JP5853660B2 - Electron beam irradiation method - Google Patents
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 64
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 64
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
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Description
本発明は、金属ストリップに対し電子ビームを照射する方法において、電子ビームの出力が安定するまでの間等に、銅などの熱伝導性の良い材料からなる電子ビームの被照射体（以下、アイドルターゲットという）に電子ビームを照射する電子ビームの照射方法に関し、特にアイドルターゲットの局所的な高温化を回避しようとするものである。 The present invention relates to a method of irradiating an electron beam onto a metal strip, and to an object irradiated with an electron beam (hereinafter referred to as an idle) made of a material having good thermal conductivity such as copper until the output of the electron beam is stabilized. The present invention relates to an electron beam irradiation method for irradiating a target) with an electron beam, and in particular intends to avoid local high temperature of an idle target.
金属の微細加工に電子ビーム照射が用いられており、ビーム出力を変えることにより、大小さまざまな加工が可能になっている。
電子ビームはビーム出力が安定するまで、数10〜数100msほどの時間がかかる。高出力で被照射体を溶融・変形させる溶接などの用途では、ビーム出力が安定するまで、被照射体上にビームを照射している。一方で、表面改質などの用途においては、被照射体に照射される微妙な熱が、表面性状などに影響してくるため、加工する材料の近傍に設置したアイドルターゲットに電子ビームを照射して、出力を安定化させた後に、加工を開始している（例えば、特許文献１）。
Electron beam irradiation is used for microfabrication of metals, and various types of processing can be performed by changing the beam output.
The electron beam takes several tens to several hundreds of milliseconds until the beam output is stabilized. In applications such as welding where the irradiated object is melted and deformed with high output, the beam is irradiated onto the irradiated object until the beam output is stabilized. On the other hand, in applications such as surface modification, the subtle heat applied to the irradiated object affects the surface properties, etc., so the idle target placed near the material to be processed is irradiated with an electron beam. Then, after the output is stabilized, the processing is started (for example, Patent Document 1).
また、電子ビームは金属ストリップの幅方向全幅に照射することが多いが、幅方向端部付近に電子ビームを照射しようとする場合、金属ストリップの外側にも電子ビームが照射されることになる。この場合、電子ビームの熱を外部に散乱させない手段として、アイドルターゲットを用いる。 Further, the electron beam is often irradiated to the entire width of the metal strip, but when the electron beam is to be irradiated near the end in the width direction, the electron beam is also irradiated to the outside of the metal strip. In this case, an idle target is used as means for preventing the heat of the electron beam from being scattered outside.
近年、表面改質などでも、より大きな出力でビーム照射するケースが増えてきた。例えば、高出力による照射は、照射を高速化できる利点がある。ビームの走査速度をｖ(m/s)とした場合、単位長さ当たりに照射されるエネルギＥ(J/m)は、加速電圧Ｖ(V)×ビーム電流(A)÷ｖで表されるため、ビーム電流が高いほど、より速い走査で同一のエネルギを照射することが可能である。 In recent years, the number of cases of beam irradiation with a larger output has been increased even for surface modification. For example, irradiation with high output has an advantage that the irradiation can be accelerated. When the scanning speed of the beam is v (m / s), the energy E (J / m) irradiated per unit length is expressed by acceleration voltage V (V) × beam current (A) ÷ v. Therefore, it is possible to irradiate the same energy with faster scanning as the beam current is higher.
ビームが高出力化するに従って、電子ビームの出力が安定するまでの間に、または電子ビームが金属ストリップの外側に照射される間に、アイドルターゲットが電子ビームから受ける熱量が増え、その結果、アイドルターゲットの局所的な高温化、溶解または気化等が生じ、以下のような問題が顕在化してきた。
（１）アイドルターゲットの変形・磨耗
（２）金属蒸気の発生による電子銃加工室の真空度低下
（３）金属ストリップへの金属蒸気の付着
（４）アイドルターゲットからの熱伝導による金属ストリップの高温化と変形
As the power of the beam increases, the amount of heat that the idle target receives from the electron beam increases until the output of the electron beam stabilizes or while the electron beam is irradiated to the outside of the metal strip. The local high temperature, dissolution or vaporization of the target has occurred, and the following problems have become apparent.
(1) Deformation and wear of idle target (2) Degree of vacuum in electron gun processing chamber due to generation of metal vapor (3) Adhesion of metal vapor to metal strip (4) High temperature of metal strip due to heat conduction from idle target And transformation
上記（１）により、アイドルターゲットの交換頻度が増して、生産性が低下する。
上記（２）により、電子ビームの金属ストリップへの照射エネルギが低下し、加工精度の低下を招く。
上記（３）により、金属ストリップの外観等が劣化する。
上記（４）により、電子ビーム源と金属ストリップの間の距離が変化し、加工精度が低下する。
Due to the above (1), the replacement frequency of the idle target is increased and the productivity is lowered.
Due to the above (2), the irradiation energy of the electron beam to the metal strip is lowered, and the processing accuracy is lowered.
Due to the above (3), the appearance and the like of the metal strip deteriorate.
Due to the above (4), the distance between the electron beam source and the metal strip changes, and the processing accuracy decreases.
このような問題の解決策として、特許文献２に、アイドルターゲット上の電子ビームの照射位置を常時変化させることでアイドルターゲットの高温化を防ぐ技術が開示されている。
また、特許文献３に、ビーム待機位置で収束電流を変化させることにより、ターゲットの蒸発を抑えることで、基板への不要な蒸着粒子の付着を防止する技術が開示されている。
一方、一般的な解決方法として、アイドルターゲットを大型化したり、アイドルターゲットの素材を変更することが考えられる。
As a solution to such a problem,
Further, Patent Document 3 discloses a technique for preventing the deposition of unnecessary vapor deposition particles on a substrate by suppressing the evaporation of the target by changing the convergence current at the beam standby position.
On the other hand, as a general solution, it can be considered to enlarge the idle target or change the material of the idle target.
しかしながら、特許文献２に開示されている方法を用いる場合、アイドルターゲット上の電子ビームの照射位置を常時変化させるという、煩雑なビーム制御が必要となる。また、この方法を用いる場合、電子ビームが安定化するまで、または金属ストリップ外に待機する間、揺動させているために、待機位置から「ストリップ照射開始点へのビーム移動時間が一定とならないため、ストリップ照射開始点が不安定になる」おそれがある。また、同文献には、待機位置からストリップ照射開始点の距離が常に一定となるように、揺動させる電子ビームの形状を円状にさせることによって、上記問題を解消する技術も示されているが、この場合には、待機位置からストリップ照射開始点まで電子ビームを移動させる間に、金属ストリップに電子ビームが照射されてしまうおそれがあった。
However, when the method disclosed in
また、特許文献３に開示されている方法は、基板への薄膜の形成を回避すべき待機時に、ビーム待機位置での収束電流をターゲット照射時における収束電流から大きく異なる値に制御するものであり、この方法を用いる場合、アイドルターゲット照射時の収束電流を金属ストリップ照射時における収束電流から大きく異なる値に制御することとなる。しかしながら、本発明で意図している金属ストリップの連続通板における通板速度の高速化や金属ストリップに照射していないアイドル時間の短縮化が求められる状況においては、特許文献３のような急激な変化を伴う収束電流の制御は困難である。 The method disclosed in Patent Document 3 controls the convergence current at the beam standby position to a value significantly different from the convergence current at the time of target irradiation at the time of standby when thin film formation on the substrate should be avoided. When this method is used, the convergence current at the time of idle target irradiation is controlled to a value that differs greatly from the convergence current at the time of metal strip irradiation. However, in a situation where it is desired to increase the plate passing speed in the continuous strip of the metal strip intended in the present invention or to shorten the idle time when the metal strip is not irradiated, it is abrupt as in Patent Document 3. It is difficult to control the convergence current that accompanies the change.
また、アイドルターゲットを大型化させる場合は、アイドルターゲットの熱容量が増加するため、アイドルターゲット全体としての温度上昇は抑制できる。しかしながら、アイドルターゲットのビーム照射面におけるビーム照射時の局所的な高温化を防止することはできないため、少なくとも上記（２），（３）の問題を解決することができない。
また、アイドルターゲットの素材を変更する場合は、例えば、熱伝導度がより高い銀、またはより融点の高いタングステンもしくはモリブデンに変えることによって、上記の問題を軽減または解決することができる。しかしながら、これらの素材はいずれも入手が難しく、またタングステンやモリブデンの場合には加工性に問題がある。
Further, when the size of the idle target is increased, the heat capacity of the idle target increases, so that the temperature increase of the entire idle target can be suppressed. However, since it is impossible to prevent a local high temperature during beam irradiation on the beam irradiation surface of the idle target, at least the problems (2) and (3) cannot be solved.
Further, when changing the material of the idle target, for example, the above problem can be reduced or solved by changing to silver having a higher thermal conductivity or tungsten or molybdenum having a higher melting point. However, these materials are all difficult to obtain, and in the case of tungsten or molybdenum, there is a problem in workability.
この発明は、上記の問題を解決するもので、アイドルターゲットの局所的な高温化を有利に防止することができ、ひいてはアイドルターゲットの変形や、金属蒸気の発生を回避することができる電子ビームの照射方法を提供することを目的とする。 The present invention solves the above-mentioned problem, and can advantageously prevent local increase in temperature of the idle target, and in turn, can prevent deformation of the idle target and generation of metal vapor. An object is to provide an irradiation method.
さて、発明者らは、上記の問題を解決すべく鋭意研究を重ねた末に、以下に述べる知見を得た。
１）アイドルターゲットに電子ビームを照射する際のアイドルターゲット表面におけるビーム照射径を、金属ストリップに電子ビームを照射する際の金属ストリップ表面におけるビーム照射径よりも大きくしてやれば、アイドルターゲットのビーム照射面における熱密度を低下させて、アイドルターゲットの局所的な高温化を防止することができる。
Now, the inventors have made extensive studies to solve the above problems, and have obtained the following knowledge.
1) If the beam irradiation diameter on the surface of the idle target when the electron beam is irradiated on the idle target is larger than the beam irradiation diameter on the surface of the metal strip when the electron beam is irradiated on the metal strip, the beam irradiation surface of the idle target It is possible to prevent a local high temperature of the idle target by lowering the heat density at.
２）アイドルターゲット表面におけるビーム照射径を大きくする手段としては、アイドルターゲットと金属ストリップの距離を離すことが考えられる。通常、電子ビームは、その焦点が金属ストリップ表面に合わせられるため、アイドルターゲットと金属ストリップの距離を離せば離すほど、アイドルターゲット表面におけるビーム照射径を大きくすることができる。 2) As a means for increasing the beam irradiation diameter on the surface of the idle target, it is conceivable to increase the distance between the idle target and the metal strip. Usually, since the electron beam is focused on the surface of the metal strip, the beam irradiation diameter on the surface of the idle target can be increased as the distance between the idle target and the metal strip increases.
３）また、上記以外の手段としては、アイドルターゲット上で収束電流値を変更して、アイドルターゲット表面におけるビーム照射径を大きくすることが考えられる。
この発明は、上記の知見に立脚するものである。
3) As a means other than the above, it is conceivable to increase the beam irradiation diameter on the surface of the idle target by changing the convergence current value on the idle target.
The present invention is based on the above findings.
すなわち、この発明の要旨構成は次のとおりである。
１．金属ストリップに対し電子ビームを照射する方法において、電子ビームの出力が安定するまでの間、または電子ビームが金属ストリップの外側に照射される間に、別途用意したアイドルターゲットに電子ビームを照射するに際し、
上記アイドルターゲットと上記金属ストリップの距離を上記金属ストリップ表面に対する法線方向に離すことにより、上記アイドルターゲットに電子ビームを照射する際の該アイドルターゲット表面におけるビーム照射径を、上記金属ストリップに電子ビームを照射する際の該金属ストリップ表面におけるビーム照射径の1.2倍以上とすることを特徴とする電子ビームの照射方法。
That is, the gist configuration of the present invention is as follows.
1. In the method of irradiating the metal strip with the electron beam, when the electron beam is irradiated to the idle target prepared separately until the output of the electron beam is stabilized or while the electron beam is irradiated to the outside of the metal strip. ,
By separating the distance between the idle target and the metal strip in a direction normal to the surface of the metal strip, the beam irradiation diameter on the surface of the idle target when the electron beam is irradiated on the idle target is set to the electron beam on the metal strip. The electron beam irradiation method is characterized in that the beam irradiation diameter is 1.2 times or more of the surface of the metal strip at the time of irradiation.
２．前記アイドルターゲットを昇降移動させることによって、該アイドルターゲット表面におけるビーム照射径を調整することを特徴とする上記１に記載の電子ビームの照射方法。 2. 2. The electron beam irradiation method according to 1 above, wherein the beam irradiation diameter on the surface of the idle target is adjusted by moving the idle target up and down.
本発明に従い、アイドルターゲットに電子ビームを照射する際のアイドルターゲット表面におけるビーム照射径を、金属ストリップに電子ビームを照射する際の金属ストリップ表面におけるビーム照射径の1.2倍以上とすることにより、アイドルターゲットの局所的な高温化を有利に防止することができ、ひいてはアイドルターゲットの変形や、金属蒸気の発生を回避することができる。従って、高出力での電子ビーム加工、さらにそれによる、ビーム加工の高速化が可能になる。また、アイドルターゲットの消耗量および交換頻度を抑制することができ、さらに、加工真空度の安定化や、アイドルターゲット上での電子ビームの揺動不要化などにより、加工精度を向上させることができる。 According to the present invention, the beam irradiation diameter on the surface of the idle target when irradiating the electron beam to the idle target is set to be 1.2 times or more than the beam irradiation diameter on the surface of the metal strip when irradiating the electron beam to the metal strip. The local high temperature of the target can be advantageously prevented, and as a result, deformation of the idle target and generation of metal vapor can be avoided. Therefore, it becomes possible to perform electron beam processing at a high output and further increase the speed of beam processing. In addition, the consumption amount and replacement frequency of the idle target can be suppressed, and further, the processing accuracy can be improved by stabilizing the processing vacuum and eliminating the need to swing the electron beam on the idle target. .
以下、本発明について具体的に説明する。
本発明に係る電子ビームの代表的な照射要領を、図１を用いて説明する。図１において、１は電子ビーム発生装置（電子銃）、２は金属ストリップ、３は電子ビーム、４はアイドルターゲットである。さて金属ストリップ２は、真空室内を図中に示すＹ方向に走行しているものとする。電子銃１は、真空室の上方に設置されていて、ストリップ２の上面に向けて電子ビーム３を照射する。この時電子ビーム３は、電子銃１に取り付けられた収束コイルによりその径を絞られ、同じく電子銃１に取り付けられた偏向コイルによりその進行方向が偏向させられる。
Hereinafter, the present invention will be specifically described.
A typical irradiation procedure of the electron beam according to the present invention will be described with reference to FIG. In FIG. 1, 1 is an electron beam generator (electron gun), 2 is a metal strip, 3 is an electron beam, and 4 is an idle target. Now, it is assumed that the
アイドルターゲット４の素材は、局所的な熱集中およびそれに伴うアイドルターゲットの溶解を抑制するために、熱伝導性が高く、融点が高い材料が好ましい。例えば、Cuは、熱伝導率が極めて高く、融点が比較的高い上、加工性にも優れるため好ましい。この点、Alは、熱伝導性は高いが、融点が低いため好ましくない。 The material of the idle target 4 is preferably a material having a high thermal conductivity and a high melting point in order to suppress local heat concentration and accompanying dissolution of the idle target. For example, Cu is preferable because it has an extremely high thermal conductivity, a relatively high melting point, and excellent workability. In this respect, Al is not preferable because it has high thermal conductivity but low melting point.
アイドルターゲット４は、電子ビーム３の出力が安定するまでの間、または電子ビーム３が金属ストリップ２の外側に照射される間に、電子ビーム３の照射を受けるよう配置する。従って、アイドルターゲット４は、電子ビーム３をアイドルターゲット４上から金属ストリップ２上へと連続して照射することができるように、金属ストリップ２と隣接して配置されている。
The idle target 4 is arranged to receive the electron beam 3 until the output of the electron beam 3 is stabilized or while the electron beam 3 is irradiated to the outside of the
なお、図１に示した配置に代えて、図２に示すように、アイドルターゲット４を金属ストリップ２よりも上方に配置し、かつ、アイドルターゲット４の幅方向（図中Ｘ方向）端部が、電子銃の電子ビーム３の射出口と金属ストリップ２の幅方向（図中Ｘ方向）端部とをつなぐ直線上に位置するようにアイドルターゲット４を配置しても良い。
Instead of the arrangement shown in FIG. 1, as shown in FIG. 2, the idle target 4 is arranged above the
また、これら配置に代えて、図３に示すように、アイドルターゲット４を金属ストリップ２よりも下方に配置し、かつ、アイドルターゲット４の幅方向（図中Ｘ方向）端部が、電子銃の電子ビーム３の射出口と金属ストリップ２の幅方向（図中Ｘ方向）端部とを通過する直線上に位置するように、またはこの直線よりも金属ストリップ側に位置するようにアイドルターゲット４を配置しても良い。
Instead of these arrangements, as shown in FIG. 3, the idle target 4 is arranged below the
アイドルターゲット４を長時間交換しない場合には、長時間の照射による熱の蓄積が問題となる。従って、冷却装置などを用いて、アイドルターゲット４を連続的に冷却することが好ましい。特に、アイドルターゲット４を図１に示したように金属ストリップ２と接触させて配置する場合には、熱が金属ストリップ２へ拡散し、金属ストリップ２を熱変形させるおそれがある。従って、この場合には、アイドルターゲット４の金属ストリップ２と接触している部分を、ステンレス鋼製や樹脂製などとすることで、アイドルターゲット４と金属ストリップ２とを熱的に遮断することが好ましい。
If the idle target 4 is not replaced for a long time, heat accumulation due to long-time irradiation becomes a problem. Therefore, it is preferable to continuously cool the idle target 4 using a cooling device or the like. In particular, when the idle target 4 is disposed in contact with the
さて、発明者らは、寸法（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（20，100，Ｚ）になる平板状のアイドルターゲット４を図１のとおり配置し、Ｚの値を変えることによって、アイドルターゲット４に電子ビーム３を照射する際のアイドルターゲット表面におけるビーム照射径と、金属ストリップ２に電子ビーム３を照射する際の金属ストリップ表面におけるビーム照射径との比（「アイドルターゲット表面におけるビーム照射径」÷「金属ストリップ表面におけるビーム照射径」。以下、照射径比という）を調整した。そしてこの照射径比と、電子ビーム３の照射エネルギを４Ｊづつ増大させていったときにアイドルターゲット４がはじめて溶融したときの照射エネルギ（Ｊ）との関係を調べた。その結果を図４に示す。ここに、電子銃１の電子ビーム３の射出口と金属ストリップ２の中央部までの距離Ｗ０は450 mm、電子銃１の直下（ストリップの中央部）における電子ビームの照射径は0.25 mmとした。また、電子ビーム３のアイドルターゲットにおける照射時間は0.1 秒とした。
なお、照射径ｒは、金属ストリップまたはアイドルターゲット上に電子ビームを静止したときに照射される照射面積Ｓを求め、その円相当径（Ｓ＝πｒ２、すなわち、ｒ＝（Ｓ／π）１／２）として求められる。照射面積は、例えば、油性インクを塗布した鋼板にビームを照射すると照射部のインクがはがれるため、そのはがれた部分の面積を求めることで、事前に測定しておくことができる。
Now, the inventors arrange a flat idle target 4 having dimensions (X, Y, Z) = (20, 100, Z) as shown in FIG. 1 and change the value of Z, thereby changing the idle target 4. The ratio of the beam irradiation diameter on the idle target surface when the electron beam 3 is irradiated to the beam irradiation diameter on the metal strip surface when the
The irradiation diameter r is an irradiation area S irradiated when the electron beam is stopped on the metal strip or the idle target, and the equivalent circle diameter (S = πr 2 , ie, r = (S / π) 1 / 2 ). The irradiation area can be measured in advance, for example, by obtaining the area of the peeled portion since the ink on the irradiated portion is peeled off when the steel plate coated with oil-based ink is irradiated with the beam.
図４に示す結果から、照射径比が1.2倍以上（好ましくは1.4倍以上）であれば、アイドルターゲット４が溶融しない照射エネルギ値を高めることができる、換言すれば、アイドルターゲット４が溶融するようなアイドルターゲット４の局所的な高温化を効果的に抑制できることが判明した。 From the results shown in FIG. 4, if the irradiation diameter ratio is 1.2 times or more (preferably 1.4 times or more), the irradiation energy value at which the idle target 4 does not melt can be increased. In other words, the idle target 4 melts. It has been found that such a local high temperature of the idle target 4 can be effectively suppressed.
さらに、この時、電子銃１の電子ビーム３の射出口と金属ストリップの幅方向端部までの距離をＷ１（この例では453 mm ）、電子銃１の電子ビーム３の射出口とアイドルターゲット表面におけるビーム照射面までの距離をＷ２とし、｜Ｗ２−Ｗ１｜＝ΔＷＤ（ｍｍ）としたときのΔＷＤと、電子ビーム３の照射エネルギを４Ｊづつ増大させていったときにアイドルターゲット４がはじめて溶融したときの照射エネルギ（Ｊ）との関係についても調査した。その結果を図５に示す。
図５に示す結果から、この条件下ではΔＷＤが50 mm 以上であれば、アイドルターゲット４が溶融しない最大の照射エネルギを高めることができる、換言すれば、アイドルターゲット４が溶融するようなアイドルターゲット４の局所的な高温化を効果的に防止できることが分かる。
Further, at this time, the distance from the electron beam 3 emission port of the
From the results shown in FIG. 5, under this condition, if ΔWD is 50 mm or more, the maximum irradiation energy at which the idle target 4 does not melt can be increased. In other words, an idle target that melts the idle target 4. It can be seen that the local high temperature of 4 can be effectively prevented.
以上、アイドルターゲット４を予め所定位置に固定しておく配置パターンについて説明したが、図１に示した配置に代え、図６に示すように、アイドルターゲット４を上下方向に移動させて変位Ｈを変更できるような配置としても良い。 As described above, the arrangement pattern in which the idle target 4 is fixed in advance in the predetermined position has been described. However, instead of the arrangement shown in FIG. 1, the idle target 4 is moved in the vertical direction as shown in FIG. The arrangement may be changed.
表１に示す条件で電子ビームの照射を行った。そのときの前述した各問題、すなわち、
（１）アイドルターゲットの変形
（２）電子銃加工室の真空度低下
（３）金属ストリップへの金属蒸気付着
（４）金属ストリップの変形
の有無について調べた結果を、表２に示す。なお、金属ストリップの中央部における電子ビームの照射径は0.25 mm の一定とした。また、表１における配置パターン１，２，３，４は、それぞれ図１，２，３，６に示した配置に対応するものである。
Electron beam irradiation was performed under the conditions shown in Table 1. Each problem mentioned above at that time, that is,
(1) Deformation of the idle target (2) Decreasing degree of vacuum in the electron gun processing chamber (3) Adhesion of metal vapor to the metal strip (4) The results of examining the presence or absence of deformation of the metal strip are shown in Table 2. Note that the irradiation diameter of the electron beam at the central portion of the metal strip was constant at 0.25 mm. In addition, the
Ｎｏ．１の従来例は、とくに問題は生じなかったが、ビーム電流が３mA と極めて低く、また走査速度も10 m/s と遅いため、生産性は極めて低い。
次に、ビーム電流が7.5 mA と低く、また走査速度も25 m/s と遅い従来例のＮｏ．２では特に問題は生じなかったが、ビーム電流を15 mA 、走査速度を50 m/s に上げた比較例のＮｏ．３では上記（１）〜（３）の問題が発生した。さらに、ビーム電流を45 mA 、走査速度を150 m/s に上げた比較例のＮｏ．４では、上記（１）〜（３）の問題に加えて上記（４）の問題が発生した。
No. The conventional example 1 has no particular problem, but the beam current is as low as 3 mA and the scanning speed is as low as 10 m / s, so the productivity is extremely low.
Next, the beam current is as low as 7.5 mA and the scanning speed is as low as 25 m / s. No particular problem was observed with No. 2, but the comparative example No. 1 in which the beam current was increased to 15 mA and the scanning speed was increased to 50 m / s. 3, the above problems (1) to (3) occurred. Further, the comparative example No. 1 in which the beam current was increased to 45 mA and the scanning speed was increased to 150 m / s. 4, the problem (4) occurred in addition to the problems (1) to (3).
これに対し、本発明に従い、照射径比を1.2倍以上としたＮｏ．５〜９では、いずれも何の問題もなかった。特筆すべき点として、Ｎｏ．５〜８では、ビーム電流を45mA とし、走査速度を150 m/s まで高めたにもかかわらず、何の問題も発生しなかった。
以上の実施例により、本発明に従う電子ビームの照射方法によれば、アイドルターゲットの局所的な高温化を効果的に抑制できることが確認された。
On the other hand, in accordance with the present invention, No. 1 with an irradiation diameter ratio of 1.2 times or more. In 5-9, there was no problem at all. It should be noted that no. In 5-8, although the beam current was 45 mA and the scanning speed was increased to 150 m / s, no problem occurred.
From the above examples, it was confirmed that the local high temperature of the idle target can be effectively suppressed according to the electron beam irradiation method according to the present invention.
１ 電子銃
２ 金属ストリップ
３ 電子ビーム
４ アイドルターゲット
1
Claims (2)
上記アイドルターゲットと上記金属ストリップの距離を上記金属ストリップ表面に対する法線方向に離すことにより、上記アイドルターゲットに電子ビームを照射する際の該アイドルターゲット表面におけるビーム照射径を、上記金属ストリップに電子ビームを照射する際の該金属ストリップ表面におけるビーム照射径の1.2倍以上とすることを特徴とする電子ビームの照射方法。 In the method of irradiating the metal strip with the electron beam, when the electron beam is irradiated to the idle target prepared separately until the output of the electron beam is stabilized or while the electron beam is irradiated to the outside of the metal strip. ,
By separating the distance between the idle target and the metal strip in a direction normal to the surface of the metal strip, the beam irradiation diameter on the surface of the idle target when the electron beam is irradiated on the idle target is set to the electron beam on the metal strip. The electron beam irradiation method is characterized in that the beam irradiation diameter is 1.2 times or more of the surface of the metal strip at the time of irradiation.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011273758A JP5853660B2 (en) | 2011-02-28 | 2011-12-14 | Electron beam irradiation method |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011042922 | 2011-02-28 | ||
| JP2011042922 | 2011-02-28 | ||
| JP2011273758A JP5853660B2 (en) | 2011-02-28 | 2011-12-14 | Electron beam irradiation method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012194174A JP2012194174A (en) | 2012-10-11 |
| JP5853660B2 true JP5853660B2 (en) | 2016-02-09 |
Family
ID=47084870
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011273761A Active JP5867053B2 (en) | 2011-02-28 | 2011-12-14 | Electron beam irradiation method |
| JP2011273758A Active JP5853660B2 (en) | 2011-02-28 | 2011-12-14 | Electron beam irradiation method |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011273761A Active JP5867053B2 (en) | 2011-02-28 | 2011-12-14 | Electron beam irradiation method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JP5867053B2 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5867053B2 (en) * | 2011-02-28 | 2016-02-24 | Ｊｆｅスチール株式会社 | Electron beam irradiation method |
| JP5929808B2 (en) * | 2013-03-27 | 2016-06-08 | Ｊｆｅスチール株式会社 | Method for producing grain-oriented electrical steel sheet by high-speed electron beam irradiation |
| JP6015723B2 (en) * | 2013-08-30 | 2016-10-26 | Ｊｆｅスチール株式会社 | Manufacturing method of grain-oriented electrical steel sheet for low noise transformer cores |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57135172A (en) * | 1981-02-13 | 1982-08-20 | Hell Rudolf Dr Ing Gmbh | Electron beam-working method |
| JPH02228427A (en) * | 1989-03-01 | 1990-09-11 | Mitsubishi Electric Corp | Method for hardening gear by electron beam |
| JP3160315B2 (en) * | 1991-06-28 | 2001-04-25 | 川崎製鉄株式会社 | Electron beam irradiation method and irradiation device |
| JPH05279744A (en) * | 1992-03-31 | 1993-10-26 | Kawasaki Steel Corp | Irradiation method for electron beam |
| JP4039306B2 (en) * | 2003-04-22 | 2008-01-30 | 松下電工株式会社 | 3D circuit pattern forming method, apparatus, and 3D circuit board manufactured using the same |
| JP2006026660A (en) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Elionix Kk | Surface smoothing device using electron beam, and method for treating surface of metal mold |
| JP2008221254A (en) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Sharp Corp | Laser beam machining apparatus |
| JP5867053B2 (en) * | 2011-02-28 | 2016-02-24 | Ｊｆｅスチール株式会社 | Electron beam irradiation method |
-
2011
- 2011-12-14 JP JP2011273761A patent/JP5867053B2/en active Active
- 2011-12-14 JP JP2011273758A patent/JP5853660B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5867053B2 (en) | 2016-02-24 |
| JP2012194174A (en) | 2012-10-11 |
| JP2012192448A (en) | 2012-10-11 |
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