JP5866934B2 - パターン形成方法およびインプリント方法 - Google Patents
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Description
まず、基板11上にハードマスク層12が10nm厚に形成された積層基板上にレジスト材料13を100nm厚にコートした(図1(a)参照)。このとき、基板11は石英基板であり、ハードマスク層12はクロム膜であり、レジスト材料13はネガ型電子線レジストである。
実施例1で作製したパターン形成体18をインプリントモールドとして用いて、図2に示すように凹凸パターンが反転した樹脂パターン24を形成するインプリト法を行った。
Claims (4)
- 基板にハードマスク層を形成する工程と、
前記ハードマスク層上にレジスト膜を形成し、電子線描画法により前記レジスト膜のパターニングを行い、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンの上からハードマスク材料を積層する工程と、
前記レジストパターンを除去し、前記ハードマスク層に、所望するパターンと等しい若しくは前記所望するパターンよりも小さい領域の段差を形成する工程と、
前記段差を形成したハードマスク層にレジスト層を形成する工程と、
電子線描画法により前記レジスト層に均一なパターンを形成する工程と、
前記パターニングされたレジスト層をエッチングマスクとして、前記ハードマスク層に異方性エッチングを行う工程と、
前記パターニングされたハードマスク層をエッチングマスクとして、前記基板に異方性エッチングを行う工程と、を備え、
前記ハードマスク層となる材料は、前記基板に対してエッチング選択比が高い材料であり、
前記レジスト層にパターンが形成される領域は、前記ハードマスク層に形成した段差の領域よりも大きいことを特徴とするパターン形成方法。 - 前記ハードマスク層に異方性エッチングを行う工程において、前記段差を形成したハードマスクの上段部は基板表面を覆うように残存させ、且つ、前記段差を形成したハードマスクの下段部は基板表面を一部露出させることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記ハードマスク層に段差を形成する工程において、前記ハードマスク層は基板表面を覆うように残存させることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
- 転写基板に転写材料を積層する工程と、
請求項1乃至3のいずれか1項記載のパターン形成方法を用いたパターン形成体と、前記転写基板とを接近させ、前記転写材料に前記パターン形成体のパターンの転写を行う工程と、
前記転写材料に形成されたパターンを有するレジストパターンをマスクとして前記転写基板に、凹凸反転したパターンを形成する工程と、を備えたことを特徴とするインプリント方法。
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