JP5856574B2 - 試料加工方法 - Google Patents
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Description
図1は、第1実施形態の試料加工方法を説明するための斜視図および上面図である。
図3〜図5はそれぞれ、第1実施形態の試料加工方法に関し、t2=t1/10の場合、t2=t1/100の場合、t2=t1/1000の場合の例を示した断面図である。符号Hは、薄片4a〜4cの高さ(=開口部2a〜3cの深さ)を示す。
次に、再び図2を参照し、第1実施形態の変形例について説明する。
図6は、第2実施形態の試料加工方法を説明するための斜視図および上面図である。
図8は、第3実施形態の試料加工方法を説明するための斜視図および上面図である。
4a〜4c:薄片、5、5a〜5c:額縁部、
12a〜12c:第1の加工枠、13a〜13c:第2の加工枠、
14a〜14c:薄片形成予定領域、15、15a〜15c:額縁形成予定領域、
21:試料設置部、22:集束イオンビーム
Claims (6)
- 試料を試料設置部に設置し、
前記試料の複数の薄片形成予定領域の一側に複数の第1の加工枠を、他側に複数の第2の加工枠を設定し、
前記複数の第1の加工枠内の領域および前記複数の第1の加工枠間の領域をイオンビームを発生させたまま順に走査する第1の走査を行い、
前記複数の第2の加工枠内の領域および前記複数の第2の加工枠間の領域をイオンビームを発生させたまま順に走査する第2の走査を行い、
前記第1および第2の走査により前記試料を加工して、前記複数の薄片形成予定領域に複数の薄片を形成し、
前記第1および第2の走査において、前記第1の加工枠内の領域と前記第2の加工枠内の領域とを走査する第1の走査条件と、前記第1の加工枠間の領域と前記第2の加工枠間の領域とを走査する第2の走査条件とを異ならせることにより、前記第1の加工枠間の領域と前記第2の加工枠間の領域とに、前記薄片に接続された額縁部を形成する、
ことを含む試料加工方法。 - 複数の試料を試料設置部に設置し、
各試料の薄片形成予定領域の一側に第1の加工枠を、他側に第2の加工枠を設定し、
前記複数の試料の前記第1の加工枠内の領域および前記複数の試料の前記第1の加工枠間の領域をイオンビームを発生させたまま順に走査する第1の走査を行い、
前記複数の試料の前記第2の加工枠内の領域および前記複数の試料の前記第2の加工枠間の領域をイオンビームを発生させたまま順に走査する第2の走査を行い、
前記第1および第2の走査により前記複数の試料を加工して、各試料の前記薄片形成予定領域に薄片を形成し、
前記第1および第2の走査において、前記第1の加工枠内の領域と前記第2の加工枠内の領域とを走査する第1の走査条件と、前記第2の加工枠間の領域と前記第2の加工枠間の領域とを走査する第2の走査条件とを異ならせることにより、前記第1の加工枠間の領域と前記第2の加工枠間の領域とに、前記薄片に接続された額縁部を形成する、
ことを含む試料加工方法。 - 各試料は、前記薄片と、前記薄片の片側または両側に形成された前記額縁部と、を含むように加工される、請求項2に記載の試料加工方法。
- 前記第1および第2の走査において、前記第1の加工枠間および前記第2の加工枠間の各領域を走査する際の第2の滞留時間は、前記第1の加工枠内および前記第2の加工枠内の各領域を走査する際の第1の滞留時間よりも短い、請求項1から3のいずれか1項に記載の試料加工方法。
- 前記第1および第2の走査において、前記第1の加工枠間および前記第2の加工枠間の各領域を走査する際の第2の走査速度は、前記第1の加工枠内および前記第2の加工枠内の各領域を走査する際の第1の走査速度よりも速い、請求項1から3のいずれか1項に記載の試料加工方法。
- 前記第1および第2の走査は、前記イオンビームの強度、加速電圧、およびビーム電流を変えずに行われる、請求項1から5のいずれか1項に記載の試料加工方法。
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