JP5853934B2

JP5853934B2 - 光モジュール

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Publication number: JP5853934B2
Application number: JP2012242478A
Authority: JP
Inventors: 主鉉柳; 裕紀安田
Original assignee: Hitachi Metals Ltd
Current assignee: Proterial Ltd
Priority date: 2012-11-02
Filing date: 2012-11-02
Publication date: 2016-02-09
Anticipated expiration: 2032-11-02
Also published as: JP2014092653A

Description

本発明は、光ファイバを介して信号の伝送を行う光モジュールに関する。

従来、電気エネルギーを光エネルギーに、又は光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電変換素子を備え、光ファイバを介して信号の送信又は受信を行う光モジュールが知られている（特許文献１参照）。

特許文献１に記載の光モジュールは、板状の第１〜第４基板と、ＩＣ基板と、光モジュールを他の回路装置に電気的に接続するためのコネクタとを有している。第１基板には、発光素子又は受光素子が実装されている。また、第１基板の上面には、発光素子と光学的に結合する内部導波路が導波路形成用溝内に配設されている。ＩＣ基板には、発光素子に電気信号を送信する回路、又は受光素子の電気信号を増幅する回路が形成されている。第２基板には、光ファイバが挿入される挿入ガイド溝が形成され、この挿入ガイド溝に挿入された光ファイバが第２基板と第３基板との間に挟持されている。ＩＣ基板は、光ファイバの延伸方向に沿って、第３基板との間に第１基板を挟むように設置されている。つまり、第３基板，第１基板，及びＩＣ基板が、光ファイバの延伸方向に沿って、この順序で並んでいる。また、第１基板，第３基板，及びＩＣ基板は、これらの各基板よりも大型の第４基板の上面に設置され、コネクタは第４基板の下面に取り付けられている。

特開２０１１−９５２９５号公報

近年、光通信の普及により、様々な装置に光モジュールが搭載されるようになっている。そして、装置によっては、光モジュールの小型化及び軽量化が強く望まれる場合がある。このような光モジュールの用途としては、例えば折り畳み式又はスライド式の携帯電話の操作部（キーボード搭載部）と表示部（ディスプレイ搭載部）との間の通信が挙げられる。

特許文献１に記載の光モジュールは、第４基板の上面に第１基板及び第３基板が設置され、さらに第３基板の上に第２基板が設置されているので、コネクタの上に３つの基板が積層された構造となっている。このため、光モジュールの厚さ方向の寸法が増大する。

また、特許文献１に記載の光モジュールの第１基板には、光ファイバが突き当てられる端面から光を反射させるミラー部にかけて内部導波路が形成されている。このため、光ファイバの延伸方向における全長が長くなってしまう。

そこで、本発明の目的は、光ファイバを確実に保持しながら、小型化することが可能な光モジュールを提供することにある。

本発明は、上記課題を解決することを目的として、光電変換素子と、前記光電変換素子に電気的に接続された半導体回路素子と、前記光電変換素子及び前記半導体回路素子が一方の面に実装された板状の樹脂からなる回路基板と、前記回路基板の他方の面に対向し、前記光電変換素子と光学的に結合される光ファイバを挟むように配置された支持基板とを備え、前記回路基板には、前記光ファイバを収容する収容溝が前記他方の面から前記一方の面に向かって窪むように形成されると共に、前記光ファイバを伝搬する光を反射する反射面が前記一方の面に対して傾斜して前記収容溝の終端に形成された光モジュールを提供する。

本発明に係る光モジュールによれば、光ファイバを確実に保持しながら、小型化することが可能である。

本実施の形態に係る光モジュールを示す斜視図である。光モジュールを示す側面図である。図１のＡ−Ａ断面図である。回路基板を示し、裏面から見た斜視図である。図４のＢ−Ｂ断面図である。回路基板を示し、実装面から見た斜視図である。半導体回路素子を示し、底面側から見た斜視図である。図１のＣ−Ｃ断面図である。

［実施の形態］
図１は、本実施の形態に係る光モジュール１を示す斜視図である。図２は、光モジュール１を示す側面図である。図３は、光モジュール１に装着された光ファイバ９の延伸方向に沿って切断した光モジュール１のＡ−Ａ断面図である。

（光モジュール１の構成）
この光モジュール１は、図略の電子回路基板に搭載して使用される。電子回路基板は、例えばガラス繊維にエポキシ樹脂をしみ込ませて熱硬化処理を施した板状の基材に複数の銅箔を張り付けたガラスエポキシ基板である。電子回路基板には、ＣＰＵ（Central Processing Unit）や記憶素子等の電子部品が搭載され、光モジュール１に装着される光ファイバ９を伝送媒体とする光通信により、他の電子回路基板又は電子装置との間で信号を送信又は受信する。

光モジュール１は、光電変換素子３１と、光電変換素子３１に電気的に接続された半導体回路素子３２と、光電変換素子３１及び半導体回路素子３２が一方の面としての実装面２ａに実装された板状の樹脂からなる回路基板２と、回路基板２の他方の面としての裏面２ｂに対向し、光電変換素子３１と光学的に結合される光ファイバ９を挟むように配置された支持基板５と、固定部材４とを備えている。

光電変換素子３１は、図１に示すように、フィルム状の接着フィルム３３により電極２２１（２２１ａ）上に接着されている。本実施の形態では、接着フィルム３３は、例えばＮＣＦ（Non-conductive Film）等の熱圧着用樹脂が用いられている。

支持基板５は、直方体状の絶縁性の材料からなる本体部５０と、本体部５０の側面に形成された複数（本実施の形態では６つ）の導体としての金属箔５１とを一体に有している。本体部５０の長手方向における互いに平行かつ対向する側面には、それぞれ３つの金属箔５１が形成されている。なお、図１及び図２では、６つの金属箔５１のうち一方の側面に形成された３つの金属箔５１のみ示されている。

金属箔５１は、回路基板２の裏面２ｂに向かい合う表（おもて）面５０ａの端部から、その裏側の裏面５０ｂの端部に至るまで、支持基板５の厚さ方向（表面５０ａ及び裏面５０ｂに垂直な方向）に沿って延びるように形成されている。金属箔５１の表面５０ａ側の一端は、回路基板２の裏面２ｂに設けられた電極２２２に接続されている。

本実施の形態では、本体部５０がガラスを含有する素材から形成されている。より具体的には、本体部５０は、ガラス繊維にエポキシ樹脂をしみ込ませて熱硬化処理を施したガラスエポキシからなり、本実施の形態では、本体部５０の素材が所謂ＦＲ４（Flame Retardant Type 4）である。また、金属箔５１は、銅を主体とし、この銅の表面に金メッキが施されている。

本体部５０は、その厚みが例えば０．５ｍｍ以下であり、表面５０ａとは反対側の裏面５０ｂから、回路基板２に収容された光ファイバ９の先端部を視認可能な透光性を有している。これにより、裏面５０ｂ側から光ファイバ９の先端部の位置を確認することができる。

また、支持基板５には、ステンレス等の金属を屈曲して形成された固定部材４が固定されている。固定部材４は、光モジュール１に接続される光ファイバ９の外周を三方向から囲むように形成されている。光ファイバ９は、固定部材４に充填された接着剤により、固定部材４に固定されている。

光モジュール１は、光ファイバ９の延伸方向に沿った全長が例えば３．０ｍｍであり、この方向に直交する幅方向の寸法が例えば２．０ｍｍである。また、光モジュール１の高さ方向の寸法は例えば０．８ｍｍである。

光電変換素子３１は、電気信号を光信号に変換し、又は光信号を電気信号に変換する素子である。前者の発光素子としては、例えばレーザーダイオードやＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emmitting LASER）等が挙げられる。また、後者の受光素子としては、例えばフォトダイオードが挙げられる。光電変換素子３１は、光ファイバ９に向けて光を出射又は光ファイバ９からの光を入射するように構成されている。

光電変換素子３１が電気信号を光信号に変換する素子である場合、半導体回路素子３２は、電子回路基板側から入力される電気信号に基づいて光電変換素子３１を駆動するドライバＩＣである。また、光電変換素子３１が受光した光信号を電気信号に変換する素子である場合、半導体回路素子３２は、光電変換素子３１から入力される電気信号を増幅して電子回路側に出力する受信ＩＣである。

なお、本実施の形態では、光電変換素子３１及び半導体回路素子３２がそれぞれ一つである場合について説明するが、回路基板２に複数の光電変換素子３１及び半導体回路素子３２が実装されていてもよい。図３に示すように、半導体回路素子３２は、収容溝２０の底部２００の少なくとも一部を覆うように回路基板２の実装面２ａに実装され、光電変換素子３１は、回路基板２の実装面２ａにおける収容溝２０の終端側に実装されている。

図１に示すように、半導体回路素子３２の実装面積（実装面２ａに垂直な方向から見た場合の半導体回路素子３２の投影面積）は、光電変換素子３１の実装面積よりも大きい。すなわち、半導体回路素子３２の上面３２ａの面積は、光電変換素子３１の上面３１ａの面積よりも大きい。本実施の形態では、半導体回路素子３２の実装面積が光電変換素子３１の実装面積の６．５倍である。また、半導体回路素子３２は、回路基板２よりも厚く、回路基板２の剛性よりも高い剛性を有している。

図４は、回路基板２を示し、裏面２ｂから見た斜視図である。図５は、収容される光ファイバ９の延伸方向に沿って切断した回路基板２のＢ−Ｂ断面図である。なお、図５では、複数の電極２２１及び電極２２２は図示を省略している。図６は、回路基板２を示し、実装面２ａから見た斜視図である。

（回路基板２の構成）
回路基板２は、例えばＰＩ（ポリイミド）等の高耐熱性の樹脂からなり、導電性の金属箔からなる複数の電極２２１，２２２が設けられたフレキシブル基板である。光電変換素子３１及び半導体回路素子３２が実装される実装面２ａには、複数の電極２２１（２２１ａ，２２１ｂ）が設けられている。実装面２ａの裏側の裏面２ｂには、複数の電極２２２が設けられている。複数の電極２２１及び複数の電極２２２のそれぞれは、光電変換素子３１又は半導体回路素子３２に電気的に接続されている。

複数の電極２２２には、支持基板５の金属箔５１がそれぞれハンダ付けされ、電気的に接続される。本実施の形態に係る光モジュール１では、電極２２２及び金属箔５１が共に６つである。電極２２２は、裏面２ｂの周縁部に設けられている。

実装面２ａにおける複数の電極２２１は、その機能によって接続用電極２２１ａとテスト用電極２２１ｂとに分類される。接続用電極２２１ａは、半導体回路素子３２の端子３２１ａ〜３２１ｄ，３２３ｂ，３２４ｂ又は光電変換素子３１（図２，図３参照）にハンダ付けによって接続される電極である。

テスト用電極２２１ｂは、光モジュール１が電子回路基板に搭載されていない単体の状態で、光モジュール１の動作試験を行うためのテスト用の電極であり、テスト用電極２２１ｂには、動作試験用のプローブが接触し、このプローブを介して電源の供給やテスト信号の入出力が行われる。本実施の形態では、４つのテスト用電極２２１ｂが、半導体回路素子３２よりも実装面積の小さい光電変換素子３１の周辺に配置されている。テスト用の電極２２１ｂは、図略の配線電極によって、接続用の電極２２１ａの何れかに電気的に接続されている。

図４に示すように、回路基板２には、光ファイバ９を収容する収容溝２０が裏面２ｂから実装面２ａに向かって窪むように形成されている。収容溝２０は、光ファイバ９が押し込まれる開口２０１を支持基板５側（回路基板２の裏面２ｂ側）に有する。開口２０１の反対側（回路基板２の実装面２ａ側）には、底部２００が形成されている。つまり、光ファイバ９は、支持基板５側（回路基板２の裏面２ｂ側）から収容溝２０に挿入され、底部２００と支持基板５の表面５０ａとの間に保持される。収容溝２０の深さ（回路基板２の厚み方向の寸法）は、光ファイバ９の外径よりも小さく形成されている。

図５に示すように、収容溝２０の光ファイバ９の延伸方向における終端には、光ファイバ９を伝搬する光を反射する反射面２１、及び反射面２１に連続し、光ファイバ９の端面９ａに当接して光ファイバ９の位置を規制する壁部２２が収容溝２０と共に形成されている。

反射面２１は、回路基板２の裏面２ｂ（支持基板５の表面５０ａ）に対して傾斜している。反射面２１が回路基板２の裏面２ｂとなす角度は、例えば４５°である。また、本実施の形態では、反射面２１の表面は金（Ａｕ）によりメッキされている。

図５に示すように、壁部２２は、回路基板２の裏面２ｂに対して垂直な方向に立設している。光ファイバ９は端面９ａ（図３に示す）が壁部２２に当接し、収容溝２０における光ファイバ９の延伸方向の位置が一意に決まる。より具体的には、光ファイバ９のクラッド層９１の端面９１ａ（図３に示す）が、壁部２２に当接している。これにより、光ファイバ９のコア９０が、反射面２１との良好な反射位置に配置される。なお、本実施の形態に係る回路基板２には、回路基板２の素材の屈折率と異なる屈折率を有して光ファイバ９を伝搬する光を導く部材（導波路）が設けられていない。

図６に示すように、回路基板２の実装面２ａには、光ファイバ９を伝搬する光を通過させるための窓部２３が開口している。本実施の形態では、窓部２３の開口形状が四角形からなる。窓部２３は、底部２００の反射面２１側の端面２００ａと反射面２１との間に形成された空間である。

図７は、半導体回路素子３２を示し、上面３２ａ（図１に示す）と反対側の底面３２ｂ側から見た斜視図である。図８は、光モジュール１に装着された光ファイバ９の延伸方向と垂直な方向に沿って切断した光モジュール１のＣ−Ｃ断面図である。

半導体回路素子３２は、底面３２ｂ側に１０個の端子３２１ａ〜３２１ｄ，３２２ａ〜３２２ｄ，３２３ａ，３２３ｂ，３２４ａ，３２４ｂを有している。図７に示す例では、これらの各端子が四角形状であるが、円形でもよく、半球状であってもよい。また、各端子が半導体回路素子３２の側面に設けられ、回路基板２側に向かうように屈曲して形成された形状であってもよい。また、半導体回路素子３２と回路基板２との間には、アンダーフィルが充填される。

なお、本実施の形態では、各端子の表面の全体が電極２２１ａに接続される接続箇所となるが、半球状の場合には、その先端部が電極２２１ａとの接続箇所となる。また、各端子が半導体回路素子３２の側面から回路基板２側に向かうように屈曲された形状である場合には、その先端部が電極２２１ａとの接続箇所となる。

半導体回路素子３２の底面３２ｂにおいて、直線状に配列された４つの端子３２１ａ〜３２１ｄは、第１の端子列３２１を構成する。また、同じく直線状に配列された４つの端子３２２ａ〜３２２ｄは、第２の端子列３２２を構成する。第１の端子列３２１と第２の端子列３２２の端子列は互いに平行である。半導体回路素子３２は、図８に示すように、第１の端子列３２１の端子３２１ａ〜３２１ｄ及び第２の端子列３２２の端子３２２ａ〜３２２ｄが、収容溝２０を挟むように、回路基板２の電極２２１ａに接続される。

また、第１の端子列３２１と第２の端子列３２２との間の端子３２３ａ及び端子３２３ｂは、第３の端子列３２３を構成する。同じく第１の端子列３２１と第２の端子列３２２との間の端子３２４ａ及び端子３２４ｂは、第４の端子列３２４を構成する。すなわち、第３の端子列３２３は、第１の端子列３２１と第２の端子列３２２との間に、端子３２３ａ及び端子３２３ｂが配列されている。また同様に、第４の端子列３２４は、第１の端子列３２１と第２の端子列３２２との間に、端子３２４ａ及び端子３２４ｂが配列されている。

第３の端子列３２３を構成する端子３２３ａ及び端子３２３ｂは光電変換素子３１側に、第４の端子列３２４を構成する端子３２４ａ及び端子３２４ｂは固定部材４（図１に示す）側にそれぞれ位置している。なお、第３の端子列３２３と第４の端子列３２４との位置関係は、互いに逆でもよい。つまり、端子３２３ａ及び端子３２３ｂが固定部材４側に、端子３２４ａ及び端子３２４ｂが光電変換素子３１側に、それぞれ位置していてもよい。端子３２３ａ，３２３ｂ，３２４ａ，４２５ｂは、回路基板２を介して収容溝２０に少なくとも一部が対向している。

（光モジュール１の動作）
次に、図３を参照して光モジュール１の動作について説明する。ここでは、光電変換素子３１がＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting LASER、垂直共振器面発光レーザ）であり、半導体回路素子３２がこの光電変換素子３１を駆動するドライバＩＣである場合を中心に説明する。

光モジュール１は、電子回路基板から動作電源が供給されて動作する。この動作電源は、金属箔５１及び回路基板２を介して光電変換素子３１及び半導体回路素子３２に入力される。また、半導体回路素子３２には、電子回路基板から金属箔５１及び回路基板２を介して、光ファイバ９を伝送媒体として送信すべき信号が入力される。半導体回路素子３２は、入力された信号に基づいて光電変換素子３１を駆動する。

光電変換素子３１は、回路基板２との対向面に形成された受発光部から、回路基板２の実装面２ａに向かって、実装面２ａに垂直な方向にレーザ光を出射する。図３では、このレーザ光の光路Ｌを二点鎖線で示している。

レーザ光は実装面２ａに形成された窓部２３を通過し、反射面２１で反射し、光ファイバ９のコア９０に入射して光ファイバ９を伝搬する。なお、光電変換素子３１が例えばフォトダイオードであり、半導体回路素子３２が受信ＩＣである場合には、光の進行方向が上記とは逆となり、光電変換素子３１が受信した光信号を電気信号に変換して半導体回路素子３２に出力する。半導体回路素子３２は、この電気信号を増幅し、回路基板２及び金属箔５１を介して電子回路基板側に出力する。

（実施の形態の作用及び効果）
以上説明した実施の形態によれば、以下のような作用及び効果が得られる。

（１）光ファイバ９は、回路基板２の収容溝２０内に収容され、回路基板２の底部２００と支持基板５の表面５０ａとの間に挟まれて保持される。つまり、収容溝２０の開口２０１が支持基板５に対向して形成された構造であるため、光ファイバ９を保持するための押え部材等を回路基板２の実装面２ａ側に設ける必要はなく、光ファイバ９を確実に保持しながらも、光モジュール１を小型化することが可能である。

（２）本実施の形態に係る回路基板２は、樹脂のうち耐熱性の良好なＰＩ（ポリイミド）を使用しているため、光電変換素子３１及び半導体回路素子３２等の電子部品を実装する際、例えばハンダフリーや鉛フリー等の実装方法を利用することができ、実装方法の選択の自由度が広がる。

（３）光ファイバ９は、その端面９ａが反射面２１に直接対向するため、特許文献１に記載の光モジュールのように、導波路を設ける必要がない。したがって、光ファイバ９の延伸方向における光モジュール１の全長を短くすることができる。また、回路基板２と支持基板５との間に導波路が介在しない構成であるため、回路基板２と支持基板５との間における隙間が小さくなり、回路基板２の裏面２ｂに設けられた電極２２２と支持基板５に形成された金属箔５１とを、ハンダ等によって容易に接続することが可能である。

（４）光電変換素子３１は、回路基板２の実装面２ａにおける収容溝２０の終端側（反射面２１が形成されている側）に実装されているため、支持基板５によって支持される光ファイバ９の面積が増え、光ファイバ９の保持力向上につながる。

（５）収容溝２０への光ファイバ９の挿入方向に回路基板２と半導体回路素子３２とが積み重ねられているので、光ファイバ９の収容溝２０内への押し込みによる回路基板２の変形が半導体回路素子３２によって抑制される。つまり、光ファイバ９の押し込みによって回路基板２が半導体回路素子３２側に突き上げられても、回路基板２の電極２２１ａには、半導体回路素子３２の第１及び第２の端子列３２１，３２２の各端子が接続されているので、これらの端子による張力によって回路基板２の変形が抑制される。

（６）第３の端子列３２３の端子３２３ａ，３２３ｂ、及び第４の端子列３２４の端子３２４ａ，３２４ｂは、その一部が回路基板２を介して収容溝２０に対向しているので、光ファイバ９の収容溝２０への押し込みによる回路基板２の変形が、端子３２３ａ，３２３ｂ，３２４ａ，３２４ｂに押し返されることによって、さらに抑制される。

（７）回路基板２の実装面２ａには窓部２３が開口しているため、窓部２３が実装面２ａに開口していない場合（反射面２１の実装面２ａ側が底部２００で覆われている場合）と比較して、反射面２１で反射した光が光電変換素子３１に入射する際、又は反射面２１で反射した光が光ファイバ９のコア９０に入射する際の光の透過率が向上する。

（８）反射面２１は、その表面が金メッキされているため、腐食による反射率の低下を抑制することができると共に、光ファイバ９と光電変換素子３１との光学接続が良好となる。

（９）光ファイバ９は、クラッド層９１の端面９１ａが回路基板２に形成された壁部２２に当接するため、延伸方向における収容位置にずれが抑制される。したがって、コア９０を反射面２１との良好な反射位置に配置させることができる。

（１０）光電変換素子３１は、接着フィルム３３を用いて電極２２１（２２１ａ）上に接着するため、例えばアンダーフィル等の液状の接着剤のように窓部２３の開口から収容溝２０内に流れ込み、収容溝２０内を塞ぐおそれがない。

（実施の形態のまとめ）
次に、以上説明した実施の形態から把握される技術思想について、実施の形態における符号等を援用して記載する。ただし、以下の記載における各符号等は、特許請求の範囲における構成要素を実施の形態に具体的に示した部材等に限定するものではない。

［１］光電変換素子（３１）と、前記光電変換素子（３１）に電気的に接続された半導体回路素子（３２）と、前記光電変換素子（３１）及び前記半導体回路素子（３２）が実装面（２ａ）に実装された板状の回路基板（２）と、前記回路基板（２）の裏面（２ｂ）に対向し、前記光電変換素子（３１）と光学的に結合される光ファイバ（９）を挟むように配置された支持基板（５）とを備え、前記回路基板（２）には、前記光ファイバ（９）を収容する収容溝（２０）が前記裏面（２ｂ）から前記実装面（２ａ）に向かって窪むように形成されると共に、前記光ファイバ（９）を伝搬する光を反射する反射面（２１）が前記実装面（２ａ）に対して傾斜して前記収容溝（２０）の終端に形成された、光モジュール（１）。

［２］前記回路基板（２）は、樹脂からなる、［１］に記載の光モジュール（１）。

［３］前記回路基板（２）は、前記裏面（２ｂ）に前記光電変換素子（３１）又は前記半導体回路素子（３２）に電気的に接続された複数の電極（２２２）を備え、前記支持基板（５）には、前記複数の電極（２２２）と電気的に接続される複数の導体としての金属箔（５１）が設けられた、［１］又は［２］に記載の光モジュール（１）。

［４］前記半導体回路素子（３２）は、前記収容溝（２０）の底部（２００）の少なくとも一部を覆うように実装され、前記光電変換素子（３１）は、前記収容溝（２０）の前記終端側に実装されている、［１］乃至［３］の何れか１項に記載の光モジュール（１）。

［５］前記半導体回路素子（３２）は、前記回路基板（２）の電極（２２１）に接続される複数の端子（３２１ａ〜３２１ｄ，３２２ａ〜３２２ｄ）がそれぞれ直線状に配列された第１及び第２の端子列（３２１，３２２）を有し、前記第１及び第２の端子列（３２１，３２２）が前記収容溝（２０）を挟むように前記電極（２２１）に接続された、［１］乃至［４］の何れか１項に記載の光モジュール（１）。

［６］前記回路基板（２）の前記実装面（２ａ）には、前記光ファイバ（９）を伝搬する光を通過させるための窓部（２３）が開口している、［１］乃至［５］の何れか１項に記載の光モジュール（１）。

［７］前記反射面（２１）は、その表面が金（Ａｕ）によりメッキされている、［１］乃至［６］の何れか１項に記載の光モジュール（１）。

［８］前記回路基板（２）には、前記収容溝（２０）の終端に、前記反射面（２１）に連続し、前記光ファイバ（９）の端面（９ａ）に当接して前記光ファイバ（９）の位置を規制する壁部（２２）が形成されている、［１］乃至［７］の何れか１項に記載の光モジュール（１）。

［９］前記光電変換素子（３１）は、フィルム状の接着剤（３３）を用いて前記実装面（２ａ）に接着されている、［１］乃至［８］の何れか１項に記載の光モジュール（１）。

以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。

本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変形して実施することが可能である。例えば、上記実施の形態では、光モジュール１に一本の光ファイバ９が装着された場合について説明したが、これに限らず、複数の光ファイバ９が装着されるように光モジュールを構成してもよい。

また、光モジュール１を構成する各部材の材質も、上記実施の形態に記載したものに限らない。

また、上記実施の形態では、収容溝２０の深さは光ファイバ９の外径よりも小さく形成されていたが、これに限らず、収容溝２０の深さが光ファイバ９の外径よりも大きく形成されていてもよい。収容溝２０の深さが光ファイバ９の外径よりも小さく形成されている場合、収容溝２０からはみ出た光ファイバ９が支持基板５と干渉することにより、回路基板２が傾き、光モジュール１が大型化する要因となるおそれがある。一方、収容溝２０の深さが光ファイバ９の外径よりも大きく形成されている場合、光ファイバ９が収容溝２０内に完全に収まるため、光ファイバ９が支持基板５と干渉する可能性がなくなり、光モジュール１の大型化を抑制することができる。

また、収容溝２０の形状に制限はなく、例えばＵ溝やＶ溝でもよい。Ｕ溝の場合、Ｖ溝に比べて収容溝２０の開口２０１における光ファイバ９の径方向の幅を小さくすることができ、光モジュール１の小型化が図れる。

１…光モジュール、２…回路基板、２ａ…実装面（一方の面）、２ｂ…裏面（他方の面）、４…固定部材、５…支持基板、９…光ファイバ、９ａ…端面、２０…収容溝、２１…反射面、２２…壁部、２３…窓部、３１…光電変換素子、３１ａ…上面、３２…半導体回路素子、３２ａ…上面、３２ｂ…底面、３３…接着フィルム、５０…本体部、５０ａ…表面、５０ｂ…裏面、５１…金属箔（導体）、９０…コア、９１…クラッド層、９１ａ…端面、２００…底部、２００ａ…端面、２０１…開口、２２１，２２２…電極、２２１ａ…接続用電極、２２１ｂ…テスト用電極、３２１…第１の端子列、３２２…第２の端子列、３２３…第３の端子列、３２４…第４の端子列、３２１ａ〜３２１ｄ，３２２ａ〜３２２ｄ…端子、３２３ａ，３２３ｂ，３２４ａ，３２４ｂ…端子

Claims

光電変換素子と、
前記光電変換素子に電気的に接続された半導体回路素子と、
前記光電変換素子及び前記半導体回路素子が一方の面に実装された板状の回路基板と、
前記回路基板の他方の面に対向し、前記光電変換素子と光学的に結合される光ファイバを挟むように配置された支持基板とを備え、
前記回路基板には、前記光ファイバを収容する収容溝が前記他方の面から前記一方の面に向かって窪むように形成されると共に、前記光ファイバを伝搬する光を反射する反射面が前記一方の面に対して傾斜して前記収容溝の終端に形成され、
前記回路基板の前記一方の面には、前記光ファイバを伝搬する光を通過させるための窓部が開口し、
前記光電変換素子は、前記窓部に対向し、フィルム状の接着剤を用いて前記実装面に接着されている、
光モジュール。
前記回路基板は、樹脂からなる、
請求項１に記載の光モジュール。
前記回路基板は、前記他方の面に前記光電変換素子又は前記半導体回路素子に電気的に接続された複数の電極を備え、
前記支持基板には、前記複数の電極と電気的に接続される複数の導体が設けられた、
請求項１又は２に記載の光モジュール。
前記半導体回路素子は、前記収容溝の底部の少なくとも一部を覆うように実装され、
前記光電変換素子は、前記収容溝の前記終端側に実装されている、
請求項１乃至３の何れか１項に記載の光モジュール。
前記半導体回路素子は、前記回路基板の電極に接続される複数の端子がそれぞれ直線状に配列された第１及び第２の端子列を有し、前記第１及び第２の端子列が前記収容溝を挟むように前記電極に接続された、
請求項１乃至４の何れか１項に記載の光モジュール。
前記反射面は、その表面が金（Ａｕ）によりメッキされている、
請求項１乃至５の何れか１項に記載の光モジュール。
前記回路基板には、前記収容溝の終端に、前記反射面に連続し、前記光ファイバの端面に当接して前記光ファイバの位置を規制する壁部が形成されている、
請求項１乃至６の何れか１項に記載の光モジュール。