch p of the
p = w (1-A / 100) (5-2)
It can be expressed as.
ケース１の場合、拡大率αは（１−５）式で表すことができる。ピッチｗ内に位置する３次元微細構造物１は、ピッチｗと拡大率αの積となる大きさβを上限として観察されることとなる。
β＝ｗ×α＝ｗ（ｐ／ｗ−ｐ） ・・・（５−３）
In case 1, the enlargement ratio α can be expressed by equation (1-5). The three-dimensional microstructure 1 located in the pitch w is observed with the size β, which is the product of the pitch w and the magnification factor α, as the upper limit.
β = w × α = w (p / w−p) (5-3)
観察時における大きさβを２０００［μｍ］（２［ｍｍ］）以上の大きさに設定することを考えると（５−３）式から
β＝ｗ（ｐ／ｗ−ｐ）≧２０００ ・・・（５−３）’
の関係が必要となる。（５−３）’式に（５−２）式を代入すると、
１００ｗ／（２０００＋ｗ）≧Ａ ・・・（５−３）’’
なる関係が得られ、３次元微細構造物１に対するピッチ差（ｗ−ｐ）の比率Ａは、３次元微細構造物１のピッチｗに依存することが分かる。
Considering that the size β at the time of observation is set to 2000 [μm] (2 [mm]) or more, from equation (5-3), β = w (p / w−p) ≧ 2000 (5-3) '
This relationship is required. Substituting equation (5-2) into equation (5-3) ',
100w / (2000 + w) ≧ A (5-3) ''
It can be seen that the ratio A of the pitch difference (w−p) with respect to the three-dimensional microstructure 1 depends on the pitch w of the three-dimensional microstructure 1.
図１０は、（５−３）’’をグラフ化した図であって、ｗ＞ｐの場合（ケース１）における３次元微細構造物のピッチｗと、ピッチｗに対するピッチ差（ｗ−ｐ）の比率Ａを示した図である。実線は（５−３）’’において、大きさβがちょうど２０００［μｍ］となる値を示している。この実線よりも下方、図ではドットが付された領域内では大きさβは２０００［μｍ］よりも大きい値となる。 FIG. 10 is a graph of (5-3) ″, and the pitch w of the three-dimensional microstructure in the case of w> p (case 1) and the pitch difference (w−p) with respect to the pitch w. FIG. A solid line indicates a value where the size β is exactly 2000 [μm] in (5-3) ″. Below the solid line, in the drawing, in the region with dots, the size β is greater than 2000 [μm].
３次元微細構造物１のピッチｗの上限は３００［μｍ］以下に設定することが好ましい。３次元微細構造物１のピッチｗを３００［μｍ］以上とすると、レンズ等の拡大手段を用いなくてもピッチｗ内に配置される３次元構造物１を目視で容易に観察可能となる。したがって、偽造や改ざんを防止する上では目視で観察できない大きさにピッチｗを設けることが好ましい。さらに好ましくは、ピッチｗの上限を１００［μｍ］に設定することとする。目視での観察をより困難な状態とし、偽造、改ざんをさらに抑制することが可能となる。 The upper limit of the pitch w of the three-dimensional microstructure 1 is preferably set to 300 [μm] or less. When the pitch w of the three-dimensional fine structure 1 is set to 300 [μm] or more, the three-dimensional structure 1 arranged in the pitch w can be easily observed visually without using a magnifying means such as a lens. Therefore, it is preferable to provide the pitch w in a size that cannot be visually observed in order to prevent forgery and tampering. More preferably, the upper limit of the pitch w is set to 100 [μm]. Visual observation can be made more difficult, and counterfeiting and tampering can be further suppressed.
一方、マイクロレンズ２のピッチｐは、３次元微細構造物１のピッチｗと同様に３００［μｍ］以下とすることが好ましく、１００［μｍ］以下の大きさに設定することがさらに好ましい。観察される実像または虚像は１個のマイクロレンズ２を１画素として観察される。ピッチｐが３００［μｍ］以上になると画素が粗くなり解像度の低い観察像となってしまう。一方、ピッチｐが１００［μｍ］以下では画素が目視でほとんど見えなくなり解像度の高い像を提供することが可能となる。
On the other hand, the pitch p of the
また３次元微細構造物１のピッチｗの下限は１０［μｍ］とすることが好ましい。これは、ピッチ差（ｗ−ｐ）の比率Ａを理由とするものである。本実施形態ではモアレ効果を利用して像を拡大する関係上、３次元微細構造物１とマイクロレンズ２のピッチ差が重要である。しかしながら、ピッチ差の比率Ａは０．５［％］以上の精度で合わせ込むことは困難である。したがって、３次元微細構造物１のピッチｗの下限は、β＝２０００［μｍ］におけるピッチ差の比率Ａ＝０．５［％］としたときの値である１０［μｍ］に設定することが好ましい。
The lower limit of the pitch w of the three-dimensional microstructure 1 is preferably 10 [μm]. This is because of the ratio A of the pitch difference (w−p). In the present embodiment, the pitch difference between the three-dimensional microstructure 1 and the
次に、ｗ＜ｐの場合（ケース２）について３次元微細構造物１のピッチｗの上限、下限について説明する。
３次元微細構造物１に対するピッチ差（ｗ−ｐ）の比率をＡ［％］とすると、
３次元微細構造物１に対するマイクロレンズ２のピッチ差は、
ｐ−ｗ＝ｗ×Ａ／１００ ・・・（６−１）
で表すことができる。このピッチ差を用いてマイクロレンズ２のピッチｐは、
ｐ＝ｗ（１＋Ａ／１００） ・・・（６−２）
と表すことができる。
Next, an upper limit and a lower limit of the pitch w of the three-dimensional microstructure 1 will be described in the case of w <p (case 2).
When the ratio of the pitch difference (w−p) with respect to the three-dimensional microstructure 1 is A [%],
The pitch difference of the
p−w = w × A / 100 (6-1)
Can be expressed as Using this pitch difference, the pitch p of the
p = w (1 + A / 100) (6-2)
It can be expressed as.
ケース２の場合、拡大率αは（２−５）式で表すことができる。ピッチｗ内に位置する３次元微細構造物１は、ピッチｗと拡大率αの積となる大きさβを上限として観察されることとなる。
β＝ｗ×α＝ｗ（ｐ／ｐ−ｗ） ・・・（６−３）
In
β = w × α = w (p / p−w) (6-3)
観察時における大きさβを２０００［μｍ］（２［ｍｍ］）以上の大きさに設定することを考えると（６−３）式から
β＝ｗ（ｐ／ｐ−ｗ）≧２０００ ・・・（６−３）’
の関係が必要となる。（６−３）’式に（６−２）式を代入すると、
１００ｗ／（２０００−ｗ）≧Ａ ・・・（６−３）’’
なる関係が得られ、３次元微細構造物１に対するピッチ差（ｐ−ｗ）の比率Ａは、ケース１の場合と同様、３次元微細構造物１のピッチｗに依存することが分かる。
Considering that the size β at the time of observation is set to 2000 [μm] (2 [mm]) or more, from equation (6-3), β = w (p / p−w) ≧ 2000 (6-3) '
This relationship is required. Substituting (6-2) into (6-3) ',
100w / (2000-w) ≧ A (6-3) ''
It can be seen that the ratio A of the pitch difference (p−w) with respect to the three-dimensional microstructure 1 depends on the pitch w of the three-dimensional microstructure 1 as in the case 1.
図１１は、（６−３）’’をグラフ化した図であって、ｗ＜ｐの場合（ケース２）における３次元微細構造物のピッチｗと、ピッチｗに対するピッチ差（ｐ−ｗ）の比率Ａを示した図である。実線は（６−３）’’において、大きさβがちょうど２０００［μｍ］となる値を示している。この実線よりも下方、図ではドットが付された領域内では大きさβは２０００［μｍ］よりも大きい値となる。 FIG. 11 is a graph of (6-3) ″, and the pitch w of the three-dimensional microstructure in the case of w <p (case 2) and the pitch difference (p−w) with respect to the pitch w. FIG. A solid line indicates a value where the size β is exactly 2000 [μm] in (6-3) ″. Below the solid line, in the drawing, in the region with dots, the size β is greater than 2000 [μm].
ケース１の場合と同様、３次元微細構造物１のピッチｗの上限は、偽造や改ざん抑制の観点から３００［μｍ］以下に設定することが好ましい。さらには１００［μｍ］に設定することが好ましい。 As in the case 1, the upper limit of the pitch w of the three-dimensional microstructure 1 is preferably set to 300 [μm] or less from the viewpoint of forgery and tampering suppression. Furthermore, it is preferable to set to 100 [μm].
また、ケース１の場合と同様、マイクロレンズ２のピッチｐについては、３００［μｍ］以下の大きさに設定することが好ましく、１００［μｍ］以下の大きさに設定することがさらに好ましい。
Similarly to the case 1, the pitch p of the
また、ケース２の場合、３次元微細構造物１のピッチｗの下限は１０［μｍ］とすることが好ましい。これはケース１の場合と同様、ピッチ差の比率Ａを０．５［％］以上に合わせ込むことが困難であることを理由としている。したがって、３次元微細構造物１のピッチｗの下限は、β＝２０００［μｍ］におけるピッチ差の比率Ａ＝０．５［％］としたときの値である１０［μｍ］に設定することが好ましい。
In the
では、本発明の実施形態に係るセキュリティ媒体の製造過程（製造方法）、並びに、その構成の実施例を説明する。本実施形態のセキュリティ媒体は、３次元微細構造物１もしくはマイクロレンズ２（マイクロミラーレンズ３）のどちらか一方を、２枚のプラスチックシートで挟持一体化することで、挟持される対象物の取り出し、及び、その複製を困難な状態とし、容易に偽造や改ざんを行うことを防止することが可能となる。 Now, an example of a security medium manufacturing process (manufacturing method) and a configuration thereof according to the embodiment of the present invention will be described. The security medium according to the present embodiment takes out either the three-dimensional microstructure 1 or the microlens 2 (micromirror lens 3) by sandwiching and integrating the two objects with two plastic sheets. In addition, it is possible to prevent the forgery or tampering easily by making the duplication difficult.
（実施例１）
図１２には、セキュリティ媒体（タイプＡ）の製造過程及びその構成が示されている。図１２（ａ）はセキュリティ媒体の製造過程を、また、図１２（ｂ）はセキュリティ媒体の構成（図１におけるＡ−Ａ’間のＺＸ平面での断面図）が示されている。なお、図１において実際に利用可能なセキュリティカード４を構成する場合、図１２に図示した以外の層が設けられる場合がある。
Example 1
FIG. 12 shows the manufacturing process and configuration of the security medium (type A). FIG. 12A shows the process of manufacturing the security medium, and FIG. 12B shows the configuration of the security medium (cross-sectional view along the ZX plane between AA ′ in FIG. 1). In the case where the
実施例１のセキュリティ媒体は、２枚のプラスチックシート３１、３２の間に３次元微細構造物１を有する３次元微細構造物シート１０を挟持一体化することで形成される。まず、この３次元微細構造物シート１０の製造過程について説明する。
The security medium of Example 1 is formed by sandwiching and integrating a three-
工程１：Ｓｉ基板の上にポジレジスト（東京応化工業社製ＰＭＥＲ Ｐ−ＬＡ９００ＰＭ）を２０μｍの膜厚で塗布し、フォトマスクを介して、ステッパ露光、現像処理、Ａｌスパッタを施し、１つ９０μｍの大きさ（高さ５μｍ）の３次元微細構造物１を有する凹凸パターンを２０ｍｍ×２０ｍｍのエリア内にＸ方向９９μｍ、Ｙ方向９９μｍピッチで配列したレジスト原版を作製する。 Step 1: A positive resist (PMER P-LA900PM manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) is applied on a Si substrate with a film thickness of 20 μm, and is subjected to stepper exposure, development processing, and Al sputtering through a photomask, one 90 μm. A resist original plate is produced in which a concavo-convex pattern having a three-dimensional microstructure 1 having a size of 5 mm (height: 5 μm) is arranged in a 20 mm × 20 mm area at a pitch of 99 μm in the X direction and 99 μm in the Y direction.
工程２：工程１で作製したレジスト原版の上にＵＶ硬化樹脂１２を滴下し、ＰＥＴなどを材料とする基材１１を被せた後、３６５ｎｍのＵＶ（紫外線）を照射して硬化させ、レジスト原版から剥離することで表面に３次元微細構造物１が形成された複製版を作製する。
Step 2: A UV
工程３：工程２の複製版の３次元微細構造物１表面に反射層１３を形成する。本実施形態では、Ａｌ（アルミニウム）を約３０ｎｍスパッタすることで３次元微細構造物１表面に反射層１３を形成している。反射層１３は、このようにＡｌなどの金属層を設けることなどで完全反射型とする構成以外に、高屈折率層、薄い金属層、あるいは多層膜を設けることで半透過型とすることとしてもよい。
Step 3: The
工程４：抜き刃を用いて、工程３で反射層１３が形成された複製版を１５ｍｍ×１５ｍ
ｍに打ち抜き、３次元微細構造物シート１０が作製される。
Step 4: Using a punching blade, copy the replication plate on which the
A three-
本実施形態では、このように３次元微細構造物１の形成にあたり、ＵＶ硬化樹脂（光硬化性樹脂）を用いることとしたが、このほか、材料には熱硬化性樹脂あるいは熱可塑性樹脂を用いることや、製法には熱プレスを用いて形成することとしてもよい。 In the present embodiment, the UV curable resin (photo curable resin) is used for forming the three-dimensional microstructure 1 as described above. However, a thermosetting resin or a thermoplastic resin is also used as the material. In addition, the manufacturing method may be performed using a hot press.
このような工程で作製された３次元微細構造物シート１０は、２枚のプラスチックシート３１、３２に挟持され、熱インプリント装置にて熱プレスすることでカード化、すなわち、図１に示されるような実際に使用されるセキュリティカード４と同じ面形状を有するセキュリティ媒体５として作製される。その際、本実施形態では熱プレスを行う際に、マイクロレンズ２を同時にプラスチックシート３１上に賦形することで、工程の簡略化が図られている。
The three-
２枚のプラスチックシート３１、３２間で挟持一体化される３次元微細構造物シートの位置、特に３次元微細構造物のＺ軸方向の位置は、プラスチックシート３１の厚みを選択することで制御することが可能である。図５、図６で説明したように距離ｄを含むレンズ面と３次元微細構造物１のＺ軸方向の位置合わせは、ぼけの少ない像を形成するために重要である。挟持一体化の過程、すなわち熱プレスを経た完成後のセキュリティ媒体からは、レンズ面と３次元微細構造物１の距離を特定することは困難となるため、このような製造工程は、複製防止効果に役立つこととなる。
The position of the three-dimensional microstructure sheet sandwiched and integrated between the two
マイクロレンズ２の賦形は、熱プレスする際に使用される金型５１に賦形されたマイクロレンズ賦形部５２によって行われる。本実施形態では、１５０ｍｍ×１５０ｍｍの大きさのＳＵＳ板の表面に版面形成用の銅めっき層を設け、銅めっき層にエッチングによってマイクロレンズを形成後、クロムめっきを施して、１５ｍｍ×１５ｍｍのエリア（マイクロレンズ賦形部５２）内にＸ方向１００μｍ、Ｙ方向１００μｍピッチで多数配列したマイクロレンズ２の金型５１（原版）を作製した。
The shaping of the
セキュリティ媒体は、工程１〜工程４の製造工程で作製された３次元微細構造物シート１０を２枚のプラスチックシート３１、３２間に挟んだ状態で、マイクロレンズ賦形部５２を有する金型５１と金型５０との間で熱プレスすることでカード化される。その際、３次元微細構造物シート１０上にマイクロレンズ賦形部５２が位置するように金型５１の位置決めされる。
The security medium is a
このように作製されたセキュリティ媒体において、マイクロレンズ２部分を観察することで拡大された３次元微細構造物１を観察することができた。
In the security medium thus manufactured, the three-dimensional microstructure 1 enlarged by observing the
（実施例２）
図１３には、図１２と同様の製造方法で作成されたセキュリティ媒体（タイプＡ）について、その製造過程（ａ）と、構成（ｂ）が示されている。ただし、本実施形態は、３次元微細構造物シート１０の向きが異なっている。このような構成では、３次元微細構造物シートを形成する基材１１、ＵＶ硬化樹脂１２は、３次元微細構造物１を観察できるよう透明であることが必要となる。
(Example 2)
FIG. 13 shows a manufacturing process (a) and a configuration (b) of a security medium (type A) created by the same manufacturing method as in FIG. However, in this embodiment, the orientation of the three-
さらにこのような３次元微細構造物１の裏面、すなわち、観察側とは反対側に反射層１３が設けられた構成によれば、マイクロレンズ２から入射する光は、レジスト原版でＵＶ硬化樹脂１２に賦形された３次元微細構造物１の表面で直接反射して、観察者に拡大像を提示する。観察者は、賦形時における３次元微細構造物１の形を観察することとなり、エッジなまり等を抑えた先鋭な形状を観察することが可能となる。
Further, according to the configuration in which the
（実施例３）
図１４には、セキュリティ媒体（タイプＢ）の製造過程及びその構成が示されている。図１４（ａ）〜（ｃ）はセキュリティ媒体の製造過程を、また、図１４（ｄ）はセキュリティ媒体の構成（図１におけるＡ−Ａ’間のＺＸ平面での断面図）が示されている。なお、図１において実際に利用可能なセキュリティカード４を構成する場合、図１４に図示した以外の層が設けられる場合がある。
(Example 3)
FIG. 14 shows the manufacturing process and the configuration of the security medium (type B). 14A to 14C show the manufacturing process of the security medium, and FIG. 14D shows the structure of the security medium (cross-sectional view along the ZX plane between AA ′ in FIG. 1). Yes. In the case where the
実施例３のセキュリティ媒体は、２枚のプラスチックシート３１、３２の間にマイクロミラーレンズ３を有するマイクロミラーレンズシート２０を挟持一体化することで形成される。まず、このマイクロミラーレンズシート２０の製造過程について説明する。
The security medium of Example 3 is formed by sandwiching and integrating the
工程１：Ｓｉ基板の上にポジレジスト（東京応化工業社製ＰＭＥＲ Ｐ−ＬＡ９００ＰＭ）を２０μｍの膜厚で塗布し、フォトマスクを介して、ステッパ露光、現像処理、Ａｌスパッタを施し、２０ｍｍ×２０ｍｍのエリア内に、Ｘ方向１００μｍ、Ｙ方向１００μｍピッチで多数配列したマイクロレンズアレイの原版を作製する。 Step 1: A positive resist (PMER P-LA900PM manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) is applied on a Si substrate with a film thickness of 20 μm, subjected to stepper exposure, development processing, and Al sputtering through a photomask, and is 20 mm × 20 mm. In this area, an original microlens array is prepared in which a large number are arranged at a pitch of 100 μm in the X direction and 100 μm in the Y direction.
工程２：工程１で作製したマイクロレンズアレイの原版の上にＵＶ硬化樹脂２２を滴下し、ＰＥＴなどを材料とする基材２１を被せた後、３６５ｎｍのＵＶ(紫外線)を照射して硬化させ、レジスト原版から剥離することで表面にマイクロミラーレンズ３の原型を有する複製版を作製する。
Step 2: A UV
工程３：工程２の複製版のマイクロミラーレンズ３の表面に反射層２３を形成する。本実施形態では、Ａｌ（アルミニウム）を約３０ｎｍスパッタすることで３次元微細構造物１の表面に反射層１３を形成している。前述した実施例と同様、反射層１３には、完全反射型、半透過型、どちらを採用することとしてもよい。
Step 3: A
工程４：抜き刃を用いて、工程３で反射層１３が形成された複製版を１５ｍｍ×１５ｍｍに打ち抜き、マイクロミラーレンズシート２０が作製される。
Step 4: Using a punching blade, the duplicate plate on which the
このような工程で作製されたマイクロミラーレンズシート２０は、２枚のプラスチックシート３１、３２に挟持され、熱インプリント装置にて熱プレスすることで、図１４（ｂ）に示されるようなプラスチックシート３１、３２の間にマイクロミラーレンズシート２０を挟持一体化されたシートが形成される。本実施形態では、このように作製されたシート上に３次元微細構造物１を賦形することで、セキュリティ媒体が作製される。
The
Ｓｉ基板の上にポジレジスト（東京応化工業社製ＰＭＥＲ Ｐ−ＬＡ９００ＰＭ）を２０μｍの膜厚で塗布し、フォトマスクを介して、ステッパ露光、現像処理、Ａｌスパッタを施し、１５ｍｍ×１５ｍｍのエリア内（３次元微細構造物賦形部５３）に、１つ９０μｍの大きさ（高さ４μｍ）の凹凸パターンからなる３次元微細構造物１をＸ方向９９μｍ、Ｙ方向９９μｍピッチで配列した３次元微細構造物１のレジスト原版を作製する。
A positive resist (PMER P-LA900PM manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) is applied to a Si substrate with a film thickness of 20 μm, and is subjected to stepper exposure, development processing, and Al sputtering through a photomask, within an area of 15 mm × 15 mm. Three-dimensional fine structure in which three-dimensional fine structures 1 each having an uneven pattern with a size of 90 μm (
作製されたレジスト原版にＵＶ硬化樹脂を滴下し、上から青板ガラスを被せて、ＵＶ光を照射して硬化させ、レジスト原版から剥離して複製版５４を作製する。
A UV curable resin is dropped on the prepared resist original plate, covered with blue plate glass from above, cured by irradiation with UV light, and peeled from the resist original plate to produce a
図１４（ｂ）のシート上にＵＶ硬化樹脂を滴下し、マイクロミラーレンズ３が形成されている位置に複製版５４を重ねて位置合わせし、青板ガラス５５側からＵＶ光を照射して硬化させ、複製版５４を剥離することで、シート上に３次元微細構造物１が賦形され、セキュリティ媒体が完成する。図１４（ｃ）には、その工程が、また、図１４（ｄ）には完成時のセキュリティ媒体の様子が示されている。
A UV curable resin is dropped on the sheet of FIG. 14B, and the
このように作製されたセキュリティ媒体において、マイクロミラーレンズ３からの反射光にて拡大された３次元微細構造物１を観察することができた。
In the security medium produced in this way, the three-dimensional microstructure 1 enlarged by the reflected light from the
（実施例４）
図１５には、図１４と同様の製造方法で作成されたセキュリティ媒体（タイプＢ）について、その製造過程（ａ）〜（ｃ）と、構成（ｄ）が示されている。ただし、本実施形態は、マイクロミラーレンズシート２０の向きが異なっている。このような構成では、３次元微細構造物シートを形成する基材２１、ＵＶ硬化樹脂２２は、マイクロミラーレンズ３に対して光を透過できるよう透明であることが必要となる。
Example 4
FIG. 15 shows the manufacturing processes (a) to (c) and the configuration (d) of a security medium (type B) created by the same manufacturing method as in FIG. However, in this embodiment, the orientation of the
さらにこのようなマイクロミラーレンズ３の裏面、すなわち、観察側とは反対側に反射層２３が設けられることで、設計時の反射光光路を略再現することが可能となり、歪みの少ない３次元微細構造物１の像を観察者に提示することが可能となる。
Furthermore, the
実施例３、実施例４のタイプＢにおける３次元微細構造物１の形成では、ＵＶ硬化樹脂（光硬化性樹脂）を用いる場合について説明したが、このほか、材料には熱硬化性樹脂あるいは熱可塑性樹脂を用いることや、製法には熱プレスを用いることなど各種形態を採用することが可能である。 In the formation of the three-dimensional microstructure 1 in Type B of Example 3 and Example 4, the case of using a UV curable resin (photo curable resin) has been described. Various forms such as using a plastic resin and using a hot press for the manufacturing method can be adopted.
なお、本発明はこれらの実施形態のみに限られるものではなく、それぞれの実施形態の構成を適宜組み合わせて構成した実施形態も本発明の範疇となるものである。 Note that the present invention is not limited to these embodiments, and embodiments configured by appropriately combining the configurations of the respective embodiments also fall within the scope of the present invention.
１…３次元微細構造物
２…マイクロレンズ
３…マイクロミラーレンズ
４…セキュリティカード
５…セキュリティ媒体
１０…３次元微細構造物シート
１１…基材
１２…ＵＶ硬化樹脂
１３…反射層
２０…マイクロミラーレンズシート
２１…基材
２２…ＵＶ硬化樹脂
２３…反射層
３１、３２…プラスチックシート
５０…金型（基台）
５１…金型
５２…マイクロレンズ賦形部
５３…３次元微細構造物賦形部
５４…複製版
５５…青板ガラス
５６…ＵＶ硬化樹脂
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Three-dimensional
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記マイクロレンズの焦点位置に配置された３次元微細構造物が、前記第１のピッチ（ｐ）とは異なる第２のピッチ（ｗ）で配列された３次元微細構造物アレイと、を備え、
前記３次元微細構造物アレイは、２枚のプラスチックシートで挟持一体化され、
前記マイクロレンズアレイは、観察側の前記プラスチックシートに形成され、
前記３次元微細構造物に対するピッチ差（ｗ−ｐ）の比率をＡ［％］とすると、
ｗ＞ｐの場合には、
１００ｗ／（２０００＋ｗ）≧Ａ＞０
を満たすように、ｗを設定し、
ｗ＜ｐの場合には、
１００ｗ／（２０００−ｗ）≧Ａ＞０
を満たすように、ｗを設定することを特徴とする
セキュリティ媒体。 A microlens array in which microlenses are arranged at a first pitch (p) ;
A three-dimensional microstructure array arranged at a second pitch (w) different from the first pitch (p) , the three-dimensional microstructure arranged at the focal position of the microlens,
The three-dimensional microstructure array is sandwiched and integrated by two plastic sheets,
The microlens array is formed on the observation side plastic sheet ,
When the ratio of the pitch difference (w−p) to the three-dimensional microstructure is A [%],
If w> p,
100 w / (2000 + w) ≧ A> 0
Set w to satisfy
If w <p,
100w / (2000-w) ≧ A> 0
A security medium characterized by setting w to satisfy
請求項１に記載のセキュリティ媒体。 The security medium according to claim 1, wherein a reflection layer is provided on the observation side or the opposite side of the observation side of the three-dimensional microstructure.
前記マイクロミラーレンズの焦点位置に配置された３次元微細構造物が、前記第１のピッチ（ｐ）とは異なる第２のピッチ（ｗ）で配列された３次元微細構造物アレイと、を備え、
前記マイクロミラーレンズアレイは、２枚のプラスチックシートで挟持一体化され、
前記３次元微細構造物アレイは、観察側の前記プラスチックシートに形成され、
前記３次元微細構造物に対するピッチ差（ｗ−ｐ）の比率をＡ［％］とすると、
ｗ＞ｐの場合には、
１００ｗ／（２０００＋ｗ）≧Ａ＞０
を満たすように、ｗを設定し、
ｗ＜ｐの場合には、
１００ｗ／（２０００−ｗ）≧Ａ＞０
を満たすように、ｗを設定することを特徴とする
セキュリティ媒体。 A micromirror lens array in which micromirror lenses are arranged at a first pitch (p) ;
A three-dimensional microstructure array arranged at a second pitch (w) different from the first pitch (p) , the three-dimensional microstructure arranged at the focal position of the micromirror lens; ,
The micromirror lens array is sandwiched and integrated between two plastic sheets,
The three-dimensional microstructure array is formed on the observation side plastic sheet ,
When the ratio of the pitch difference (w−p) to the three-dimensional microstructure is A [%],
If w> p,
100 w / (2000 + w) ≧ A> 0
Set w to satisfy
If w <p,
100w / (2000-w) ≧ A> 0
A security medium characterized by setting w to satisfy
請求項３に記載のセキュリティ媒体。 The security medium according to claim 3, wherein a reflection layer is provided on the observation side of the micromirror lens or on the side opposite to the observation side.
プラスチックカード。 A security medium according to any one of claims 1 to 4 is used.
Plastic card.
真贋判定方法。 An authenticity determination method comprising: performing authenticity determination using the security medium according to any one of claims 1 to 4 .
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-
2011
- 2011-10-31 JP JP2011239113A patent/JP5867696B2/en active Active
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