JP5854215B2 - ワーク分割装置及びワーク分割方法 - Google Patents

ワーク分割装置及びワーク分割方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5854215B2
JP5854215B2 JP2012000142A JP2012000142A JP5854215B2 JP 5854215 B2 JP5854215 B2 JP 5854215B2 JP 2012000142 A JP2012000142 A JP 2012000142A JP 2012000142 A JP2012000142 A JP 2012000142A JP 5854215 B2 JP5854215 B2 JP 5854215B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dicing tape
heating device
light heating
light
workpiece
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2012000142A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012186446A5 (ja
JP2012186446A (ja
Inventor
翼 清水
翼 清水
藤田　隆
隆 藤田
恒郎 小島
恒郎 小島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Seimitsu Co Ltd filed Critical Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority to JP2012000142A priority Critical patent/JP5854215B2/ja
Priority to KR1020120013859A priority patent/KR101843794B1/ko
Publication of JP2012186446A publication Critical patent/JP2012186446A/ja
Publication of JP2012186446A5 publication Critical patent/JP2012186446A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5854215B2 publication Critical patent/JP5854215B2/ja
Priority to KR1020170062855A priority patent/KR102063450B1/ko
Priority to KR1020180033136A priority patent/KR102102596B1/ko
Priority to KR1020190179457A priority patent/KR102105280B1/ko
Priority to KR1020200047391A priority patent/KR102225430B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Dicing (AREA)

Description

本発明は、ワーク分割装置及びワーク分割方法に係り、特に、ダイシングテープを介してリング状のフレームにマウントされ、個々のチップにダイシング、グルービング加工された半導体ウェハに対し、ダイシング加工後にダイシングテープをエキスパンドして個々のチップに分割するワーク分割装置及びワーク分割方法に関するものである。
従来、半導体装置や電子部品等のワークを個々のチップに分割するワーク分割装置が知られている。
図１９にこのようなワークの一例を示す。図１９に示すように、ワークは、半導体ウェハＷの表面に半導体装置や電子部品等が形成された板状物であり、上面に粘着層が形成された厚さ１００μｍ程度のダイシングテープ（粘着シート）Ｓに、半導体ウェハＷの裏面が貼付される。ダイシングテープＳに貼着された半導体ウェハＷは、ダイシングテープＳを介して、剛性のあるリング状のフレームＦにマウントされる。フレームＦにマウントされた半導体ウェハＷは、この状態でワーク分割装置において、チャックステージに載置され、ダイシングテープＳがエキスパンドされる。ダイシングテープＳがエキスパンドされると、半導体ウェハＷに予め形成された分割予定ラインに沿って、半導体ウェハＷが個々のチップＴに分割（個片化）される。
その後、ダイシングテープＳのエキスパンドを解除すると、半導体ウェハＷの外周部のダイシングテープＳに弛みが発生する。この弛みをそのままにしておくと、分割したチップＴ同士が再びくっついたりして、その後の工程で問題となるため、弛みを除去する必要がある。そこで従来、加熱すると収縮する材料でダイシングテープＳを形成し、半導体ウェハＷの外周部の弛んだ部分のダイシングテープＳを加熱して収縮させて弛みを除去するようにしている。このとき半導体ウェハＷの外周部のダイシングテープＳを加熱するために、ワーク外周部に配置された熱源とワークとを相対的に回転させて走査することにより、ダイシングテープＳの外周部を加熱するようにしている。
また、この半導体ウェハＷの外周部のダイシングテープＳを加熱する方式としては、外周部に温風を噴射する温風方式、リング状の加熱板を外周部に接触させる加熱板方式、リング状の光源により外周部を照射する光加熱方式などが知られていた。
例えば、特許文献１には、レーザ光照射により分割予定ラインに沿った変質層が内部に形成された被加工物を、保持テープを介してフレームに保持した状態で、前記被加工物の前記分割予定ラインに沿って外力を加えることにより、前記被加工物をチップ状に分割するブレーキング手段と、前記ブレーキング手段により分割された前記被加工物を保持する前記保持テープを伸張させることにより、当該被加工物のチップ間隔を拡張するチップ間隔拡張手段とを備えた加工装置が記載されている。
この特許文献１に記載の加工装置においては、保持テープを伸張させて被加工物のチップ間隔を拡張した後、加熱部により加熱して保持テープを収縮させることにより、伸張によって生じた保持テープの弛みを除去するようにしているが、加熱部の加熱源として、熱風を噴射する熱風源やヒータ加熱板等が用いられている。
特開２００７−１５８１５２号公報
しかしながら、上記従来のように半導体ウェハの外周部の弛んだダイシングテープを加熱するに際し、熱源を一定温度でダイシングテープに対して相対的に走査したり、対称領域の全域を一括して加熱する方式では以下のような問題がある。すなわち、ワークに貼り付けられているダイシングテープはロール状に形成されているため、加熱時の収縮性が等方的ではなく、加熱により収縮しやすい方向とそうではない方向とを有する収縮異方性がある。従って、例えば熱源をワークに対して相対的に回転して走査して連続的に加熱して行くと、一番始めに加熱する部分は収縮が大きく、次第に収縮量が小さくなり、収縮する順序によってダイシングテープにねじれが発生して、チップの配列にずれが生じてしまうという問題がある。また、ダイシングテープの全領域を一括で加熱していると、ダイシングテープの収縮の異方性により方向によって収縮が異なるため、個片化された各チップ間の間隙が縦横で異なってしまうという問題がある。このように従来の加熱方法では、個片化された各チップ間の隙間が縦横で異なったり、チップの配列がずれてしまういわゆるミスアライメント等の問題があった。
本発明はこのような問題に鑑みて成されたものであり、加熱によるダイシングテープの収縮の異方性を軽減するとともに、加熱源の走査に伴うチップの配列ずれを抑制することのできるワーク分割装置及びワーク分割方法を提供することを目的とする。
前記目的を達成するために、本発明のワーク分割装置は、ダイシングテープに貼着されて、リング状のフレームにマウントされ、予め形成された分断予定ラインに沿って個々のチップにダイシング加工された半導体ウェハからなるワークを固定するフレーム固定手段と、前記ワークのダイシングテープに当接する突上げ用リングを有し、突上げ用リングで押し上げることでエキスパンドするエキスパンド手段と、前記ダイシングテープのエキスパンド状態を解除した後、前記ダイシングテープに発生する弛み部分を加熱するために、分割対象である半導体ウェハ外周のダイシングテープに熱を供給するように配置され、それぞれ加熱状態を周方向に独立して制御することが可能な光加熱装置と、を備え、前記光加熱装置を、前記ダイシングテープに対して昇降させるとともに、前記ダイシングテープの外周に沿って回転させる昇降回転機構を備えたことを特徴とする。
また、本発明の他の態様のワーク分割装置は、ダイシングテープに貼着されて、リング状のフレームにマウントされ、予め形成された分断予定ラインに沿って個々のチップにダイシング加工された半導体ウェハからなるワークを固定するフレーム固定手段と、前記ワークのダイシングテープをエキスパンドするエキスパンド手段と、前記ダイシングテープのエキスパンド状態を解除した後、前記ダイシングテープに発生する弛み部分を加熱するために、分割対象である半導体ウェハ外周のダイシングテープに熱を供給するように配置され、それぞれ加熱状態を周方向に独立して制御することが可能な光加熱装置と、前記光加熱装置を、前記ダイシングテープに対して昇降させるとともに、前記ダイシングテープの外周に沿って回転させる昇降回転機構と、を備えたことを特徴とする。
更に、本発明の他の態様のワーク分割装置は、ダイシングテープに貼着されて、リング状のフレームにマウントされ、予め形成された分断予定ラインに沿って個々のチップにダイシング加工された半導体ウェハからなるワークを固定するフレーム固定手段と、前記ワークのダイシングテープをエキスパンドするエキスパンド手段と、前記ダイシングテープのエキスパンド状態を解除した後、前記ダイシングテープに発生する弛み部分を加熱するために、分割対象である半導体ウェハ外周のダイシングテープに熱を供給するように配置され、それぞれ加熱状態を周方向に独立して制御することが可能な光加熱装置と、を備え、前記光加熱装置は、前記ダイシングテープの収縮異方性に対応して印加電圧が制御されることを特徴とする。
これにより、加熱によるダイシングテープの収縮の異方性を軽減するとともに、加熱源の走査に伴うチップの配列ずれを抑制することが可能となる。
また、光加熱装置を、ダイシングテープに対して昇降させるとともに、ダイシングテープの外周に沿って回転させる昇降回転機構を備えた態様によれば、加熱しないときには光加熱装置を待機位置に待機させておくとともに、加熱時には、回転走査することでダイシングテープを均等に加熱することができる。
また、一つの実施態様として、前記光加熱装置は、外周部に沿って等間隔かつ対称に配置され、少なくとも４個以上あることが好ましい。
また、一つの実施態様として、前記光加熱装置の個数は４の倍数であることが好ましい。
これにより、光加熱装置をダイシングテープの周囲に容易に等間隔で対称的に配置することができ、加熱によるダイシングテープの収縮の異方性を軽減することができる。
また、一つの実施態様として、前記昇降回転機構は、前記光加熱装置がある位置で前記ダイシングテープの外周部を加熱した後、隣り合う光加熱装置との中間の位置まで前記光加熱装置を回転させることが好ましい。
これにより、ダイシングテープを均等に加熱することが可能となる。
また、一つの実施態様として、前記光加熱装置は、前記回転中は電源をオフするか、加熱に寄与しない電圧を印加することが好ましい。
これにより、加熱する必要のない部分にまで連続して加熱し続けてしまうのを防ぎ、ダイシングテープを連続して加熱することによって発生するチップずれを軽減することができる。
また、一つの実施態様として、前記光加熱装置は、前記ダイシングテープの収縮異方性に対応して印加電圧が制御されることが好ましい。
これにより、ダイシングテープの収縮異方性に対応した加熱を行うことができる。
また、一つの実施態様として、前記光加熱装置は、前記ダイシングテープが収縮しやすい部分よりも収縮し難い部分に対して、前記光加熱装置に対する印加電圧を高く設定されることが好ましい。
これにより、収縮し難い部分も収縮しやすい部分と同じように収縮させることができ、加熱によるダイシングテープの収縮の異方性を軽減するとともに、加熱源の走査に伴うチップの配列ずれを抑制することが可能となる。
また、同様に前記目的を達成するために、本発明のワーク分割方法は、半導体ウェハを、ダイシングテープに貼着して、リング状のフレームにマウントし、前記半導体ウェハを予め分断予定ラインに沿って個々のチップにダイシング加工したワークを固定するフレーム固定工程と、前記ワークのダイシングテープをエキスパンドするエキスパンド工程と、前記ダイシングテープのエキスパンド状態を解除した後、前記ダイシングテープに発生する弛み部分を、前記ダイシングテープの外周部に沿って等間隔にかつ対称的に配置され、それぞれ加熱状態が独立に制御可能な、少なくとも４個以上の光加熱装置で加熱する加熱工程と、を備え、前記加熱工程においては、所定位置で前記光加熱装置により前記ダイシングテープの弛み部分を加熱した後、前記光加熱装置の電源をオフするか、加熱に寄与しない電圧を印加し、前記ダイシングテープの外周に沿って隣り合った前記光加熱装置との中間の位置までそれぞれの前記光加熱装置を回転し、その位置で再び前記ダイシングテープの弛み部分を加熱することを特徴とする。
これにより、加熱によるダイシングテープの収縮の異方性を軽減するとともに、加熱源の走査に伴うチップの配列ずれを抑制することが可能となる。
また、一つの実施態様として、前記光加熱装置は、前記ダイシングテープの弛み部分を加熱する際、前記ダイシングテープの収縮異方性に対応して印加電圧が制御されることが好ましい。
これにより、ダイシングテープの収縮異方性に対応した加熱を行うことができ、加熱によるダイシングテープの収縮の異方性を軽減するとともに、加熱源の走査に伴うチップの配列ずれを抑制することが可能となる。
以上説明したように、本発明によれば、加熱によるダイシングテープの収縮の異方性を軽減するとともに、加熱源の走査に伴うチップの配列ずれを抑制することが可能となる。
本発明に係るワーク分割装置の第１の実施形態を示す要部断面図である。 本実施形態の光加熱装置とワークの位置関係を示す平面図である。 図２の光加熱装置の加熱回転走査の様子を示す平面図である。 本実施形態において光加熱装置を８個にした場合を示す平面図である。 図４の光加熱装置の加熱回転走査の様子を示す平面図である。 本実施形態に対する比較例として従来の例を示す平面図である。 本発明の第２実施形態のワーク分割装置の要部を示す断面図である。 第２の実施形態のワーク分割装置の作用を示すフローチャートである。 同じく、第２の実施形態のワーク分割装置において弛んだダイシングテープを加熱して収縮する処理を示すフローチャートである。 第２の実施形態のワーク分割装置がエキスパンドを行っている状態を示す断面図である。 ウェハカバーを下降させた状態を示す断面図である。 ウェハカバーと突上げ用リングでダイシングテープを把持したまま降下した状態を示す断面図である。 ダイシングテープの弛んだ部分を光加熱装置で加熱している状態を示す断面図である。 ダイシングテープを加熱硬化した後の状態を示す断面図である。 光加熱装置で加熱したダイシングテープの測定位置を示す説明図である。 図１５の各測定位置における測定方向を示す説明図である。 測定結果を示す説明図である。 比較例の測定結果を示す説明図である。 ワークを示す斜視図である。
以下、添付図面を参照して、本発明に係るワーク分割装置及びワーク分割方法について詳細に説明する。
図１は、本発明に係るワーク分割装置の第１の実施形態を示す要部断面図である。
図１に示すように、ワーク分割装置１は、突上げ用リング１２、リング昇降機構１６、フレーム固定機構１８、光加熱装置２２及び昇降回転機構２３を備えている。
フレーム固定機構１８は、ワーク２のフレームＦを保持固定するものであり、これにより、図１９に示したような、半導体ウェハＷがダイシングテープＳを介してフレームＦにマウントされたワーク２がワーク分割装置１に設置される。半導体ウェハＷには、図１９に示すように、予めレーザ照射等によりその内部に分断予定ラインが格子状に形成されている。半導体ウェハＷは、後述するようにしてワーク分割装置１によって分断予定ラインに沿って分割され各チップＴに個片化される。
なお、ここで例えば、半導体ウェハＷは厚さ５０μｍ程度、ダイシングテープＳは熱収縮性の材料で形成され厚さ数μｍから１００μｍ程度であるとする。
突上げ用リング１２は、フレーム固定機構１８によって保持されたワーク２の下側で、半導体ウェハＷの周囲を囲むように配置されたリング状の部材である。突上げ用リング１２は、リング昇降機構１６によって昇降可能に構成されている。なお、このリングには摩擦力低減のためのコロ（ローラ）を設けてもよい。図１では、突上げ用リング１２は、下降位置（待機位置）に位置している。
詳しくは後述するが、突上げ用リング１２は、上昇することにより下からダイシングテープＳを押し上げて、ダイシングテープＳをエキスパンドするものである。このようにダイシングテープＳを引き伸ばすことにより、分断予定ラインが分断されて半導体ウェハＷが個々のチップＴに分割される。
光加熱装置２２は、突上げ用リング１２を上昇させてダイシングテープＳをエキスパンドして半導体ウェハＷを分割した後、突上げ用リング１２を下降させた際生じる半導体ウェハＷの周囲のダイシングテープＳの弛みを加熱することによって解消するものである。
光加熱装置２２は、例えば、スポットタイプのハロゲンランプヒータである。また、光加熱装置２２は、光を照射して輻射により加熱するものであれば、その他に、レーザやフラッシュランプなどでもよい。
こうした光加熱型装置の場合、光の照射状態を目視で確認することができる。また、光が照射された領域は、輻射現象により加熱されるのに対して、光が照射されない領域は加熱されない。すなわち、光を照射するとき、その照射領域を視認することができるので、その照射が視認できる領域を輻射により加熱する領域として局所的に限定することが可能となる。
本実施形態においては、光加熱装置２２としてスポットタイプのハロゲンランプヒータを用いている。具体的には、インフリッヂ工業（株）のハロゲンスポットヒータＬＣＢ−５０（ランプ定格１２Ｖ／１００Ｗ）を用いた。焦点距離は３５ｍｍ、集光径は２ｍｍである。しかし、本実施形態では後述する図１１に示すように、ちょうど集光する部分を用いて加熱するのではなく、光源から対象物までの距離（照射距離）を４６ｍｍとして、焦点距離３５ｍｍに対して１１ｍｍオフセットし、照射径を１７．５ｍｍとしている。実際の照射径は、１５ｍｍであり、ダイシングテープＳのワークＷの外側の径１５ｍｍのエリアを加熱するようにしている。
このようにスポットタイプのハロゲンランプヒータを用いることにより、加熱したい部分のみを選択的に（局所的に）加熱することができ、それ以外の部分への熱ストレスを最小限に抑制することができる。
また、ハロゲンランプ用電源としては、（株）ミューテックのハロゲンランプ用電源ＫＰＳ−１００Ｅ−１２を使用した。このハロゲンランプ用電源の出力は定格電圧１２Ｖである。また、ソフトスタート（スロースタート）機能を有しており、ハロゲンランプに突入電流が流れるのを防止している。
これらの組み合わせにより、ヒータ電源ＯＮ指令よりスロースタート０．７５秒を経てヒータ最大照度に到達するまでにかかる時間は３秒以内である。これは温風ヒータや赤外線ヒータと比較すると非常に短時間である。同様に最大照度から電源ＯＦＦまでの時間も同様である。また、所定の照度から別の照度への変更応答性も３秒以内である。このようにハロゲンランプを用いることにより、短時間で目的の照度つまり温度を得ることができる。これは一般的な赤外線ヒータや温風ヒータでの実現は困難である。このように制御性が良いこともハロゲンランプヒータを用いることが好ましい一つの理由である。
光加熱装置２２は、フレーム固定機構１８によって保持されたワーク２の上側で、半導体ウェハＷの周囲を囲むように配置されている。断面図である図１には２つの光加熱装置２２が表示されているが、本実施形態においては、４個以上の光加熱装置２２を配置することが好ましい。また、後述するように（図２参照）、光加熱装置２２は、ダイシングテープＳの外周に沿って等間隔で対称的に配置される。
光加熱装置２２は、弛んだダイシングテープＳの部分のみを局所的に加熱する選択的加熱手段として用いられたものである。昇降回転機構２３は、光加熱装置２２を昇降させるとともに、光加熱装置２２をワーク２（ダイシングテープＳ）の周囲に回転させるものである。これにより、光加熱装置２２は、ダイシングテープＳの外周に沿って走査され、ダイシングテープＳに対して均等に熱を加えることができる。なお、光加熱装置２２によって半導体ウェハＷの周囲の弛んだダイシングテープＳを加熱する方法の詳細については後述する。
図２に、本実施形態の光加熱装置２２とワーク２（ダイシングテープＳ）との位置関係を平面図で示す。光加熱装置２２は、スポットタイプのハロゲンランプヒータである。
図２に示すように、この例では、ワーク２のダイシングテープＳの周囲に等間隔で対称的に４つの光加熱装置２２が配置されている。なお、図２では、ワーク２のフレームＦや半導体ウェハＷは省略し、中央にチップＴを一つだけ表示している。
図に示すようにチップＴは略正方形であり、光加熱装置２２は、チップＴの各辺に対向する位置に配置されている。この位置で各光加熱装置２２の電源をオンにすると、熱収縮性の材料で形成されたダイシングテープＳは、加熱されて図に矢印Ａで示したように収縮する。その結果、チップＴはＸ方向及びＹ方向に引っ張られる。
ここで、例えばダイシングテープＳは、図のＸ方向（横方向）は収縮し難く、Ｙ方向（縦方向）は収縮しやすいとする。このような収縮異方性を解消するために、収縮し難いＸ方向に配置された光加熱装置２２に対しては、収縮しやすいＹ方向に配置された光加熱装置２２よりも（ハロゲンランプヒータに対する）印加電圧を高めに設定するようにする。これにより、ダイシングテープＳは、縦方向及び横方向に均等に収縮し、各チップＴは外周方向に均等に引っ張られるので、チップＴ同士がくっついてしまったり、配列ずれを生じることはない。
またこのとき、図に矢印Ｂで示すように、光加熱装置２２を、昇降回転機構２３によってワーク２（ダイシングテープＳ）の周囲に回転走査させる。
図３に、光加熱装置２２を回転走査する様子を示す。
まず図３に符号１で示す位置で光加熱装置２２の電源をオンにして加熱を行う。このとき、前述したように、ダイシングテープＳはＸ方向（横方向）は収縮し難く、Ｙ方向（縦方向）は収縮しやすいとしているので、図の符号Ｈの位置にある光加熱装置２２は、図の符号Ｌの位置にある光加熱装置２２よりも印加電圧を高く設定する。
次に、光加熱装置２２の電源をオフにするか、加熱に寄与しない電圧を印加して、ちょうど符号１の中間の位置である符号２の位置まで、光加熱装置２２を昇降回転機構２３によって４５度回転する。
次に、符号２の位置でまた光加熱装置２２の電源をオンにしてダイシングテープＳを加熱する。この符号２の位置においては、Ｘ方向とＹ方向の中間の方向であるので、全ての光加熱装置２２の印加電圧は等しくする。
このようにして、ダイシングテープＳを、横方向、縦方向及び斜め方向の全ての方向に対して均等に収縮させることができる。その結果、各チップＴの間隔が縦横で異なったり、チップの配列ずれを起こすことなく、ダイシングテープＳを均等に収縮させることが可能となる。
なお、本発明において、光加熱装置２２の個数はこの例のように４個に限定されるものではなく、図２に示す４個の光加熱装置２２の間にそれぞれ１個ずつ光加熱装置を追加して８個の光加熱装置を備えてもよい。
図４に、８個の光加熱装置を備えた例を示す。
図４に示すように、図２の４つの光加熱装置２２に対して、各光加熱装置２２の間にそれぞれ一つずつ光加熱装置２２が配置され、全体で８個の光加熱装置２２がワーク２の周囲に等間隔で配置されている。
この場合も、８個の光加熱装置２２は、昇降回転機構２３によってワーク２（ダイシングテープＳ）に対して昇降可能かつその周囲に回転走査させることができる。
図５に、８個の光加熱装置２２を回転走査する様子を示す。
例えば、８個の光加熱装置２２は始め図８の数字１の位置においてワーク２の周囲のダイシングテープＳを加熱するとする。次に、図に矢印Ｂで示すように、光加熱装置２２を昇降回転機構２３によって数字２の位置まで２２．５度（＝３６０度÷８÷２）だけ回転する。このとき回転中は光加熱装置２２は電源オフするか、加熱に寄与しない電圧を印加する。そして次に図の数字２の位置においてワーク２の周囲のダイシングテープＳを加熱する。
なお、このとき前と同様にチップＴに対して示したＸ方向（横方向）はＹ方向（縦方向）よりもダイシングテープＳが収縮し難いとしているので、図に破線で示した範囲Ｈにある光加熱装置２２は、図に破線で示した範囲Ｌにある光加熱装置２２よりも印加電圧を高くするようにする。
なお、光加熱装置２２の個数は、４個と８個に限定されるものではなく、少なくとも４個以上で、ダイシングテープＳの外周に沿って等間隔に対称的に配置することができればよい。また例えば、６個の光加熱装置は、ダイシングテープＳの外周に沿って等間隔に対称的に配置することができるので、６個でもよい。
また、図２の４個の光加熱装置２２の間にそれぞれ２個の光加熱装置を追加して１２個としてもよいし、図２の４個の光加熱装置２２の間にそれぞれ３個の光加熱装置を追加して１６個としてもよい。このように、光加熱装置２２の個数は、４の倍数個とすることが望ましい。
このように本実施形態においては、少なくとも４個以上の光加熱装置をワーク２の周囲に均等に配置して、ダイシングテープＳの収縮し難い方向については、光加熱装置に対する印加電圧をより高くして加熱するようにして、加熱と所定角度の回転を繰り返すことで、ダイシングテープＳを、横方向、縦方向及び斜め方向の全ての方向に対して均等に収縮させることができる。その結果、各チップＴの間隔が縦横で異なったり、チップの配列ずれを起こすことなく、ダイシングテープＳを均等に収縮させることが可能となる。
また、これに対して、比較例として加熱手段が２個の従来の場合について説明する。
図６に示すように、加熱手段１２２は、ダイシングテープＳの周囲の対称的な位置に２個配置されているとする。そして図に矢印で示すように、加熱手段１２２をダイシングテープＳの外周に沿って走査しながら連続的に加熱してダイシングテープＳを収縮させるようにしている。
このとき、加熱手段１２２としては、温風方式、加熱板方式、リング状光加熱方式などが用いられるが、これらの方式では、ダイシングテープＳの収縮しやすい領域と収縮し難い領域とで加熱量を変えることができず、ダイシングテープＳを均等に収縮させることがでない。その結果、各チップＴの間隔が縦横で異なったり、チップの配列ずれを起こしてしまう。
また、仮に加熱手段１２２として、本発明と同じように光加熱装置を用いたとしても、２個だけでは、例えば図６のように２個の光加熱装置で加熱して縦方向にダイシングテープＳを収縮しているとき、横方向には加熱していないので、縦方向にばかり収縮して、チップＴの間隔が縦横で異なったり、配列ずれが生じてしまう。たとえ、この後２個の光加熱装置を９０度回転して横方向から加熱しても、すでにダイシングテープＳは縦方向にかなり収縮してしまっているので、ダイシングテープＳを均等に収縮させることは不可能であり、チップＴの配列ずれを修正することはできない。
以上説明した例では、半導体ウェハＷを直接ダイシングテープＳに貼り付けたワーク２を扱っていたが、半導体ウェハＷをＤＡＦ（Die Attach Film ダイアタッチフィルム)と呼ばれるダイボンディング用のフィルム状接着剤が付いたダイシングテープを介してダイシングテープＳに貼り付けるようにしてもよい。
またこの場合には、ダイシングテープＳをエキスパンドして半導体ウェハＷをチップＴに分割して個片化する際に、ＤＡＦも同じように分割されるように、ＤＡＦを冷却する必要がある。以下、本発明の第２の実施形態として、ＤＡＦを有するワーク２に対応するワーク分割装置について説明する。
図７に、本発明の第２実施形態の、ＤＡＦを有するワーク２に対応するワーク分割装置の要部を断面図で示す。
図７に示すように、第２の実施形態のワーク分割装置１００は、ＤＡＦ（Ｄ）を冷却するための冷凍チャックテーブル１０を備えている。冷凍チャックテーブル１０上に、図１９に示したような、半導体ウェハＷがダイシングテープＳを介してフレームＦにマウントされたワーク２が設置される。ここで例えば、半導体ウェハＷは厚さ５０μｍ程度、ＤＡＦ（Ｄ）及びダイシングテープＳはそれぞれ厚さ数μｍから１００μｍ程度であるとする。
冷凍チャックテーブル１０は、ワーク２を真空吸着により保持して、ワーク２を冷凍チャックテーブル１０に接触させて、接触した部分を介して熱伝達によりＤＡＦ（Ｄ）を０℃以下、例えば−５℃〜−１０℃程度に冷却するものである。なお、同一物質内で熱が伝わることを熱伝導と言い、異なる物質同士が接触して熱が伝わることを熱伝達と呼ぶ。冷凍チャックテーブル１０でＤＡＦ（Ｄ）を冷却することによりＤＡＦ（Ｄ）が脆性化され分断しやすくなる。
なお、冷凍する方式としては、チャック内に冷媒を供給することにより冷凍する方式などもあるが、ペルチェ効果を利用してチャック表面を氷結させる方式でも良い。冷凍チャックテーブルは、ダイシングテープとＤＡＦを介して、ウェハ裏面を真空吸着する。その特徴として、上で述べたことからもわかるように、その吸着領域は熱伝達によりすぐに冷却される一方、吸着領域以外は、あまり冷却されずに済むことである。これは、単に対流等によって雰囲気を冷やすこととは異なり、熱伝達による冷却は、局所的に冷却したい部分のみ冷却させることができるからである。
このように冷凍チャックテーブルによってウェハ分割領域のみを選択的に冷却することができることがわかるが、その理由を以下さらに詳しく説明する。
先にも述べたように、ＤＡＦ及び粘着テープの厚みは、せいぜい１００μｍ程度である。よって、冷凍チャックテーブル表面からの距離は、ＤＡＦ、及び粘着テープ、ウェハまでの距離はせいぜい大きくて０．２ｍｍ以内である。それに対して、冷凍チャックテーブルの外周からＤＡＦの外周までの径の差は１２ｍｍであるため、片側６ｍｍ程度はある。
ここで、熱の伝わる現象についてみると、熱量は温度勾配と断面積に比例して伝導、伝達される。
厚さΔｘ、面積Ｓで囲われたある微小区間ＳΔｘ内の断面を通過する熱の総量ΔＱは、熱伝導率λ、接触面積Ｓ、温度ｕ、温度勾配Δｕ／Δｘ、微小時間Δｔとして、次式で表すことができる。
ΔＱ＝λＳ（Δｕ／Δｘ）Δｔ ・・・・・・（１）
なお、異種材料間を伝わる熱伝達においては、同種材料内を伝わる熱伝導と基本的には同じであり、熱伝導率の変わりに熱伝達係数が適用されるだけである。
よって、冷凍チャックテーブルを、例えば、−５℃に冷却したとする。すると、ウェハ領域内は、ＤＡＦ及び粘着テープの厚みΔｘはせいぜい０．２ｍｍであるのに対して、熱が伝わる断面積Ｓはウェハ領域全域に相当する。そのため、熱伝達によって移動する熱量は非常に大きく、ＤＡＦや粘着テープの熱伝達係数や熱伝導率が多少低くても、熱伝達によってすぐさまウェハ領域内のＤＡＦは冷却される。
一方、ＤＡＦの外径部分は、先の事例では、冷凍チャックの外径より６ｍｍも離れている。すなわち、熱が伝導する距離に相当するΔｘは６ｍｍとなる。また、ＤＡＦを貼り付けているダイシングテープはポリエチレン等の樹脂で形成されているため熱伝導率λも低い。さらに、そのポリエチレンの厚みが１００μｍと非常に薄いため、すなわち熱が伝わる断面積Ｓも非常に小さくなる。その結果、ウェハへの熱伝達性と比較して、ダイシングテープやＤＡＦを伝わる熱伝導性は極めて低くなる。
そのため、冷凍チャックが接触しない部分、実質的にダイシングテープの厚み以上に距離が離れているＤＡＦ外周部分は、冷凍チャックからの熱伝達によって冷却される影響を受けることはない。また、冷凍チャックから離れたダイシングテープの部分は、ほとんどの面積が周りの雰囲気に晒されているため、冷凍チャックの温度ではなく、冷凍チャック以外の周囲の雰囲気の温度に支配されるようになる。そのため、例えば、周囲の雰囲気を室温に保持している場合は、冷凍チャックが接触している領域以外は、ほとんど周囲の雰囲気の温度になる。すなわち、冷凍チャックの冷凍域で、実質上の温度の境界領域を形成することが可能となる。
以上のような境界領域を形成することは、ＤＡＦテープの厚みやダイシングテープの厚みを、ウェハ領域(厳密にはウェハとＤＡＦの双方を分割する領域)よりも外周部にはみ出たＤＡＦまでの距離よりも小さく(薄く)、しているためである。
それにより、熱伝達による冷却エリアを限定し、効率よく所定領域(分割したい領域)だけを冷却することが可能となる。
そうしたことから、従来、ＤＡＦテープは伸縮性の材料であるから、ウェハ裏面に確実に貼り付けるためには、貼り付け精度上のマージンからＤＡＦ外径はウェハ径よりも１０ｍｍ程度、少なくともＤＡＦ外径は２ｍｍ以上(片側１ｍｍ以上)は、ウェハ径よりも大きくなければならなかった。
その状態でＤＡＦ全域を低温にすると、ウェハが存在しない外周部のＤＡＦは、低温になることで脆化し、その結果、ＤＡＦの下に存在するダイシングテープとの伸縮性の差でＤＡＦは粘着テープからめくれ上がってしまっていた。めくれ上がったＤＡＦは、一部が分離してウェハ上に降りかかり、ＤＡＦが異物としてウェハ上に付着するという問題が起こっていた。
しかし、ＤＡＦが貼り付けられた状態であっても、熱伝達を考慮して、十分薄いＤＡＦとダイシングテープを使用し、冷凍チャックを使用し、ウェハ領域を真空でチャックするとともに、チャックされたウェハ領域のみを効率的に、熱伝達現象で局所冷却することによって、ウェハより外周にはみ出たＤＡＦが冷却されることはない。そのため、外周のＤＡＦが冷却により脆化し、めくれ上がってウェハ上に降りかかるという問題は起こらない。
また一方、冷却された部分においてＤＡＦの分断性は向上するため、ダイシングテープを引っ張ることで、ウェハが割断されると同時に、ＤＡＦもきれいに分断することができる。
冷凍チャックテーブルの大きさは、ウェハ領域とほぼ同等の大きさである。例えば、ウェハが８インチサイズ(直径２００ｍｍ)の大きさの場合、冷凍チャックテーブルもウェハ裏面のＤＡＦの分断性を良好にすればよいため、ウェハとほぼ同じ面積の８インチサイズ(直径２００ｍｍ)がよい。
ウェハを保持するエキスパンド性のダイシングテープは、エキスパンドさせることが必要となるため、当然ウェハよりも大きい領域となる。例えば、ウェハが２００ｍｍサイズの場合、エキスパンドするダイシングテープは、３００ｍｍ程度の大きさのフレームに貼られており、その内側にウェハがある。ウェハとフレームの間も２５ｍｍ〜４０ｍｍ以上はある。
ウェハとダイシングテープの間にはＤＡＦが貼られている。ＤＡＦはウェハとほぼ同径ではあるが、実質はウェハよりも少し大きくしている。なぜならば、ＤＡＦは伸縮性の材料であるので、全く同一サイズとした場合、ウェハが、ＤＡＦに対して、少しずれて貼り付けられてしまう場合があるからである。こうした微妙なずれがあっても、必ずＤＡＦ上にウェハを載せ置いて貼り付けるために、ＤＡＦはそのずれ量も考慮して多少ウェハよりも大きめ、すなわち、外形にして約１ｃｍ程度大きくすることが好ましい。しかし、必ずしもこれに限定されるものではなく、極端な場合、ＤＡＦはダイシングテープと同じようにフレームＦいっぱいの大きさとしてもよい。
また、突上げ用リング１２が、冷凍チャックテーブル１０の周りを囲むように配置されている。突上げ用リング１２は、リング昇降機構１６によって昇降可能に構成されたリングである。図では、突上げ用リング１２は、下降位置（待機位置）に位置している。
半導体ウェハＷには、図１９に示すように、予めレーザ照射等によりその内部に分断予定ラインが格子状に形成されている。突上げ用リング１２は、上昇することにより下からダイシングテープＳを押し上げて、ダイシングテープＳをエキスパンドする。このようにダイシングテープＳを引き伸ばすことにより、分断予定ラインが分断されて半導体ウェハＷがＤＡＦ（Ｄ）とともに個々のチップＴに分割される。
また、ダイシングテープＳのエキスパンドを解除した後に弛んだダイシングテープＳの部分を加熱して収縮させるために光加熱装置２２が、ウェハカバー２０の外側で対称的な位置に配置されている。
前の実施形態と同様、光加熱装置２２は、例えば、スポットタイプのハロゲンランプヒータである。また、光加熱装置２２は、光を照射して輻射により加熱するものであれば、その他に、レーザやフラッシュランプなどでもよい。
こうした光加熱型装置の場合、光の照射状態を目視で確認することができる。また、光が照射された領域は、輻射現象により加熱されるのに対して、光が照射されない領域は加熱されない。すなわち、光を照射するとき、その照射領域を視認することができるので、その照射が視認できる領域を輻射により加熱する領域として局所的に限定することが可能となる。
光加熱装置２２は、昇降回転機構２３によって昇降可能であり、またダイシングテープＳの周囲に沿って回転可能である。光加熱装置２２の個数は４の倍数であればよく、特に限定されるものではないが、ここでは図４に示すように、８個の光加熱装置２２がダイシングテープＳの周囲に沿って均等に配置されているものとする。
また、ワーク分割装置１００は、半導体ウェハＷを覆うように昇降可能に配置されたウェハカバー２０を備えて、半導体ウェハＷに貼着されたＤＡＦ（Ｄ）を光加熱装置２２の熱から熱的に分離するようにしてもよい。
例えば、ウェハカバー２０は、有底の高さの低い円筒形状をしており、底面２０ａと側面２０ｂとからなり、底面２０ａは半導体ウェハＷよりも一回り大きく形成されている。また、ウェハカバー２０は、カバー昇降機構２１によって昇降可能に設置されており、下降した位置において、半導体ウェハＷを覆うようになっている。また一方、ウェハカバー２０の側面２０ｂの先端面は、上昇した突上げ用リング１２の先端面と突き合わされるようになっており、これにより半導体ウェハＷの領域はウェハカバー２０によって完全に密閉され、光加熱装置２２によって加熱されるダイシングテープＳの領域に対して熱的に分離される。
以下、図８及び図９のフローチャートに沿って、図７に示すように光加熱装置２２とウェハカバー２０を備えたワーク分割装置１００の作用を説明する。
まず、図８のステップＳ１００において、図７に示すように、半導体ウェハＷの裏面にＤＡＦ（Ｄ）を介してダイシングテープＳが接着されたワーク２のフレームＦをフレーム固定機構１８により固定する。そして、半導体ウェハＷが存在する領域が冷凍チャックテーブル１０の上に位置するように配置する。なお、半導体ウェハＷには、図１９に示すように、予めレーザ照射等によりその内部に分断予定ラインが格子状に形成されている。
次に図８のステップＳ１１０において、冷凍チャックテーブル１０は、ワーク２の裏面を真空吸着により吸着して冷凍チャックテーブル１０の表面に確実に接触させ、熱伝達によってワーク２を冷却する。冷凍チャックテーブル１０は、所定時間ワーク２を真空吸着して、ＤＡＦ（Ｄ）が脆性化するように冷却した後、真空吸着を解除する。
次に、図８のステップＳ１２０において、図１０に示すように、リング昇降機構１６によって突上げ用リング１２を上昇させて、ダイシングテープＳをエキスパンドする。このときの突上げ用リング１２の突き上げは、前の実施形態と同様に、例えば４００ｍｍ／ｓｅｃの速度で、１５ｍｍの高さまでダイシングテープＳを突き上げる。
これによりダイシングテープＳが放射状に拡張されて半導体ウェハＷが分断予定ラインに沿ってＤＡＦ（Ｄ）と一緒になって、各チップＴに分割される。
次に、図８のステップＳ１３０において、図１１に示すように、ウェハカバー２０及び光加熱装置２２を、それぞれカバー昇降機構２１及び昇降回転機構２３によって下降させ、ウェハカバー２０でワーク２の半導体ウェハＷの部分を被覆する。このとき図１１に示すように、ウェハカバー２０の側面２０ｂの先端面と、突上げ用リング１２の先端面とを突き合わせて、ウェハカバー２０と突上げ用リング１２との間でダイシングテープＳを把持する。
このウェハカバー２０と突上げ用リング１２との間でダイシングテープＳを把持する力は、例えば４０ｋｇｆ程度である。
次に、図８のステップＳ１４０において、図１２に示すように、ウェハカバー２０と突上げ用リング１２との間でダイシングテープＳを把持したまま、ウェハカバー２０と突上げ用リング１２を、半導体ウェハＷの下側のダイシングテープＳの裏面が冷凍チャックテーブル１０の上面に接触する位置まで下降させる。これにより、ダイシングテープＳの、ウェハカバー２０と突上げ用リング１２とで把持された部分の周辺部が弛緩し、弛み部が発生する。なお、このとき、ウェハカバー２０と突上げ用リング１２との間でダイシングテープＳを把持する力は４０ｋｇｆを維持している。またこのとき、同時に光加熱装置２２も昇降回転機構２３によりダイシングテープＳの周辺部を加熱する位置まで下降させる。
次に、図８のステップＳ１５０において、図１３に示すように、ウェハカバー２０と突上げ用リング１２との間で把持した部分の外側の弛緩したダイシングテープＳの部分に対してのみ、光加熱装置２２でスポット光を当てて選択的に加熱する。このとき、もしＤＡＦ（Ｄ）も同時に加熱されてしまうとＤＡＦ（Ｄ）が溶けてチップＴ間の隙間がなくなってしまう虞があるので、ダイシングテープＳの弛んだ部分のみを選択的に加熱する必要がある。
ここで光加熱装置２２によってダイシングテープＳの弛んだ部分を選択的に加熱する処理を図５を参照しながら、図９のフローチャートを用いて説明する。
まず、図９のステップＳ１５１において、上述したように、光加熱装置２２を昇降回転機構２３によりダイシングテープＳの周辺部を加熱する位置まで下降させる。そしてステップＳ１５２において、図５の数字１で示す位置において、８個の光加熱装置２２の電源をオンにしてダイシングテープＳの弛んだ外周部を加熱する。このとき、図５に破線Ｈで囲んだ領域においては、光加熱装置２２の印加電圧を、破線Ｌで囲んだ領域よりも高く設定する。これにより、ダイシングテープＳの収縮し難い横方向（Ｘ方向）についても収縮しやすい縦方向（Ｙ方向）と同じように収縮し、収縮の異方性が抑制される。
次に、ステップＳ１５３において、光加熱装置２２の電源をオフにするか、加熱に寄与しない電圧を印加して図５に矢印Ｂで示したように、昇降回転機構２３により光加熱装置２２を数字２で示す位置まで回転する。
次に、ステップＳ１５４において、図５の数字２の位置において光加熱装置２２の電源をオンにしてダイシングテープＳの外周部を加熱する。このときも、図５に破線Ｈで囲んだ領域においては、光加熱装置２２の印加電圧を、破線Ｌで囲んだ領域よりも高く設定する。
そして、ステップＳ１５５において、光加熱装置２２の電源をオフにして、昇降回転機構２３により、光加熱装置２２を待機位置まで上昇させる。
これにより、ダイシングテープＳが全ての方向について均等に収縮され、分割された各チップＴの間隔及び配列が維持される。
最後に図８のステップＳ１６０において、図１４に示すように、ウェハカバー２０（と光加熱装置２２）を上昇させるとともに、突上げ用リング１２を降下させて、ダイシングテープＳの把持を解放する。そしてフレームＦをはずしてワークを次の工程に搬送する。
このように光加熱装置によりダイシングテープＳの弛んだ部分のみを選択的にまた均等加熱することにより、ダイシングテープＳが全ての方向について均等に収縮され、分割された各チップＴの間隔及び配列を維持することができ、拡張されたダイシングテープＳが再び元に戻ってチップＴの間隔が狭まってチップ同士が接触するようなことはない。
本実施形態では、加熱手段として光加熱装置を用いているため、ダイシングテープ外周部の弛んだ部分だけに選択的に加熱できるとともに、光加熱装置は電源のオンオフにより、加熱状態と非加熱状態との区別がはっきりしており、滞留熱もなく、また印加電圧を各光加熱装置毎に設定することにより収縮しやすい部分と収縮し難い部分とで加熱量を調整し、ダイシングテープの収縮の異方性に対応して加熱することができる。さらに、４個以上（特に４の倍数個の）光加熱装置を、ダイシングテープの外周に沿って均等に配置するとともに、外周に沿って回転走査することで、ダイシングテープの全ての部分が均等に収縮するように加熱することができる。
このようにして、本実施形態によれば、加熱によるダイシングテープの収縮の異方性を軽減するとともに、加熱源の走査に伴うチップの配列ずれを抑制することができ、その結果各チップの間隔が十分維持されるとともに、周囲のダイシングテープに弛みのないワークを製造することが可能となる。
また、光加熱装置がダイシングテープＳの周囲に沿って等間隔に８個配置された場合のその他の加熱制御方法について説明する。
すなわち、例えば図４に示すように、ダイシングテープＳの周囲に沿って等間隔に８個の光加熱装置２２としてスポットタイプのハロゲンランプヒータが配置されている。ただし、このときチップＴは、図４に示すような略正方形ではなく、図のＸ方向（横方向）とＹ方向（縦方向）とにおける長さの比（アスペクト比）は、１：２．４の縦長の長方形状であるとする（図１６参照）。
各光加熱装置２２は、ダイシングテープＳの周囲に４５度の間隔で並んでいる。この４５度の間隔を８等分して、５．６度ずつ各光加熱装置２２をダイシングテープＳの周囲に沿って回転し、５．６度回転する毎にその位置で加熱するようにする。このとき、最初は図１５において、光加熱装置２２としてのハロゲンランプヒータに対する印加電圧は、LeftとRightの位置では１２Ｖとし、TopとBottomの位置では５Ｖとする。
このようして、５．６度ずつ回転しながら、８回加熱したら、次は、最初の位置より５．６度の半分の２．８度ずらした位置から初めるようにする。今度は、ハロゲンランプヒータに対する印加電圧は、LeftとRightの位置では１２Ｖとし、TopとBottomの位置では１１Ｖとする。そして、また５．６度ずつ回転しながら、８回加熱する。
このようにして加熱し、ダイシングテープＳ上の各チップＴの間隔を、図１５に示す、Center、Left、Right、Top、Bottomの５か所について、図１６に示すような５つのポイントで、それぞれHorizontal及びVerticalの２方向について測定した。
図１７に、それぞれの箇所について各ポイント毎の測定結果を示す。この結果を見ると、上記のような加熱制御により、チップ間の間隔はどの場所においても平均２０〜３０程度であり、それほど大きな違いは発生しないことがわかる。
これに対して、比較のために、このような加熱制御をすることなく、単にダイシングテープＳの全周囲から同じように加熱した場合の測定結果を図１８に示す。
図１８を見ると、チップＴのアスペクト比が１：２．４で異方性を有する場合に、全方向から同じように加熱した場合には、ダイシングテープＳ上の場所及び方向によって、チップ間隔が、平均で１０台から５０台までと、大きく変化していることがわかる。
このように、上述したような加熱制御を行うことにより、チップが正方形から大きくはずれたような形状をしており、異方性がある場合でも、全方向について同じようにダイシングテープＳを収縮することができる。また、逆にチップが等方的で異方性がなく、ダイシングテープＳの側に異方性がある場合でも、上記加熱制御方法で対応することができる。
なお、いままで説明してきた例においては、光加熱装置は、スポットタイプのハロゲンランプヒータとしていたが、ウェハカバー２０が存在することにより、温風ヒータを用いることも可能である。すなわち、ノズル等から局所的な領域のみに温風を吹き出すようにしすれば、ウェハカバー２０により、温風がダイレクトに半導体ウェハＷの領域にはいかないようにすることができるので、ダイシングテープＳの弛み部のみを選択的に加熱することが可能となる。
また、上述した実施形態においては、光加熱装置２２による熱輻射によって加熱しているので、ダイシングテープＳの弛んだ部分にのみ局所的に（選択的に）加熱することができる。また特に本実施形態では、半導体ウェハＷをウェハカバー２０で覆っているため熱を遮蔽して、光加熱装置２２によってワークが貼着されたＤＡＦ（Ｄ）が加熱されてしまうのを防ぐことができ、より一層光加熱装置２２による局所的な加熱を可能としている。
また、ウェハカバー２０と突上げ用リング１２とによってダイシングテープＳの弛んだ部分の近くを把持しているので、弛んだ部分を加熱することによってウェハカバー２０や突上げ用リング１２も加熱されるが、この熱は熱伝達によってウェハカバー２０や突上げ用リング１２を通じて逃げて行く。従って、ウェハカバー２０及び突上げ用リング１２の内部に囲われたワークが貼着されたＤＡＦ（Ｄ）は、熱的に遮蔽されており、加熱されることはない。
ただし、温風を吹き出して加熱する場合は、熱の与える形態としては、対流現象を利用することになるため、温かい風が空間内に蔓延してくると、局所的な加熱性については限界がある場合がある。
それに対して、光加熱装置の場合、輻射現象を用いることで周りの雰囲気(ランプとテープの間の空間に充填されている気体の性質等)に関係なく、例えば真空状態であっても、局所的にダイシングテープを加熱することができる。光さえ透過させる環境にあれば、極めて精度よく、テープの異方性に対応させてその収縮を制御することができる。
こうした選択的な熱供給手段を使用するとともに、その局所的な熱を供給する位置として、分割対象であるウェハの周囲において、周方向に独立して制御できる位置に熱供給手段を配することにより、仮に、ダイシングテープの物理伸縮性、及び、加熱による収縮特性においてダイシングテープ毎に変化する固有の異方性があったとしても、ダイシング及びチップ分割特有の課題であるＸ方向、Ｙ方向へのチップ離間状態の均等化を実現するために、精度よい制御をすることが可能になる。
以上、本発明のワーク分割装置及びワーク分割方法について詳細に説明したが、本発明は、以上の例には限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変形を行ってもよいのはもちろんである。
１、１００…ワーク分割装置、２…ワーク、１０…冷凍チャックテーブル、１２…突上げ用リング、１６…リング昇降機構、１８……フレーム固定機構、２０…ウェハカバー、２１…カバー昇降機構、２２…光加熱装置、２３…昇降回転機構

Claims (11)

  1. ダイシングテープに貼着されて、リング状のフレームにマウントされ、予め形成された分断予定ラインに沿って個々のチップにダイシング加工された半導体ウェハからなるワークを固定するフレーム固定手段と、
    前記ワークのダイシングテープに当接する突上げ用リングを有し、突上げ用リングで押し上げることでエキスパンドするエキスパンド手段と、
    前記ダイシングテープのエキスパンド状態を解除した後、前記ダイシングテープに発生する弛み部分を加熱するために、分割対象である半導体ウェハ外周のダイシングテープに熱を供給するように配置され、それぞれ加熱状態を周方向に独立して制御することが可能な光加熱装置と、
    を備え、
    前記光加熱装置を、前記ダイシングテープに対して昇降させるとともに、前記ダイシングテープの外周に沿って回転させる昇降回転機構を備えたことを特徴とするワーク分割装置。
  2. ダイシングテープに貼着されて、リング状のフレームにマウントされ、予め形成された分断予定ラインに沿って個々のチップにダイシング加工された半導体ウェハからなるワークを固定するフレーム固定手段と、
    前記ワークのダイシングテープをエキスパンドするエキスパンド手段と、
    前記ダイシングテープのエキスパンド状態を解除した後、前記ダイシングテープに発生する弛み部分を加熱するために、分割対象である半導体ウェハ外周のダイシングテープに熱を供給するように配置され、それぞれ加熱状態を周方向に独立して制御することが可能な光加熱装置と、
    前記光加熱装置を、前記ダイシングテープに対して昇降させるとともに、前記ダイシングテープの外周に沿って回転させる昇降回転機構と、
    を備えたことを特徴とするワーク分割装置。
  3. 前記昇降回転機構は、前記光加熱装置がある位置で前記ダイシングテープの外周部を加熱した後、隣り合う光加熱装置との中間の位置まで前記光加熱装置を回転させることを特徴とする請求項１又は２に記載のワーク分割装置。
  4. 前記光加熱装置は、前記回転中は電源をオフするか、加熱に寄与しない電圧を印加することを特徴とする請求項３に記載のワーク分割装置。
  5. 前記光加熱装置は、前記ダイシングテープの収縮異方性に対応して印加電圧が制御されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のワーク分割装置。
  6. ダイシングテープに貼着されて、リング状のフレームにマウントされ、予め形成された分断予定ラインに沿って個々のチップにダイシング加工された半導体ウェハからなるワークを固定するフレーム固定手段と、
    前記ワークのダイシングテープをエキスパンドするエキスパンド手段と、
    前記ダイシングテープのエキスパンド状態を解除した後、前記ダイシングテープに発生する弛み部分を加熱するために、分割対象である半導体ウェハ外周のダイシングテープに熱を供給するように配置され、それぞれ加熱状態を周方向に独立して制御することが可能な光加熱装置と、
    を備え、
    前記光加熱装置は、前記ダイシングテープの収縮異方性に対応して印加電圧が制御されることを特徴とするワーク分割装置。
  7. 前記光加熱装置は、前記ダイシングテープが収縮しやすい部分よりも収縮し難い部分に対して、前記光加熱装置に対する印加電圧を高く設定されることを特徴とする請求項５又は６に記載のワーク分割装置。
  8. 前記光加熱装置は、外周部に沿って等間隔かつ対称に配置され、少なくとも４個以上あることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のワーク分割装置。
  9. 前記光加熱装置の個数は４の倍数であることを特徴とする請求項８に記載のワーク分割装置。
  10. 半導体ウェハを、ダイシングテープに貼着して、リング状のフレームにマウントし、前記半導体ウェハを予め分断予定ラインに沿って個々のチップにダイシング加工したワーク
    を固定するフレーム固定工程と、
    前記ワークのダイシングテープをエキスパンドするエキスパンド工程と、
    前記ダイシングテープのエキスパンド状態を解除した後、前記ダイシングテープに発生する弛み部分を、前記ダイシングテープの外周部に沿って等間隔にかつ対称的に配置され、それぞれ加熱状態が独立に制御可能な、少なくとも４個以上の光加熱装置で加熱する加熱工程と、を備え、
    前記加熱工程においては、所定位置で前記光加熱装置により前記ダイシングテープの弛み部分を加熱した後、前記光加熱装置の電源をオフするか、加熱に寄与しない電圧を印加し、前記ダイシングテープの外周に沿って隣り合った前記光加熱装置との中間の位置までそれぞれの前記光加熱装置を回転し、その位置で再び前記ダイシングテープの弛み部分を加熱することを特徴とするワーク分割方法。
  11. 前記光加熱装置は、前記ダイシングテープの弛み部分を加熱する際、前記ダイシングテープの収縮異方性に対応して印加電圧が制御されることを特徴とする請求項１０に記載のワーク分割方法。
JP2012000142A 2011-02-16 2012-01-04 ワーク分割装置及びワーク分割方法 Active JP5854215B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012000142A JP5854215B2 (ja) 2011-02-16 2012-01-04 ワーク分割装置及びワーク分割方法
KR1020120013859A KR101843794B1 (ko) 2011-02-16 2012-02-10 워크 분할장치 및 워크 분할방법
KR1020170062855A KR102063450B1 (ko) 2011-02-16 2017-05-22 워크 분할장치 및 워크 분할방법
KR1020180033136A KR102102596B1 (ko) 2011-02-16 2018-03-22 워크 분할장치 및 워크 분할방법
KR1020190179457A KR102105280B1 (ko) 2011-02-16 2019-12-31 워크 분할장치 및 워크 분할방법
KR1020200047391A KR102225430B1 (ko) 2011-02-16 2020-04-20 워크 분할장치 및 워크 분할방법

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011031292 2011-02-16
JP2011031292 2011-02-16
JP2012000142A JP5854215B2 (ja) 2011-02-16 2012-01-04 ワーク分割装置及びワーク分割方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2012186446A JP2012186446A (ja) 2012-09-27
JP2012186446A5 JP2012186446A5 (ja) 2015-03-19
JP5854215B2 true JP5854215B2 (ja) 2016-02-09

Family

ID=47016199

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012000142A Active JP5854215B2 (ja) 2011-02-16 2012-01-04 ワーク分割装置及びワーク分割方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP5854215B2 (ja)
KR (4) KR102063450B1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101658815B1 (ko) * 2015-04-16 2016-09-22 디에이치케이솔루션(주) 웨이퍼 확장 방법
CN110838462B (zh) * 2018-08-15 2022-12-13 北科天绘(合肥)激光技术有限公司 一种器件阵列的巨量转移方法及***

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07321070A (ja) * 1994-05-26 1995-12-08 Rohm Co Ltd ウェハのエキスパンド方法
JP4306359B2 (ja) * 2003-07-25 2009-07-29 株式会社東京精密 エキスパンド方法
EP1575081A1 (en) * 2002-10-28 2005-09-14 Tokyo Seimitsu Co.,Ltd. Expansion method and device
JP4288392B2 (ja) 2003-09-29 2009-07-01 株式会社東京精密 エキスパンド方法
JP2004200381A (ja) * 2002-12-18 2004-07-15 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
JP4471627B2 (ja) 2003-11-06 2010-06-02 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
JP2005317732A (ja) 2004-04-28 2005-11-10 Dainippon Printing Co Ltd 支持シート付ウエハ
JP2007123658A (ja) * 2005-10-31 2007-05-17 Disco Abrasive Syst Ltd 粘着テープの拡張装置
JP4777761B2 (ja) 2005-12-02 2011-09-21 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
JP4841944B2 (ja) 2005-12-07 2011-12-21 株式会社ディスコ 加工装置
JP2007226911A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Ricoh Co Ltd 光情報記録媒体の製造方法、製造装置、及び光情報記録媒体
JP2010147316A (ja) 2008-12-19 2010-07-01 Disco Abrasive Syst Ltd テープ拡張方法およびテープ拡張装置
JP5378780B2 (ja) 2008-12-19 2013-12-25 株式会社ディスコ テープ拡張方法およびテープ拡張装置
JP5791866B2 (ja) * 2009-03-06 2015-10-07 株式会社ディスコ ワーク分割装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR102102596B1 (ko) 2020-04-21
KR102225430B1 (ko) 2021-03-08
KR102063450B1 (ko) 2020-01-08
JP2012186446A (ja) 2012-09-27
KR20200003773A (ko) 2020-01-10
KR20200045456A (ko) 2020-05-04
KR20180036661A (ko) 2018-04-09
KR102105280B1 (ko) 2020-04-27
KR20170063475A (ko) 2017-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6466620B1 (ja) ワーク分割装置
JP6249586B2 (ja) ワーク分割装置及びワーク分割方法
JP5885033B2 (ja) ワーク分割装置及びワーク分割方法
KR102225430B1 (ko) 워크 분할장치 및 워크 분할방법
JP2018170525A (ja) ワーク分割装置及びワーク分割方法
JP6414995B2 (ja) ワーク分割装置及びワーク分割方法
JP5939416B2 (ja) ワーク分割装置及びワーク分割方法
JP5831696B2 (ja) ダイボンダ
KR101843794B1 (ko) 워크 분할장치 및 워크 분할방법
JP6060475B2 (ja) ワーク分割装置及びワーク分割方法
JP2020025112A (ja) ワーク分割装置及びワーク分割方法
KR20160001894U (ko) 유리 기판 모서리 가공 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20141217

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150129

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20150617

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20150623

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150630

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150723

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20150810

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150910

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20151013

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20151111

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20151124

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5854215

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250