JP5861557B2 - 検査装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る検査装置の正面図である。検査装置10は、被測定物である半導体装置を搭載するステージ12を有している。ステージ12の内部にはステージ12を加熱する加熱部14が形成されている。図1には、電熱線で形成された加熱部14が破線で示されている。この加熱部14は絶縁体で被膜されたケーブル16から電流の供給を受ける。
図5は、本発明の実施の形態2に係る検査装置の正面図である。実施の形態1との相違点を中心に説明する。ソケット24にはペルチエ素子100が取り付けられている。ペルチエ素子100に流す電流は、絶縁体で被膜されたケーブル101から供給される。
図7は、本発明の実施の形態3に係る検査装置の正面図である。実施の形態1との相違点を中心に説明する。2本のプローブがプローブ基板20に接続されている。プローブ基板20には開口20aが形成されている。この開口20a中にハロゲンヒータ200が設置されている。ハロゲンヒータ200は近赤外線を照射するヒータである。ハロゲンヒータ200への電力供給はケーブル201を介して行われる。
図10は、本発明の実施の形態4に係る検査装置の正面図である。実施の形態1との相違点を中心に説明する。プローブの一部には、有機物又は高分子化合物で形成された熱吸収体300が形成されている。熱吸収体300は、例えばエポキシ樹脂やポリフェニレンスルファイド(PPS)で形成されるがこれらに限定されない。熱吸収体300には2個のソケット24a、24bが接続されている。
図11は、本発明の実施の形態5に係る検査装置の正面図である。実施の形態4との相違点を中心に説明する。プローブの先端には温度センサー350a、350bが取り付けられている。温度センサー350a、350bは、例えば熱電対や非接触の光学式温度センサーで形成されるがこれらに限定されない。
Claims (8)
- プローブ基板と、
前記プローブ基板に接続され、一部に有機物又は高分子化合物で形成された熱吸収体を有し、前記熱吸収体以外の部分は金属で形成されたプローブと、
前記熱吸収体に遠赤外線を直接照射し、前記プローブを加熱するヒータと、
被測定物を搭載するステージと、
前記ステージを加熱する加熱部と、を備えたことを特徴とする検査装置。 - 前記ヒータはセラミックヒータであることを特徴とする請求項1に記載の検査装置。
- 前記ヒータの先端に前記ヒータの照射範囲を狭める集光部を有し、
前記ヒータは前記熱吸収体を局所加熱することを特徴とする請求項1又は2に記載の検査装置。 - 前記プローブと前記ステージの温度を一致させるように前記ヒータと前記加熱部の発熱量を制御する制御部を備えたことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の検査装置。
- 前記プローブに取り付けられた温度センサーと、
前記温度センサーの出力信号を受信する温度制御部と、を備え、
前記温度制御部は、前記プローブの温度が所望の温度になるように前記ヒータの発熱量を調整することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の検査装置。 - 前記プローブ基板の上に形成され、前記プローブ基板の熱を放出する放熱体を備えたことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の検査装置。
- 前記プローブは、前記熱吸収体に固定された複数のプローブ先端部を備えたことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の検査装置。
- プローブ基板と、
前記プローブ基板に固定された複数のソケットと、
前記複数のソケットに1つずつ巻きつけられた電熱線と、
前記複数のソケットのそれぞれに対し1つずつ着脱可能に接続された複数のプローブ先端部と、
被測定物を搭載するステージと、
前記ステージを加熱する加熱部と、を備えたことを特徴とする検査装置。
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